JP2017010015A5 - - Google Patents

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本発明のさらなる態様に従って、パターン処理法が提供される。本方法は、(a)表面上にパターン形成された特徴部を備える半導体基板を提供することと、(b)本明細書に記載のパターン処理組成物をパターン形成された特徴部に塗布することと、(c)残留パターン処理組成物を基板からすすいで、パターン形成された特徴部に結合した第1のポリマーの一部を残すこととを含む。
図1Aは、様々な層及び特徴部を含み得る基板100の断面を示す。基板は、半導体、例えば、シリコンまたは化合物半導体(例えば、III−VまたはII−VI)、ガラス、石英、セラミック、銅等の材料のものである。典型的には、基板は、単結晶シリコンまたは化合物半導体ウエハ等の半導体ウエハであり、その表面上に形成された1つ以上の層及びパターン形成された特徴部を有し得る。パターン形成される1つ以上の層102が基板100上に提供される。任意に、例えば、基板材料内での溝の形成が所望される場合に、下位のベース基板材料自体がパターン形成され得る。ベース基板材料自体をパターン形成する場合、パターンは、基板の層内に形成されると見なされるべきである。

Claims (1)

  1. パターン処理法であって、
    (a)表面にパターン形成された特徴部を備える半導体基板を提供することと、
    (b)請求項1〜10のいずれか一項に記載のパターン処理組成物を前記パターン形成された特徴部に塗布することと、
    (c)残留パターン処理組成物を前記基板からすすいで、前記パターン形成された特徴部に結合した前記第1のポリマーの一部を残すことと、を含む、前記パターン処理法。
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Families Citing this family (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2018537703A (ja) * 2015-11-19 2018-12-20 アーゼッド・エレクトロニック・マテリアルズ(ルクセンブルグ)ソシエテ・ア・レスポンサビリテ・リミテ 微細レジストパターン形成用組成物およびそれを用いたパターン形成方法
US10162265B2 (en) 2015-12-09 2018-12-25 Rohm And Haas Electronic Materials Llc Pattern treatment methods
KR102393027B1 (ko) * 2016-07-07 2022-05-02 제이에스알 가부시끼가이샤 패턴 형성용 조성물 및 패턴 형성 방법
US9910355B2 (en) * 2016-07-29 2018-03-06 Rohm And Haas Electronic Materials Llc Method of negative tone development using a copolymer multilayer electrolyte and articles made therefrom
US9910353B2 (en) * 2016-07-29 2018-03-06 Dow Global Technologies Llc Method of negative tone development using a copolymer multilayer electrolyte and articles made therefrom

Family Cites Families (30)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4665131A (en) * 1985-06-14 1987-05-12 Nippon Oil And Fats Company, Ltd. Block copolymer
US6790908B2 (en) * 2002-05-09 2004-09-14 Rhodia Inc. Block copolymer
US7135506B2 (en) * 2002-09-27 2006-11-14 Fuji Photo Film Co., Ltd. Oil based ink composition for inkjet printer and method of forming image using the same
JP3675434B2 (ja) 2002-10-10 2005-07-27 東京応化工業株式会社 微細パターンの形成方法
JP4859437B2 (ja) * 2005-10-25 2012-01-25 大阪有機化学工業株式会社 被膜形成用樹脂組成物
JP5069494B2 (ja) * 2007-05-01 2012-11-07 AzエレクトロニックマテリアルズIp株式会社 微細化パターン形成用水溶性樹脂組成物およびこれを用いた微細パターン形成方法
US7985534B2 (en) 2007-05-15 2011-07-26 Fujifilm Corporation Pattern forming method
US7763319B2 (en) * 2008-01-11 2010-07-27 International Business Machines Corporation Method of controlling orientation of domains in block copolymer films
US7745077B2 (en) 2008-06-18 2010-06-29 Az Electronic Materials Usa Corp. Composition for coating over a photoresist pattern
US8821978B2 (en) 2009-12-18 2014-09-02 International Business Machines Corporation Methods of directed self-assembly and layered structures formed therefrom
US8975327B2 (en) * 2010-11-24 2015-03-10 Dow Corning Corporation Controlling morphology of block copolymers
JP5705669B2 (ja) * 2011-07-14 2015-04-22 メルクパフォーマンスマテリアルズIp合同会社 微細パターン形成用組成物およびそれを用いた微細化されたパターン形成方法
TW201323461A (zh) * 2011-09-06 2013-06-16 Univ Cornell 嵌段共聚物及利用彼等之蝕印圖案化
JP5793399B2 (ja) 2011-11-04 2015-10-14 富士フイルム株式会社 パターン形成方法及びその方法に用いる架橋層形成用組成物
KR102028109B1 (ko) * 2011-12-23 2019-11-15 금호석유화학 주식회사 미세패턴 형성용 수용성 수지 조성물 및 이를 이용한 미세패턴의 형성방법
JP5979660B2 (ja) 2012-02-09 2016-08-24 東京応化工業株式会社 コンタクトホールパターンの形成方法
JP5891075B2 (ja) 2012-03-08 2016-03-22 東京応化工業株式会社 ブロックコポリマー含有組成物及びパターンの縮小方法
KR20150036130A (ko) * 2012-06-29 2015-04-07 제이에스알 가부시끼가이샤 패턴 형성용 조성물 및 패턴 형성 방법
US9606440B2 (en) 2013-02-25 2017-03-28 The University Of Queensland Lithographically produced features
FR3003257B1 (fr) * 2013-03-13 2015-03-20 Polymem Copolymere a blocs amphiphile et son utilisation pour la fabrication de membranes polymeres de filtration
KR20140120212A (ko) 2013-04-02 2014-10-13 주식회사 동진쎄미켐 미세패턴 형성용 코팅 조성물 및 이를 이용한 미세패턴 형성방법
US9382444B2 (en) * 2013-06-24 2016-07-05 Dow Global Technologies Llc Neutral layer polymers, methods of manufacture thereof and articles comprising the same
JP6134619B2 (ja) 2013-09-13 2017-05-24 富士フイルム株式会社 パターン形成方法、及び、電子デバイスの製造方法
JP6233240B2 (ja) * 2013-09-26 2017-11-22 信越化学工業株式会社 パターン形成方法
KR102198023B1 (ko) 2013-10-30 2021-01-05 삼성전자주식회사 반도체 소자의 패턴 형성방법
KR20150101875A (ko) * 2014-02-27 2015-09-04 삼성전자주식회사 블록 공중합체를 이용한 미세 패턴 형성 방법
JP6459759B2 (ja) 2014-05-26 2019-01-30 信越化学工業株式会社 パターン形成方法及びシュリンク剤
US9448483B2 (en) 2014-07-31 2016-09-20 Dow Global Technologies Llc Pattern shrink methods
JP6483397B2 (ja) * 2014-10-17 2019-03-13 東京応化工業株式会社 レジストパターン形成方法
JP6332113B2 (ja) * 2014-12-08 2018-05-30 信越化学工業株式会社 シュリンク材料及びパターン形成方法

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