RU2586266C2 - Способ обработки поверхности пластин для формирования солнечных элементов - Google Patents
Способ обработки поверхности пластин для формирования солнечных элементов Download PDFInfo
- Publication number
- RU2586266C2 RU2586266C2 RU2014127447/28A RU2014127447A RU2586266C2 RU 2586266 C2 RU2586266 C2 RU 2586266C2 RU 2014127447/28 A RU2014127447/28 A RU 2014127447/28A RU 2014127447 A RU2014127447 A RU 2014127447A RU 2586266 C2 RU2586266 C2 RU 2586266C2
- Authority
- RU
- Russia
- Prior art keywords
- plate surface
- solution
- removal
- oxide
- solar cells
- Prior art date
Links
Classifications
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
- Y02P70/00—Climate change mitigation technologies in the production process for final industrial or consumer products
- Y02P70/50—Manufacturing or production processes characterised by the final manufactured product
Abstract
Изобретение относится к технологии обработки поверхности полупроводниковых пластин, в частности к процессам очистки поверхности пластин между технологическими операциями, для изготовления солнечных элементов. Способ согласно изобретению заключается в том, что с поверхности пластин происходит полное удаление окисла в растворе состоящей из плавиковой кислоты и деионизованной воды, при комнатной температуре раствора. Процесс удаления окисла считается законченным, в том случае, когда раствор скатывается с поверхности обратной стороны кремниевой пластины. Реакция обработки поверхности кремниевой пластины протекает с большой скоростью, длительность процесса составляет не более 20 секунд. При этом не происходит ухудшения качества поверхности кремния. Предлагаемый способ обеспечивает удаление остатков окисла с поверхности обратной стороны перед напылением и способствует улучшению адгезии, благодаря которой увеличивается процент выхода годных кристаллов - 98%. 3 пр.
Description
Изобретение относится к технологии обработки поверхности полупроводниковых пластин, в частности к процессам очистки поверхности пластин между технологическими операциями, для изготовления солнечных элементов.
Известны способы обработки кремниевых пластин перед напылительными процессами: в кислотах, щелочных растворах при температуре 90-100°C, и др. [1].
Основными недостатками этих способов являются неполное удаление окисла, высокая температура и длительность процесса.
Целью изобретения является полное удаление остатка окисла с поверхности обратной стороны кремниевых пластин перед напылением и уменьшение температуры и длительности процесса.
Поставленная цель достигается тем, что удаление окисла перед напылением происходит за счет использования раствора, в состав которого входят фтористоводородная кислота HF и деионизованная вода H2O в следующих соотношениях:
Сущность способа заключается в том, что с поверхности пластин происходит полное удаление окисла в растворе, состоящем из плавиковой кислоты и деионизованной воды, при комнатной температуре раствора. Процесс удаления окисла считается законченным, в том случае, когда раствор скатывается с поверхности обратной стороны кремниевой пластины. Реакция обработки поверхности кремниевой пластин протекает с большой скоростью, длительность процесса составляет не более 20 секунд. При этом не происходит ухудшения качества поверхности кремния.
Таким образом, предполагаемый способ по сравнению с прототипом обеспечивает удаление остатков окисла с поверхности обратной стороны перед напылением и способствует улучшению адгезии, благодаря которой увеличивается процент выхода годных кристаллов - 98%.
Сущность изобретения подтверждается следующими примерами:
ПРИМЕР 1. Процесс проводят на установке химической обработки в одной ванне с последующей отмывкой в деионизованной воде при соотношении компонентов:
Температура раствора комнатная. Время обработки 60 секунд. Процент выхода годных кристаллов составляет 92%.
ПРИМЕР 2. Способ осуществляют аналогично примеру 1. Процесс проводят на установке химической обработки в одной ванне с последующей отмывкой в деионизованной воде при соотношении компонентов:
Температура раствора комнатная. Время обработки равно 40 секунд. Процент выхода годных кристаллов составляет 95%.
ПРИМЕР 3. Способ осуществляют аналогично примеру 1. Процесс проводят на установке химической обработки в одной ванне с последующей отмывкой в деионизованной воде при соотношении компонентов:
Температура раствора комнатная. Время обработки равно 20 секунд. Процент выхода годных кристаллов составляет 98%.
Таким образом, предполагаемый способ по сравнению с прототипом обеспечивает полное удаление остатка окисла с поверхности обратной стороны кремниевой пластины перед напылением и способствует улучшению адгезии, благодаря которой увеличивается процент выхода годных кристаллов с 93 до 98%.
Литература
1. Курносов А.И., Юдин В.В. Технология производства полупроводниковых приборов и интегральных микросхем, М: «Высшая школа», 1986, с.177-178.
Claims (1)
- Способ обработки поверхности пластин для формирования солнечных элементов, включающий травление кремния с полным удалением остатков окисла с поверхности обратной стороны кремниевой пластины, перед напылением обратной стороны, отличающийся тем, что в качестве травителя используется раствор, в состав которого входят фтористоводородная кислота и деионизованная вода, компоненты раствора выбираются в следующем соотношении:
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
RU2014127447/28A RU2586266C2 (ru) | 2014-07-04 | 2014-07-04 | Способ обработки поверхности пластин для формирования солнечных элементов |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
RU2014127447/28A RU2586266C2 (ru) | 2014-07-04 | 2014-07-04 | Способ обработки поверхности пластин для формирования солнечных элементов |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
RU2014127447A RU2014127447A (ru) | 2016-01-27 |
RU2586266C2 true RU2586266C2 (ru) | 2016-06-10 |
Family
ID=55237201
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
RU2014127447/28A RU2586266C2 (ru) | 2014-07-04 | 2014-07-04 | Способ обработки поверхности пластин для формирования солнечных элементов |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
RU (1) | RU2586266C2 (ru) |
Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4758525A (en) * | 1985-07-15 | 1988-07-19 | Hitachi, Ltd. | Method of making light-receiving diode |
SU1830229A3 (ru) * | 1990-07-20 | 1996-12-10 | Физико-технический институт им.А.Ф.Иоффе РАН | Способ изготовления кремниевых структур |
US7241700B1 (en) * | 2004-10-20 | 2007-07-10 | Advanced Micro Devices, Inc. | Methods for post offset spacer clean for improved selective epitaxy silicon growth |
RU2376675C1 (ru) * | 2008-07-17 | 2009-12-20 | Государственное Образовательное Учреждение Высшего Профессионального Образования "Дагестанский Государственный Технический Университет" (Дгту) | Способ первичного отжига для обработки карбид-кремниевой трубы |
RU2395867C2 (ru) * | 2008-10-06 | 2010-07-27 | Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет "ЛЭТИ" им. В.И. Ульянова (Ленина) (СПбГЭТУ) | ПОЛУПРОВОДНИКОВАЯ СЭНДВИЧ-СТРУКТУРА 3С-SiC/Si, СПОСОБ ЕЕ ПОЛУЧЕНИЯ И ЧУВСТВИТЕЛЬНЫЙ ЭЛЕМЕНТ МЕМБРАННОГО ТИПА С ЕЕ ИСПОЛЬЗОВАНИЕМ |
RU2419175C2 (ru) * | 2009-06-29 | 2011-05-20 | Государственное Образовательное Учреждение Высшего Профессионального Образования "Дагестанский Государственный Технический Университет" (Дгту) | Способ обработки подложек в жидкостном травителе |
-
2014
- 2014-07-04 RU RU2014127447/28A patent/RU2586266C2/ru not_active IP Right Cessation
Patent Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4758525A (en) * | 1985-07-15 | 1988-07-19 | Hitachi, Ltd. | Method of making light-receiving diode |
SU1830229A3 (ru) * | 1990-07-20 | 1996-12-10 | Физико-технический институт им.А.Ф.Иоффе РАН | Способ изготовления кремниевых структур |
US7241700B1 (en) * | 2004-10-20 | 2007-07-10 | Advanced Micro Devices, Inc. | Methods for post offset spacer clean for improved selective epitaxy silicon growth |
RU2376675C1 (ru) * | 2008-07-17 | 2009-12-20 | Государственное Образовательное Учреждение Высшего Профессионального Образования "Дагестанский Государственный Технический Университет" (Дгту) | Способ первичного отжига для обработки карбид-кремниевой трубы |
RU2395867C2 (ru) * | 2008-10-06 | 2010-07-27 | Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет "ЛЭТИ" им. В.И. Ульянова (Ленина) (СПбГЭТУ) | ПОЛУПРОВОДНИКОВАЯ СЭНДВИЧ-СТРУКТУРА 3С-SiC/Si, СПОСОБ ЕЕ ПОЛУЧЕНИЯ И ЧУВСТВИТЕЛЬНЫЙ ЭЛЕМЕНТ МЕМБРАННОГО ТИПА С ЕЕ ИСПОЛЬЗОВАНИЕМ |
RU2419175C2 (ru) * | 2009-06-29 | 2011-05-20 | Государственное Образовательное Учреждение Высшего Профессионального Образования "Дагестанский Государственный Технический Университет" (Дгту) | Способ обработки подложек в жидкостном травителе |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
RU2014127447A (ru) | 2016-01-27 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
MX2018014328A (es) | Metodo para preparar estructura texturizada de celda solar de silicio cristalino. | |
JP2013541212A5 (ru) | ||
JP2019510379A5 (ru) | ||
US6526995B1 (en) | Brushless multipass silicon wafer cleaning process for post chemical mechanical polishing using immersion | |
SG152158A1 (en) | Method for cleaning silicon wafer | |
WO2019067923A3 (en) | Stripper solutions and methods of using stripper solutions | |
WO2012045216A1 (zh) | 一种晶体硅rie制绒的表面损伤层清洗工艺 | |
JP2016063226A5 (ru) | ||
JPWO2009044647A1 (ja) | シリコンエッチング液およびエッチング方法 | |
TW200902705A (en) | Process for cleaning a semiconductor wafer using a cleaning solution | |
CN102364697B (zh) | 一种去除rie制绒后晶体硅表面的微损伤层的方法 | |
TWI612602B (zh) | 製程分離型基板處理裝置及處理方法 | |
RU2586266C2 (ru) | Способ обработки поверхности пластин для формирования солнечных элементов | |
RU2534444C2 (ru) | Способ удаления окисла с поверхности кремниевых пластин | |
WO2012001874A1 (ja) | 太陽電池基板用半導体ウェーハの洗浄方法 | |
CN103646871A (zh) | 一种提高非晶硅表面氧化层均匀性的方法 | |
TW200833824A (en) | Solution for removing residue after semiconductor dry process and method of removing the residue using the same | |
RU2403648C1 (ru) | Способ выявления эпитаксиальных дефектов дислокаций | |
RU2376676C1 (ru) | Способ обработки кристаллов кремния | |
RU2786369C2 (ru) | СПОСОБ ОБРАБОТКИ ПЕРЕД НАПЫЛЕНИЕМ ТИТАН-ГЕРМАНИЙ (Ti-Ge) | |
CN101699615A (zh) | 一种浸蚀硅片方法 | |
WO2016032856A3 (en) | Sequential etching treatment for solar cell fabrication | |
KR102109893B1 (ko) | 접합 웨이퍼의 제조방법 | |
TW200733209A (en) | Method for suppressing oxide growth while performing wet cleaning sequence on semiconductor device on semiconductor substrate | |
RU2359357C1 (ru) | Способы обработки поверхности пластин перед нанесением полиимида |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
MM4A | The patent is invalid due to non-payment of fees |
Effective date: 20160705 |