RU2403648C1 - Способ выявления эпитаксиальных дефектов дислокаций - Google Patents
Способ выявления эпитаксиальных дефектов дислокаций Download PDFInfo
- Publication number
- RU2403648C1 RU2403648C1 RU2009117625/28A RU2009117625A RU2403648C1 RU 2403648 C1 RU2403648 C1 RU 2403648C1 RU 2009117625/28 A RU2009117625/28 A RU 2009117625/28A RU 2009117625 A RU2009117625 A RU 2009117625A RU 2403648 C1 RU2403648 C1 RU 2403648C1
- Authority
- RU
- Russia
- Prior art keywords
- silicon wafers
- dislocation defects
- pcs
- defects
- carried out
- Prior art date
Links
Landscapes
- Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
Abstract
Изобретение относится к процессам обработки поверхности кремниевых пластин для выявления эпитаксиальных дефектов дислокаций. Сущность изобретения: способ выявления эпитаксиальных дефектов дислокаций включает травление поверхности кремниевых пластин в селективном травителе, состоящем из следующих компонентов: азотной кислоты (HNO3), плавиковой кислоты (HF) и уксусной кислоты (СН3СООН), в соотношении 5:1:15, при температуре 293 К и времени травления 145±5 минут, при этом количество светящихся точек составляет 5 шт., а суммарное количество дефектов дислокаций 550±50 шт./см2. Изобретение обеспечивает получение ровной и ненарушенной поверхности кремниевых пластин, а также уменьшение длительности процесса.
Description
Изобретение относится к технологии изготовления силовых кремниевых транзисторов, в частности к процессам обработки поверхности кремниевых пластин для выявления эпитаксиальных дефектов дислокации.
Известен метод выявления дефектов дислокации на поверхности кремниевых пластин: травители, растворы, кислоты и др. [1].
Недостатками этого способа являются высокие температуры, длительность процесса, при которых нарушается поверхность полупроводниковых пластин.
Известен следующий способ выявления дефектов дислокации на поверхности кремниевых пластин в кипящем водном растворе 30%-ного едкого натра.
Основными недостатками этого способа являются получение неровной поверхности кремниевых пластин и длительность процесса.
Целью изобретения является получение ровной и ненарушенной поверхности кремниевых пластин, а также уменьшение длительности процесса.
Поставленная цель достигается тем, что выявление дислокации проводится погружением кремниевых пластин в селективный травитель «Дэша», состоящий из следующих компонентов: азотной кислоты (HNO3), плавиковой кислоты (HF) и уксусной кислоты (CH3COOH) в соотношении 5:1:15.
Сущность способа заключается в том, что кремниевые пластины загружают в селективный травитель «Дэша», состоящий из следующих компонентов: азотной кислоты (HNO3), плавиковой кислоты (HF) и уксусной кислоты (CH3COOH) в соотношении 5:1:15, при температуре 293 K, время травления - 145±5 минут. Далее отмывку ведут в стоп-ванне, с последующей отмывкой в двух ваннах с переливом на четыре стороны, при расходе деионизованной воды 500 л/ч, длительность отмывки - по 5 минут в каждой из ванн. Контроль качества очистки пластин осуществляется под лучом сфокусированного света на наличие количества светящихся точек, а для подсчета дефектов дислокаций выбирают рабочее увеличение микроскопа в диапазоне 100-400х и подсчитывают количество дефектов.
Предлагаемый способ отличается от известных тем, что выявление дефектов дислокации в селективном травителе «Дэша» позволяет потравить поверхность кремниевых пластин и выявить дефекты дислокации. Состояние поверхности кремниевых пластин влияет на качество последующих технологических операций и процент выхода годных транзисторов.
Количество светящихся точек составило 5 шт. Суммарное количество дефектов дислокации - 550±50 шт./см2.
Сущность изобретения подтверждается следующими примерами.
ПРИМЕР 1. Процесс проводят на установке химической обработки. Фторопластовые кассеты с кремниевыми пластинами загружают в селективный травитель «Дэша», состоящий из следующих компонентов: азотной кислоты (HNO3), плавиковой кислоты (HF) и уксусной кислоты (CH3COOH) в соотношении компонентов 3:1:15. Травление проводится при температуре 298 K, время травления составляет - 185±5 минут. Затем фторопластовые кассеты с кремниевыми пластинами перекладывают в стоп-ванну для отмывки в деионизованной воде. После чего отмывку ведут в двух ваннах с переливом на четыре стороны, при расходе деионизованной воды 500 л/ч. Длительность отмывки - по 5 минут в каждой из ванн.
Количество светящихся точек составило 8 шт. Суммарное количество дефектов дислокации - 950±50 шт./см2.
ПРИМЕР 2. Способ осуществляют аналогично примеру 1. Процесс проводят на установке химической обработки в селективном травителе «Дэша», состоящем из следующих компонентов:
HNO3:HF:CH3COOH
4:1:15,
при температуре - 295 K время травления составляет - 165±5 минут.
Количество светящихся точек составило 6 шт. Суммарное количество дефектов дислокации - 750±50 шт./см2.
ПРИМЕР 3. Способ осуществляют аналогично примеру 1. Процесс проводят на установке химической обработки в селективном травителе «Дэша», состоящем из следующих компонентов:
HNO3:HF:CH3COOH
5:1:15,
при температуре - 293 K, время травления составляет - 145±5 минут.
Количество светящихся точек составило 5 шт. Суммарное количество дефектов дислокации - 550±50 шт./см2.
Таким образом, предлагаемый способ по сравнению с прототипом позволяет выявить дефекты дислокации и дает возможность получения ровной, ненарушенной поверхности кремниевых пластин, что позволяет улучшить качество поверхности эпитаксиальных структур.
Источники информации
1. З.Ю. Готра. Технология микроэлектронных устройств. - М.: Радио и связь, 1991, с.128.
Claims (1)
- Способ выявления эпитаксиальных дефектов дислокаций, включающий травление поверхности кремниевых пластин, отличающийся тем, что обработку ведут в селективном травителе «Дэша», состоящем из следующих компонентов: азотной кислоты (HNO3), плавиковой кислоты (HF) и уксусной кислоты (СН3СООН) в соотношении 5:1:15 при температуре 293 К и времени травления 145±5 мин, при этом количество светящихся точек составляет 5 шт., а суммарное количество дефектов дислокации 550±50 шт./см2.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
RU2009117625/28A RU2403648C1 (ru) | 2009-05-08 | 2009-05-08 | Способ выявления эпитаксиальных дефектов дислокаций |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
RU2009117625/28A RU2403648C1 (ru) | 2009-05-08 | 2009-05-08 | Способ выявления эпитаксиальных дефектов дислокаций |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
RU2403648C1 true RU2403648C1 (ru) | 2010-11-10 |
Family
ID=44026174
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
RU2009117625/28A RU2403648C1 (ru) | 2009-05-08 | 2009-05-08 | Способ выявления эпитаксиальных дефектов дислокаций |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
RU (1) | RU2403648C1 (ru) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
RU2534434C2 (ru) * | 2013-01-09 | 2014-11-27 | Федеральное Государственное Бюджетное Образовательное Учреждение Высшего Профессионального Образования "Дагестанский Государственный Технический Университет" (Дгту) | Способ выявления дефектов на полупроводниковой пластине |
RU2645041C2 (ru) * | 2016-04-12 | 2018-02-15 | Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Орловский государственный университет имени И.С. Тургенева" (ОГУ имени И.С. Тургенева) | Способ определения направления дислокаций в монокристаллах с помощью асм |
-
2009
- 2009-05-08 RU RU2009117625/28A patent/RU2403648C1/ru not_active IP Right Cessation
Non-Patent Citations (1)
Title |
---|
Готра З.Ю. Технология микроэлектронных устройств. Справочник. - М.: Радио и связь, 1991, с.128. Курносов А.И. Материалы для полупроводниковых приборов и интегральных микросхем. - М.: Высшая школа, 1980, с.86-87. * |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
RU2534434C2 (ru) * | 2013-01-09 | 2014-11-27 | Федеральное Государственное Бюджетное Образовательное Учреждение Высшего Профессионального Образования "Дагестанский Государственный Технический Университет" (Дгту) | Способ выявления дефектов на полупроводниковой пластине |
RU2645041C2 (ru) * | 2016-04-12 | 2018-02-15 | Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Орловский государственный университет имени И.С. Тургенева" (ОГУ имени И.С. Тургенева) | Способ определения направления дислокаций в монокристаллах с помощью асм |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
TWI494416B (zh) | 用於蝕紋單晶及多晶矽基板表面之酸性蝕刻溶液及方法 | |
CN108885989B (zh) | 用于处理氮化物结构而没有二氧化硅沉积的方法和装置 | |
MX2018014328A (es) | Metodo para preparar estructura texturizada de celda solar de silicio cristalino. | |
US10515820B2 (en) | Process and apparatus for processing a nitride structure without silica deposition | |
TW201209157A (en) | Aqueous alkaline etching and cleaning composition and method for treating the surface of silicon substrates | |
KR20130020792A (ko) | 에칭액 및 실리콘 기판의 표면가공 방법 | |
CN101399196B (zh) | 晶圆背面粗糙化处理方法 | |
JP2009016833A (ja) | 洗浄溶液を用いて半導体ウェハを洗浄する方法 | |
RU2403648C1 (ru) | Способ выявления эпитаксиальных дефектов дислокаций | |
CN102364697B (zh) | 一种去除rie制绒后晶体硅表面的微损伤层的方法 | |
US8795542B2 (en) | Removal of silicon nitrides during manufacturing of semiconductor devices | |
KR20130076760A (ko) | 식각액 조성물 및 이를 이용한 습식 식각 방법 | |
WO2012001874A1 (ja) | 太陽電池基板用半導体ウェーハの洗浄方法 | |
CN107354513B (zh) | 一种高效稳定的锗单晶片腐蚀工艺 | |
JP6529715B2 (ja) | シリコンウェーハの製造方法 | |
CN103646871A (zh) | 一种提高非晶硅表面氧化层均匀性的方法 | |
TW200833824A (en) | Solution for removing residue after semiconductor dry process and method of removing the residue using the same | |
KR20150107773A (ko) | 실리콘 에칭액 및 에칭방법 그리고 미소전기기계소자 | |
CN105483833A (zh) | 一种氮化铝单晶的位错腐蚀方法 | |
RU2534444C2 (ru) | Способ удаления окисла с поверхности кремниевых пластин | |
RU2419175C2 (ru) | Способ обработки подложек в жидкостном травителе | |
RU2359357C1 (ru) | Способы обработки поверхности пластин перед нанесением полиимида | |
RU2376676C1 (ru) | Способ обработки кристаллов кремния | |
CN103531458A (zh) | 一种利用两步法对GaAs基材料进行湿法刻蚀的方法 | |
RU2586266C2 (ru) | Способ обработки поверхности пластин для формирования солнечных элементов |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
MM4A | The patent is invalid due to non-payment of fees |
Effective date: 20110509 |