JP2015019102A5 - 半導体基板の基板処理装置及び方法 - Google Patents

半導体基板の基板処理装置及び方法 Download PDF

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本発明は半導体基板の基板処理装置及び方法に関するものである。
本発明はパターンの倒壊を防止しつつ基板を洗浄・乾燥させる半導体基板の基板処理装置及び方法を提供することを目的とする。
本発明の一態様による半導体基板の基板処理装置は、ドライエッチング処理されたシリコン含有膜を含む複数の凸形状パターンを有する半導体基板の処理装置である。基板処理装置は、記凸形状パターンのシリコン含有膜表面を洗浄および改質し、改質後の凸形状パターンのシリコン含有膜表面に所定の液体との接触角がシリコン含有膜表面よりも大きい保護膜を形成し、保護膜形成後、保護膜に所定の液体を供給して半導体基板をリンスし、半導体基板を乾燥する。

Claims (30)

  1. ドライエッチング処理されたシリコン含有膜を含む複数の凸形状パターンを有する半導体基板の処理装置であって、
    前記凸形状パターンの前記シリコン含有膜表面を洗浄および改質し、
    前記改質後の前記凸形状パターンの前記シリコン含有膜表面に所定の液体との接触角が前記シリコン含有膜表面よりも大きい保護膜を形成し、
    前記保護膜形成後、前記保護膜に前記所定の液体を供給して前記半導体基板をリンスし、
    前記半導体基板を乾燥する、
    基板処理装置。
  2. 前記保護膜形成後、前記半導体基板の乾燥前に、前記保護膜にイソプロピルアルコール（ＩＰＡ）を供給することを特徴とする
    請求項１記載の基板処理装置。
  3. 前記保護膜は、シランカップリング剤を前記シリコン含有膜表面に供給して形成することを特徴とする
    請求項１または２記載の基板処理装置。
  4. 前記シランカップリング剤は、ヘキサメチルジシラザン（ＨＭＤＳ）であることを特徴とする
    請求項３記載の基板処理装置。
  5. 前記シランカップリング剤は、テトラメチルシリルジエチルアミン（ＴＭＳＤＥＡ）であることを特徴とする
    請求項３記載の基板処理装置。
  6. 前記保護膜形成後、前記半導体基板上に残留する前記シランカップリング剤をイソプロピルアルコール（ＩＰＡ）で置換することを特徴とする
    請求項３乃至５のいずれか一項記載の基板処理装置。
  7. 前記保護膜は、界面活性剤を前記シリコン含有膜表面に供給して形成することを特徴とする
    請求項１または２記載の基板処理装置。
  8. 前記洗浄中に前記シリコン含有膜表面を改質することを特徴とする
    請求項１乃至７のいずれか一項記載の基板処理装置。
  9. 前記シリコン含有膜表面の改質では、前記シリコン含有膜表面が酸化されることを特徴とする
    請求項１記載の基板処理装置。
  10. 前記基板処理装置は枚葉式処理装置であることを特徴とする
    請求項１乃至９のいずれか一項記載の基板処理装置。
  11. 前記基板処理装置はバッチ式処理装置であることを特徴とする
    請求項１乃至９のいずれか一項記載の基板処理装置。
  12. 前記凸形状パターンは金属層を含むことを特徴とする
    請求項１乃至１１のいずれか一項記載の基板処理装置。
  13. 前記凸形状パターンは前記金属層上に前記シリコン含有膜を含むことを特徴とする
    請求項１２記載の基板処理装置。
  14. 前記保護膜は、前記基板を加熱しながら形成されることを特徴とする
    請求項１乃至１３のいずれか一項記載の基板処理装置。
  15. 前記凸形状パターンのアスペクト比が８以上であることを特徴とする
    請求項１乃至１４のいずれか一項記載の基板処理装置。
  16. 前記複数の凸形状パターンは、ラインアンドスペースパターンであることを特徴とする
    請求項１乃至１５のいずれか一項記載の基板処理装置。
  17. ドライエッチング処理されたシリコン含有膜を含む複数の凸形状パターンを有する半導体基板の処理方法であって、
    前記凸形状パターンの前記シリコン含有膜表面を洗浄および改質し、
    前記改質後の前記凸形状パターンの前記シリコン含有膜表面に所定の液体との接触角が前記シリコン含有膜表面よりも大きい保護膜を形成し、
    前記保護膜形成後、前記保護膜に前記所定の液体を供給して前記半導体基板をリンスし、
    前記半導体基板を乾燥する、
    基板処理方法。
  18. 前記保護膜形成後、前記半導体基板の乾燥前に、前記保護膜にイソプロピルアルコール（ＩＰＡ）を供給することを特徴とする
    請求項１７記載の基板処理方法。
  19. 前記保護膜は、シランカップリング剤を前記シリコン含有膜表面に供給して形成することを特徴とする
    請求項１７または１８記載の基板処理方法。
  20. 前記シランカップリング剤は、ヘキサメチルジシラザン（ＨＭＤＳ）であることを特徴とする
    請求項１９記載の基板処理方法。
  21. 前記シランカップリング剤は、テトラメチルシリルジエチルアミン（ＴＭＳＤＥＡ）であることを特徴とする
    請求項１９記載の基板処理方法。
  22. 前記保護膜形成後、前記半導体基板上に残留する前記シランカップリング剤をイソプロピルアルコール（ＩＰＡ）で置換することを特徴とする
    請求項１９乃至２１のいずれか一項記載の基板処理方法。
  23. 前記保護膜は、界面活性剤を前記シリコン含有膜表面に供給して形成することを特徴とする
    請求項１７または１８記載の基板処理方法。
  24. 前記洗浄中に前記シリコン含有膜表面を改質することを特徴とする
    請求項１７乃至２３のいずれか一項記載の基板処理方法。
  25. 前記シリコン含有膜表面の改質では、前記シリコン含有膜表面が酸化されることを特徴とする
    請求項１７記載の基板処理方法。
  26. 前記凸形状パターンは金属層を含むことを特徴とする
    請求項１７乃至２５のいずれか一項記載の基板処理方法。
  27. 前記凸形状パターンは前記金属層上に前記シリコン含有膜を含むことを特徴とする
    請求項２６記載の基板処理方法。
  28. 前記保護膜は、前記半導体基板を加熱処理しながら形成されることを特徴とする
    請求項１７乃至２７のいずれか一項記載の基板処理方法。
  29. 前記凸形状パターンのアスペクト比が８以上であることを特徴とする
    請求項１７乃至２８のいずれか一項記載の基板処理方法。
  30. 前記複数の凸形状パターンは、ラインアンドスペースパターンであることを特徴とする
    請求項１７乃至２９のいずれか一項記載の基板処理方法。
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