KR20180066332A - 실리콘 기판 식각 용액 - Google Patents
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- 238000005530 etching Methods 0.000 title claims abstract description 136
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims abstract description 83
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 title claims abstract description 82
- 239000010703 silicon Substances 0.000 title claims abstract description 77
- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims abstract description 54
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 81
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 claims abstract description 81
- 239000000243 solution Substances 0.000 claims description 60
- -1 alkyl Pyrrolidinium Chemical compound 0.000 claims description 28
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 claims description 27
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 claims description 27
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims description 26
- YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N Fluorine atom Chemical compound [F] YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 25
- 125000000217 alkyl group Chemical group 0.000 claims description 24
- NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N Phosphoric acid Chemical compound OP(O)(O)=O NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 22
- 239000003112 inhibitor Substances 0.000 claims description 22
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 21
- 150000007522 mineralic acids Chemical class 0.000 claims description 17
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 claims description 14
- 125000002496 methyl group Chemical group [H]C([H])([H])* 0.000 claims description 12
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N Fluorane Chemical compound F KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 11
- 229910000147 aluminium phosphate Inorganic materials 0.000 claims description 11
- 125000003342 alkenyl group Chemical group 0.000 claims description 8
- 125000004103 aminoalkyl group Chemical group 0.000 claims description 8
- 125000000753 cycloalkyl group Chemical group 0.000 claims description 8
- 125000001188 haloalkyl group Chemical group 0.000 claims description 8
- 125000004404 heteroalkyl group Chemical group 0.000 claims description 8
- DDFHBQSCUXNBSA-UHFFFAOYSA-N 5-(5-carboxythiophen-2-yl)thiophene-2-carboxylic acid Chemical compound S1C(C(=O)O)=CC=C1C1=CC=C(C(O)=O)S1 DDFHBQSCUXNBSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- 125000000304 alkynyl group Chemical group 0.000 claims description 7
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims description 7
- 125000003710 aryl alkyl group Chemical group 0.000 claims description 6
- 125000004432 carbon atom Chemical group C* 0.000 claims description 6
- 125000004185 ester group Chemical group 0.000 claims description 6
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 claims description 6
- RMAQACBXLXPBSY-UHFFFAOYSA-N silicic acid Chemical compound O[Si](O)(O)O RMAQACBXLXPBSY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N Hydrochloric acid Chemical compound Cl VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N Sulfuric acid Chemical compound OS(O)(=O)=O QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 150000001450 anions Chemical class 0.000 claims description 4
- 229910000040 hydrogen fluoride Inorganic materials 0.000 claims description 4
- VLTRZXGMWDSKGL-UHFFFAOYSA-N perchloric acid Chemical compound OCl(=O)(=O)=O VLTRZXGMWDSKGL-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 125000006374 C2-C10 alkenyl group Chemical group 0.000 claims description 3
- 125000005865 C2-C10alkynyl group Chemical group 0.000 claims description 3
- 125000005210 alkyl ammonium group Chemical group 0.000 claims description 3
- LDDQLRUQCUTJBB-UHFFFAOYSA-O azanium;hydrofluoride Chemical compound [NH4+].F LDDQLRUQCUTJBB-UHFFFAOYSA-O 0.000 claims description 3
- 150000002892 organic cations Chemical class 0.000 claims description 3
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 claims description 3
- GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N Nitric acid Chemical compound O[N+]([O-])=O GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- KGBXLFKZBHKPEV-UHFFFAOYSA-N boric acid Chemical compound OB(O)O KGBXLFKZBHKPEV-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 239000004327 boric acid Substances 0.000 claims description 2
- XPPKVPWEQAFLFU-UHFFFAOYSA-N diphosphoric acid Chemical compound OP(O)(=O)OP(O)(O)=O XPPKVPWEQAFLFU-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 229910017604 nitric acid Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 229940005657 pyrophosphoric acid Drugs 0.000 claims description 2
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-M Fluoride anion Chemical compound [F-] KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims 2
- DWYMPOCYEZONEA-UHFFFAOYSA-L fluoridophosphate Chemical compound [O-]P([O-])(F)=O DWYMPOCYEZONEA-UHFFFAOYSA-L 0.000 claims 1
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 abstract description 46
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 46
- 239000000654 additive Substances 0.000 abstract description 23
- 239000011856 silicon-based particle Substances 0.000 abstract description 23
- 230000000996 additive effect Effects 0.000 abstract description 21
- 238000002161 passivation Methods 0.000 abstract description 6
- 230000000694 effects Effects 0.000 abstract description 5
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 16
- 230000001965 increasing effect Effects 0.000 description 16
- 229910000077 silane Inorganic materials 0.000 description 10
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 9
- 125000000524 functional group Chemical group 0.000 description 9
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 8
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 8
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 150000001735 carboxylic acids Chemical class 0.000 description 7
- 125000002887 hydroxy group Chemical group [H]O* 0.000 description 7
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 6
- 125000003118 aryl group Chemical group 0.000 description 5
- LIVNPJMFVYWSIS-UHFFFAOYSA-N silicon monoxide Chemical compound [Si-]#[O+] LIVNPJMFVYWSIS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 238000001039 wet etching Methods 0.000 description 5
- 125000005157 alkyl carboxy group Chemical group 0.000 description 3
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 3
- 229910052736 halogen Inorganic materials 0.000 description 3
- 150000002367 halogens Chemical group 0.000 description 3
- 125000005842 heteroatom Chemical group 0.000 description 3
- 125000000592 heterocycloalkyl group Chemical group 0.000 description 3
- SNVLJLYUUXKWOJ-UHFFFAOYSA-N methylidenecarbene Chemical compound C=[C] SNVLJLYUUXKWOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000006467 substitution reaction Methods 0.000 description 3
- YJTKZCDBKVTVBY-UHFFFAOYSA-N 1,3-Diphenylbenzene Chemical group C1=CC=CC=C1C1=CC=CC(C=2C=CC=CC=2)=C1 YJTKZCDBKVTVBY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910002704 AlGaN Inorganic materials 0.000 description 2
- CURLTUGMZLYLDI-UHFFFAOYSA-N Carbon dioxide Chemical compound O=C=O CURLTUGMZLYLDI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- BOTDANWDWHJENH-UHFFFAOYSA-N Tetraethyl orthosilicate Chemical compound CCO[Si](OCC)(OCC)OCC BOTDANWDWHJENH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 125000004429 atom Chemical group 0.000 description 2
- 238000000231 atomic layer deposition Methods 0.000 description 2
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 2
- 239000005388 borosilicate glass Substances 0.000 description 2
- 125000003178 carboxy group Chemical group [H]OC(*)=O 0.000 description 2
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 2
- VILAVOFMIJHSJA-UHFFFAOYSA-N dicarbon monoxide Chemical compound [C]=C=O VILAVOFMIJHSJA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ZUOUZKKEUPVFJK-UHFFFAOYSA-N diphenyl Chemical compound C1=CC=CC=C1C1=CC=CC=C1 ZUOUZKKEUPVFJK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 description 2
- 150000002148 esters Chemical class 0.000 description 2
- 239000002608 ionic liquid Substances 0.000 description 2
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 2
- 125000004430 oxygen atom Chemical group O* 0.000 description 2
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 2
- 229920001709 polysilazane Polymers 0.000 description 2
- 230000008569 process Effects 0.000 description 2
- 230000005588 protonation Effects 0.000 description 2
- 150000004756 silanes Chemical class 0.000 description 2
- 239000005368 silicate glass Substances 0.000 description 2
- 125000005373 siloxane group Chemical group [SiH2](O*)* 0.000 description 2
- DLYUQMMRRRQYAE-UHFFFAOYSA-N tetraphosphorus decaoxide Chemical compound O1P(O2)(=O)OP3(=O)OP1(=O)OP2(=O)O3 DLYUQMMRRRQYAE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XJKSTNDFUHDPQJ-UHFFFAOYSA-N 1,4-diphenylbenzene Chemical group C1=CC=CC=C1C1=CC=C(C=2C=CC=CC=2)C=C1 XJKSTNDFUHDPQJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MNCMBBIFTVWHIP-UHFFFAOYSA-N 1-anthracen-9-yl-2,2,2-trifluoroethanone Chemical group C1=CC=C2C(C(=O)C(F)(F)F)=C(C=CC=C3)C3=CC2=C1 MNCMBBIFTVWHIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000001637 1-naphthyl group Chemical group [H]C1=C([H])C([H])=C2C(*)=C([H])C([H])=C([H])C2=C1[H] 0.000 description 1
- 125000001622 2-naphthyl group Chemical group [H]C1=C([H])C([H])=C2C([H])=C(*)C([H])=C([H])C2=C1[H] 0.000 description 1
- 125000000094 2-phenylethyl group Chemical group [H]C1=C([H])C([H])=C(C([H])=C1[H])C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 description 1
- JTXUAHIMULPXKY-UHFFFAOYSA-N 3-trihydroxysilylpropan-1-amine Chemical compound NCCC[Si](O)(O)O JTXUAHIMULPXKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CURUFKQTATXHEZ-UHFFFAOYSA-N CC(C)OC(C(C)C(OC(C)CN)=O)=O Chemical compound CC(C)OC(C(C)C(OC(C)CN)=O)=O CURUFKQTATXHEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910018557 Si O Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000005856 abnormality Effects 0.000 description 1
- 238000010669 acid-base reaction Methods 0.000 description 1
- 125000001931 aliphatic group Chemical group 0.000 description 1
- 125000005907 alkyl ester group Chemical group 0.000 description 1
- QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-O ammonium group Chemical group [NH4+] QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-O 0.000 description 1
- 125000005428 anthryl group Chemical group [H]C1=C([H])C([H])=C2C([H])=C3C(*)=C([H])C([H])=C([H])C3=C([H])C2=C1[H] 0.000 description 1
- 125000001797 benzyl group Chemical group [H]C1=C([H])C([H])=C(C([H])=C1[H])C([H])([H])* 0.000 description 1
- 239000004305 biphenyl Substances 0.000 description 1
- 235000010290 biphenyl Nutrition 0.000 description 1
- 238000009835 boiling Methods 0.000 description 1
- 150000001721 carbon Chemical group 0.000 description 1
- 239000001569 carbon dioxide Substances 0.000 description 1
- 229910002092 carbon dioxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000021523 carboxylation Effects 0.000 description 1
- 238000006473 carboxylation reaction Methods 0.000 description 1
- 150000001768 cations Chemical class 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 125000004122 cyclic group Chemical group 0.000 description 1
- 125000000582 cycloheptyl group Chemical group [H]C1([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])(*)C([H])([H])C1([H])[H] 0.000 description 1
- 125000000113 cyclohexyl group Chemical group [H]C1([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])(*)C([H])([H])C1([H])[H] 0.000 description 1
- 125000001511 cyclopentyl group Chemical group [H]C1([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])(*)C1([H])[H] 0.000 description 1
- 238000006114 decarboxylation reaction Methods 0.000 description 1
- 238000000354 decomposition reaction Methods 0.000 description 1
- 230000002950 deficient Effects 0.000 description 1
- 238000000572 ellipsometry Methods 0.000 description 1
- 230000032050 esterification Effects 0.000 description 1
- 238000005886 esterification reaction Methods 0.000 description 1
- 125000001495 ethyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 description 1
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 1
- 125000004970 halomethyl group Chemical group 0.000 description 1
- 125000001072 heteroaryl group Chemical group 0.000 description 1
- 150000002430 hydrocarbons Chemical group 0.000 description 1
- 150000002431 hydrogen Chemical class 0.000 description 1
- 125000004435 hydrogen atom Chemical group [H]* 0.000 description 1
- 230000001939 inductive effect Effects 0.000 description 1
- 125000000959 isobutyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])(C([H])([H])[H])C([H])([H])* 0.000 description 1
- 125000001449 isopropyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])(*)C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- YIXJRHPUWRPCBB-UHFFFAOYSA-N magnesium nitrate Chemical compound [Mg+2].[O-][N+]([O-])=O.[O-][N+]([O-])=O YIXJRHPUWRPCBB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- QPJSUIGXIBEQAC-UHFFFAOYSA-N n-(2,4-dichloro-5-propan-2-yloxyphenyl)acetamide Chemical compound CC(C)OC1=CC(NC(C)=O)=C(Cl)C=C1Cl QPJSUIGXIBEQAC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000004108 n-butyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 description 1
- 125000003136 n-heptyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 description 1
- 125000001280 n-hexyl group Chemical group C(CCCCC)* 0.000 description 1
- 125000004123 n-propyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 description 1
- 238000007335 nucleophilic acyl substitution reaction Methods 0.000 description 1
- 229930184652 p-Terphenyl Natural products 0.000 description 1
- 125000001792 phenanthrenyl group Chemical group C1(=CC=CC=2C3=CC=CC=C3C=CC12)* 0.000 description 1
- 125000001997 phenyl group Chemical group [H]C1=C([H])C([H])=C(*)C([H])=C1[H] 0.000 description 1
- 239000005360 phosphosilicate glass Substances 0.000 description 1
- 125000000587 piperidin-1-yl group Chemical group [H]C1([H])N(*)C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C1([H])[H] 0.000 description 1
- 125000004483 piperidin-3-yl group Chemical group N1CC(CCC1)* 0.000 description 1
- 229920000137 polyphosphoric acid Polymers 0.000 description 1
- 229920001296 polysiloxane Polymers 0.000 description 1
- 239000002244 precipitate Substances 0.000 description 1
- 238000001556 precipitation Methods 0.000 description 1
- 125000002924 primary amino group Chemical group [H]N([H])* 0.000 description 1
- 125000001725 pyrenyl group Chemical group 0.000 description 1
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 1
- 238000007127 saponification reaction Methods 0.000 description 1
- 125000002914 sec-butyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])C([H])(*)C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- 150000004760 silicates Chemical class 0.000 description 1
- QGTQFRYKBMXUBT-UHFFFAOYSA-N silicon(4+) hydrate Chemical group O.[Si+4] QGTQFRYKBMXUBT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000001424 substituent group Chemical group 0.000 description 1
- 125000000999 tert-butyl group Chemical group [H]C([H])([H])C(*)(C([H])([H])[H])C([H])([H])[H] 0.000 description 1
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-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
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Abstract
본 발명은 실리콘 기판 식각 용액에 관한 것이며, 보다 상세하게는 실리콘 질화막의 식각시 실리콘 산화막에 대한 패시베이션 효과를 부여하여 실리콘 산화막 대비 실리콘 질화막에 대한 선택비를 높임과 동시에 식각 용액 중 별도의 실리콘 첨가제를 사용하지 않음에 따라 실리콘계 파티클이 생성되는 것을 방지할 수 있는 실리콘 기판 식각 용액에 관한 것이다.
Description
본 발명은 실리콘 기판 식각 용액에 관한 것이며, 보다 상세하게는 실리콘 질화막의 식각시 실리콘 산화막에 대한 패시베이션 효과를 부여하여 실리콘 산화막 대비 실리콘 질화막에 대한 선택비를 높임과 동시에 식각 용액 중 별도의 실리콘 첨가제를 사용하지 않음에 따라 실리콘계 파티클이 생성되는 것을 방지할 수 있는 실리콘 기판 식각 용액에 관한 것이다.
현재 실리콘 질화막과 실리콘 산화막을 식각하는 방법은 여러가지가 있는데 건식 식각법과 습식 식각법이 주로 사용되는 방법이다.
건식 식각법은 통상적으로 기체를 이용한 식각법으로서 등방성이 습식 식각법보다 뛰어나다는 장점이 있으나 습식 식각법보다 생산성이 많이 떨어지고 고가의 방식이라는 점에서 습식 식각법이 널리 이용되고 있는 추세이다.
일반적으로 습식 식각법으로는 식각 용액으로서 인산을 사용하는 방법이 잘 알려져 있으며, 인산에 의한 실리콘 질화막의 식각은 다음과 같은 화학 반응을 통해 진행된다.
4H3PO4 + 3Si3N4 + 27H2O ? 4(NH4)3PO4 + 9H2SiO3
실리콘 질화막의 식각을 위해 순수한 인산만 사용할 경우, 소자가 미세화됨에 따라 실리콘 질화막뿐만 아니라 실리콘 산화막까지 식각됨으로써 각종 불량 및 패턴 이상이 발생되는 등의 문제가 발생할 수 있기 때문에 실리콘 산화막의 식각 속도를 더욱 낮출 필요가 있다.
한편, 실리콘 질화막의 식각 속도를 더욱 증가시키기 위해 불소를 포함하는 화합물을 첨가제로서 사용하는 시도가 있었으나, 불소는 실리콘 산화막의 식각 속도까지 증가시킨다는 단점을 가지고 있다.
이에 따라, 최근에는 실리콘 질화막의 식각 속도를 증가시키는 한편 실리콘 산화막의 식각 속도를 낮추기 위해 인산과 함께 실리콘 첨가제를 사용하고 있다.
다만, 실리콘 첨가제로서 주로 사용되는 실란 화합물은 기본적으로 인산을 포함하는 식각 용액에 대한 용해도가 낮기 때문에 식각 용액에 대한 실란 화합물의 용해도를 증가시키기 위해 실리콘 원자에 친수성 작용기(예를 들어, 하이드록시기)가 결합된 형태의 실란 화합물이 사용되고 있다.
이와 같이 친수성 작용기가 실리콘 원자에 결합된 형태의 실란 화합물을 실리콘 첨가제로서 사용할 경우, 식각 용액에 대한 실란 화합물의 적정 용해도를 확보할 수 있으나, 몇가지 문제가 발생하게 된다.
첫째로, 실리콘 산화막에 대비 실리콘 질화막에 대한 선택비를 높이기 위해 식각 용액 중 실란 화합물의 농도를 증가시킬 경우, 식각 용액 내 높아진 실리콘 농도에 따라 오히려 실리콘 질화막의 식각 속도가 저하되는 문제가 발생할 수 있다.
즉, 실리콘 첨가제를 사용함에 따라 식각 용액 내 실리콘의 농도를 증가시켜 르 샤틀리에 화학 평형의 원리에 따라 식각 속도를 조절하게 되는 것이나, 이 때 실리콘의 농도가 적정 수준 이상으로 높아질 경우, 실리콘 산화막뿐만 아니라 실리콘 질화막에 대한 식각 속도까지 저하되어 생산성이 떨어지는 문제가 발생하는 것이다.
둘째로, 실리콘 첨가제로서 실란 화합물을 사용함에 따라 식각 용액 내 높아진 실리콘 농도는 실리콘계 파티클의 소스(핵 또는 시드)로서 작용할 수 있으며, 식각 중 또는 식각 후 세정 중에 생성되는 실리콘계 파티클은 식각 및 세정된 기판의 불량을 야기하는 가장 큰 원인으로 작용하게 된다.
예를 들어, 실리콘 원자에 결합된 친수성 작용기는 식각 중 또는 세정 중 H2O와 만나 하이드록시기로 치환되어 실리콘-하이드록시기(-Si-OH)를 형성할 수 있으며, 실리콘-하이드록시기는 중합에 의해 실리콘 원자와 산소 원자가 교대로 결합하여 랜덤한 사슬 구조를 형성한 실록산(-Si-O-Si-)기를 생성하게 된다.
실록산기를 포함하는 실란 화합물은 결과적으로 실록산기가 반복하여 중합된 실리콘계 파티클로서 성장 및 석출되며, 실리콘계 파티클은 실리콘 기판에 잔류하여 기판 상에 구현되는 소자의 불량을 야기하거나 식각 또는 세정 공정에 사용되는 장비(예를 들어, 필터)에 잔류하여 장비 고장을 야기할 수 있다.
따라서, 실리콘 질화막의 식각시 실리콘 산화막 대비 실리콘 질화막에 대한 높은 선택비를 구현함과 동시에 식각 중 또는 식각 후 세정 중 실리콘계 파티클이 생성되는 것을 방지할 수 있는 실리콘 기판 식각 용액의 개발이 필요한 실정이다.
본 발명은 실리콘 질화막의 식각시 실리콘 산화막에 대한 패시베이션 효과를 부여하여 실리콘 산화막 대비 실리콘 질화막에 대한 높은 선택비를 구현하는 것이 가능한 실리콘 기판 식각 용액을 제공하는 것을 목적으로 한다.
또한, 본 발명은 종래의 실리콘 기판 식각 용액과 달리 실리콘 첨가제를 사용하지 않음으로써 실리콘 첨가제의 사용에 따라 식각 속도가 저하되는 것을 방지할 수 있는 실리콘 기판 식각 용액을 제공하는 것을 목적으로 한다.
아울러, 본 발명은 종래의 실리콘 기판 식각 용액과 달리 실리콘 첨가제를 사용하지 않음으로써 실리콘 첨가제의 사용에 따라 식각 중 또는 식각 후 세정 중 실리콘계 파티클이 생성되는 것을 방지할 수 있는 실리콘 기판 식각 용액을 제공하는 것을 목적으로 한다.
상술한 기술적 과제의 해결을 위해, 본 발명의 일 측면에 따르면, 무기산 수용액 및 실리콘 산화막 식각 억제제를 포함하는 실리콘 기판 식각 용액이 제공될 수 있다.
여기서, 실리콘 산화막 식각 억제제는 하기의 화학식 1로 표시될 수 있다.
[화학식 1]
여기서,
R1 및 R2는 서로 독립적으로 치환 또는 비치환된 C1-C10 알킬, 치환 또는 비치환된 C6-C12 사이클로알킬, 치환 또는 비치환된 C2-C10 헤테로알킬, 치환 또는 비치환된 C2-C10 알케닐, 치환 또는 비치환된 C2-C10 알키닐, 치환 또는 비치환된 C1-C10 할로알킬, 치환 또는 비치환된 C1-C10 아미노알킬 또는 치환 또는 비치환된 C7-C30 아르알킬이며, R3 및 R4는 서로 독립적으로 수소 또는 메틸이다.
이 때, 바람직하게는 R1 및 R2는 서로 독립적으로 탄소수 3개 이상의 분지형(branched) 알킬, 헤테로알킬, 알케닐, 알키닐, 할로알킬 또는 아미노알킬이며, R3 및 R4 중 적어도 하나는 메틸이다.
이 때, 실리콘 산화막 식각 억제제는 실리콘 기판 또는 실리콘 산화막의 표면에 존재하는 실리콘-하이드록시기(-Si-OH)를 실리콘-알킬카복실기(-Si-CR3R4-CO2H) 또는 실리콘-알킬에스터기(-Si-CR3R4-CO2R1 또는 -SiCR3R4-CO2R2)로 치환함으로써, 실리콘 산화막에 보호막(passivation layer)을 형성하는 것이 가능하다.
이에 따라, 실란 화합물과 같은 별도의 실리콘 첨가제를 사용하지 않더라도 실리콘 산화막이 식각되어 실리콘 산화막 대비 실리콘 질화막에 대한 식각 선택비가 저하되는 것을 방지할 수 있다.
본 발명에 따른 실리콘 기판 식각 용액은 불소-함유 화합물을 더 포함할 수 있으며, 이 때, 상기 불소-함유 화합물은 불화수소, 불화암모늄, 중불화암모늄 및 불화수소암모늄으로부터 선택되는 적어도 하나이거나, 유기계 양이온과 불소계 음이온이 이온 결합된 형태를 가지는 화합물일 수 있다.
본 발명에 따른 실리콘 기판 식각 용액은 실리콘 산화막 식각 억제제를 사용함에 따라 실리콘 첨가제를 사용하지 않아도 실리콘 산화막에 보호막을 형성하여 실리콘 산화막 대비 실리콘 질화막에 대한 선택비를 높일 수 있다.
또한, 본 발명에 따르면, 종래 식각 용액과 달리 실리콘 첨가제를 사용하지 않음으로써 실리콘 첨가제를 사용함에 따라 실리콘 기판의 식각 속도가 저하되는 문제가 발생하지 않는다는 이점이 있다.
또한, 본 발명에 따르면, 종래 식각 용액과 달리 실리콘 첨가제를 사용하지 않기 때문에 식각 중 또는 식각 후 세정 중 실리콘계 파티클이 생성됨에 따라 발생하는 실리콘 기판의 불량 또는 식각 및 세정 장치의 고장을 방지할 수 있다.
본 발명의 이점 및 특징, 그리고 그것들을 달성하는 방법은 후술하는 실시예들을 참조하면 명확해질 것이다. 그러나, 본 발명은 이하에서 개시되는 실시예들에 한정되는 것이 아니라 서로 다른 다양한 형태로 구현될 것이며, 단지 본 실시예들은 본 발명의 개시가 완전하도록 하며, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 발명의 범주를 완전하게 알려주기 위해 제공되는 것이며, 본 발명은 청구항의 범주에 의해 정의될 뿐이다.
이하, 본 발명에 따른 실리콘 기판 식각 용액에 대하여 상세히 설명하도록 한다.
본 발명의 일 측면에 따르면, 무기산 수용액 및 실리콘 산화막 식각 억제제를 포함하는 실리콘 기판 식각 용액이 제공될 수 있다.
여기서, 무기산 수용액은 황산, 질산, 인산, 규산, 불산, 붕산, 염산 및 과염소산으로부터 선택되는 적어도 하나의 무기산을 포함하는 수용액일 수 있다. 또한, 상술한 무기산 이외 무수 인산, 피로인산 또는 폴리인산이 사용될 수 있다.
무기산 수용액은 식각 용액의 pH를 유지시켜 식각 용액 내 존재하는 다양한 형태의 실란 화합물이 실리콘계 파티클로 변화하는 것을 억제 하는 성분이다.
일 실시예에 있어서, 실리콘 기판 식각 용액 100 중량부에 대하여 무기산 수용액은 60 내지 90 중량부로 포함되는 것이 바람직하다.
실리콘 기판 식각 용액 100 중량부에 대하여 무기산 수용액의 함량이 60 중량부 미만인 경우, 실리콘 질화막의 식각 속도가 저하되어 실리콘 질화막이 충분히 식각되지 않거나 실리콘 질화막의 식각의 공정 효율성이 저하될 우려가 있다.
반면, 실리콘 기판 식각 용액 100 중량부에 대하여 무기산 수용액의 함량이 90 중량부를 초과할 경우, 실리콘 질화막의 식각 속도가 과도하게 증가할 뿐만 아니라, 실리콘 산화막까지 빠르게 식각됨에 따라 실리콘 산화막 대비 실리콘 질화막에 대한 선택비가 저하될 수 있으며, 실리콘 산화막의 식각에 따른 실리콘 기판의 불량이 야기될 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 따른 실리콘 기판 식각 용액은 실리콘 산화막 대비 실리콘 질화막에 대한 선택비를 높이기 위해 하기의 화학식 1로 표시되는 실리콘 산화막 식각 억제제를 포함한다.
[화학식 1]
상기의 화학식 1로 표시된 바와 같이, 본원에서 실리콘 산화막 식각 억제제는 메틸렌 카본을 중심으로 양쪽에 에스터기가 결합된 형태의 화합물로 정의되며, 두 에스터기의 산소 원자에 결합된 알킬기는 서로 동일하거나 상이할 수 있다. 또한, 메틸렌 카본은 수소 또는 메틸과 결합될 수 있다.
보다 구체적으로, R1 및 R2는 서로 독립적으로 치환 또는 비치환된 C1-C10 알킬, 치환 또는 비치환된 C6-C12 사이클로알킬, 치환 또는 비치환된 C2-C10 헤테로알킬, 치환 또는 비치환된 C2-C10 알케닐, 치환 또는 비치환된 C2-C10 알키닐, 치환 또는 비치환된 C1-C10 할로알킬, 치환 또는 비치환된 C1-C10 아미노알킬 또는 치환 또는 비치환된 C7-C30 아르알킬이며, R3 및 R4는 서로 독립적으로 수소 또는 메틸이다.
여기서, R1 또는 R2가 치환된 작용기인 경우, R1 또는 R2의 임의의 탄소는 알킬, 사이클로알킬, 헤테로알킬, 알케닐, 알키닐, 할로알킬, 아미노알킬, 할로겐 또는 하이드록시로 치환될 수 있으며, 상술한 작용기 이외 실리콘 산화막 식각 억제제의 특성을 변화시키지 않는 범위 내에서 다양한 치환기로 치환되는 것 또한 가능하다.
본원에서 Ca-Cb 작용기는 a 내지 b 개의 탄소 원자를 갖는 작용기를 의미한다. 예를 들어, Ca-Cb 알킬은 a 내지 b 개의 탄소 원자를 갖는, 직쇄 알킬 및 분쇄 알킬 등을 포함하는 포화 지방족기를 의미한다. 직쇄 또는 분쇄 알킬은 이의 주쇄에 10개 이하(예를 들어, C1-C10의 직쇄, C3-C10의 분쇄), 바람직하게는 4개 이하, 보다 바람직하게는 3개 이하의 탄소 원자를 가진다.
구체적으로, 알킬은 메틸, 에틸, n-프로필, i-프로필, n-뷰틸, s-뷰틸, i-뷰틸, t-뷰틸, 펜트-1-일, 펜트-2-일, 펜트-3-일, 3-메틸뷰트-1-일, 3-메틸뷰트-2-일, 2-메틸뷰트-2-일, 2,2,2-트리메틸에트-1-일, n-헥실, n-헵틸 및 n-옥틸일 수 있다.
본원에서 탄화수소 사이클로알킬 또는 헤테로 원자를 포함하는 헤테로사이클로알킬은 달리 정의되지 않는 한 각각 알킬 또는 헤테로알킬의 고리형 구조로 이해될 수 있을 것이다.
탄화수소 고리의 비제한적인 예로는 사이클로펜틸, 사이클로헥실, 1-사이클로헥세닐, 3-사이클로헥세닐 및 사이클로헵틸 등이 있다.
헤테로 원자를 포함하는 사이클로알킬의 비제한적인 예로는 1-(1,2,5,6-테트라하이드로피리딜), 1-피페리디닐, 2-피페리디닐, 3-피페리디닐, 4-모르포리닐, 3-모르포리닐, 테트라하이드로퓨란-2-일, 테트라하드로퓨란-3-일, 테트라하이드로티엔-2-일, 테트라하이드로티엔-3-일, 1-피페라지닐 및 2-피페라지닐 등이 있다.
또한, 사이클로알킬 또는 헤테로 원자를 포함하는 헤테로사이클로알킬은 여기에 사이클로알킬, 헤테로사이클로알킬, 아릴 또는 헤테로아릴이 접합되거나 공유결합으로 연결된 형태를 가질 수 있다.
알케닐 또는 알키닐은 임의의 인접한 두 탄소 사이에 불포화 결합이 존재하는 작용기로서, R이 알케닐 또는 알키닐일 때, 알케닐의 sp2-혼성 탄소 또는 알키닐의 sp-혼성 탄소가 직접적으로 결합되거나 알케닐의 sp2-혼성 탄소 또는 알키닐의 sp-혼성 탄소에 결합된 알킬의 sp3-혼성 탄소에 의해 간접적으로 결합된 형태일 수 있다.
또한, 할로알킬은 상술한 할로겐으로 치환된 알킬을 의미한다. 예를 들어, 할로메틸은 메틸의 수소 중 적어도 하나가 할로겐으로 대체된 메틸(-CH2X, -CHX2 또는 -CX3)을 의미한다. 아미노알킬은 아미노로 치환된 알킬을 의미한다.
본원에서 아르알킬은 아릴이 알킬의 탄소에 치환된 형태의 작용기로서, -(CH2)nAr의 총칭이다. 아르알킬의 예로서, 벤질(-CH2C6H5) 또는 페네틸(-CH2CH2C6H5) 등이 있다.
본원에서 아릴은 달리 정의되지 않는 한, 단일 고리 또는 서로 접합 또는 공유결합으로 연결된 다중 고리(바람직하게는 1 내지 4개의 고리)를 포함하는 불포화 방향족성 고리를 의미한다. 아릴의 비제한적인 예로는 페닐, 바이페닐, o- 터페닐(terphenyl), m-터페닐, p-터페닐, 1-나프틸, 2-나프틸, 1-안트릴(anthryl), 2-안트릴, 9-안트릴, 1-페난트레닐(phenanthrenyl), 2-페난트레닐, 3--페난트레닐, 4--페난트레닐, 9-페난트레닐, 1-피레닐, 2-피레닐 및 4-피레닐 등이 있다.
본원에서 사용되는 실리콘 산화막 식각 억제제는 실리콘 기판 또는 실리콘 산화막의 표면에 존재하는 실리콘-하이드록시기(-Si-OH)를 실리콘-알킬카복실기(-Si-CR3R4-CO2H) 또는 실리콘-알킬에스터기(-Si-CR3R4-CO2R1 또는 -SiCR3R4-CO2R2)로 치환하는 역할을 하며, 이를 통해 실리콘 산화막에 보호막(passivation layer)이 형성되도록 한다.
본원에서 사용되는 실리콘 산화막 식각 억제제에 의해 실리콘 기판 또는 실리콘 산화막의 표면에 존재하는 실리콘-하이드록시기(-Si-OH)가 실리콘-알킬카복실기(-Si-CR3R4-CO2H)로 전환됨으로써 실리콘 산화막에 보호막이 형성되는 패시베이션 반응 기작은 하기의 반응식 1 및 반응식 2로 요약될 수 있다.
[반응식 1]
[반응식 2]
여기서, 반응식 1은 실리콘 산화막 식각 억제제의 메틸렌 탄소의 양쪽에 존재하는 두 에스터기가 고온의 무기산 수용액 하에서 카복실기로 전환되는 비누화 반응(saponification)으로부터 개시된다. 이어서, 한 쪽 말단의 카복실기가 고온 조건 하에서 이산화탄소 형태로 이탈되는 탈카르복실화 반응(decarboxylation)이 일어남으로써 α-탄소 위치에 (-)-전하가 존재하는 카복실산이 얻어진다.
이어서, 반응식 2는 실리콘 기판 또는 실리콘 산화막의 표면에 존재하는 실리콘-하이드록시기(-Si-OH)가 고온의 무기산 수용액 하에서 실리콘-옥소늄기(-Si-O+H2)로 전환되는 양성자화 반응(protonation)으로부터 개시된다. 이후, 반응식 1로부터 생성된 (-)-하전된 카복실산에 의한 치환 반응에 의해 실리콘에 알킬카르복실기(-Si-CR3R4-CO2H)가 결합된 형태의 보호막이 형성될 수 있다.
실리콘 원자에 결합된 알킬카르복실기는 하이드록시기와 달리 고온의 무기산 수용액 하에서 안정하기 때문에 실리콘 산화막이 무기산에 의해 식각되는 것을 방지하는 것이 가능하다.
이에 따라, 실란 화합물과 같은 별도의 실리콘 첨가제를 사용하지 않더라도 인산 또는 불소-함유 화합물 등에 의해 실리콘 산화막이 식각되어 실리콘 산화막 대비 실리콘 질화막에 대한 식각 선택비가 저하되는 것을 방지할 수 있다.
또한, 경우에 따라, 반응식 1 중 비누화 반응이 부분적으로 일어난 경우, R1 또는 R2를 포함한 (-)-하전된 에스터가 생성될 수 있으며, 이러한 에스터가 실리콘-하이드록시기와 반응할 경우, 실리콘-알킬에스터기(-Si-CR3R4-CO2R1 또는 -SiCR3R4-CO2R2)가 결합된 보호막이 형성될 수 있다.
한편, 반응식 1로부터 생성된 (-)-하전된 카복실산의 경우, 실리콘-하이드록시기와 반응하는 대신 화학식 1로 표시되는 실리콘 산화막 식각 억제제의 카보닐 탄소와 친핵성 아실 치환 반응을 일으키거나 R3 또는 R4가 수소일 때, 수소와 산-염기 반응을 일으킬 우려가 있다.
따라서, R1과 R2는 적어도 사이클로알킬 또는 아르알킬이거나, 탄소수 3개 이상의 분지형(branched) 알킬, 헤테로알킬, 알케닐, 알키닐, 할로알킬 또는 아미노알킬인 것이 바람직하다.
이에 따라, R1 또는 R2에 의한 입체 장애 효과에 의해 반응식 1로부터 생성된 (-)-하전된 카복실산이 R1 또는 R2가 알킬기로서 결합된 에스터기의 카보닐 탄소를 공격할 가능성을 줄일 수 있다.
또한, R3 또는 R4 중 적어도 하나는 메틸기를 가짐으로써 전자 공여 유발 효과(electron donating inductive effect)를 통해 (-)-하전된 카복실산의 (-)-전하의 전자 밀도를 증가시킬 수 있으며, 이에 따라 (-)-하전된 카복실산에 의한 실리콘-하이드록시기의 치환 반응 속도를 향상시킬 수 있다.
만약, R3 또는 R4 중 적어도 하나가 메틸기보다 부피가 큰(bulky) 작용기일 경우, (-)-하전된 카복실산이 치환 반응을 위해 실리콘 원자에 접근하는 것이 저해될 우려가 있으므로, R3 또는 R4 중 적어도 하나가 알킬기인 경우, 탄소수가 하나인 메틸기인 것이 바람직하다.
본 발명에 따른 실리콘 기판 식각 용액의 식각 대상인 실리콘 기판은 적어도 실리콘 산화막(SiOx)을 포함하는 것이 바람직하며, 실리콘 산화막 및 실리콘 질화막(SixNy, SIxOyNz)을 동시에 포함할 수 있다. 또한. 실리콘 산화막과 실리콘 질화막이 동시에 포함된 실리콘 기판의 경우, 실리콘 산화막과 실리콘 질화막이 교대로 적층되거나 서로 다른 영역에 적층된 형태일 수 있다.
여기서, 실리콘 산화막은 용도 및 소재의 종류 등에 따라 SOD (Spin On Dielectric)막, HDP (High Density Plasma)막, 열산화막(thermal oxide), BPSG (Borophosphate Silicate Glass)막, PSG (Phospho Silicate Glass)막, BSG (Boro Silicate Glass)막, PSZ (Polysilazane)막, FSG (Fluorinated Silicate Glass)막, LP-TEOS (Low Pressure Tetra Ethyl Ortho Silicate)막, PETEOS (Plasma Enhanced Tetra Ethyl Ortho Silicate)막, HTO (High Temperature Oxide)막, MTO (Medium Temperature Oxide)막, USG (Undopped Silicate Glass)막, SOG (Spin On Glass)막, APL (Advanced Planarization Layer)막, ALD (Atomic Layer Deposition)막, PE-산화막(Plasma Enhanced oxide) 또는 O3-TEOS(O3-Tetra Ethyl Ortho Silicate) 등으로 언급될 수 있다.
일반적으로, 실리콘 산화막을 구성하는 다수의 실리콘 입자 또는 원자는 하이드록시기(-OH)로 치환된 상태로 존재하기 때문에 식각 중 또는 식각 후 세정 중 물과 만나 실리콘계 파티클로 성장할 우려가 존재한다.
따라서, 식각 중 무기산에 의해 실리콘 산화막이 식각되는 비율을 줄이고, 나아가 식각 중 또는 식각 후 세정 중 실리콘계 파티클이 생성되는 것을 줄이거나 억제하기 위해 본 발명에 따른 식각 용액은 실리콘 산화막 식각 억제제를 사용함으로써 실리콘 기판 또는 실리콘 산화막의 표면에 존재하는 실리콘에 결합된 하이드록시기를 알킬카복실기(-CR3R4-CO2H) 또는 알킬에스터기(-CR3R4-CO2R1 또는 -CR3R4-CO2R2)로 치환함으로써 실리콘 기판, 특히, 실리콘 산화막의 표면에 보호막을 형성한다.
실리콘 기판 또는 실리콘 산화막의 표면에 존재하는 실리콘-하이드록시기(-Si-OH)는 알킬카르복실화 또는 알킬에스터화됨에 따라 추가적인 하이드록실화(hydroxylation)가 제한될 수 있다. 이에 따라, 식각 중 또는 식각 후 세정 중 하이드록시기를 가지는 실리콘 입자가 규산(silicic acid) 형태로 성장하는 것을 줄일 수 있으며, 나아가 실리콘 입자가 실리콘 기판으로부터 이탈되어 실리콘계 파티클로 성장 및 석출되는 것을 방지할 수 있다.
또한, 상술한 바와 같이, 실리콘-하이드록시기(-Si-OH)를 알킬카르복실화 또는 알킬에스터함으로써 실리콘 산화막의 표면에 보호막을 형성하는 것이 가능한 바, 무기산 등에 의한 실리콘 산화막의 식각률을 줄이는 것이 가능하며, 식각 용액 내 실리콘 첨가제를 배합하여 사용하지 않더라도 실리콘 산화막 대비 실리콘 질화막의 식각 선택비가 감소하는 것을 방지할 수 있다.
즉, 본 발명에 따른 식각 용액은 실리콘 질화막에 대한 식각 속도의 저하 및 실리콘계 파티클의 발생을 야기할 수 있는 실리콘 첨가제 대신 실리콘 산화막 식각 억제제를 사용한다는 점에서 실리콘 첨가제를 사용함에 따라 발생하는 문제를 해소할 수 있다.
또한, 본 발명에 따른 식각 용액은 식각 용액 중 상대적으로 복잡한 구조를 가져 분리하기 어려운 실리콘 첨가제가 존재하지 않기 ?문에 식각에 사용된 식각 용액으로부터 순수한 무기산을 용이하게 분리하여 재활용하는 것이 가능하다는 이점이 있다.
상술한 실리콘 산화막 식각 억제제는 실리콘 기판 식각 용액 중 200 내지 50,000 ppm으로 존재하는 것이 바람직하다.
실리콘 기판 식각 용액 중 실리콘 산화막 식각 억제제가 200 ppm 미만으로 존재할 경우, 실리콘 산화막에 대한 보호 효과가 부족하여 실리콘 산화막 대비 실리콘 질화막에 대한 선택비의 증가 효과가 발현되기 어려울 수 있다. 반면, 실리콘 기판 식각 용액 중 실리콘 산화막 식각 억제제가 50,000 ppm을 초과할 경우, 실리콘 질화막의 식각 속도가 현저히 저하되어 실리콘 산화막 대비 실리콘 질화막에 대한 선택비를 증가시키기 어려울 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 따른 실리콘 기판 식각 용액은 실리콘 질화막의 식각 속도를 향상시키기 위해 불소-함유 화합물을 더 포함할 수 있다. 본 발명에 따른 식각 용액을 사용할 경우, 실리콘 산화막 식각 억제제에 의해 실리콘 산화막이 보호될 수 있는 바, 불소-함유 화합물에 의해 실리콘 산화막의 식각 속도가 증가하는 것을 방지할 수 있다.
본원에서 불소-함유 화합물은 불소 이온을 해리시킬 수 있는 임의의 형태의 화합물을 모두 지칭한다.
일 실시예에 있어서, 불소-함유 화합물은 불화수소, 불화암모늄, 중불화암모늄 및 불화수소암모늄으로부터 선택되는 적어도 하나이다.
또한, 다른 실시예에 있어서, 불소-함유 화합물은 유기계 양이온과 불소계 음이온이 이온 결합된 형태의 화합물일 수 있다.
예를 들어, 불소-함유 화합물은 알킬암모늄과 불소계 음이온이 이온 결합된 형태의 화합물일 수 있다. 여기서, 알킬암모늄은 적어도 하나의 알킬기를 가지는 암모늄으로서 최대 네 개의 알킬기를 가질 수 있다. 알킬기에 대한 정의는 전술한 바 있다.
또 다른 예에 있어서, 불소-함유 화합물은 알킬피롤리움, 알킬이미다졸리움, 알킬피라졸리움, 알킬옥사졸리움, 알킬티아졸리움, 알킬피리디니움, 알킬피리미디니움, 알킬피리다지니움, 알킬피라지니움, 알킬피롤리디니움, 알킬포스포니움, 알킬모포리니움 및 알킬피페리디니움으로부터 선택되는 유기계 양이온과 플루오로포스페이트, 플루오로알킬-플루오로포스페이트, 플루오로보레이트 및 플루오로알킬-플루오로보레이트으로부터 선택되는 불소계 음이온이 이온 결합된 형태의 이온성 액체일 수 있다.
실리콘 기판 식각 용액 중 불소-함유 화합물로서 일반적으로 사용되는 불화수소 또는 불화암모늄에 비하여 이온성 액체 형태로 제공되는 불소-함유 화합물은 높은 끓는점 및 분해 온도를 가지는 바, 고온에서 수행되는 식각 공정 중 분해됨에 따라 식각 용액의 조성을 변화시킬 우려가 적다는 이점이 있다.
이하에서는 본 발명의 구체적인 실시예들을 제시한다. 다만, 하기에 기재된 실시예들은 본 발명을 구체적으로 예시하거나 설명하기 위한 것에 불과하며, 이로서 본 발명이 제한되어서는 아니된다.
실험예
1
85wt% 인산 수용액 750g에 하기의 표 1에 기재된 함량으로 첨가제들을 배합하여 식각 용액을 준비하였다.
| 구분 | 실란 화합물 | 실리콘 산화막 식각 억제제 |
불소-함유 화합물 | |||
| 종류 | 함량 (ppm) |
종류 | 함량 (ppm) |
종류 | 함량 (ppm) |
|
| 실시예 1 | - | - | B-1 | 1000 | - | - |
| 실시예 2 | - | - | B-2 | 1000 | - | - |
| 실시예 3 | - | - | B-3 | 1000 | - | - |
| 실시예 4 | - | - | B-4 | 1000 | - | - |
| 실시예 5 | - | - | B-5 | 1000 | C-1 | 1,000 |
| 실시예 6 | - | - | B-6 | 1000 | - | - |
| 실시예 7 | - | - | B-7 | 1000 | - | - |
| 비교예 1 | - | - | - | - | - | - |
| 비교예 2 | A-1 | 1,000 | - | - | - | - |
| 비교예 3 | A-2 | 1,000 | - | - | C-1 | 1,000 |
B-1 : 
B-2 : 
B-3 : 
B-4 : 
B-5 : 
B-6 : 
B-7 : 
실시예 1 내지 7 및 비교예 1의 경우, 실란 화합물을 사용하지 않은 반면, 비교예 2 및 비교예 3은 실란 화합물로서 3-아미노프로필실란트라이올(A-1), 테트라하이드록시실란(A-2)를 사용하였다. 실시예 5 및 비교예 3에서 사용된 불소-함유 화합물은 불화수소산(HF)이다.
식각 용액을 165℃로 가열한 후 실리콘 산화막(thermal oxide layer) 및 실리콘 질화막을 3분 동안 침지시켜 식각하였다. 식각 전 및 식각 후 실리콘 산화막 및 실리콘 질화막의 두께는 엘립소미트리(Nano-View, SE MG-1000; Ellipsometery)를 이용하여 측정하였으며, 측정 결과는 5회 측정 결과의 평균값이다. 식각 속도는 식각 전 및 식각 후 실리콘 산화막 및 실리콘 질화막의 두께 차이를 식각 시간(3분)으로 나누어 산출한 수치이다. 식각 완료 후 식각 용액을 입자크기분석기로 분석하여 식각 용액 내 존재하는 실리콘계 파티클의 평균 직경을 측정하였다.
측정된 식각 속도 및 식각 용액 중 실리콘계 파티클의 평균 직경은 하기의 표 2에 기재되어 있다.
| 구분 | 실리콘계 파티클 평균 직경(μm) |
실리콘 산화막 식각 속도(Å/min) |
실리콘 질화막 식각 속도(Å/min) |
| 실시예 1 | <0.01 | 1.23 | 60.01 |
| 실시예 2 | <0.01 | 1.10 | 61.54 |
| 실시예 3 | <0.01 | 1.30 | 59.84 |
| 실시예 4 | <0.01 | 1.19 | 58.97 |
| 실시예 5 | <0.01 | 3.19 | 183.05 |
| 실시예 6 | <0.01 | 1.94 | 59.77 |
| 실시예 7 | <0.01 | 1.65 | 60.02 |
| 비교예 1 | <0.01 | 3.51 | 60.00 |
| 비교예 2 | 70 | 1.33 | 58.67 |
| 비교예 3 | 117 | 3.59 | 171.34 |
표 2에 기재된 바와 같이, 비교예 1과 같이 식각 용액 중 다른 첨가제를 포함하지 않고 인산만을 사용할 경우, 실리콘계 파티클은 거의 생성되지 않았으나, 실리콘 산화막 대비 실리콘 질화막에 대한 선택비가 낮은 것을 확인할 수 있다.
한편, 비교예 2와 같이 실란 화합물을 사용한 경우, 실리콘 산화막 및 실리콘 질화막에 대한 식각 속도가 전반적으로 실시예 대비 감소하였으나, 수십 마이크로미터 크기의 실리콘계 파티클이 생성되었다.
비교예 3에 따르면, 불소-함유 화합물을 사용함으로써 비교예 2 대비 실리콘 산화막 및 실리콘 질화막에 대한 식각 속도가 전반적으로 상승하였으며, 특히 실리콘 산화막에 대한 식각 속도가 증가한 것을 확인할 수 있다. 또한, 비교예 3의 경우, 비교예 2보다 더 큰 사이즈의 실리콘계 파티클이 생성되었다.
반면, 실시예 1 내지 실시예 4에 따르면, 실리콘계 파티클은 상당히 미세한 크기로 존재하거나 거의 생성되지 않았으며, 실리콘 산화막 대비 실리콘 질화막에 대한 선택비 역시 향상된 것을 확인할 수 있다.
한편, 실시예 5에 따르면, 불소-함유 화합물을 사용함으로써 실시예 1 내지 실시예 4 대비 실리콘 산화막에 대한 식각 속도가 전반적으로 상승하였으나, 실리콘 질화막에 대한 식각 속도 역시 큰 폭으로 상승하여 실리콘 산화막 대비 실리콘 질화막에 대한 높은 선택비를 얻을 수 있었다.
이상, 본 발명의 일 실시예에 대하여 설명하였으나, 해당 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 특허청구범위에 기재된 본 발명의 사상으로부터 벗어나지 않는 범위 내에서, 구성 요소의 부가, 변경, 삭제 또는 추가 등에 의해 본 발명을 다양하게 수정 및 변경시킬 수 있을 것이며, 이 또한 본 발명의 권리범위 내에 포함된다고 할 것이다.
Claims (11)
- 무기산 수용액; 및
하기의 화학식 1로 표시되는 실리콘 산화막 식각 억제제;
를 포함하는,
실리콘 기판 식각 용액:
[화학식 1]
여기서,
R1 및 R2는 서로 독립적으로 치환 또는 비치환된 C1-C10 알킬, 치환 또는 비치환된 C6-C12 사이클로알킬, 치환 또는 비치환된 C2-C10 헤테로알킬, 치환 또는 비치환된 C2-C10 알케닐, 치환 또는 비치환된 C2-C10 알키닐, 치환 또는 비치환된 C1-C10 할로알킬, 치환 또는 비치환된 C1-C10 아미노알킬 또는 치환 또는 비치환된 C7-C30 아르알킬이며,
R3 및 R4는 서로 독립적으로 수소 또는 메틸이다.
- 제1항에 있어서,
상기 무기산 수용액은 황산, 질산, 인산, 규산, 불산, 붕산, 염산, 과염소산, 무수인산, 피로인산 및 폴리인산으로부터 선택되는 적어도 하나의 무기산을 포함하는 수용액인,
실리콘 기판 식각 용액.
- 제1항에 있어서,
R1 및 R2는 서로 독립적으로 탄소수 3개 이상의 분지형(branched) 알킬, 헤테로알킬, 알케닐, 알키닐, 할로알킬 또는 아미노알킬인,
실리콘 기판 식각 용액.
- 제1항에 있어서,
R3 및 R4 중 적어도 하나는 메틸인,
실리콘 기판 식각 용액.
- 제1항에 있어서,
상기 실리콘 산화막 식각 억제제는 실리콘 기판 또는 실리콘 산화막의 표면에 존재하는 실리콘-하이드록시기(-Si-OH)를 실리콘-알킬카복실기(-Si-CR3R4-CO2H) 또는 실리콘-알킬에스터기(-Si-CR3R4-CO2R1 또는 -SiCR3R4-CO2R2)로 치환하는,
실리콘 기판 식각 용액.
- 제1항에 있어서,
상기 실리콘 기판 식각 용액 중 상기 실리콘 산화막 식각 억제제는 200 내지 50,000 ppm으로 포함되는,
실리콘 기판 식각 용액.
- 제1항에 있어서,
불소-함유 화합물을 더 포함하는,
실리콘 기판 식각 용액.
- 제7항에 있어서,
상기 불소-함유 화합물은 불화수소, 불화암모늄, 중불화암모늄 및 불화수소암모늄으로부터 선택되는 적어도 하나인,
실리콘 기판 식각 용액.
- 제7항에 있어서,
상기 불소-함유 화합물은 유기계 양이온과 불소계 음이온이 이온 결합된 형태를 가지는 화합물인,
실리콘 기판 식각 용액.
- 제9항에 있어서,
상기 유기계 양이온은 알킬암모늄, 알킬피롤리움, 알킬이미다졸리움, 알킬피라졸리움, 알킬옥사졸리움, 알킬티아졸리움, 알킬피리디니움, 알킬피리미디니움, 알킬피리다지니움, 알킬피라지니움, 알킬피롤리디니움, 알킬포스포니움, 알킬모포리니움 및 알킬피페리디니움으로부터 선택되는,
실리콘 기판 식각 용액.
- 제9항에 있어서,
상기 불소계 음이온은 플루오라이드, 플루오로포스페이트, 플루오로알킬-플루오로포스페이트, 플루오로보레이트 및 플루오로알킬-플루오로보레이트으로부터 선택되는,
실리콘 기판 식각 용액.
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| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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