CN102446702B - 湿法处理方法及回蚀方法 - Google Patents
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Abstract
本发明公开了一种湿法处理方法及回蚀方法，所述湿法处理方法在对半导体衬底进行稀释的氢氟酸处理后，利用去离子水将所述稀释的氢氟酸逐渐排出，并在同一槽中对所述半导体衬底进行去离子水冲洗，从而避免在半导体衬底上产生颗粒；所述回蚀方法在利用稀释的氢氟酸对半导体衬底上的垫氧化层进行回蚀后，利用去离子水将所述稀释的氢氟酸逐渐排出，并在同一槽中对所述半导体衬底进行去离子水冲洗，从而避免在半导体衬底上产生颗粒，提高了半导体器件的性能。
Description
技术领域
本发明涉及半导体器件技术领域，尤其涉及一种湿法处理方法及回蚀方法。
背景技术
随着集成电路技术的发展，集成电路的集成度越来越高，半导体器件的特征尺寸(CD)越来越小，器件之间的距离也越来越小，从而使得各器件之间的绝缘隔离保护也变得更加重要。当半导体制造技术工艺进入深亚微米技术节点之后，0.13μm技术以下的半导体器件的有源区(AA，Active Area)之间的隔离槽通常都采用浅沟槽隔离(STI，Shallow Trench Isolation)技术来制作。
请参考图1A至图1H，图1A至图1H为STI制备方法各步骤对应的器件剖面结构示意图，如图1A至图1H所示，STI的制备通常包括如下步骤：
提供半导体衬底101；
在所述半导体衬底101上依次形成垫氧化层(Pad Oxide)102及氮化硅层103，如图1A所示；其中，所述氮化硅层103作为阻挡层；
在所述氮化硅层103上涂光刻胶104，并利用浅沟槽掩模版对所述光刻胶104进行曝光及显影，形成图形化的光刻胶104，如图1B所示；
以所述图形化的光刻胶104为掩模，分别对所述氮化硅层103、垫氧化层102及半导体衬底101进行刻蚀，在所述半导体衬底101中形成浅沟槽105，如图1C所示；并且在刻蚀的过程中将产生有机聚合物；
进行湿法清洗，去除所述刻蚀步骤中形成的有机聚合物；
去除所述图形化的光刻胶，如图1D所示；
通过湿法刻蚀对所述氮化硅层103及垫氧化层102进行回蚀(pull back)，回蚀后的器件结构剖面图如图1E所示；其中，回蚀的作用是增大浅沟槽105上方的宽度，从而便于后续的高密度等离子(HDP)氧化物的浅沟槽填充，也有利于使所述浅沟槽105上部的拐角圆形化(Corner Rounding)，并且能改善有源区与STI交界处的凹陷问题；
在所述沟槽105的侧壁上形成衬氧化层(Liner Oxide)106，并对所述衬氧化层106进行预清洗，该步骤完成之后的器件剖面结构示意图如图1F所示；其中，对所述衬氧化层106进行预清洗的目的是为了清除衬氧化层106表面的颗粒(particle)，使其表面更平整，从而有利于后续的高密度等离子(HDP)氧化物的浅沟槽填充；
通过高密度等离子体化学气相沉积法(HDPCVD)或高深宽比工艺(HARP，High Aspect Ratio Process)在所述氮化硅层103上形成绝缘层107，且所述绝缘层107填满所述浅沟槽105，并对所述绝缘层107进行化学机械抛光，去除所述氮化硅层103上的绝缘层107；该步骤完成之后的器件剖面结构示意图如图1G所示；
去除所述氮化硅层103及所述垫氧化层102，如图1H所示。
其中，关于对氮化硅层及垫氧化层进行回蚀的工艺请参考图2，图2为现有的对氮化硅层及垫氧化层进行回蚀的工艺步骤流程图，如图2所示，现有的对氮化硅层及垫氧化层进行回蚀的工艺包括如下步骤：
S101、将所述半导体衬底置于装有温度为160℃～165℃的磷酸溶液的第一槽中，对所述氮化硅进行刻蚀；
S102、将所述半导体衬底从所述第一槽中取出，置于装有去离子水的第二槽中，并利用温度为60℃～80℃的去离子水对所述半导体衬底进行冲洗，去除残留在所述半导体衬底上的磷酸溶液；
S103、将所述半导体衬底从所述第二槽中取出，置于装有稀释的HF溶液的第三槽中，对所述垫氧化层进行刻蚀；其中，所述稀释的HF溶液的浓度为1∶100～1∶500；
S104、将所述半导体衬底从所述第三槽中取出，置于装有去离子水的第四槽中，并利用去离子水对所述半导体衬底进行冲洗，去除残留在所述半导体衬底上的氢氟酸溶液；
S105、将所述半导体衬底从所述第四槽中取出，置于装有1号标准清洗液(SC1)的第五槽中进行清洗，去除半导体衬底表面的颗粒和有机物；其中所述SC1为双氧水(H2O2)和氢氧化氨(NH4OH)的混合液；
S106、将所述半导体衬底从所述第五槽中取出，置于装有去离子水的第六槽中，并利用去离子水对所述半导体衬底进行冲洗，去除残留在半导体衬底表面的SC1液体；以及
S107、将所述半导体衬底从所述第六槽中取出，置于第七槽中，对所述半导体衬底进行异丙醇(IPA，Isopropyl Alcohol)烘干。
然而，上述现有的对氮化硅层及垫氧化层进行回蚀的工艺，其各个步骤是在不同的槽中进行的，在上一步骤结束之后，需将半导体衬底从对应的槽中取出，置于下一个槽中进行下一步骤，在此之间，所述半导体衬底将短暂地暴露在空气中，这对器件的性能将产生重大影响。这是因为在将所述半导体衬底从装有稀释的HF的第三槽中取出后，所述半导体衬底上残留有HF溶液，所述垫氧化层与残留在半导体衬底上的HF溶液继续反应，生成气态的SiF4(SiO2+HF＝SiF4+H2O)，SiF4又溶解在残留在半导体衬底上的HF溶液中，生成H2SiF6(SiF4+HF＝H2SiF6)，由于重力作用，所述H2SiF6溶液将沿着半导体衬底的表面流向其底部；当将所述半导体衬底置于装有去离子水的第四槽中后，所述H2SiF6与去离子水反应，生成二氧化硅(H2SiF6+2H2O＝6HF+SiO2)，并沉积到半导体衬底的底部，在半导体衬底的底部形成颗粒(particle)(如图3中圆圈标识部分所示)，从而对半导体器件的性能产生影响。
同样地，对所述衬氧化层进行预清洗也是通过稀释的氢氟酸进行的，即先将所述半导体衬底置于氢氟酸中进行处理，再用去离子水冲洗，接着用SC1溶液进行清洗，之后再用去离子水冲洗，最后进行IPA烘干，且这些处理步骤也是分别在不同的槽中进行的，因此也同样会在半导体衬底的底部形成颗粒。
并且，同样的问题也存在其它的用氢氟酸进行湿法清洗或湿法刻蚀的工艺中。
因此，如何解决氢氟酸湿法清洗及湿法刻蚀工艺中的颗粒问题已成为业界亟需解决的技术问题。
发明内容
本发明的目的在于提供一种湿法处理方法及回蚀方法，以避免湿法处理过程中在半导体衬底上产生颗粒。
为解决上述问题，本发明提出一种湿法处理方法，用于对半导体衬底上的二氧化硅进行湿法清洗或湿法刻蚀，该方法包括如下步骤：
将所述半导体衬底置于装有稀释的氢氟酸的第三槽中，对所述半导体衬底上的二氧化硅进行清洗或刻蚀；
往所述第三槽的底部通入第一去离子水，将所述第三槽中的稀释的氢氟酸完全排出，并利用所述第一去离子水对所述半导体衬底进行冲洗；以及
对所述半导体衬底依次进行第一标准清洗液清洗、第一去离子水冲洗及烘干。
可选的，所述对半导体衬底依次进行第一标准清洗液清洗、第一去离子水冲洗及烘干包括如下步骤：
将所述半导体衬底从所述第三槽中取出，置于装有第一标准清洗液的第四槽中，对所述半导体衬底进行清洗；
将所述半导体衬底从所述第四槽中取出，置于装有第一去离子水的第五槽中，对所述半导体衬底进行冲洗；以及
将所述半导体衬底从所述第五槽中取出，置于第六槽中，对所述半导体衬底进行烘干。
可选的，所述对半导体衬底依次进行第一标准清洗液清洗、第一去离子水冲洗及烘干包括如下步骤：
用所述第三槽中的第一去离子水配制第一标准清洗液，对所述半导体衬底进行清洗；
往所述第三槽的底部通入第一去离子水，将所述第三槽中的第一标准清洗液完全排出，并利用所述第一去离子水对所述半导体衬底进行冲洗；以及
将所述半导体衬底从所述第三槽中取出，置于第六槽中，对所述半导体衬底进行烘干。
可选的，所述往第三槽的底部通入第一去离子水的流速为30L/min。
可选的，所述稀释的氢氟酸中的氢氟酸与水的体积比为1∶100～1∶500，且所述稀释的氢氟酸的温度为常温。
可选的，所述第一去离子水的温度为常温。
同时，为解决上述问题，本发明还提出一种回蚀方法，用于对半导体衬底 中浅沟槽两侧的阻挡层及垫氧化层进行回蚀，该方法包括如下步骤：
将所述半导体衬底置于装有磷酸的第一槽中，对所述阻挡层进行回蚀；
将所述半导体衬底从所述第一槽中取出，置于装有第二去离子水的第二槽中，对所述半导体衬底进行冲洗；
将所述半导体衬底从所述第二槽中取出，置于装有稀释的氢氟酸的第三槽中，对所述半导体衬底上的垫氧化层进行回蚀；
往所述第三槽的底部通入第一去离子水，将所述第三槽中的稀释的氢氟酸完全排出，并利用第一去离子水对所述半导体衬底进行冲洗；以及
对所述半导体衬底依次进行第一标准清洗液清洗、第一去离子水冲洗及烘干。
可选的，所述对半导体衬底依次进行第一标准清洗液清洗、第一去离子水冲洗及烘干包括如下步骤：
将所述半导体衬底从所述第三槽中取出，置于装有第一标准清洗液的第四槽中，对所述半导体衬底进行清洗；
将所述半导体衬底从所述第四槽中取出，置于装有第一去离子水的第五槽中，对所述半导体衬底进行冲洗；以及
将所述半导体衬底从所述第五槽中取出，置于第六槽中，对所述半导体衬底进行烘干。
可选的，所述对半导体衬底依次进行第一标准清洗液清洗、第一去离子水冲洗及烘干包括如下步骤：
用所述第三槽中的第一去离子水配制第一标准清洗液，对所述半导体衬底进行清洗；
往所述第三槽的底部通入第一去离子水，将所述第三槽中的第一标准清洗液完全排出，并利用所述第一去离子水对所述半导体衬底进行冲洗；以及
将所述半导体衬底从所述第三槽中取出，置于第六槽中，对所述半导体衬底进行烘干。
可选的，所述磷酸的浓度为85％，其温度为160℃～165℃。
可选的，所述对阻挡层进行回蚀的宽度为50～100埃。
可选的，所述第二去离子水的温度为60℃～80℃，所述利用第二去离子水对所述半导体衬底冲洗的时间为10min 。
可选的，所述稀释的氢氟酸中的氢氟酸与水的体积比为1∶100～1∶500，且所述稀释的氢氟酸的温度为常温。
可选的，所述对垫氧化层进行回蚀的宽度为50～100埃。
可选的，所述往第三槽的底部通入第一去离子水的流速为30L/min，所述利用第一去离子水对所述半导体衬底冲洗的时间为10min，且所述第一去离子水的温度为常温。
可选的，所述第一标准清洗液清洗的温度为常温至35℃，其组成为NH4OH∶H2O2∶第一去离子水的体积比为1∶1∶50～1∶1∶200，所述第一标准清洗液对半导体衬底进行清洗的时间为2～5min。
与现有技术相比，本发明提供的湿法处理方法在对半导体衬底进行稀释的氢氟酸处理后，利用去离子水将所述稀释的氢氟酸逐渐排出，并在同一槽中对所述半导体衬底进行去离子水冲洗，从而避免在半导体衬底上产生颗粒。
与现有技术相比，本发明提供的回蚀方法在利用稀释的氢氟酸对半导体衬底上的垫氧化层进行回蚀后，利用去离子水将所述稀释的氢氟酸逐渐排出，并在同一槽中对所述半导体衬底进行去离子水冲洗，从而避免在半导体衬底上产生颗粒，提高了半导体器件的性能。
附图说明
图1A至图1H为STI制备方法各步骤对应的器件剖面结构示意图；
图2为现有的对氮化硅层及垫氧化层进行回蚀的工艺步骤流程图；
图3为现有的回蚀方法对半导体衬底产生的影响示意图；
图4为本发明实施例提供的湿法处理方法的步骤流程图；
图5为本发明实施例提供的回蚀方法的步骤流程图。
具体实施方式
以下结合附图和具体实施例对本发明提出的湿法处理方法及回蚀方法作进一步详细说明。根据下面说明和权利要求书，本发明的优点和特征将更清楚。需说明的是，附图均采用非常简化的形式且均使用非精准的比率，仅用于方便、 明晰地辅助说明本发明实施例的目的。
本发明的核心思想在于，提供一种湿法处理方法，该方法在对半导体衬底进行稀释的氢氟酸处理后，利用去离子水将所述稀释的氢氟酸逐渐排出，并在同一槽中对所述半导体衬底进行去离子水冲洗，从而避免在半导体衬底上产生颗粒；同时，还提供一种回蚀方法，该方法在利用稀释的氢氟酸对半导体衬底上的垫氧化层进行回蚀后，利用去离子水将所述稀释的氢氟酸逐渐排出，并在同一槽中对所述半导体衬底进行去离子水冲洗，从而避免在半导体衬底上产生颗粒，提高了半导体器件的性能。
请参考图4，图4为本发明实施例提供的湿法处理方法的步骤流程图，如图4所示，本发明实施例提供的湿法处理方法，用于对半导体衬底上的二氧化硅进行湿法清洗或湿法刻蚀，该方法包括如下步骤：
S201、将所述半导体衬底置于装有稀释的氢氟酸的第三槽中，对所述半导体衬底上的二氧化硅进行清洗或刻蚀；
S202、往所述第三槽的底部通入第一去离子水，将所述第三槽中的稀释的氢氟酸完全排出，并利用所述第一去离子水对所述半导体衬底进行冲洗；以及
S203、对所述半导体衬底依次进行第一标准清洗液清洗、第一去离子水冲洗及烘干。
进一步地，所述对半导体衬底依次进行第一标准清洗液清洗、第一去离子水冲洗及烘干包括如下步骤：
将所述半导体衬底从所述第三槽中取出，置于装有第一标准清洗液的第四槽中，对所述半导体衬底进行清洗；去除所述半导体衬底上的杂质和金属污染；
将所述半导体衬底从所述第四槽中取出，置于装有第一去离子水的第五槽中，对所述半导体衬底进行冲洗；去除残留在所述半导体衬底上的第一标准清洗液；以及
将所述半导体衬底从所述第五槽中取出，置于第六槽中，对所述半导体衬底进行烘干；具体地，所述第六槽中装有异丙醇，所述异丙醇对经过第一去离子水清洗后的半导体衬底进进一步清洁，并吸取半导体衬底上的水分，对其进行烘干。
进一步地，所述对半导体衬底依次进行第一标准清洗液清洗、第一去离子 水冲洗及烘干包括如下步骤：
用所述第三槽中的第一去离子水配制第一标准清洗液，对所述半导体衬底进行清洗；
往所述第三槽的底部通入第一去离子水，将所述第三槽中的第一标准清洗液完全排出，并利用所述第一去离子水对所述半导体衬底进行冲洗；以及
将所述半导体衬底从所述第三槽中取出，置于第六槽中，对所述半导体衬底进行烘干；具体地，所述第六槽中装有异丙醇，所述异丙醇对经过第一去离子水清洗后的半导体衬底进进一步清洁，并吸取半导体衬底上的水分，对其进行烘干。
进一步地，所述往第三槽的底部通入第一去离子水的流速为30L/min。
进一步地，所述稀释的氢氟酸中的氢氟酸与水的体积比为1∶100～1∶500，且所述稀释的氢氟酸的温度为常温。
进一步地，所述第一去离子水的温度为常温。
本发明实施例提供的湿法处理方法可用于对STI结构中的衬氧化层进行预清洗，也可以用于对其它半导体工艺步骤中的二氧化硅层进行湿法刻蚀。
请继续参考图5，图5为本发明实施例提供的回蚀方法的步骤流程图，如图5所示，本发明实施例提供的回蚀方法，用于对半导体衬底中浅沟槽两侧的阻挡层及垫氧化层进行回蚀，该方法包括如下步骤：
S301、将所述半导体衬底置于装有磷酸的第一槽中，对所述阻挡层进行回蚀；
S302、将所述半导体衬底从所述第一槽中取出，置于装有第二去离子水的第二槽中，对所述半导体衬底进行冲洗；
S303、将所述半导体衬底从所述第二槽中取出，置于装有稀释的氢氟酸的第三槽中，对所述半导体衬底上的垫氧化层进行回蚀；
S304、往所述第三槽的底部通入第一去离子水，将所述第三槽中的稀释的氢氟酸完全排出，并利用第一去离子水对所述半导体衬底进行冲洗；以及
S305、对所述半导体衬底依次进行第一标准清洗液清洗、第一去离子水冲洗及烘干。
进一步地，所述对半导体衬底依次进行第一标准清洗液清洗、第一去离子 水冲洗及烘干包括如下步骤：
将所述半导体衬底从所述第三槽中取出，置于装有第一标准清洗液的第四槽中，对所述半导体衬底进行清洗；去除所述半导体衬底上的杂质和金属污染；
将所述半导体衬底从所述第四槽中取出，置于装有第一去离子水的第五槽中，对所述半导体衬底进行冲洗；去除残留在所述半导体衬底上的第一标准清洗液；以及
将所述半导体衬底从所述第五槽中取出，置于第六槽中，对所述半导体衬底进行烘干；具体地，所述第六槽中装有异丙醇，所述异丙醇对经过第一去离子水清洗后的半导体衬底进进一步清洁，并吸取半导体衬底上的水分，对其进行烘干。
进一步地，所述对半导体衬底依次进行第一标准清洗液清洗、第一去离子水冲洗及烘干包括如下步骤：
用所述第三槽中的第一去离子水配制第一标准清洗液，对所述半导体衬底进行清洗；
往所述第三槽的底部通入第一去离子水，将所述第三槽中的第一标准清洗液完全排出，并利用所述第一去离子水对所述半导体衬底进行冲洗；以及
将所述半导体衬底从所述第三槽中取出，置于第六槽中，对所述半导体衬底进行烘干；具体地，所述第六槽中装有异丙醇，所述异丙醇对经过第一去离子水清洗后的半导体衬底进进一步清洁，并吸取半导体衬底上的水分，对其进行烘干。
进一步地，所述磷酸的浓度为85％，其温度为160℃～165℃，从而可以使磷酸与阻挡层更好地反应。
进一步地，所述对阻挡层进行回蚀的宽度为50～100埃，从而有利于在后续步骤中将所述浅沟槽顶部圆形化。
进一步地，所述第二去离子水的温度为60℃～80℃，所述利用第二去离子水对所述半导体衬底冲洗的时间为10min，从而有利于完全去除所述半导体衬底上残留的磷酸。
进一步地，所述稀释的氢氟酸中的氢氟酸与水的体积比为1∶100～1∶500，且所述稀释的氢氟酸的温度为常温。
进一步地，所述对垫氧化层进行回蚀的宽度为50～100埃，从而有利于在后续步骤中将所述浅沟槽顶部圆形化。
进一步地，所述往第三槽的底部通入第一去离子水的流速为30L/min，所述利用第一去离子水对所述半导体衬底冲洗的时间为10min，且所述第一去离子水的温度为常温，从而有利于完全去除所述半导体衬底上残留的稀释的氢氟酸，且不会在半导体衬底上产生颗粒。
进一步地，所述第一标准清洗液清洗的温度为常温至35℃，其组成为NH4OH∶H2O2∶第一去离子水的体积比为1∶1∶50～1∶1∶200，所述第一标准清洗液对半导体衬底进行清洗的时间为2～5min。
其中，所述阻挡层为氮化硅层，所述垫氧化层为二氧化硅层。
本发明提供的湿法处理方法及回蚀方法可避免在半导体衬底上产生颗粒的原理为：
所述垫氧化层与氢氟酸反应，生成四氟化硅(SiO2+HF＝SiF4+H2O)；
所述四氟化硅与氢氟酸反应，生成氟硅酸(SiF4+HF＝H2SiF6)；
所述氟硅酸(H2SiF6)与H2O反应，生成二氧化硅(H2SiF6+2H2O＝6HF+SiO2)；
所述二氧化硅又溶解在氢氟酸中，生成四氟化硅(SiO2+HF＝SiF4+H2O)，从而可避免在半导体衬底的表面形成二氧化硅颗粒。
其中，本发明所说的第一标准清洗液为1号标准清洗液(SC1)。
综上所述，本发明提供了一种湿法处理方法，该方法在对半导体衬底进行稀释的氢氟酸处理后，利用去离子水将所述稀释的氢氟酸逐渐排出，并在同一槽中对所述半导体衬底进行去离子水冲洗，从而避免在半导体衬底上产生颗粒；同时，本发明还提供一种回蚀方法，该方法在利用稀释的氢氟酸对半导体衬底上的垫氧化层进行回蚀后，利用去离子水将所述稀释的氢氟酸逐渐排出，并在同一槽中对所述半导体衬底进行去离子水冲洗，从而避免在半导体衬底上产生颗粒，提高了半导体器件的性能。
显然，本领域的技术人员可以对发明进行各种改动和变型而不脱离本发明的精神和范围。这样，倘若本发明的这些修改和变型属于本发明权利要求及其等同技术的范围之内，则本发明也意图包含这些改动和变型在内。
Claims (16)
1.一种湿法处理方法，用于对半导体衬底上的二氧化硅进行湿法清洗或湿法刻蚀，其特征在于，包括如下步骤：
将所述半导体衬底置于装有稀释的氢氟酸的第三槽中，对所述半导体衬底上的二氧化硅进行清洗或刻蚀；
将所述半导体衬底保持在所述第三槽内，往所述第三槽的底部通入第一去离子水，将所述第三槽中的稀释的氢氟酸完全排出，并利用所述第一去离子水对所述半导体衬底进行冲洗；以及
对所述半导体衬底依次进行第一标准清洗液清洗、第一去离子水冲洗及烘干。
2.如权利要求1所述的湿法处理方法，其特征在于，所述对半导体衬底依次进行第一标准清洗液清洗、第一去离子水冲洗及烘干包括如下步骤：
将所述半导体衬底从所述第三槽中取出，置于装有第一标准清洗液的第四槽中，对所述半导体衬底进行清洗；
将所述半导体衬底从所述第四槽中取出，置于装有第一去离子水的第五槽中，对所述半导体衬底进行冲洗；以及
将所述半导体衬底从所述第五槽中取出，置于第六槽中，对所述半导体衬底进行烘干。
3.如权利要求1所述的湿法处理方法，其特征在于，所述对半导体衬底依次进行第一标准清洗液清洗、第一去离子水冲洗及烘干包括如下步骤：
用所述第三槽中的第一去离子水配制第一标准清洗液，对所述半导体衬底进行清洗；
往所述第三槽的底部通入第一去离子水，将所述第三槽中的第一标准清洗液完全排出，并利用所述第一去离子水对所述半导体衬底进行冲洗；以及
将所述半导体衬底从所述第三槽中取出，置于第六槽中，对所述半导体衬底进行烘干。
4.如权利要求3所述的湿法处理方法，其特征在于，所述往第三槽的底部通入第一去离子水的流速为30L／min。
5.如权利要求1所述的湿法处理方法，其特征在于，所述稀释的氢氟酸中的氢氟酸与水的体积比为1∶100～1∶500，且所述稀释的氢氟酸的温度为常温。
6.如权利要求1所述的湿法处理方法，其特征在于，所述第一去离子水的温度为常温。
7.一种回蚀方法，用于对半导体衬底中浅沟槽两侧的阻挡层及垫氧化层进行回蚀，其特征在于，该方法包括如下步骤：
将所述半导体衬底置于装有磷酸的第一槽中，对所述阻挡层进行回蚀；
将所述半导体衬底从所述第一槽中取出，置于装有第二去离子水的第二槽中，对所述半导体衬底进行冲洗；
将所述半导体衬底从所述第二槽中取出，置于装有稀释的氢氟酸的第三槽中，对所述半导体衬底上的垫氧化层进行回蚀；
将所述半导体衬底保持在所述第三槽内，往所述第三槽的底部通入第一去离子水，将所述第三槽中的稀释的氢氟酸完全排出，并利用第一去离子水对所述半导体衬底进行冲洗；以及
对所述半导体衬底依次进行第一标准清洗液清洗、第一去离子水冲洗及烘干。
8.如权利要求7所述的回蚀方法，其特征在于，所述对半导体衬底依次进行第一标准清洗液清洗、第一去离子水冲洗及烘干包括如下步骤：
将所述半导体衬底从所述第三槽中取出，置于装有第一标准清洗液的第四槽中，对所述半导体衬底进行清洗；
将所述半导体衬底从所述第四槽中取出，置于装有第一去离子水的第五槽中，对所述半导体衬底进行冲洗；以及
将所述半导体衬底从所述第五槽中取出，置于第六槽中，对所述半导体衬底进行烘干。
9.如权利要求7所述的回蚀方法，其特征在于，所述对半导体衬底依次进行第一标准清洗液清洗、第一去离子水冲洗及烘干包括如下步骤：
用所述第三槽中的第一去离子水配制第一标准清洗液，对所述半导体衬底进行清洗；
往所述第三槽的底部通入第一去离子水，将所述第三槽中的第一标准清洗液完全排出，并利用所述第一去离子水对所述半导体衬底进行冲洗；以及
将所述半导体衬底从所述第三槽中取出，置于第六槽中，对所述半导体衬底进行烘干。
10.如权利要求7所述的回蚀方法，其特征在于，所述磷酸的浓度为85％，其温度为160℃～165℃。
11.如权利要求7所述的回蚀方法，其特征在于，所述对阻挡层进行回蚀的宽度为50～100埃。
12.如权利要求7所述的回蚀方法，其特征在于，所述第二去离子水的温度为60℃～80℃，所述利用第二去离子水对所述半导体衬底冲洗的时间为10min。
13.如权利要求7所述的回蚀方法，其特征在于，所述稀释的氢氟酸中的氢氟酸与水的体积比为1∶100～1∶500，且所述稀释的氢氟酸的温度为常温。
14.如权利要求7所述的回蚀方法，其特征在于，所述对垫氧化层进行回蚀的宽度为50～100埃。
15.如权利要求7至9中任一项所述的回蚀方法，其特征在于，所述往第三槽的底部通入第一去离子水的流速为30L／min，所述利用第一去离子水对所述半导体衬底冲洗的时间为10min，且所述第一去离子水的温度为常温。
16.如权利要求7至9中任一项所述的回蚀方法，其特征在于，所述第一标准清洗液清洗的温度为常温至35℃，其组成为NH4OH∶H2O2：第一去离子水的体积比为1∶1∶50～1∶1∶200，所述第一标准清洗液对半导体衬底进行清洗的时间为2～5min。
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