JP2015019102A - 半導体基板の表面処理装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】半導体基板の表面処理剤は、半導体基板上に形成され、少なくともそれぞれの一部にシリコンを含む膜を有し、表面が洗浄及び改質され、表面にヒドロキシル基を有する複数の凸形状パターンに対して供給されるものであって、前記ヒドロキシル基と反応する加水分解基を含み、前記シリコンを含む膜の表面に、前記シリコンを含む膜よりも水に対する濡れ性の低い撥水性保護膜を形成する。
【選択図】図1
Description
このような問題を解決するため、レジストパターンの表面を撥水化し、レジストパターンと現像液及びリンス純水との間に働く毛管力を低下させる方法が提案されている(例えば特許文献1参照)。この方法では、レジストパターンの表面に有機物が付着するが、この有機物はレジストパターンと共に、リソグラフィ工程後のエッチング工程で除去される。
しかし、超臨界乾燥は量産工程に適用することが困難であり、また、超臨界雰囲気を実現するチャンバ内に水分等が持ち込まれた場合、パターンの倒壊を防止できないという問題があった。
その後に、シリル化処理を行っているため、シリル化処理後の撥水性を向上させることができる。
減圧乾燥法を用いてもよい。
使用されるシランカップリング剤がIPAとの接触でも失活する場合は、IPAをさらにシンナーと置換することが好適である。
2 基板保持部
3 処理槽
Claims (4)
- ドライエッチング処理によって複数の凸形状パターンが形成された半導体基板の表面処理装置であって、前記凸形状パターンは前記半導体基板上に形成された金属層と、前記金属層上に形成されたポリシリコン膜、シリコン酸化膜、シリコン窒化膜、及びアモルファスシリコン膜の少なくともいずれか1つを含むシリコン含有膜と、を有しており、
前記シリコン含有膜表面を、酸化効果を有する薬液を用いて洗浄及び改質し、前記シリコン含有膜表面を親水性にし、
親水性である前記シリコン含有膜表面に界面活性剤又はシランカップリング剤を供給することにより撥水性保護膜を形成し、
前記撥水性保護膜形成後に水を用いて前記半導体基板をリンスし、
前記半導体基板を乾燥させる半導体基板の表面処理装置。 - ドライエッチング処理によって複数の凸形状パターンが形成された半導体基板の表面処理装置であって、前記凸形状パターンは前記半導体基板上に形成された金属層と、前記金属層上に形成されたポリシリコン膜、シリコン酸化膜、シリコン窒化膜、及びアモルファスシリコン膜の少なくともいずれか1つを含むシリコン含有膜と、を有しており、
前記凸形状パターン表面の加工残渣を第1薬液を用いて洗浄し、
洗浄された前記凸形状パターンの前記シリコン含有膜表面を、酸化効果を有する第2薬液を用いて改質し、前記シリコン含有膜表面を親水性にし、
親水性である前記シリコン含有膜表面に界面活性剤又はシランカップリング剤を供給することにより撥水性保護膜を形成し、
前記撥水性保護膜形成後に水を用いて前記半導体基板をリンスし、
前記半導体基板を乾燥させる半導体基板の表面処理装置。 - ドライエッチング処理によって複数の凸形状パターンが形成された半導体基板の表面処理装置であって、前記凸形状パターンは前記半導体基板上に形成された金属層と、前記金属層上に形成されたポリシリコン膜、シリコン酸化膜、シリコン窒化膜、及びアモルファスシリコン膜の少なくともいずれか1つを含むシリコン含有膜と、を有しており、
前記凸形状パターンの前記シリコン含有膜表面を、酸化効果を有する薬液を用いて改質し、前記シリコン含有膜表面を親水性にし、
親水性である前記シリコン含有膜表面に界面活性剤又はシランカップリング剤を供給することにより撥水性保護膜を形成し、
前記撥水性保護膜形成後に水を用いて前記半導体基板をリンスし、
前記半導体基板を乾燥させる半導体基板の表面処理装置。 - 前記凸形状パターンを残存させて前記撥水性保護膜を除去する請求項1乃至3のいずれかに記載の半導体基板の表面処理装置。
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Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20180066332A (ko) * | 2016-12-07 | 2018-06-19 | 오씨아이 주식회사 | 실리콘 기판 식각 용액 |
JP2018206796A (ja) * | 2017-05-30 | 2018-12-27 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理方法 |
US10453729B2 (en) | 2017-09-13 | 2019-10-22 | Toshiba Memory Corporation | Substrate treatment apparatus and substrate treatment method |
Families Citing this family (152)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP4884180B2 (ja) * | 2006-11-21 | 2012-02-29 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理装置および基板処理方法 |
TWI416608B (zh) * | 2008-09-22 | 2013-11-21 | Tokyo Electron Ltd | 半導體基板之液體處理方法、半導體基板之液體處理裝置、及記憶媒體 |
US7892937B2 (en) * | 2008-10-16 | 2011-02-22 | Micron Technology, Inc. | Methods of forming capacitors |
US9053924B2 (en) * | 2008-12-26 | 2015-06-09 | Central Glass Company, Limited | Cleaning agent for silicon wafer |
SG173043A1 (en) | 2009-01-21 | 2011-08-29 | Central Glass Co Ltd | Silicon wafer cleaning agent |
JP5377052B2 (ja) * | 2009-04-17 | 2013-12-25 | 株式会社東芝 | 半導体装置の製造方法 |
JP5254120B2 (ja) * | 2009-04-22 | 2013-08-07 | 東京エレクトロン株式会社 | 液処理装置および液処理方法 |
JP5242508B2 (ja) * | 2009-06-26 | 2013-07-24 | 東京エレクトロン株式会社 | 液処理装置、液処理方法および記憶媒体 |
JP5284918B2 (ja) * | 2009-09-24 | 2013-09-11 | 大日本スクリーン製造株式会社 | 基板処理装置及び基板処理方法 |
JP4743340B1 (ja) | 2009-10-28 | 2011-08-10 | セントラル硝子株式会社 | 保護膜形成用薬液 |
JP5404361B2 (ja) * | 2009-12-11 | 2014-01-29 | 株式会社東芝 | 半導体基板の表面処理装置及び方法 |
JP5424848B2 (ja) | 2009-12-15 | 2014-02-26 | 株式会社東芝 | 半導体基板の表面処理装置及び方法 |
JP5404364B2 (ja) * | 2009-12-15 | 2014-01-29 | 株式会社東芝 | 半導体基板の表面処理装置及び方法 |
JP4927158B2 (ja) | 2009-12-25 | 2012-05-09 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理方法、その基板処理方法を実行させるためのプログラムを記録した記録媒体及び基板処理装置 |
US8617993B2 (en) * | 2010-02-01 | 2013-12-31 | Lam Research Corporation | Method of reducing pattern collapse in high aspect ratio nanostructures |
JP5506461B2 (ja) * | 2010-03-05 | 2014-05-28 | 東京エレクトロン株式会社 | 超臨界処理装置及び超臨界処理方法 |
JP5426439B2 (ja) * | 2010-03-15 | 2014-02-26 | 株式会社東芝 | 超臨界乾燥方法および超臨界乾燥装置 |
JP5361790B2 (ja) * | 2010-04-28 | 2013-12-04 | 株式会社東芝 | 半導体基板の表面処理方法 |
JP5708191B2 (ja) | 2010-05-19 | 2015-04-30 | セントラル硝子株式会社 | 保護膜形成用薬液 |
JP2011249454A (ja) * | 2010-05-25 | 2011-12-08 | Toshiba Corp | 超臨界乾燥方法 |
JP5434800B2 (ja) * | 2010-06-01 | 2014-03-05 | 東京エレクトロン株式会社 | 疎水化処理方法及び疎水化処理装置 |
US9228120B2 (en) | 2010-06-07 | 2016-01-05 | Central Glass Company, Limited | Liquid chemical for forming protecting film |
WO2011155407A1 (ja) * | 2010-06-07 | 2011-12-15 | セントラル硝子株式会社 | 保護膜形成用薬液 |
JP5422497B2 (ja) * | 2010-06-23 | 2014-02-19 | 株式会社東芝 | 基板乾燥方法 |
JP5716527B2 (ja) * | 2010-06-28 | 2015-05-13 | セントラル硝子株式会社 | 撥水性保護膜形成用薬液と該薬液を用いたウェハの洗浄方法 |
SG186761A1 (en) * | 2010-06-28 | 2013-02-28 | Central Glass Co Ltd | Water repellent protective film forming agent, liquid chemical for forming water repellent protective film, and wafer cleaning method using liquid chemical |
JP5712670B2 (ja) * | 2011-02-25 | 2015-05-07 | セントラル硝子株式会社 | 撥水性保護膜形成薬液 |
WO2012002243A1 (ja) * | 2010-06-28 | 2012-01-05 | セントラル硝子株式会社 | 撥水性保護膜形成剤、撥水性保護膜形成用薬液と該薬液を用いたウェハの洗浄方法 |
WO2012002346A1 (ja) * | 2010-06-30 | 2012-01-05 | セントラル硝子株式会社 | ウェハパターンの保護膜形成用薬液、薬液の調製方法およびウェハ処理方法 |
JP5630385B2 (ja) | 2010-06-30 | 2014-11-26 | セントラル硝子株式会社 | 保護膜形成用薬液及びウェハ表面の洗浄方法 |
JP2012033880A (ja) | 2010-06-30 | 2012-02-16 | Central Glass Co Ltd | 撥水性保護膜形成用薬液 |
JP2012015335A (ja) * | 2010-06-30 | 2012-01-19 | Central Glass Co Ltd | 保護膜形成用薬液、および、ウェハ表面の洗浄方法 |
JP5678720B2 (ja) * | 2011-02-25 | 2015-03-04 | セントラル硝子株式会社 | ウェハの洗浄方法 |
JP5830931B2 (ja) * | 2010-06-30 | 2015-12-09 | セントラル硝子株式会社 | ウェハの洗浄方法 |
KR101266620B1 (ko) * | 2010-08-20 | 2013-05-22 | 다이닛뽕스크린 세이조오 가부시키가이샤 | 기판처리방법 및 기판처리장치 |
JP5771035B2 (ja) * | 2011-03-29 | 2015-08-26 | 株式会社Screenホールディングス | 基板処理方法および基板処理装置 |
JP5662081B2 (ja) * | 2010-08-20 | 2015-01-28 | 株式会社Screenホールディングス | 基板処理方法および基板処理装置 |
WO2012027667A2 (en) * | 2010-08-27 | 2012-03-01 | Advanced Technology Materials, Inc. | Method for preventing the collapse of high aspect ratio structures during drying |
JP5741589B2 (ja) | 2010-09-08 | 2015-07-01 | 三菱瓦斯化学株式会社 | 微細構造体のパターン倒壊抑制用処理液及びこれを用いた微細構造体の製造方法 |
EP2615631B1 (en) * | 2010-09-08 | 2019-05-08 | Mitsubishi Gas Chemical Company, Inc. | Method for producing microstructure using processing liquid for suppressing pattern collapse of microstructure |
US8980812B2 (en) | 2010-09-08 | 2015-03-17 | Mitsubishi Gas Chemical Company, Inc. | Treatment liquid for inhibiting pattern collapse in microstructures, and microstructure manufacturing method using said treatment liquid |
JP5622512B2 (ja) * | 2010-10-06 | 2014-11-12 | 株式会社東芝 | 半導体装置の製造方法 |
JP2012084789A (ja) | 2010-10-14 | 2012-04-26 | Toshiba Corp | 半導体装置の製造方法および半導体製造装置 |
JP2012101197A (ja) * | 2010-11-11 | 2012-05-31 | Toshiba Corp | 排ガス処理装置、方法、及び半導体製造システム |
JP5620234B2 (ja) * | 2010-11-15 | 2014-11-05 | 株式会社東芝 | 半導体基板の超臨界乾燥方法および基板処理装置 |
JP5481366B2 (ja) * | 2010-12-22 | 2014-04-23 | 東京エレクトロン株式会社 | 液処理方法および液処理装置 |
JP5537400B2 (ja) * | 2010-12-22 | 2014-07-02 | 株式会社東芝 | パターン形成方法及び装置 |
JP5320383B2 (ja) * | 2010-12-27 | 2013-10-23 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板液処理装置及び基板液処理方法並びに基板液処理プログラムを記録したコンピュータ読み取り可能な記録媒体 |
US8828144B2 (en) | 2010-12-28 | 2014-09-09 | Central Grass Company, Limited | Process for cleaning wafers |
JP6098741B2 (ja) * | 2010-12-28 | 2017-03-22 | セントラル硝子株式会社 | ウェハの洗浄方法 |
JP2013118347A (ja) * | 2010-12-28 | 2013-06-13 | Central Glass Co Ltd | ウェハの洗浄方法 |
JP2013102109A (ja) | 2011-01-12 | 2013-05-23 | Central Glass Co Ltd | 保護膜形成用薬液 |
JP6172306B2 (ja) * | 2011-01-12 | 2017-08-02 | セントラル硝子株式会社 | 保護膜形成用薬液 |
JP5905666B2 (ja) * | 2011-03-31 | 2016-04-20 | 株式会社Screenホールディングス | 基板処理方法および基板処理装置 |
JP2012222329A (ja) * | 2011-04-14 | 2012-11-12 | Tokyo Electron Ltd | 液処理方法及び液処理装置 |
JP5611884B2 (ja) * | 2011-04-14 | 2014-10-22 | 東京エレクトロン株式会社 | エッチング方法、エッチング装置および記憶媒体 |
JP5813495B2 (ja) | 2011-04-15 | 2015-11-17 | 東京エレクトロン株式会社 | 液処理方法、液処理装置および記憶媒体 |
WO2012147716A1 (ja) * | 2011-04-28 | 2012-11-01 | セントラル硝子株式会社 | 撥水性保護膜形成用薬液及びこれを用いたウェハの洗浄方法 |
WO2012157507A1 (ja) * | 2011-05-17 | 2012-11-22 | 東亞合成株式会社 | 表面処理剤及び表面処理方法 |
JP5843277B2 (ja) | 2011-07-19 | 2016-01-13 | 株式会社東芝 | 半導体基板の超臨界乾燥方法及び装置 |
JP2013105909A (ja) * | 2011-11-14 | 2013-05-30 | Toshiba Corp | 半導体装置の製造方法 |
JP2013157480A (ja) * | 2012-01-30 | 2013-08-15 | Toshiba Corp | 半導体装置の製造方法及び製造装置 |
JP5974514B2 (ja) * | 2012-02-01 | 2016-08-23 | セントラル硝子株式会社 | 撥水性保護膜形成用薬液、撥水性保護膜形成用薬液キット、及びウェハの洗浄方法 |
WO2013115021A1 (ja) * | 2012-02-01 | 2013-08-08 | セントラル硝子株式会社 | 撥水性保護膜形成用薬液、撥水性保護膜形成用薬液キット、及びウェハの洗浄方法 |
JP5974515B2 (ja) * | 2012-02-01 | 2016-08-23 | セントラル硝子株式会社 | 撥水性保護膜形成用薬液、撥水性保護膜形成用薬液キット、及びウェハの洗浄方法 |
US8956465B2 (en) * | 2012-03-06 | 2015-02-17 | Tokyo Electron Limited | Liquid processing method, liquid processing device, and storage medium |
JP6119285B2 (ja) | 2012-03-27 | 2017-04-26 | 三菱瓦斯化学株式会社 | 微細構造体のパターン倒壊抑制用処理液及びこれを用いた微細構造体の製造方法 |
JP5898549B2 (ja) * | 2012-03-29 | 2016-04-06 | 株式会社Screenホールディングス | 基板処理方法および基板処理装置 |
JP2014039014A (ja) | 2012-07-20 | 2014-02-27 | Central Glass Co Ltd | 撥水性保護膜及び保護膜形成用薬液 |
JP6317547B2 (ja) | 2012-08-28 | 2018-04-25 | 株式会社Screenホールディングス | 基板処理方法 |
US20140060575A1 (en) * | 2012-08-31 | 2014-03-06 | Semes Co. Ltd | Substrate treating method |
JP2014067801A (ja) * | 2012-09-25 | 2014-04-17 | Central Glass Co Ltd | 保護膜形成用薬液 |
KR101525152B1 (ko) * | 2012-12-12 | 2015-06-04 | 영창케미칼 주식회사 | 커패시터 쓰러짐 방지용 코팅 조성물 |
JP6139890B2 (ja) | 2013-01-18 | 2017-05-31 | 株式会社東芝 | 半導体装置の製造方法および半導体製造装置 |
JP6148475B2 (ja) * | 2013-01-25 | 2017-06-14 | 株式会社東芝 | 半導体製造装置および半導体装置の製造方法 |
JP6400919B2 (ja) | 2013-03-07 | 2018-10-03 | 芝浦メカトロニクス株式会社 | 基板処理装置及び基板処理方法 |
JP5674851B2 (ja) * | 2013-04-09 | 2015-02-25 | 株式会社Screenホールディングス | 基板処理方法および基板処理装置 |
JP6013289B2 (ja) * | 2013-08-05 | 2016-10-25 | 株式会社東芝 | 半導体基板の洗浄方法および半導体基板の洗浄装置 |
US20150064911A1 (en) | 2013-08-27 | 2015-03-05 | Tokyo Electron Limited | Substrate processing method, substrate processing apparatus and storage medium |
JP6022490B2 (ja) * | 2013-08-27 | 2016-11-09 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理方法、基板処理システムおよび記憶媒体 |
JP6191372B2 (ja) | 2013-10-04 | 2017-09-06 | セントラル硝子株式会社 | ウェハの洗浄方法 |
KR102107227B1 (ko) * | 2013-12-02 | 2020-05-07 | 에스케이하이닉스 주식회사 | 블록 코폴리머를 이용한 패턴 형성을 위한 구조, 패턴 형성 방법, 및 이를 이용한 반도체소자 제조방법 |
JP5710738B2 (ja) * | 2013-12-10 | 2015-04-30 | 東京エレクトロン株式会社 | 液処理方法、液処理装置および記憶媒体 |
US9460997B2 (en) * | 2013-12-31 | 2016-10-04 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Interconnect structure for semiconductor devices |
CN106463397A (zh) * | 2014-05-12 | 2017-02-22 | 东京毅力科创株式会社 | 用于改善柔性纳米结构的干燥的方法和系统 |
US9768270B2 (en) * | 2014-06-25 | 2017-09-19 | Sandisk Technologies Llc | Method of selectively depositing floating gate material in a memory device |
JP6513361B2 (ja) * | 2014-09-30 | 2019-05-15 | 株式会社Screenホールディングス | 基板処理方法 |
JP6524573B2 (ja) | 2014-09-30 | 2019-06-05 | 株式会社Screenホールディングス | 基板処理方法および基板処理装置 |
US10026629B2 (en) * | 2014-10-17 | 2018-07-17 | Tokyo Electron Limited | Substrate liquid processing apparatus, substrate liquid processing method, and computer-readable storage medium storing substrate liquid processing program |
JP6484144B2 (ja) * | 2014-10-17 | 2019-03-13 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板液処理装置及び基板液処理方法並びに基板液処理プログラムを記憶したコンピュータ読み取り可能な記憶媒体 |
JP6410694B2 (ja) * | 2014-10-21 | 2018-10-24 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板液処理方法及び基板液処理装置並びに基板液処理プログラムを記憶したコンピュータ読み取り可能な記憶媒体 |
JP6376960B2 (ja) * | 2014-11-28 | 2018-08-22 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理装置および基板処理方法 |
JP2016139774A (ja) * | 2015-01-23 | 2016-08-04 | 富士フイルム株式会社 | パターン処理方法、半導体基板製品の製造方法およびパターン構造の前処理液 |
JP6486161B2 (ja) | 2015-03-24 | 2019-03-20 | 東京応化工業株式会社 | シリル化剤薬液の調製方法及び表面処理方法 |
JP6419053B2 (ja) * | 2015-10-08 | 2018-11-07 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理方法および基板処理装置 |
JP6795884B2 (ja) | 2015-11-10 | 2020-12-02 | 東京応化工業株式会社 | 液体を被精製物とする精製方法、ケイ素化合物含有液を被精製物とする精製方法、シリル化剤薬液、膜形成用材料又は拡散剤組成物の製造方法、フィルターメディア、及び、フィルターデバイス |
US11094526B2 (en) | 2016-01-13 | 2021-08-17 | Mitsubishi Gas Chemical Company, Inc. | Liquid composition for imparting alcohol-repellency to semiconductor substrate material, and method for treating surface of semiconductor substrate using said liquid composition |
JP6216404B2 (ja) * | 2016-04-11 | 2017-10-18 | 株式会社Screenホールディングス | 基板処理方法 |
WO2017217320A1 (ja) | 2016-06-13 | 2017-12-21 | 富士フイルム株式会社 | 液体組成物が収容された収容容器及び液体組成物の保管方法 |
JP6681796B2 (ja) | 2016-06-21 | 2020-04-15 | 東京応化工業株式会社 | シリル化剤溶液、表面処理方法、及び半導体デバイスの製造方法 |
JP6687486B2 (ja) | 2016-08-31 | 2020-04-22 | 株式会社Screenホールディングス | 基板処理方法 |
KR102628534B1 (ko) * | 2016-09-13 | 2024-01-26 | 에스케이하이닉스 주식회사 | 반도체 기판의 처리 방법 |
JP6875811B2 (ja) * | 2016-09-16 | 2021-05-26 | 株式会社Screenホールディングス | パターン倒壊回復方法、基板処理方法および基板処理装置 |
JP6754257B2 (ja) | 2016-09-26 | 2020-09-09 | 株式会社Screenホールディングス | 基板処理方法 |
TW201825197A (zh) * | 2016-09-30 | 2018-07-16 | 日商東京威力科創股份有限公司 | 基板處理方法及基板處理裝置 |
US20190228963A1 (en) * | 2016-09-30 | 2019-07-25 | Tokyo Electron Limited | Substrate processing method and substrate processing apparatus |
KR20190072532A (ko) | 2016-10-21 | 2019-06-25 | 제이에스알 가부시끼가이샤 | 처리제 및 기판의 처리 방법 |
KR101884854B1 (ko) * | 2016-11-25 | 2018-08-31 | 세메스 주식회사 | 기판 처리 장치 및 방법 |
JP7085561B2 (ja) * | 2017-03-17 | 2022-06-16 | バーサム マテリアルズ ユーエス,リミティド ライアビリティ カンパニー | ケイ素含有表面への選択的堆積 |
SG11201908617QA (en) * | 2017-03-24 | 2019-10-30 | Fujifilm Electronic Materials Usa Inc | Surface treatment methods and compositions therefor |
JP6943012B2 (ja) * | 2017-05-10 | 2021-09-29 | 東京エレクトロン株式会社 | 液処理方法、液処理装置、及び記憶媒体 |
EP3633711B1 (en) | 2017-05-26 | 2023-06-21 | Mitsubishi Gas Chemical Company, Inc. | Surface treatment method for imparting alcohol repellency to semiconductor substrate |
JP7029251B2 (ja) | 2017-08-28 | 2022-03-03 | 株式会社Screenホールディングス | 基板処理方法および基板処理装置 |
JP6934376B2 (ja) * | 2017-09-20 | 2021-09-15 | 株式会社Screenホールディングス | 基板処理方法および基板処理装置 |
JP7116534B2 (ja) | 2017-09-21 | 2022-08-10 | 株式会社Screenホールディングス | 基板処理方法および基板処理装置 |
US10748757B2 (en) | 2017-09-21 | 2020-08-18 | Honeywell International, Inc. | Thermally removable fill materials for anti-stiction applications |
JP6953255B2 (ja) * | 2017-09-21 | 2021-10-27 | 株式会社Screenホールディングス | 基板処理方法および基板処理装置 |
US10727044B2 (en) | 2017-09-21 | 2020-07-28 | Honeywell International Inc. | Fill material to mitigate pattern collapse |
US10957530B2 (en) | 2017-12-19 | 2021-03-23 | Micron Technology, Inc. | Freezing a sacrificial material in forming a semiconductor |
US10964525B2 (en) | 2017-12-19 | 2021-03-30 | Micron Technology, Inc. | Removing a sacrificial material via sublimation in forming a semiconductor |
US10475656B2 (en) | 2017-12-19 | 2019-11-12 | Micron Technology, Inc. | Hydrosilylation in semiconductor processing |
US11037779B2 (en) | 2017-12-19 | 2021-06-15 | Micron Technology, Inc. | Gas residue removal |
US10784101B2 (en) | 2017-12-19 | 2020-09-22 | Micron Technology, Inc. | Using sacrificial solids in semiconductor processing |
US10941301B2 (en) * | 2017-12-28 | 2021-03-09 | Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd. | Surface treatment method, surface treatment agent, and method for forming film region-selectively on substrate |
US11174394B2 (en) | 2018-01-05 | 2021-11-16 | Fujifilm Electronic Materials U.S.A., Inc. | Surface treatment compositions and articles containing same |
CN111602230A (zh) * | 2018-01-09 | 2020-08-28 | 株式会社斯库林集团 | 衬底处理方法及衬底处理装置 |
JP7182879B2 (ja) * | 2018-01-09 | 2022-12-05 | 株式会社Screenホールディングス | 基板処理方法および基板処理装置 |
JP7182880B2 (ja) * | 2018-01-09 | 2022-12-05 | 株式会社Screenホールディングス | 基板処理方法および基板処理装置 |
US10497558B2 (en) | 2018-02-26 | 2019-12-03 | Micron Technology, Inc. | Using sacrificial polymer materials in semiconductor processing |
KR102573280B1 (ko) * | 2018-03-21 | 2023-09-01 | 삼성전자주식회사 | 기판 세정 방법, 기판 세정 장치 및 그를 이용한 반도체 소자의 제조방법 |
US20190374982A1 (en) * | 2018-06-06 | 2019-12-12 | Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd. | Method for treating substrate and rinsing liquid |
JP7030633B2 (ja) * | 2018-06-29 | 2022-03-07 | 株式会社Screenホールディングス | 基板処理装置および基板処理方法 |
US20200035494A1 (en) * | 2018-07-30 | 2020-01-30 | Fujifilm Electronic Materials U.S.A., Inc. | Surface Treatment Compositions and Methods |
JP6571253B2 (ja) * | 2018-08-20 | 2019-09-04 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理方法および基板処理装置 |
JP7202106B2 (ja) | 2018-08-31 | 2023-01-11 | 株式会社Screenホールディングス | 基板処理方法および基板処理装置 |
JP7302997B2 (ja) * | 2019-03-20 | 2023-07-04 | 株式会社Screenホールディングス | 基板処理装置、及び基板処理装置の配管洗浄方法 |
JP6710801B2 (ja) * | 2019-04-10 | 2020-06-17 | 株式会社Screenホールディングス | 基板処理方法 |
CN113394074A (zh) * | 2020-03-11 | 2021-09-14 | 长鑫存储技术有限公司 | 半导体结构的处理方法 |
JPWO2021235479A1 (ja) | 2020-05-21 | 2021-11-25 | ||
KR20230015958A (ko) * | 2020-05-21 | 2023-01-31 | 샌트랄 글래스 컴퍼니 리미티드 | 반도체 기판의 표면 처리 방법, 및 표면처리제 조성물 |
US11978636B2 (en) | 2020-07-02 | 2024-05-07 | Changxin Memory Technologies, Inc. | Methods for processing semiconductor structures and methods for forming semiconductor structures |
EP3968361B1 (en) * | 2020-07-02 | 2024-01-31 | Changxin Memory Technologies, Inc. | Semiconductor structure processing method |
JP2022027089A (ja) | 2020-07-31 | 2022-02-10 | 株式会社Screenホールディングス | 基板処理方法、及び基板処理装置 |
JP2022027088A (ja) | 2020-07-31 | 2022-02-10 | 株式会社Screenホールディングス | 基板処理方法 |
CN114068345A (zh) * | 2020-08-05 | 2022-02-18 | 长鑫存储技术有限公司 | 半导体结构的处理方法及形成方法 |
JP7475252B2 (ja) | 2020-10-02 | 2024-04-26 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理装置、及び基板処理方法 |
JP2022104013A (ja) * | 2020-12-28 | 2022-07-08 | 株式会社Screenホールディングス | 基板処理装置および基板処理方法 |
JP2022139067A (ja) * | 2021-03-11 | 2022-09-26 | 株式会社Screenホールディングス | 基板処理方法、および、基板処理装置 |
JP2023070641A (ja) | 2021-11-09 | 2023-05-19 | 信越化学工業株式会社 | 半導体基板パターン倒壊抑制用充填膜形成材料及び半導体基板の処理方法 |
JP2023076165A (ja) * | 2021-11-22 | 2023-06-01 | 株式会社Screenホールディングス | 基板処理方法 |
KR102666521B1 (ko) * | 2022-03-23 | 2024-05-16 | 주식회사 에스이에이 | 기판 표면 처리장치 |
KR102655599B1 (ko) | 2023-07-17 | 2024-04-08 | 와이씨켐 주식회사 | 반도체 패턴 쓰러짐 방지용 코팅 조성물 및 이를 이용하여 코팅된 패턴 |
Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH06302598A (ja) * | 1993-04-15 | 1994-10-28 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体装置の製造方法 |
JPH07273083A (ja) * | 1994-03-30 | 1995-10-20 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 微細パターン形成法 |
Family Cites Families (33)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP3011728B2 (ja) * | 1989-12-13 | 2000-02-21 | 東京エレクトロン株式会社 | 表面処理装置 |
JPH07142349A (ja) | 1993-11-16 | 1995-06-02 | Mitsubishi Electric Corp | 現像工程におけるフォトレジストパターンの倒れを防止する方法 |
JPH07335603A (ja) * | 1994-06-10 | 1995-12-22 | Toshiba Corp | 半導体基板の処理方法および処理剤 |
JP2000040679A (ja) * | 1998-07-24 | 2000-02-08 | Hitachi Ltd | 半導体集積回路装置の製造方法 |
JP3485471B2 (ja) * | 1998-07-31 | 2004-01-13 | 東京エレクトロン株式会社 | 処理装置及び処理方法 |
JP2000089477A (ja) * | 1998-09-11 | 2000-03-31 | Nec Corp | レジストパターンの形成方法 |
US6468362B1 (en) * | 1999-08-25 | 2002-10-22 | Applied Materials, Inc. | Method and apparatus for cleaning/drying hydrophobic wafers |
US6858089B2 (en) * | 1999-10-29 | 2005-02-22 | Paul P. Castrucci | Apparatus and method for semiconductor wafer cleaning |
US6620260B2 (en) * | 2000-05-15 | 2003-09-16 | Tokyo Electron Limited | Substrate rinsing and drying method |
JP4541422B2 (ja) * | 2000-05-15 | 2010-09-08 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理装置および基板処理方法 |
JP2002006476A (ja) * | 2000-06-23 | 2002-01-09 | Hitachi Ltd | ホトマスクおよびホトマスクの製造方法 |
JP3866130B2 (ja) | 2001-05-25 | 2007-01-10 | 大日本スクリーン製造株式会社 | 基板処理装置および基板処理方法 |
KR100451950B1 (ko) * | 2002-02-25 | 2004-10-08 | 삼성전자주식회사 | 이미지 센서 소자 웨이퍼 소잉 방법 |
US20040003828A1 (en) * | 2002-03-21 | 2004-01-08 | Jackson David P. | Precision surface treatments using dense fluids and a plasma |
JP4016701B2 (ja) * | 2002-04-18 | 2007-12-05 | 信越半導体株式会社 | 貼り合せ基板の製造方法 |
JP4084235B2 (ja) | 2002-08-22 | 2008-04-30 | 株式会社神戸製鋼所 | 保護膜積層微細構造体および該構造体を用いた微細構造体の乾燥方法 |
US7163018B2 (en) * | 2002-12-16 | 2007-01-16 | Applied Materials, Inc. | Single wafer cleaning method to reduce particle defects on a wafer surface |
JP4330959B2 (ja) * | 2003-09-05 | 2009-09-16 | 株式会社東芝 | 半導体基板の洗浄方法および洗浄装置、半導体基板、ならびに半導体装置 |
JP2005136246A (ja) * | 2003-10-31 | 2005-05-26 | Renesas Technology Corp | 半導体集積回路装置の製造方法 |
JP3857692B2 (ja) | 2004-01-15 | 2006-12-13 | 株式会社東芝 | パターン形成方法 |
JP2005276857A (ja) * | 2004-03-22 | 2005-10-06 | Kyocera Corp | 光電変換装置およびその製造方法 |
KR101063591B1 (ko) * | 2004-10-27 | 2011-09-07 | 인터내셔널 비지네스 머신즈 코포레이션 | 금속간 유전체로서 사용된 낮은 k 및 극도로 낮은 k의 오가노실리케이트 필름의 소수성을 복원하는 방법 및 이로부터 제조된 물품 |
US7880860B2 (en) * | 2004-12-20 | 2011-02-01 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
US20080207005A1 (en) * | 2005-02-15 | 2008-08-28 | Freescale Semiconductor, Inc. | Wafer Cleaning After Via-Etching |
JP2006332185A (ja) * | 2005-05-24 | 2006-12-07 | Tokyo Electron Ltd | 基板処理装置、及び基板処理方法 |
WO2007053672A2 (en) * | 2005-11-01 | 2007-05-10 | E. I. Du Pont De Nemours And Company | Solvent compositions comprising unsaturated fluorinated hydrocarbons |
JP4882480B2 (ja) * | 2006-04-21 | 2012-02-22 | 東京エレクトロン株式会社 | 保護膜除去装置、薬液の回収方法及び記憶媒体 |
JP4866165B2 (ja) | 2006-07-10 | 2012-02-01 | 大日本スクリーン製造株式会社 | 基板の現像処理方法および基板の現像処理装置 |
JP2008078503A (ja) * | 2006-09-22 | 2008-04-03 | Toshiba Corp | 半導体製造工程における廃液処理方法、及び基板処理装置 |
JP2008091600A (ja) * | 2006-10-02 | 2008-04-17 | Sony Corp | 半導体装置の製造方法 |
JP4923936B2 (ja) * | 2006-10-13 | 2012-04-25 | 東京エレクトロン株式会社 | 塗布、現像装置及び塗布、現像方法 |
JP2008156708A (ja) * | 2006-12-25 | 2008-07-10 | Idemitsu Kosan Co Ltd | 透明導電膜の製造方法 |
US8567420B2 (en) * | 2008-03-31 | 2013-10-29 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Cleaning apparatus for semiconductor wafer |
-
2008
- 2008-10-24 US US12/257,493 patent/US7838425B2/en active Active
-
2009
- 2009-06-12 JP JP2009140992A patent/JP4403202B1/ja active Active
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- 2009-06-16 TW TW102106750A patent/TWI604517B/zh active
- 2009-06-16 TW TW098120153A patent/TWI397117B/zh active
- 2009-10-06 US US12/574,543 patent/US7749909B2/en active Active
- 2009-10-22 JP JP2009243777A patent/JP4455669B1/ja active Active
- 2009-10-22 JP JP2009243787A patent/JP4455670B1/ja active Active
-
2010
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-
2012
- 2012-05-18 JP JP2012114546A patent/JP5622791B2/ja active Active
-
2014
- 2014-09-19 JP JP2014190842A patent/JP5801461B2/ja active Active
-
2015
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- 2015-11-25 JP JP2015229761A patent/JP2016066811A/ja active Pending
Patent Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH06302598A (ja) * | 1993-04-15 | 1994-10-28 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体装置の製造方法 |
JPH07273083A (ja) * | 1994-03-30 | 1995-10-20 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 微細パターン形成法 |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20180066332A (ko) * | 2016-12-07 | 2018-06-19 | 오씨아이 주식회사 | 실리콘 기판 식각 용액 |
KR102284210B1 (ko) | 2016-12-07 | 2021-08-03 | 오씨아이 주식회사 | 실리콘 기판 식각 용액 |
JP2018206796A (ja) * | 2017-05-30 | 2018-12-27 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理方法 |
US10453729B2 (en) | 2017-09-13 | 2019-10-22 | Toshiba Memory Corporation | Substrate treatment apparatus and substrate treatment method |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US20090311874A1 (en) | 2009-12-17 |
US7838425B2 (en) | 2010-11-23 |
US20100240219A1 (en) | 2010-09-23 |
US20100075504A1 (en) | 2010-03-25 |
JP5801461B2 (ja) | 2015-10-28 |
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KR20090130828A (ko) | 2009-12-24 |
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JP2010114414A (ja) | 2010-05-20 |
JP2012178606A (ja) | 2012-09-13 |
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KR101118437B1 (ko) | 2012-03-06 |
US7749909B2 (en) | 2010-07-06 |
JP4455670B1 (ja) | 2010-04-21 |
JP2010114440A (ja) | 2010-05-20 |
TW201324599A (zh) | 2013-06-16 |
JP5855310B2 (ja) | 2016-02-09 |
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JP4403202B1 (ja) | 2010-01-27 |
TWI397117B (zh) | 2013-05-21 |
TW201017736A (en) | 2010-05-01 |
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JP2016066811A (ja) | 2016-04-28 |
JP2010114439A (ja) | 2010-05-20 |
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