JP5855310B2 - 基板処理装置、基板処理方法及び基板処理液 - Google Patents
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Description
2 基板保持部
3 処理槽
Claims (51)
- シリコン含有膜を含む複数の凸形状パターンを有する半導体基板の処理装置であって、
前記凸形状パターンの前記シリコン含有膜表面を洗浄および酸化し、
前記酸化後の前記凸形状パターンにシランカップリング剤を供給して前記凸形状パターンをシリル化処理することにより前記凸形状パターン表面に保護膜を形成し、
前記保護膜に液体を供給し、
前記液体供給後、前記半導体基板を乾燥する、
基板処理装置。 - 前記保護膜形成後、前記半導体基板の乾燥前に、前記保護膜にイソプロピルアルコール(IPA)を供給することを特徴とする
請求項1記載の基板処理装置。 - 前記保護膜形成後、前記半導体基板の乾燥前に、前記保護膜にHFEを供給することを特徴とする
請求項1記載の基板処理装置。 - 前記シランカップリング剤は、分子中に無機材料と反応する加水分解基と、有機材料と化学結合する有機官能基とを有することを特徴とする
請求項1乃至3のいずれか一項記載の基板処理装置。 - 前記シランカップリング剤は、ヘキサメチルジシラザン(HMDS)を含むことを特徴とする
請求項1乃至4のいずれか一項記載の基板処理装置。 - 前記シランカップリング剤は、テトラメチルシリルジエチルアミン(TMSDEA)を含むことを特徴とする
請求項1乃至4のいずれか一項記載の基板処理装置。 - 前記シランカップリング剤は、シンナーで希釈されていることを特徴とする
請求項1乃至6のいずれか一項記載の基板処理装置。 - 前記保護膜形成後、前記半導体基板上に残留する前記シランカップリング剤をイソプロピルアルコール(IPA)で置換することを特徴とする
請求項1乃至7のいずれか一項記載の基板処理装置。 - 前記洗浄後、前記保護膜形成前に、前記半導体基板上にイソプロピルアルコール(IPA)を供給することを特徴とする
請求項1乃至8のいずれか一項記載の基板処理装置。 - 前記シリコン含有膜表面に酸化薬液を供給することで前記シリコン含有膜表面を酸化することを特徴とする
請求項1乃至9のいずれか一項記載の基板処理装置。 - 前記酸化薬液は過酸化水素を含むことを特徴とする
請求項10記載の基板処理装置。 - フッ酸を含む洗浄薬液を前記シリコン含有膜表面に供給して、前記シリコン含有膜表面を洗浄することを特徴とする
請求項1乃至11のいずれか一項記載の基板処理装置。 - 前記洗浄中に前記シリコン含有膜表面を酸化することを特徴とする
請求項1乃至12のいずれか一項記載の基板処理装置。 - 前記シリコン含有膜は、ポリシリコン、シリコン酸化膜、及びシリコン窒化膜の少なくともいずれかを有する
請求項1乃至13のいずれか一項記載の基板処理装置。 - 前記基板処理装置は枚葉式処理装置であることを特徴とする
請求項1乃至14のいずれか一項記載の基板処理装置。 - 前記基板処理装置はバッチ式処理装置であることを特徴とする
請求項1乃至14のいずれか一項記載の基板処理装置。 - 前記凸形状パターンは金属含有層を含むことを特徴とする
請求項1乃至16のいずれか一項記載の基板処理装置。 - 前記保護膜は、前記基板を加熱しながら形成されることを特徴とする
請求項1乃至17のいずれか一項記載の基板処理装置。 - 前記凸形状パターンのアスペクト比が8以上であることを特徴とする
請求項1乃至18のいずれか一項記載の基板処理装置。 - 前記複数の凸形状パターンは、ラインアンドスペースパターンであることを特徴とする
請求項1乃至19のいずれか一項記載の基板処理装置。 - 前記複数の凸形状パターンは、STIを形成するためのパターンであることを特徴とする
請求項1乃至20のいずれか一項記載の基板処理装置。 - 前記凸形状パターンは、ドライエッチング処理により形成されたものであることを特徴とする
請求項1乃至21のいずれか一項記載の基板処理装置。 - 前記半導体基板の乾燥後、前記保護膜を除去することを特徴とする
請求項1乃至22のいずれか一項記載の基板処理装置。 - シリコン含有膜を含む複数の凸形状パターンを有する半導体基板の処理方法であって、
前記凸形状パターンの前記シリコン含有膜表面を洗浄および酸化し、
前記酸化後の前記凸形状パターンにシランカップリング剤を供給して前記凸形状パターンをシリル化処理することにより前記凸形状パターン表面に保護膜を形成し、
前記保護膜に液体を供給し、
前記液体供給後、前記半導体基板を乾燥する、
基板処理方法。 - 前記保護膜形成後、前記半導体基板の乾燥前に、前記保護膜にイソプロピルアルコール(IPA)を供給することを特徴とする
請求項24記載の基板処理方法。 - 前記保護膜形成後、前記半導体基板の乾燥前に、前記保護膜にHFEを供給することを特徴とする
請求項24記載の基板処理方法。 - 前記シランカップリング剤は、分子中に無機材料と反応する加水分解基と、有機材料と化学結合する有機官能基とを有することを特徴とする
請求項24乃至26のいずれか一項記載の基板処理方法。 - 前記シランカップリング剤は、ヘキサメチルジシラザン(HMDS)を含むことを特徴とする
請求項24乃至27のいずれか一項記載の基板処理方法。 - 前記シランカップリング剤は、テトラメチルシリルジエチルアミン(TMSDEA)を含むことを特徴とする
請求項24乃至27のいずれか一項記載の基板処理方法。 - 前記シランカップリング剤は、シンナーで希釈されていることを特徴とする
請求項24乃至29のいずれか一項記載の基板処理方法。 - 前記保護膜形成後、前記半導体基板上に残留する前記シランカップリング剤をイソプロピルアルコール(IPA)で置換することを特徴とする
請求項24乃至30のいずれか一項記載の基板処理方法。 - 前記洗浄後、前記保護膜形成前に、前記半導体基板上にイソプロピルアルコール(IPA)を供給することを特徴とする
請求項24乃至31のいずれか一項記載の基板処理方法。 - 前記シリコン含有膜表面に酸化薬液を供給することで前記シリコン含有膜表面を酸化することを特徴とする
請求項24乃至32のいずれか一項記載の基板処理方法。 - 前記酸化薬液は過酸化水素を含むことを特徴とする
請求項33記載の基板処理方法。 - フッ酸を含む洗浄薬液を前記シリコン含有膜表面に供給して、前記シリコン含有膜表面を洗浄することを特徴とする
請求項24乃至34のいずれか一項記載の基板処理方法。 - 前記洗浄中に前記シリコン含有膜表面を酸化することを特徴とする
請求項24乃至35のいずれか一項記載の基板処理方法。 - 前記シリコン含有膜は、ポリシリコン、シリコン酸化膜、及びシリコン窒化膜の少なくともいずれかを有する
請求項24乃至36のいずれか一項記載の基板処理方法。 - 前記凸形状パターンは金属含有層を含むことを特徴とする
請求項24乃至37のいずれか一項記載の基板処理方法。 - 前記保護膜は、前記基板を加熱しながら形成されることを特徴とする
請求項24乃至38のいずれか一項記載の基板処理方法。 - 前記凸形状パターンのアスペクト比が8以上であることを特徴とする
請求項24乃至39のいずれか一項記載の基板処理方法。 - 前記複数の凸形状パターンは、ラインアンドスペースパターンであることを特徴とする
請求項24乃至40のいずれか一項記載の基板処理方法。 - 前記複数の凸形状パターンは、STIを形成するためのパターンであることを特徴とする
請求項24乃至41のいずれか一項記載の基板処理方法。 - 前記凸形状パターンは、ドライエッチング処理により形成されたものであることを特徴とする
請求項24乃至42のいずれか一項記載の基板処理方法。 - 前記半導体基板の乾燥後、前記保護膜を除去することを特徴とする
請求項24乃至43のいずれか一項記載の基板処理方法。 - 半導体基板上に形成されたシリコン含有膜を含む複数の凸形状パターンを、液体を用いて洗浄し、酸化し、リンスし、乾燥する基板処理過程において用いられる基板処理液であって、
前記酸化後、前記リンス前に前記凸形状パターンに供給されることにより、前記凸形状パターン表面をシリル化して前記凸形状パターン表面に保護膜を形成する、シランカップリング剤を含む基板処理液。 - 前記シランカップリング剤は、分子中に無機材料と反応する加水分解基と、有機材料と化学結合する有機官能基とを有することを特徴とする
請求項45の基板処理液。 - 前記シランカップリング剤は、ヘキサメチルジシラザン(HMDS)を含むことを特徴とする
請求項45又は46に記載の基板処理液。 - 前記シランカップリング剤は、テトラメチルシリルジエチルアミン(TMSDEA)を含むことを特徴とする
請求項45又は46に記載の基板処理液。 - 前記基板処理液は、シンナーを含むことを特徴とする
請求項45乃至48のいずれか一項記載の基板処理液。 - 前記シリコン含有膜を含む複数の凸形状パターンは、ドライエッチング処理により形成されたことを特徴とする
請求項45乃至49のいずれか一項記載の基板処理液。 - 前記保護膜形成後、前記乾燥前に、前記保護膜にイソプロピルアルコール(IPA)が供給されることを特徴とする
請求項45乃至50のいずれか一項記載の基板処理液。
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