CN111303885B - 硅基板蚀刻溶液及使用其的半导体器件的制造方法 - Google Patents
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Abstract
本发明涉及硅基板蚀刻溶液及使用其的半导体器件的制造方法，更详细地，涉及通过调节硅基板蚀刻溶液中的硅烷化合物(例如，硅酸)的浓度来在蚀刻硅烷化合物(例如，硅酸)氮化膜时相对于硅氧化膜提高对硅氮化膜的蚀刻选择比的硅基板蚀刻溶液。
Description
技术领域
本发明涉及硅基板蚀刻溶液，更详细地，涉及可通过调节硅基板蚀刻溶液中的硅烷化合物(例如，硅酸)的浓度来在蚀刻硅烷化合物(例如，硅酸)氮化膜时相对于硅氧化膜提高对硅氮化膜的蚀刻选择比的硅基板蚀刻溶液及包括使用其来进行的蚀刻工序的半导体器件的制造方法。
背景技术
当前，蚀刻硅氮化膜和硅氧化膜的方法有多种，其中主要使用干式蚀刻法和湿式蚀刻法。
干式蚀刻法通常为利用气体的蚀刻法，虽具有各向同性优于湿式蚀刻法的优点，但生产效率比湿式蚀刻法低很多，而且价格昂贵，因此湿式蚀刻法正被广泛利用。
通常，众所周知的湿式蚀刻法有使用磷酸作为蚀刻溶液的方法。在此情况下，当为了蚀刻硅氮化膜而仅使用纯磷酸时，随着器件的小型化，不仅蚀刻硅氮化膜，还蚀刻硅氧化膜，因而可能发生各种不良及模式异常等问题，因此有必要进一步降低硅氧化膜的蚀刻速度。
发明内容
发明所要解决的问题
本发明的目的在于，提供可通过调节硅基板蚀刻溶液中的硅烷化合物(例如，硅酸)的浓度来降低对硅氧化膜的蚀刻速度，从而相对于硅氧化膜提高对硅氮化膜的蚀刻选择比的硅基板蚀刻溶液。
并且，本发明的目的在于，提供可防止除了硅氧化膜之外就连硅氮化膜的蚀刻速度也降低或生成硅类颗粒的硅基板蚀刻溶液。
而且，本发明的目的在于，提供包括使用上述硅基板蚀刻溶液来进行的蚀刻工序的半导体器件的制造方法。
用于解决问题的方案
为了解决上述技术问题，根据本发明的一实施方式，提供硅基板蚀刻溶液，上述硅基板蚀刻溶液包含：磷酸水溶液以及由下述化学式1表示的硅添加剂，
化学式1：
其中，R1至R4各自独立地选自氢、C1-C10烷基、C6-C12环烷基、含有至少一个杂原子的C2-C10杂烷基、C2-C10烯基、C2-C10炔基、C1-C10卤烷基、C1-C10氨基烷基、芳基、杂芳基、芳烷基及羟基、氨基、卤素、砜、膦、磷、硫醇、烷氧基、酰胺、酯、酸酐、酰卤、氰基、羧基及唑，R1至R4中至少一个为杂芳基。
优选地，本发明一实施方式的硅基板蚀刻溶液中所使用的硅添加剂在25℃及1bar下，在85％磷酸水溶液中的溶解度为100ppm以上。
并且，根据本发明的另一实施方式，提供包括使用上述硅基板蚀刻溶液来进行的蚀刻工序的半导体器件的制造方法。
发明效果
本发明中所用的硅添加剂可通过调节硅基板蚀刻溶液中的硅烷化合物(例如，硅酸)的浓度来降低对硅氧化膜的蚀刻速度。
在此情况下，本申请中使用的硅添加剂包含结合在硅原子的亲水性杂芳基，从而可确保对硅基板蚀刻溶液的足够的溶解度。
具体实施方式
可参照后述实施例来明确理解本发明的优点、特征以及实现它们的方法。但本发明不限于以下实施例，而是能够以各种不同的方式来实现，提供本实施例的目的仅在于完整地公开本发明以及向本发明所属技术领域的普通技术人员完整地告知发明，并且本发明仅由发明要求保护范围的范畴定义。
以下详细说明本发明的硅基板蚀刻溶液。
根据本发明的一实施方式，提供保护磷酸水溶液及由下述化学式1表示的硅添加剂的硅基板蚀刻溶液。
优选地，作为本发明的硅基板蚀刻溶液的蚀刻对象的硅基板至少包含硅氧化膜(SiOx)，也可同时硅氧化膜(SiOx)及硅氮化膜(SixNy)。并且，同时包含硅氧化膜和硅氮化膜的硅基板可以呈硅氧化膜和硅氮化膜交替层叠或层叠在不同区域的形态。
其中，根据用途及材质的种类等，硅氧化膜可以是自旋电介质(SOD，Spin OnDielectric)膜、高密度等离子(HDP，High Density Plasma)膜、热氧化(thermal oxide)膜、硼磷硅酸盐玻璃(BPSG，Borophosphate Silicate Glass)膜、磷硅酸盐玻璃(PSG，Phospho Silicate Glass)膜、硼硅酸盐玻璃(BSG，Boro Silicate Glass)膜、聚硅氮烷(PSZ，Polysilazane)膜、氟化硅玻璃(FSG，Fluorinated Silicate Glass)膜、低压四乙基原硅酸盐(LP-TEOS，Low Pressure Tetra Ethyl Ortho Silicate)膜、等离子增强四乙基原硅酸盐(PETEOS，Plasma Enhanced Tetra Ethyl Ortho Silicate)膜、高温氧化物(HTO，High Temperature Oxide)膜、中温氧化物(MTO，Medium Temperature Oxide)膜、无掺杂硅酸盐玻璃(USG，Undopped Silicate Glass)膜、旋涂玻璃(SOG，Spin On Glass)膜、高级平面化(APL，Advanced Planarization Layer)膜、原子层沉积(ALD，Atomic LayerDeposition)膜、等离子增强氧化膜(Plasma Enhanced oxide)或O3-四乙基原硅酸盐(O3-TEOS，Tetra Ethyl Ortho Silicate)等。
其中，磷酸水溶液在蚀刻硅氮化膜的同时维持蚀刻溶液的pH来抑制存在于蚀刻溶液在的多种形态的硅烷化合物转变为硅类颗粒的成分。
在一实施例中，优选地，相对于100重量份的硅基板蚀刻溶液，可包含60-90重量份的磷酸水溶液。
若相对于100重量份的硅基板蚀刻溶液，磷酸水溶液的含量小于60重量份，则硅氮化膜的蚀刻速度降低，从而存在无法充分地蚀刻硅氮化膜或硅氮化膜的蚀刻效率降低的隐患。
相反，若相对于100重量份的硅基板蚀刻溶液，磷酸水溶液的含量超过90重量份，则不仅硅氮化膜的蚀刻速度过度加快，而且随着硅氧化膜也被快速蚀刻，因此相对于硅氧化膜，硅氮化膜的选择比可能降低，并且随着对硅氧化膜的蚀刻，可能引起硅基板的不良。
本发明一实施例的硅基板蚀刻溶液可包含由下述化学式1表示的硅添加剂，以相对于硅氧化膜提高硅氮化膜的选择比。
化学式1：
其中，R1至R4各自独立地选自氢、C1-C10烷基、C6-C12环烷基、含有至少一个杂原子的C2-C10杂烷基、C2-C10烯基、C2-C10炔基、C1-C10卤烷基、C1-C10氨基烷基、芳基、杂芳基、芳烷基及亲水性官能团。
在本申请中，卤素是指氟树脂(-F)、氯(-Cl)、溴(-Br)或碘(-I)，卤烷基是指被上述卤素取代的烷基。例如，卤甲基是指甲基的氢中的至少一个被卤素取代的甲基(-CH2H、-CHX2或-CX3)。
并且，在本申请中，烷氧基是指-O-(烷基)基团和-O-(未取代的环烷基)，是具有一个以上的醚基以及1至10个碳原子的直链或支链碳化氢。
具体地，包含甲氧基、乙氧基、丙氧基、异丙氧基、n-丁氧基、叔丁氧基、仲丁氧基、n-戊氧基、n-己氧基、1，2-二甲基丁氧基、环丙氧基、环丁氧基、环戊氧基、环己氧基等，但不限于此。
当Ra(其中，a为选自1至4的整数)为烯基或炔基时，可以是烯基的sp2-杂交碳与炔基的sp-杂交碳直接结合或通过结合在烯基的sp2-杂交碳或炔基的sp-杂交碳的烷基的sp3-杂交碳来间接结合的形态。
在本申请中，Ca-Cb官能团是指具有a至b个碳原子的官能团。例如，Ca-Cb烷基是指具有a至b个碳原子并包含直链烷基或支链烷基等的饱和脂族基。直链或支链烷基在其主链中具有10个以下(例如，C1-C10的直链，C3-C10的支链)，优选为4个以下，更优选为3个以下的碳原子。
具体地，烷基可以为甲基、乙基、n-丙基、i-丙基、n-丁基、s-丁基、i-丁基、t-丁基、1-戊基、2-戊基、3-戊基、3-甲基-1-丁基、3-甲基-2-丁基、2-甲基-2-丁基、2，2，2-三甲基-1-乙基、n-乙基、n-庚基及n-辛基。
除非另有定义，本申请中的芳基是指包含通过单环或相互键合或共价键合连接的多环(优选为1至4个环)的不饱和芳族环。芳基的非限制例可以包含苯基、联苯、o-联三苯(terphenyl)、m-联三苯、p-联三苯、1-萘基、2-萘基、1-蒽基(anthryl)、2-蒽基、9-蒽基、1-菲基(phenanthrenyl)、2-菲基、3-菲基、4-菲基、9-菲基、1-吡啶基、2-吡啶基及4-吡啶基等。
在本申请中的芳烷基作为被烷基的碳取代的芳基形态的官能团，其为-(CH2)nAr的总称。作为芳烷基的例子，包括苄酯(-CH2C6H5)或苯乙基(CH2CH2C6H5)等。
除非另有定义，在本申请中，环烷基(cycloalkyl)或包含杂原子的杂环烷基(heterocycloalkyl)可以分别理解为烷基或杂烷基的环形结构。
环烷基的非限制例可以包括环甲基、环已基、1-环已基、3-环已基及环庚基等。
包含杂原子的环烷基的非限制例可以包括1-(1，2，5，6-四氢吡啶基)、1-哌啶基、2-哌啶基、3-哌啶基、4-吗啉基、3-吗啉基、四氢-2-呋喃基、四氢-3-呋喃基、四氢-2-噻吩基、四氢-3-噻吩基、1-哌嗪基及2-哌嗪基等。
并且，环烷基或包含杂原子的环烷基可具有环烷基、包含杂原子的杂环烷基、芳基、杂芳基通过键合或共价键合与其连接的形态。
与硅原子结合的亲水性官能团是指在羟基或磷酸水溶液的pH条件下可被羟基取代的官能团。
其中，在磷酸水溶液的pH条件下可被羟基取代的官能团的非限制例可以包括氨基、卤素、砜、膦、磷、硫醇、烷氧基、酰胺、酯、酸酐、酰基卤、氰基、羧基及唑，但不限于此，应理解为还包含可在磷酸水溶液的pH条件下被羟基取代的任意官能团。
在此情况下，根据本发明的一实施例，R1至R4中的至少一个，优选至少两个可以是杂芳基。当R1至R4中的两个为杂芳基时，两个杂芳基可相同或不同。
在一实施例中，与硅原子结合的杂原子可以是具有N-氧化物基团的亲水性杂芳基官能团。当R1至R4中的两个为杂芳基时，两个杂芳基均可具有N-氧化物基团或两个杂芳基中仅一个具有N-氧化物基团。当R1至R4中的三个为杂芳基时，三个杂芳基均可具有N-氧化物基团或三个杂芳基中仅一个或两个具有N-氧化物基团。
其中，杂芳基可以为吡咯基、吡啶基、恶唑基、异恶唑基、三唑基、噻唑基、异噻唑基、吡唑基、吡唑烷基、恶二唑基、噻二唑基、咪唑基、咪唑啉基、哒嗪基、三嗪基、哌啶基、吡嗪基及嘧啶基，但不限于此。
即，在本申请中，杂芳基可以被定义为含有氮作为杂原子的芳族环，以能够在环中具有N-氧化物基团。
除了上述杂芳基的例示外，杂芳基还可包含与具有非芳族环或芳族环与具有N-氧化物基团的杂芳基键合的形态的杂芳基。
例如，芳族环键合在杂芳基的形态的杂芳基可包含吲哚基、异吲哚基、苯并咪唑基、嘌呤基、吲唑基、苯并恶唑基、苯并异恶唑基、苯并噻唑基、喹啉基、异喹啉基、喹喔啉基、吖啶基、噌啉基、喹唑啉基及酞嗪基等。
并且，由化学式1表示的硅添加剂的硅原子在可同时存在具有N-氧化物基团的杂芳基和不具有N-氧化物基团的杂芳基。
在此情况下，不具有N-氧化物基团的杂芳基作为芳基中的一个以上的碳原子被诸如氮、氧或磺等非碳原子取代的官能团，包括呋喃基、四氢呋喃基、吡咯基、吡咯烷基、噻吩基、四氢噻吩基、恶唑基、异恶唑基、三唑基、噻唑基、异噻唑基、吡唑基、吡唑烷基、恶二唑基、噻二唑基、咪唑基、咪唑啉基、吡啶基、哒嗪基、三嗪基、吡嗪基、哌嗪基、嘧啶基、萘啶基、苯并呋喃、苯并噻吩基、吲哚基、二氢吲哚基、吲哚啉基、吲唑基、喹嗪基、喹啉基、异喹啉基、噌啉基、酞嗪基、喹唑啉基、喹恶啉基、蝶啶基、奎宁环基、咔唑基、吖啶基、吩嗪基、吩噻嗪基、吩噁嗪基、嘌呤基、苯并咪唑基及苯并噻唑基等以及由这些键合的多个类似物。
即，本发明一实施例的硅基板蚀刻溶液中所使用的硅添加剂包含结合在硅原子的至少一个杂芳基，杂芳基中的至少一个可以是具有N-氧化物基团的亲水性杂芳基。
由此，在25℃及1bar下，本发明中所使用的硅添加剂在85％磷酸水溶液在的溶解度可以为100ppm以上。
若在25℃及1bar下，硅添加剂在85％磷酸水溶液中的溶解度小于100ppm，则在蚀刻条件下，硅基板蚀刻溶液中的硅烷化合物(例如，硅酸)无法以足够浓度存在，因而无法充分降低硅氧化膜的蚀刻速度。
在此情况下，与硅原子结合的杂芳基与硅原子在常温下保持稳定的结合，从而防止硅基板蚀刻溶液中硅烷化合物(例如硅酸)的浓度急剧增加，因此可防止除了硅氧化膜之外就连硅氮化膜的蚀刻速度也降低。
优选地，硅基板蚀刻溶液中可包含上述硅添加剂100-10000ppm。
若硅基板蚀刻溶液中的硅添加剂的含量小于100ppm，则在蚀刻条件下，硅基板蚀刻溶液中的硅烷化合物(例如，硅酸)的浓度过度降低，因而硅氮化膜的选择比的增加效果相对于硅氧化膜可能甚微。
相反，若硅基板蚀刻溶液中的硅添加剂的含量超过10000ppm，则在蚀刻条件下，硅基板蚀刻溶液中的硅烷化合物(例如，硅酸)的含量过度增加，从而可能导致除了硅氧化膜之外就连硅氮化膜的蚀刻速度也降低的问题。并且，在蚀刻溶液中，硅烷化合物可起到硅类颗粒源的作用。
本发明一实施例的硅基板蚀刻溶液还可包含含氟化合物，以在补偿因使用硅添加剂而降低的硅氮化膜的蚀刻速度的同时提高整个蚀刻工序的效率。
在本申请中，含氟化合物是指可解离氟离子的任意形态的所有化合物。
在一实施例中，含氟化合物是选自氟化氢、氟化铵、双氟化铵及氟化氢铵中的至少一种。
并且，在再一实施例中，含氟化合物可以为有机类的阳离子与氟类阴离子离子结合的化合物。
例如，含氟化合物可以为烷基铵与氟类阴离子离子结合的化合物。其中，烷基铵作为具有至少一个烷基的铵，最多可具有四个烷基。针对烷基的定义如上所述。
在另一实施例中，含氟化合物可以为选自烷基吡咯鎓、烷基咪唑鎓、烷基吡唑鎓、烷基噁唑鎓、烷基噻唑鎓、烷基吡啶鎓、烷基嘧啶鎓、烷基吡啶鎓、烷基吡嗪鎓、烷基吡咯烷鎓、烷基磷鎓、烷基吗啉鎓及烷基哌啶鎓中的有机类阳离子与选自氟磷酸盐、氟烷基氟磷酸盐、氟硼酸盐及烷基氟硼酸盐中的氟类阴离子离子结合的形态的离子液体。
硅基板蚀刻溶液中的含氟化合物与通常使用的氟化氢或氟化铵相比，以离子液体形态提供的含氟化合物具有高的沸点及分解温度，因而在高温下进行的蚀刻工序中被分解，从而具有改变蚀刻溶液的组成的可能性较小的优点。
根据本发明的另一实施方式，提供包括使用上述硅基板蚀刻溶液来进行的蚀刻工序的半导体器件的制造方法。
根据上述制造方法，可在至少包含硅氮化膜(SixNy)的硅基板上使用上述蚀刻溶液进行对硅氮化膜的选择性蚀刻工序来制造半导体器件。
在半导体器件的制造中所使用的硅基板可包含硅氮化膜(SixNy)或可同时包含硅氧化膜(SixOy)及硅氮化膜(SixNy)。并且，同时包含硅氧化膜与硅氮化膜的硅基板呈硅氧化膜和硅氮化膜交替层叠或层叠在不同区域的形态。
本发明的半导体器件的制造方法可通过在闪存器件的器件分离工序、动态随机存取存储器件的器件分离工序或相变存储器件中的二极管形成工序中的需要选择性地去除硅氮化膜而不损坏硅氧化膜的工序步骤中，可使用上述硅基板蚀刻溶液来进行。
以下公开本发明的具体实施例。但下述记载的实施例仅用于具体例示或说明本发明，而本发明不限于此。
硅基板蚀刻溶液的组成
实施例1
混合85重量百分比的磷酸、1000ppm的由下述化学式2表示的硅添加剂及余量的水来制备了硅基板蚀刻溶液。
化学式2
实施例2
除了使用由下述化学式3表示的硅添加剂之外，以与实施例1相同的方式制备了硅基板蚀刻溶液。
化学式3
实施例3
除了使用由下述化学式4表示的硅添加剂之外，以与实施例1相同的方式制备了硅基板蚀刻溶液。
化学式4
实施例4
除了使用由下述化学式5表示的硅添加剂，以与实施例1相同的方式制备了硅基板蚀刻溶液。
化学式5
实施例5
除了使用由下述化学式6表示的硅添加剂之外，以与实施例1相同的方式制备了硅基板蚀刻溶液。
化学式6
实施例6
除了使用由下述化学式7表示的硅添加剂之外，以与实施例1相同的方式制备了硅基板蚀刻溶液。
化学式7
比较例1
除了未使用硅添加剂之外，以与实施例1相同的方式制备了硅基板蚀刻溶液。
比较例2
除了使用由下述化学式8表示的硅添加剂之外，以与实施例1相同的方式制备了硅基板蚀刻溶液。
化学式8
比较例3
除了使用由下述化学式9表示的硅添加剂之外，以与实施例1相同的方式制备了硅基板蚀刻溶液。
化学式9
实验例1
为了测量具有根据各实施例及比较例的组成的硅基板蚀刻溶液中的硅添加剂的溶解度，在25℃及1bar下，通过ICP进行了测量，并将测量结果示出在下表1中。
表1
| 分类 | 蚀刻溶液中溶解的硅添加剂的含量(ppm) |
| 实施例1 | 1000 |
| 实施例2 | 997 |
| 实施例3 | 998 |
| 实施例4 | 1000 |
| 实施例5 | 1000 |
| 实施例6 | 999 |
| 比较例1 | - |
| 比较例2 | 1000 |
| 比较例3 | 25 |
参考上述表1的结果，可以确认到与比较例3不同，实施例1至实施例6中所使用的硅添加剂包含与硅原子结合的亲水性杂芳基，由此确保对硅基板蚀刻溶液的足够的溶解度并增加硅基板蚀刻溶液中的硅烷化合物(例如，硅酸)的浓度，从而降低对硅氧化膜的蚀刻速度。
实验例2
在将具有根据各个实施例及比较例的组成的硅基板蚀刻溶液加热至165℃后，将
厚度的硅氧化膜(thermal oxide layer)及硅氮化膜分别在经加热的蚀刻溶液中浸渍3分钟并进行了蚀刻。在此情况下，测量出加热至165℃的蚀刻溶液的pH在2.0-2.5的范围内。
利用椭偏仪(Nano-View，SE MG-1000；Ellipsometery)来测量了蚀刻前及蚀刻后的硅氧化膜及硅氮化膜的厚度，测量结果为5次测量结果的平均值。蚀刻速度为将蚀刻前及蚀刻后的硅氧化膜与硅氮化膜之间的厚度差除以蚀刻时间(3分钟)而计算出的数值。
并且，蚀刻结束后，利用粒度分析仪分析蚀刻溶液来测量了蚀刻溶液中存在的硅类颗粒的平均直径。
将测出的蚀刻速度及蚀刻溶液中的硅类颗粒的平均直径示出在下表2中。
表2
参考表2结果，与比较例1中不使用单独的硅添加剂的情况相比，如比较例2，当使用可以增加蚀刻溶液中的硅浓度的硅烷化合物作为硅添加剂时，可通过降低硅氧化膜的蚀刻速度来最终可相对于硅氧化膜提高硅氮化膜的蚀刻选择比。但如比较例2，当使用硅原子与乙氧基结合的硅烷化合物作为硅添加剂时，可确认硅类颗粒的生长。
另一方面，由于比较例3中所使用的硅添加剂无法充分溶解于硅基板蚀刻溶液中，从而可确认到对硅氮化膜的蚀刻选择比的提升效果甚微。
实验例3
在将具有根据各个实施例及比较例的组成的硅基板蚀刻溶液在165℃下分别加热0.5小时、1小时及2小时后，将
厚度的硅氧化膜(thermal oxide layer)及硅氮化膜分别在经加热的蚀刻溶液中浸渍3分钟并进行了蚀刻。在此情况下，测出加热至165℃的蚀刻溶液的pH在2.0-2.5范围内。
利用椭偏仪(Nano-View，SE MG-1000；Ellipsometery)来测量了蚀刻前及蚀刻后的硅氧化膜及硅氮化膜的厚度，测量结果为5次测量结果的平均值。蚀刻速度为将蚀刻前及蚀刻后的硅氧化膜与硅氮化膜的厚度差除以蚀刻时间(3分钟)而计算出的数值。
将分别使用具有不同加热时间的硅基板蚀刻溶液来测量的蚀刻速度示出在下列表3至表5中。
表3
表4
表5
可以确认到，随着硅基板蚀刻溶液的加热时间的增加，硅基板蚀刻溶液中的硅烷化合物(硅酸)的含量也逐渐增加，由此对硅氧化膜的蚀刻速度逐渐降低，并且相对于硅氧化膜，硅氮化膜的蚀刻选择比提高。
以上说明了本发明的一实施例，但本发明所属技术领域的普通技术人员可在不脱离本发明的发明要求保护范围内，通过对结构要素的附加、变更、删除或追加等来对本发明进行多种修改和变更，这也包括在本发明的权利范围内。
Claims (6)
1.一种硅基板蚀刻溶液，其特征在于，
包含：
磷酸水溶液；以及
由下述化学式1表示的硅添加剂，
化学式1：
其中，R1至R4各自独立地选自氢、C1-C10烷基、C6-C12环烷基、含有至少一个杂原子的C2-C10杂烷基、C2-C10烯基、C2-C10炔基、C1-C10卤烷基、C1-C10氨基烷基、芳基、杂芳基、芳烷基及羟基、氨基、卤素、砜、膦、磷、硫醇、烷氧基、酰胺、酯、酸酐、酰卤、氰基、羧基及唑，
R1至R4中的至少一个为杂芳基，
上述杂芳基具有N-氧化物基团，并且上述具有N-氧化物基团的杂芳基选自以下官能团：
在25℃及1bar下，上述硅添加剂在85％磷酸水溶液中的溶解度为100ppm以上。
2.根据权利要求1所述的硅基板蚀刻溶液，其特征在于，上述硅基板蚀刻溶液中的上述硅添加剂的含量为100-10000ppm。
3.根据权利要求1所述的硅基板蚀刻溶液，其特征在于，上述硅基板蚀刻溶液对由硅氧化膜形成的单层膜或同时包含硅氧化膜与硅氮化膜的多层膜进行蚀刻。
4.根据权利要求1所述的硅基板蚀刻溶液，其特征在于，上述硅基板蚀刻溶液还包含选自氟化氢、氟化铵、双氟化铵及氟化氢铵中的至少一种含氟化合物。
5.根据权利要求1所述的硅基板蚀刻溶液，其特征在于，上述硅基板蚀刻溶液还包含具有有机阳离子与氟类阴离子结合形态的含氟化合物。
6.一种半导体器件的制造方法，其特征在于，包括使用根据权利要求1所述的硅基板蚀刻溶液来进行的蚀刻工序。
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