CN112322295A - 氮化硅膜蚀刻溶液及使用其的半导体器件的制备方法 - Google Patents
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Abstract
本发明涉及一种氮化硅膜蚀刻溶液及使用其的半导体器件的制备方法，更详细地，涉及一种如下的氮化硅膜蚀刻溶液及使用其来进行的半导体器件的制备方法，即，在蚀刻条件下，可提高相对于氧化硅膜对氮化硅膜的蚀刻选择比的同时，提高在水或酸条件下的储存稳定性。
Description
技术领域
本发明涉及一种氮化硅膜蚀刻溶液及使用其的半导体器件的制备方法，更详细地，涉及一种氮化硅膜蚀刻溶液具有良好的储存稳定性的氮化硅膜蚀刻溶液及使用其来进行的半导体器件的制备方法。
背景技术
现在，蚀刻氮化硅膜和氧化硅膜的方法有多种，主要使用干式蚀刻法和湿式蚀刻法。
通常，干式蚀刻法是使用气体的蚀刻方法，相比于湿式蚀刻法，具有各向同性突出的优点，但其生产率远低于湿式蚀刻法并且是一种昂贵的方式，因此趋于广泛使用湿式蚀刻法。
通常，作为湿式蚀刻法使用磷酸作为蚀刻溶液的的方法是众所周知的。此时，为了蚀刻氮化硅膜而仅使用纯磷酸的情况下，随着器件的小型化，不仅会蚀刻氮化硅膜，还会蚀刻氧化硅膜，可能发生各种不良以及图案异常等问题，因此需要通过在氧化硅膜形成保护膜来进一步降低氧化硅膜的蚀刻速度。
为了在氧化硅膜上形成保护膜，已知具有将硅添加剂加入在蚀刻溶液的方法。此时，硅添加剂与水或酸反应生成硅氧烷，生成的硅氧烷以硅类颗粒的形式析出，从而导致形成于基板上的器件的不良。由此，需要提高硅添加剂的储存稳定性。
发明内容
发明所要解决的问题
本发明的目的在于，提供一种氮化硅膜蚀刻溶液，该蚀刻溶液通过使用硅烷化合物类硅添加剂来增加相对于氧化硅膜对氮化硅膜的选择比并提高在水或酸条件下的储存稳定性。
并且，本发明的目的在于，提供一种通过使用上述氮化硅膜蚀刻溶液来进行的半导体器件的制备方法。
用于解决问题的方案
为了解决上述问题，根据本发明的一实施方式，氮化硅膜蚀刻溶液包含磷酸水溶液以及由下述化学式1表示的化合物，
化学式1：
在上述化学式中，
X1以及X2分别独立地选自氢、C1-C10的烷基、C1-C10的烷基醇基、C1-C10的烷基胺基、C3-C10的环烷基以及C6-C30的芳基，
Y1以及Y2分别独立地选自氢、卤素、胺基、烷氧基、羟基、C1-C10的烷基以及C6-C30的芳基，
R1、R2、R3以及R4分别独立地选自氢、卤素、胺基、烷氧基、羟基、硫醇基、砜基、磺酰基以及硫醚基。
并且，根据本发明的另一实施方式，提供一种通过使用上述氮化硅膜蚀刻溶液来进行的半导体器件的制备方法。
发明效果
在本发明的氮化硅膜蚀刻溶液中，通过使用由上述化学式1表示的化合物，在蚀刻条件下可增加相对于氧化硅膜对氮化硅膜的选择比并提高在水或酸条件下的储存稳定性。
此时，在本申请中所使用的由化学式1表示的化合物通过将起到供电子基(EDG，electron donating group)作用的配体引入硅原子来降低其与水或酸的反应性，从而可以抑制生长成硅类颗粒。
附图说明
图1为简要示出利用根据本发明一是实施例的蚀刻溶液的氮化硅膜去除工序的剖视图。
附图标记说明：
10：硅基板
11：氮化硅膜
12：氧化硅膜
20：层叠结构体
30：掩模图案层
50：沟槽。
具体实施方式
参照后述的实施例会让本发明的优点、特征及实现这些优点和特征的方法更加明确。但是，本发明并不局限于以下所说明的实施例，能够以互不相同的各种方式实施，本实施例仅用于使本发明的公开的内容完整，为使本发明所属技术领域的普通技术人员完整地理解本发明的范畴而提供本发明，本发明仅由发明要求保护范围限定。
以下，对根据本发明的氮化硅膜蚀刻溶液及其制备方法进行详细说明。
根据本发明的一实施方式，提供一种氮化硅膜蚀刻溶液，包含磷酸水溶液以及由下述化学式1表示的化合物，
化学式1：
在上述化学式中，
X1以及X2分别独立地选自氢、C1-C10的烷基、C1-C10的烷基醇基、C1-C10的烷基胺基、C3-C10的环烷基以及C6-C30的芳基，
Y1以及Y2分别独立地选自氢、卤素、胺基、烷氧基、羟基、C1-C10的烷基以及C6-C30的芳基，
R1、R2、R3以及R4分别独立地选自氢、卤素、胺基、烷氧基、羟基、硫醇基、砜基、磺酰基以及硫醚基。
在本申请中，Ca-Cb官能团是指具有a个至b个碳原子的官能团。例如，Ca-Cb烷基是指具有a个至b个碳原子的饱和脂肪族基，包括直链烷基以及支链烷基等。直链或支链烷基是指其主链具有10个以下的碳原子(例如C1-C10的直链、C3-C10的支链)，优选地，具有4个以下的碳原子，更为优选地，具有3个以下的碳原子。
具体地，烷基可以为甲基、乙基、正丙基、异丙基、正丁基、仲丁基、异丁基、叔丁基、戊-1-基、戊-2-基、戊-3-基、3-甲基丁-1-基、3-甲基丁-2-基、2-甲基丁-2-基、2，2，2-三甲基乙-1-基、正己基、正庚基及正辛基。
在本申请中，除非另有定义，否则环烷基(cycloalkyl)可理解为各个烷基的环状结构。
环烷基的非限制例有环戊基、环己基、1-环己烯基、3-环己烯基以及环庚基等。
并且，在本申请中，硫醇(thiol)、砜基(sulfone)、磺酰基(sulfonyl)以及硫醚基(thioether)是指有机硫化物，具体地，硫醇是指-SH取代基，砜基是指-SO2-取代基，硫醚是指-S-取代基。
在本申请中，除非另有定义，否则芳基是指不饱和芳香族环，包括单环或相互接合或通过共价键连接的多环(优选地，为1个至4个环)。芳基的非限制性例有苯基、联苯基、邻三联苯基(terphenyl)、间三联苯基、对三联苯基、1-萘基、2萘基、1-蒽基(anthryl)、2-蒽基、9-蒽基、1-菲基(phenanthrenyl)、2-菲基、3-菲基、4-菲基、9-菲基、1-芘基、2-芘基以及4-芘基等。
并且，在本申请中，烷氧基是指-O-(烷基)和-O-(未取代的环烷基)，具有一个以上的醚基以及1个至10个碳原子。具体地，可包括甲氧基、乙氧基、丙氧基、异丙氧基、正丁氧基、叔丁氧基、仲丁氧基、正戊氧基、正己氧基、1，2-二甲基丁氧基、环丙氧基、环丁氧基、环戊氧基、环己氧基，但不限于此。
在本申请中，卤素是指氟(-F)、氯(-Cl)、溴(-Br)或碘(-I)。并且，烷基胺基是指被胺基取代的烷基，烷基醇基是指被醇基取代的烷基。
通常，为了在磷酸水溶液中保护硅基板，氮化硅膜蚀刻溶液可包含硅添加剂。但是，主要用作硅添加剂的硅烷化合物在含有磷酸的蚀刻溶液中溶解度低。为了增加蚀刻溶液中硅烷化合物的溶解度，使用硅原子上键合有亲水性官能团键合的形态的硅烷化合物。在将这种硅原子上键合有亲水性官能团的形态的硅烷化合物用作硅添加剂的情况下，虽然可以确保硅烷化合物在蚀刻溶液中的适当溶解度，但会发生储存性问题。
将硅烷化合物用作硅添加剂，蚀刻溶液中增加的硅浓度可以充当硅类颗粒的来源。在硅类颗粒生长并析出的情况下，储存稳定性下降，是引起硅基板不良的最大原因，可降低相对于氧化硅膜对氮化硅膜的蚀刻选择比。
例如，与硅原子键合的亲水性官能团与水或酸反应而被羟基取代，从而可形成硅-羟基(-Si-OH)。硅-羟基通过聚合生成硅原子和氧原子交替键合而成随机链结构的硅氧烷(-Si-O-Si-)基。包含硅氧烷基的硅烷化合物最终以硅氧烷基重复聚合而成的硅类颗粒形式析出，从而发生储存稳定性下降的问题。并且，硅类颗粒可通过残留在基板来引起形成于基板的器件的不良，或者残留在使用于蚀刻工序的设备来引起设备故障。并且，虽然可以为了防止生成硅类颗粒，可使用甲醇，但甲醇是对人体有害的物质，而且还会发生甲醇蒸发后会再次生成硅类颗粒的问题。
根据本发明一实施例的氮化硅膜蚀刻溶液包含由化学式1表示的化合物，以增加相对于氧化硅膜对氮化硅膜的选择比，同时，通过抑制硅类颗粒的生成来提高储存稳定性。
化学式1：
在上述化学式中，
X1以及X2分别独立地选自氢、C1-C10的烷基、C1-C10的烷基醇基、C1-C10的烷基胺基、C3-C10的环烷基以及C6-C30的芳基，
Y1以及Y2分别独立地选自氢、卤素、胺基、烷氧基、羟基、C1-C10的烷基以及C6-C30的芳基，
R1、R2、R3以及R4分别独立地选自氢、卤素、胺基、烷氧基、羟基、硫醇基、砜基、磺酰基以及硫醚基。
其中，本发明的由上述化学式1表示的化合物为硅烷化合物，在蚀刻条件下，可提高相对于氧化硅膜对氮化硅膜的蚀刻选择比。由上述化学式1表示的化合物在蚀刻条件下与硅基板结合形成保护膜，可以在磷酸水溶液中保护硅基板，提高氮化硅膜的蚀刻速度，从而可降低氧化硅膜的蚀刻速度。
并且，本发明的由上述化学式1表示的化合物通过在硅原子中引入配体(ligand)来降低与蚀刻溶液中的水或酸的反应性，从而可抑制生长成硅类颗粒。即，本发明的蚀刻溶液包含由化学式1表示的化合物，在蚀刻条件下，可提高相对于氧化硅膜对氮化硅膜的蚀刻选择比的同时，提高储存稳定性。
在上述化学式1中，与硅原子键合的配体是亲水性官能团。与硅原子键合的亲水性官能团是指在磷酸水溶液的pH值小于7的条件下能够被羟基(-OH)取代的官能团。由上述化学式1表示的化合物包含键合有亲水性官能团的硅原子，可确保包含磷酸水溶液的蚀刻溶液具有足够的溶解度。并且，由上述化学式1表示的化合物包含键合有亲水性官能团的硅原子，可以与硅基板，尤其是与氧化硅膜形成较强的亲水性相互作用。通过较强的亲水性相互作用，附着于氧化硅膜表面的由化学式1表示的化合物可以起到防止被氧化硅膜的磷酸水溶液蚀刻的作用。
并且，在上述化学式1中，与硅原子键合的配体可以起到供电子基的作用。上述供电子基是指能够增加硅原子周围的电子密度(electron density)的官能团。由上述化学式1表示的化合物可通过引入起到供电子基作用的配体来抑制生长成硅类颗粒。具体地，磷酸水溶液中的氧原子为强亲核体(Nucleophile)，与硅原子的反应性非常好。与作为强亲核体的氧原子反应的硅原子形成硅-羟基(-Si-OH)，硅-羟基通过聚合生成硅原子和氧原子交替键合而成随机链结构的硅氧烷(-Si-O-Si-)基以及颗粒状的硅氧烷基。包含硅氧烷基的硅烷化合物最终生长成硅氧烷基重复复聚合而成的硅类颗粒，从而发生储存稳定性下降的问题。
其中，本发明的由上述化学式1表示的化合物可通过将起到供电子基作用的配体引入硅原子来提高硅原子周围的电子密度。随着硅原子周围电子密度的增加，磷酸水溶液中的氧原子与硅原子的反应性降低，可以抑制硅-羟基碱的形成。最终，抑制通过硅-羟基的聚合形成的硅氧烷基的形成，从而可以抑制生长成由硅氧烷基重复聚合而成的硅类颗粒。与此相比，在引入起到吸电子基团(EWG，electron withdrawing group)作用的化合物的情况下，配体易于分解而更容易形成硅氧烷基，可发生加速生长成硅类颗粒的问题。
作为一例，在上述化学式中，上述R1、R2、R3以及R4可以分别独立地选自氢、胺基、羟基以及烷氧基。
与硅原子键合的配体越是强供电子基，越能够提高硅原子周围的电子密度。由此，更为优选地，在上述化学式1中R1、R2、R3以及R4为强供电子基，作为一例，上述胺基(-NH2)、羟基(-OH)、烷氧基(-OR)、硫醇基(-SH)以及硫醚基(-S-)为具有非共价电子对的强供电子基。即，在上述化学式1中R1、R2、R3以及R4为胺基、羟基以及烷氧基等强供电子基的情况下，可以进一步提高硅原子周围的电子密度，由此可以进一步降低磷酸水溶液中的氧原子与硅原子的反应性。最终，抑制通过硅-羟基聚合而形成的硅氧烷基的形成，可以更有效地抑制生长成由硅氧烷基重复聚合而成硅类颗粒。
并且，作为一例，由化学式1表示的化合物可以为由下述化学式2表示的化合物。
化学式2：
在上述化学式2中，
上述R2以及R3分别独立地选自氢、胺基、羟基以及烷氧基，
X1、X2、Y1以及Y2的定义如上述化学式1中所述。
其中，在由上述化学式2表示的化合物中，R1及R2表示胺(-NH2)基。由于由上述化学式2表示的化合物的R1及R2表示胺(-NH2)基，因此可通过非常强的给电子效果来以进一步提高硅原子周围的电子密度。并且，在由上述化学式2表示的化合物中，由于以与硅中心原子键合的氧原子为基准位于对位(para)的R1以及R2为胺基，可通过上述胺基的非共价电子対的共振效果进一步提高硅原子周围的电子密度。
具体地，以与由上述化学式2表示的化合物的硅中心原子键合的氧原子为基准对位取代的胺基的共振效果可以由下述化学式4表示。
化学式4：
观察由上述化学4表示的化合物的共振结构，胺基被取代在与硅中心原子键合的氧原子为基准的对位，可通过上述胺基的非共价电子对的共振效果来进一步提高硅原子周围的电子密度。
最终，在由化学式2表示的化合物中，由于R1及R2被胺基(-NH2)取代，可同时具有非常强的给电子效果及共振效果，由此可以更有效地降低磷酸水溶液中氧原子和硅原子的反应性。
并且，作为一例，由化学式1表示的化合物可以为由化学式3表示的化合物。
化学式3：
在上述化学式3中，X1、X2、Y1以及Y2的定义如上述化学式1中所述。
其中，在由上述化学式3表示的化合物中R1、R2、R3以及R4表示胺基。由于由化学式3表示的化合物R1、R2、R3以及R4都被胺(-NH2)基取代，以与硅中心原子键合的氧原子为基准间位(meta)以及对位(para)取代的胺基具有非常强的给电子效果，以与硅中心原子键合的氧原子为基准的对位(para)取代的胺基具有共振效果，从而可以进一步提高硅原子周围的电子密度。
优选地，上述氮化硅膜蚀刻溶液包含100ppm至500000ppm的由上述化学式1表示的化合物。并且，更优选地，上述氮化硅膜蚀刻溶液包含1000ppm至50000ppm的由上述化学式1表示的化合物。其中，添加剂的含量为溶解于氮化硅膜蚀刻溶液的由化学式1表示的化合物的量，以ppm的单位表示。
例如，氮化硅膜蚀刻溶液中具有5000ppm的由化学式1表示的化合物是指溶解于氮化硅膜蚀刻溶液中的由化学式1表示的化合物为5000ppm。
在氮化硅膜蚀刻溶液中具有小于100ppm的由化学式1表示的化合物的情况下，在蚀刻条件下，由于硅化合物的量不足，相对于氧化硅膜对氮化硅膜的蚀刻选择比的增加效果可能甚微。
相反地，在氮化硅膜蚀刻溶液中具有大于500000ppm的由化学式1表示的化合物的情况下，由于氮化硅膜蚀刻溶液中的硅添加剂的饱和浓度增加，可能发生生成硅类颗粒的问题。
优选地，硅基板至少包含氧化硅膜(SiOx)，可同时包含氧化硅膜和氮化硅膜(SixNy)。并且，在同时包含氧化硅膜和氮化硅膜的硅基板的情况下，硅基板可以是氧化硅膜和氮化硅膜交替层叠的形态或在层叠在不同区域的形态。
氧化硅膜根据用途及材料的种类等的不同，可为旋涂式电介质(SOD，Spin OnDielectric)膜、高密度等离子体(HDP，High Density Plasma)膜、热氧化膜(thermaloxide)、硼磷硅玻璃(Borophosphate Silicate Glass)膜、磷硅玻璃(Phospho SilicateGlass)膜、硼硅玻璃(BSG，BoroSilicate Glass)膜、聚硅氮烷(PSZ，Polysilazane)膜、氟化硅玻璃(FSG，Fluorinated Silicate Glass)膜、低压正硅酸四乙酯(LP-TEOS，LowPressure TetraEthyl Ortho Silicate)膜、等离子体增强正硅酸四乙酯(PETEOS，PlasmaEnhanced Tetra Ethyl Ortho Silicate)膜、高温氧化物(HTO，High TemperatureOxide)膜、中温氧化物(MTO，Medium Temperature Oxide)膜、未掺杂的硅玻璃(USG，UndoppedSilicate Glass)膜、旋涂式玻璃(SOG，Spin On Glass)膜、高级平面化膜(APL，AdvancedPlanarization Layer)、原子层沉积(ALD，Atomic Layer Deposition)膜、等离子体增强氧化物膜(Plasma Enhanced oxide)或O3-原硅酸四乙酯(O3-TEOS，O3-Tetra Ethyl OrthoSilicate)等。
在一实施例中，优选地，相对于100重量份的氮化硅膜蚀刻溶液，包含60重量份至90重量份的磷酸水溶液。
相对于100重量份的氮化硅膜蚀刻溶液，在磷酸水溶液的含量小于60重量份的情况下，由于氮化硅膜的蚀刻速度下降，存在氮化硅膜没有被充分蚀刻或氮化硅膜的蚀刻工序效率下降的隐患。
相反地，相对于100重量份的氮化硅膜蚀刻溶液，在磷酸水溶液的含量大于90重量份的情况下，氧化硅膜的蚀刻速度的增加量大于氮化硅膜的蚀刻速度的增加量，相对于氧化硅膜的对氮化硅膜的蚀刻选择比可能下降，可能会由于氧化硅膜的蚀刻而导致硅基板的不良。
本发明一实施例的氮化硅膜蚀刻溶液还可以包含含氟化合物，以补偿随着包含由化学式1表示的化合物而下降的氮化硅膜的蚀刻速度并提高整个蚀刻工序的效率。
在本申请中，含氟化合物是指能够分离出氟离子的任何形态的所有化合物。
在一实施例中，含氟化合物为选自氟化氢、氟化铵、二氟化铵以及氟化氢铵的至少一种。
并且，在再一实施例中，含氟化合物可以为有机类阳离子与氟类阴离子离子结键合形态的化合物。
例如，含氟化合物可以为烷基铵盐和氟类阴离子离子结键合形态的化合物。其中，烷基铵盐为至少具有一个烷基的铵，最多可具有四个烷基。对于烷基的定义如上所述。
在另一例中，含氟化合物可以为选自烷基吡咯鎓、烷基咪唑鎓、烷基吡唑、烷基恶唑鎓、烷基噻唑鎓、烷基吡啶鎓、烷基嘧啶鎓、烷基哒嗪鎓、烷基吡嗪鎓、烷基吡咯烷鎓、烷基磷鎓、烷基吗啉鎓以及烷基哌啶鎓中的有机类阳离子与选自氟磷酸盐、氟烷基-氟磷酸盐、氟硼酸盐以及氟烷基-氟硼酸盐中的氟类阴离子离子结键合形态的离子液体。
在氮化硅膜蚀刻溶液中，与通常用作含氟化合物的氟化氢或氟化铵相比，以离子液体形态提供的含氟化合物的优点在于，具有高沸点及分解温度，在高温下进行的蚀刻工序中随着含氟化合物的分解而改变蚀刻溶液的组成的隐患很小。
根据本发明的另一实施方式，提供一种包括通过使用上述氮化硅膜蚀刻溶液来进行的蚀刻工序的半导体器件的制备方法。
根据本制备方法，在至少包含氮化硅膜(SixNy)的硅基板上使用上述蚀刻溶液，来进行对氮化硅膜的选择性蚀刻工序，从而能够制备半导体器件。
半导体器件的制备中所使用的硅基板可以包含氮化硅膜(SixNy)，或者同时包含氧化硅膜以及氮化硅膜(SixNy、SIxOyNz)。并且，在同时包含氧化硅膜和氮化硅膜的硅基板的情况下，硅基板可以是氧化硅膜和氮化硅膜可以交替层叠的形态或层叠在不同区域的形态。
根据本发明的半导体器件的制备方法可适用于计算机闪存设备(NAND)器件的制备工序。更具体地，在要求用于形成计算机闪存设备的层叠结构体中选择性地去除氧化硅膜而不损失氮化硅膜的工序步骤中，可通过使用上述蚀刻溶液来进行。
作为一例，图1为用于说明使用根据本发明的蚀刻溶液的氮化硅膜去除工序的简要剖视图。
参照图1，在硅基板10上交替层叠有氮化硅膜11和氧化硅膜12的层叠结构层20上形成掩模图案层30后，通过各向异性蚀刻工序来形成沟槽50。
并且，参照图1，通过形成于层叠结构体20中的形成的沟槽50区域投入本发明的蚀刻溶液，由此蚀刻氮化硅膜11，且仅保留氧化硅膜12和掩模图案层30。
即，本发明通过使用相对于氧化硅膜对氮化硅膜的蚀刻选择比得以提高的蚀刻溶液来使层叠结构体20中的氧化硅膜12的蚀刻最小化，并且在足的时间内可以完全且选择性地去除氮化硅膜11。此后，通过包括在去除氮化硅膜11的区域形成栅电极的步骤的后续工序来制备半导体器件。
以下给出本发明的具体实施例。但以下记载的实施例仅用于具体地示例或说明本发明，而本发明并不限定于此。
实施例
蚀刻溶液的制备
在实施例1至实施例4中，在磷酸水溶液中添加由化学式1表示的化合物来制备蚀刻溶液，使得初始浓度为1000ppm。
根据实施例1至实施例4的蚀刻溶液组合物如表1所示。
表1
比较例1至比较例3的时刻溶液的组合物如表2所示。
表2
实验例
硅类颗粒的平均直径的测量
在常温(25℃)下测量实施例1至实施例4以及比较例1至比较例3的蚀刻溶液中存在的硅类颗粒的平均直径。硅类颗粒的平均直径使用粒度分析仪(PSA，particle sizeanalyzer)来测量。测量的硅类颗粒的平均直径如下述表3所示。
表3
如上述表3所示，可以确认，即使经过一段时间，实施例1至实施例4的蚀刻溶液中也不存在硅类颗粒，或者硅类颗粒直径为0.1μm以下，即硅类颗粒很小。
尤其，如表3所示，可以确认，在由化学式1表示的化合物中，取代基为较强的供电子基，以与硅中心原子键合的氧原子为基准在对位取代的化合物可以更为有效地抑制生长成硅类颗粒。
相反地，如上述表3所示，可以确认，随着时间的流逝，比较例1至比较例3的蚀刻溶液中存在直径为50μm以上的硅类颗粒。
以上，说明了本发明的一实施例，但本技术领域的普通技术人员在不脱离发明要求保护范围中所记载的本发明的思想的范围内，可通过添加、变更、删除或增加结构要素等来对本发明进行各种修改及变更，这些都应包括在本发明的发明要求保护范围内。
Claims (8)
1.一种氮化硅膜蚀刻溶液，其特征在于，
包含：
磷酸水溶液；以及
由下述化学式1表示的化合物，
化学式1：
在上述化学式中，
X1以及X2分别独立地选自氢、C1-C10的烷基、C1-C10的烷基醇基、C1-C10的烷基胺基、C3-C10的环烷基以及C6-C30的芳基，
Y1以及Y2分别独立地选自氢、卤素、胺基、烷氧基、羟基、C1-C10的烷基以及C6-C30的芳基，
R1、R2、R3以及R4分别独立地选自氢、卤素、胺基、烷氧基、羟基、硫醇基、砜基、磺酰基以及硫醚基。
2.根据权利要求1所述的氮化硅膜蚀刻溶液，其特征在于，上述R1、R2、R3以及R4分别独立地选自氢、胺基、羟基以及烷氧基。
3.根据权利要求1所述的氮化硅膜蚀刻溶液，其特征在于，由上述化学式1表示的化合物为由下述化学式2表示的化合物，
化学式2：
在上述化学式2中，
上述R2以及R3分别独立地选自氢、胺基、羟基以及烷氧基，
X1、X2、Y1以及Y2的定义如上述化学式1中所述。
4.根据权利要求1所述的氮化硅膜蚀刻溶液，其特征在于，由上述化学式1表示的化合物为由下述化学式3表示的化合物，
化学式3：
在上述化学式3中，
X1、X2、Y1以及Y2的定义如上述化学式1中所述。
5.根据权利要求1所述的氮化硅膜蚀刻溶液，其特征在于，上述氮化硅膜蚀刻溶液包含100ppm至500000ppm的由上述化学式1表示的化合物。
6.根据权利要求1所述的氮化硅膜蚀刻溶液，其特征在于，上述氮化硅膜蚀刻溶液还包含选自氟化氢、氟化铵、二氟化铵以及氟化氢铵中的至少一种含氟化合物。
7.根据权利要求1所述的氮化硅膜蚀刻溶液，其特征在于，上述氮化硅膜蚀刻溶液还包含有机类阳离子和氟类阴离子具有离子结合形态的含氟化合物。
8.一种半导体器件的制备方法，其特征在于，包括通过使用权利要求1所述的氮化硅膜蚀刻溶液来进行的蚀刻工序。
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