JP2010114440A - 半導体基板の表面処理装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】薬液を用いて半導体基板を洗浄し、純水を用いて前記薬液を除去し、前記半導体基板表面に撥水性保護膜を形成し、純水を用いて前記半導体基板をリンスし、前記半導体基板を乾燥させる。
【選択図】図1
Description
特に効果がある。
2 基板保持部
3 処理槽
Claims (18)
- ドライエッチング処理によって複数の凸形状パターンが形成された半導体基板の表面処理装置であって、
前記凸形状パターン表面を薬液を用いて洗浄及び改質し、
改質された前記凸形状パターン表面に撥水性保護膜を形成し、
前記撥水性保護膜形成後に水を用いて前記半導体基板をリンスし、
前記半導体基板を乾燥させ、
前記凸形状パターンを残存させて前記撥水性保護膜を除去する半導体基板の表面処理装置。 - ドライエッチング処理によって複数の凸形状パターンが形成された半導体基板の表面処理装置であって、
前記凸形状パターン表面の加工残渣を第1薬液を用いて洗浄し、
洗浄された前記凸形状パターン表面を第2薬液を用いて改質し、
改質された前記凸形状パターン表面に撥水性保護膜を形成し、
前記撥水性保護膜形成後に水を用いて前記半導体基板をリンスし、
前記半導体基板を乾燥させ、
前記凸形状パターンを残存させて前記撥水性保護膜を除去する半導体基板の表面処理装置。 - 少なくともそれぞれの一部にシリコン系材料からなるシリコン系膜を有する複数の凸形状パターンが形成された半導体基板の表面処理装置であって、
前記凸形状パターン表面を薬液を用いて洗浄及び改質し、
改質された前記凸形状パターン表面に撥水性保護膜を形成し、
前記撥水性保護膜形成後に水を用いて前記半導体基板をリンスし、
前記半導体基板を乾燥させる半導体基板の表面処理装置。 - 少なくともそれぞれの一部にシリコン系材料からなるシリコン系膜を有する複数の凸形状パターンが形成された半導体基板の表面処理装置であって、
前記凸形状パターン表面の加工残渣を第1薬液を用いて洗浄し、
洗浄された前記凸形状パターン表面を第2薬液を用いて改質し、
改質された前記凸形状パターン表面に撥水性保護膜を形成し、
前記撥水性保護膜形成後に水を用いて前記半導体基板をリンスし、
前記半導体基板を乾燥させる半導体基板の表面処理装置。 - 少なくともそれぞれの一部にシリコン系材料からなるシリコン系膜を有する複数の凸形状パターンが形成された半導体基板の表面処理装置であって、
前記凸形状パターン表面を薬液を用いて改質し、
改質された前記凸形状パターン表面に撥水性保護膜を形成し、
前記撥水性保護膜形成後に水を用いて前記半導体基板をリンスし、
前記半導体基板を乾燥させる半導体基板の表面処理装置。 - 前記凸形状パターンを残存させて前記撥水性保護膜を除去する請求項3乃至5のいずれかに記載の半導体基板の表面処理装置。
- 前記シリコン系膜は、ポリシリコン、シリコン酸化膜、シリコン窒化膜、アモルファスシリコン膜の少なくともいずれか1つを有する請求項3乃至5に記載の半導体基板の表面処理装置。
- 前記改質は前記凸形状パターン表面を親水性にすることであることを特徴とする請求項1乃至5のいずれかに記載の半導体基板の表面処理装置。
- 前記改質は前記凸形状パターン表面を酸化することであることを特徴とする請求項8に記載の半導体基板の表面処理装置。
- 前記撥水性保護膜の形成に用いられる撥水化剤は界面活性剤であることを特徴とする請求項1乃至5のいずれかに記載の半導体基板の表面処理装置。
- 前記撥水性保護膜の形成に用いられる撥水化剤はシランカップリング剤であることを特徴とする請求項1乃至5のいずれかに記載の半導体基板の表面処理装置。
- 前記凸形状パターン表面の改質後かつ前記撥水性保護膜の形成前、及び前記撥水性保護膜の形成後かつ前記水を用いたリンスの前の少なくともいずれか一方において、アルコールを用いて前記半導体基板をリンスすることを特徴とする請求項11に記載の半導体基板の表面処理装置。
- 前記凸形状パターン表面の改質後かつ前記撥水性保護膜の形成前に、アルコールを用いて前記半導体基板をリンスし、前記アルコールをシンナーに置換することを特徴とする請求項11に記載の半導体基板の表面処理装置。
- 前記凸形状パターンの少なくとも一部は、シリコンを含む膜により形成されていることを特徴とする請求項1又は2に記載の半導体基板の表面処理装置。
- 前記シリコンを含む膜は、ポリシリコン、シリコン酸化膜、シリコン窒化膜、アモルファスシリコン膜の少なくともいずれか1つを有することを特徴とする請求項14に記載の半導体基板の表面処理装置。
- 前記半導体基板を乾燥させる手段は、スピン乾燥法、蒸発乾燥法、減圧乾燥法のいずれか、またはイソプロピルアルコールもしくはハイドロフルオロエーテルを含む溶剤を用いて前記半導体基板上の水を前記溶剤に置換し、前記溶剤を蒸発乾燥させることであることを特徴とする請求項1乃至5のいずれかに記載の半導体基板の表面処理装置。
- 前記装置は前記半導体基板を1枚毎に処理する枚葉式であることを特徴とする請求項1乃至5のいずれかに記載の半導体基板の表面処理装置。
- 前記装置は複数の前記半導体基板を一括して処理するバッチ式であることを特徴とする請求項1乃至5のいずれかに記載の半導体基板の表面処理装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2009243787A JP4455670B1 (ja) | 2008-06-16 | 2009-10-22 | 半導体基板の表面処理装置 |
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2008156708 | 2008-06-16 | ||
JP2008259636 | 2008-10-06 | ||
JP2009243787A JP4455670B1 (ja) | 2008-06-16 | 2009-10-22 | 半導体基板の表面処理装置 |
Related Parent Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2009140992A Division JP4403202B1 (ja) | 2008-06-16 | 2009-06-12 | 半導体基板の表面処理方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP4455670B1 JP4455670B1 (ja) | 2010-04-21 |
JP2010114440A true JP2010114440A (ja) | 2010-05-20 |
Family
ID=41415189
Family Applications (8)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2009140992A Active JP4403202B1 (ja) | 2008-06-16 | 2009-06-12 | 半導体基板の表面処理方法 |
JP2009243787A Active JP4455670B1 (ja) | 2008-06-16 | 2009-10-22 | 半導体基板の表面処理装置 |
JP2009243777A Active JP4455669B1 (ja) | 2008-06-16 | 2009-10-22 | 半導体基板の表面処理方法 |
JP2010018847A Pending JP2010114467A (ja) | 2008-06-16 | 2010-01-29 | 半導体基板の表面処理剤 |
JP2012114546A Active JP5622791B2 (ja) | 2008-06-16 | 2012-05-18 | 半導体基板の表面処理装置 |
JP2014190842A Active JP5801461B2 (ja) | 2008-06-16 | 2014-09-19 | 半導体基板の基板処理装置及び方法 |
JP2015166689A Active JP5855310B2 (ja) | 2008-06-16 | 2015-08-26 | 基板処理装置、基板処理方法及び基板処理液 |
JP2015229761A Pending JP2016066811A (ja) | 2008-06-16 | 2015-11-25 | 基板処理装置 |
Family Applications Before (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2009140992A Active JP4403202B1 (ja) | 2008-06-16 | 2009-06-12 | 半導体基板の表面処理方法 |
Family Applications After (6)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2009243777A Active JP4455669B1 (ja) | 2008-06-16 | 2009-10-22 | 半導体基板の表面処理方法 |
JP2010018847A Pending JP2010114467A (ja) | 2008-06-16 | 2010-01-29 | 半導体基板の表面処理剤 |
JP2012114546A Active JP5622791B2 (ja) | 2008-06-16 | 2012-05-18 | 半導体基板の表面処理装置 |
JP2014190842A Active JP5801461B2 (ja) | 2008-06-16 | 2014-09-19 | 半導体基板の基板処理装置及び方法 |
JP2015166689A Active JP5855310B2 (ja) | 2008-06-16 | 2015-08-26 | 基板処理装置、基板処理方法及び基板処理液 |
JP2015229761A Pending JP2016066811A (ja) | 2008-06-16 | 2015-11-25 | 基板処理装置 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (3) | US7838425B2 (ja) |
JP (8) | JP4403202B1 (ja) |
KR (1) | KR101118437B1 (ja) |
TW (2) | TWI397117B (ja) |
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- 2009-06-15 KR KR1020090052862A patent/KR101118437B1/ko active IP Right Grant
- 2009-06-16 TW TW098120153A patent/TWI397117B/zh active
- 2009-06-16 TW TW102106750A patent/TWI604517B/zh active
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US20100240219A1 (en) | 2010-09-23 |
JP2016066811A (ja) | 2016-04-28 |
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JP5801461B2 (ja) | 2015-10-28 |
TW201017736A (en) | 2010-05-01 |
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JP2016001753A (ja) | 2016-01-07 |
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JP4403202B1 (ja) | 2010-01-27 |
TWI397117B (zh) | 2013-05-21 |
JP4455669B1 (ja) | 2010-04-21 |
JP4455670B1 (ja) | 2010-04-21 |
KR20090130828A (ko) | 2009-12-24 |
TWI604517B (zh) | 2017-11-01 |
US7985683B2 (en) | 2011-07-26 |
US7749909B2 (en) | 2010-07-06 |
JP2010114467A (ja) | 2010-05-20 |
JP2015019102A (ja) | 2015-01-29 |
JP5855310B2 (ja) | 2016-02-09 |
US20090311874A1 (en) | 2009-12-17 |
JP5622791B2 (ja) | 2014-11-12 |
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Legal Events
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TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
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A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
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|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
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|
R151 | Written notification of patent or utility model registration |
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|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
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|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
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|
S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
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R350 | Written notification of registration of transfer |
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