JP2017010015A5 - - Google Patents
Download PDFInfo
- Publication number
- JP2017010015A5 JP2017010015A5 JP2016111064A JP2016111064A JP2017010015A5 JP 2017010015 A5 JP2017010015 A5 JP 2017010015A5 JP 2016111064 A JP2016111064 A JP 2016111064A JP 2016111064 A JP2016111064 A JP 2016111064A JP 2017010015 A5 JP2017010015 A5 JP 2017010015A5
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- pattern
- substrate
- pattern processing
- feature
- processing method
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 12
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 6
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims description 4
- 238000003672 processing method Methods 0.000 claims description 3
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 claims description 2
- 230000007261 regionalization Effects 0.000 claims 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 4
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 2
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 1
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 229910021421 monocrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 1
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 1
- 229910052904 quartz Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Description
本発明のさらなる態様に従って、パターン処理法が提供される。本方法は、(a)表面上にパターン形成された特徴部を備える半導体基板を提供することと、(b)本明細書に記載のパターン処理組成物をパターン形成された特徴部に塗布することと、(c)残留パターン処理組成物を基板からすすいで、パターン形成された特徴部に結合した第1のポリマーの一部を残すこととを含む。
図1Aは、様々な層及び特徴部を含み得る基板100の断面を示す。基板は、半導体、例えば、シリコンまたは化合物半導体(例えば、III−VまたはII−VI)、ガラス、石英、セラミック、銅等の材料のものである。典型的には、基板は、単結晶シリコンまたは化合物半導体ウエハ等の半導体ウエハであり、その表面上に形成された1つ以上の層及びパターン形成された特徴部を有し得る。パターン形成される1つ以上の層102が基板100上に提供される。任意に、例えば、基板材料内での溝の形成が所望される場合に、下位のベース基板材料自体がパターン形成され得る。ベース基板材料自体をパターン形成する場合、パターンは、基板の層内に形成されると見なされるべきである。
Claims (1)
- パターン処理法であって、
(a)表面にパターン形成された特徴部を備える半導体基板を提供することと、
(b)請求項1〜10のいずれか一項に記載のパターン処理組成物を前記パターン形成された特徴部に塗布することと、
(c)残留パターン処理組成物を前記基板からすすいで、前記パターン形成された特徴部に結合した前記第1のポリマーの一部を残すことと、を含む、前記パターン処理法。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US201562170534P | 2015-06-03 | 2015-06-03 | |
US62/170,534 | 2015-06-03 |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2017010015A JP2017010015A (ja) | 2017-01-12 |
JP2017010015A5 true JP2017010015A5 (ja) | 2017-08-31 |
JP6231161B2 JP6231161B2 (ja) | 2017-11-15 |
Family
ID=57452864
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2016111064A Expired - Fee Related JP6231161B2 (ja) | 2015-06-03 | 2016-06-02 | パターン処理のための組成物及び方法 |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US9703203B2 (ja) |
JP (1) | JP6231161B2 (ja) |
KR (1) | KR101809571B1 (ja) |
CN (1) | CN106243513A (ja) |
TW (1) | TWI627220B (ja) |
Families Citing this family (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2018537703A (ja) * | 2015-11-19 | 2018-12-20 | アーゼッド・エレクトロニック・マテリアルズ(ルクセンブルグ)ソシエテ・ア・レスポンサビリテ・リミテ | 微細レジストパターン形成用組成物およびそれを用いたパターン形成方法 |
US10162265B2 (en) | 2015-12-09 | 2018-12-25 | Rohm And Haas Electronic Materials Llc | Pattern treatment methods |
KR102393027B1 (ko) * | 2016-07-07 | 2022-05-02 | 제이에스알 가부시끼가이샤 | 패턴 형성용 조성물 및 패턴 형성 방법 |
US9910355B2 (en) * | 2016-07-29 | 2018-03-06 | Rohm And Haas Electronic Materials Llc | Method of negative tone development using a copolymer multilayer electrolyte and articles made therefrom |
US9910353B2 (en) * | 2016-07-29 | 2018-03-06 | Dow Global Technologies Llc | Method of negative tone development using a copolymer multilayer electrolyte and articles made therefrom |
Family Cites Families (30)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4665131A (en) * | 1985-06-14 | 1987-05-12 | Nippon Oil And Fats Company, Ltd. | Block copolymer |
US6790908B2 (en) * | 2002-05-09 | 2004-09-14 | Rhodia Inc. | Block copolymer |
US7135506B2 (en) * | 2002-09-27 | 2006-11-14 | Fuji Photo Film Co., Ltd. | Oil based ink composition for inkjet printer and method of forming image using the same |
JP3675434B2 (ja) | 2002-10-10 | 2005-07-27 | 東京応化工業株式会社 | 微細パターンの形成方法 |
JP4859437B2 (ja) * | 2005-10-25 | 2012-01-25 | 大阪有機化学工業株式会社 | 被膜形成用樹脂組成物 |
JP5069494B2 (ja) * | 2007-05-01 | 2012-11-07 | AzエレクトロニックマテリアルズIp株式会社 | 微細化パターン形成用水溶性樹脂組成物およびこれを用いた微細パターン形成方法 |
US7985534B2 (en) | 2007-05-15 | 2011-07-26 | Fujifilm Corporation | Pattern forming method |
US7763319B2 (en) * | 2008-01-11 | 2010-07-27 | International Business Machines Corporation | Method of controlling orientation of domains in block copolymer films |
US7745077B2 (en) | 2008-06-18 | 2010-06-29 | Az Electronic Materials Usa Corp. | Composition for coating over a photoresist pattern |
US8821978B2 (en) | 2009-12-18 | 2014-09-02 | International Business Machines Corporation | Methods of directed self-assembly and layered structures formed therefrom |
US8975327B2 (en) * | 2010-11-24 | 2015-03-10 | Dow Corning Corporation | Controlling morphology of block copolymers |
JP5705669B2 (ja) * | 2011-07-14 | 2015-04-22 | メルクパフォーマンスマテリアルズIp合同会社 | 微細パターン形成用組成物およびそれを用いた微細化されたパターン形成方法 |
TW201323461A (zh) * | 2011-09-06 | 2013-06-16 | Univ Cornell | 嵌段共聚物及利用彼等之蝕印圖案化 |
JP5793399B2 (ja) | 2011-11-04 | 2015-10-14 | 富士フイルム株式会社 | パターン形成方法及びその方法に用いる架橋層形成用組成物 |
KR102028109B1 (ko) * | 2011-12-23 | 2019-11-15 | 금호석유화학 주식회사 | 미세패턴 형성용 수용성 수지 조성물 및 이를 이용한 미세패턴의 형성방법 |
JP5979660B2 (ja) | 2012-02-09 | 2016-08-24 | 東京応化工業株式会社 | コンタクトホールパターンの形成方法 |
JP5891075B2 (ja) | 2012-03-08 | 2016-03-22 | 東京応化工業株式会社 | ブロックコポリマー含有組成物及びパターンの縮小方法 |
KR20150036130A (ko) * | 2012-06-29 | 2015-04-07 | 제이에스알 가부시끼가이샤 | 패턴 형성용 조성물 및 패턴 형성 방법 |
US9606440B2 (en) | 2013-02-25 | 2017-03-28 | The University Of Queensland | Lithographically produced features |
FR3003257B1 (fr) * | 2013-03-13 | 2015-03-20 | Polymem | Copolymere a blocs amphiphile et son utilisation pour la fabrication de membranes polymeres de filtration |
KR20140120212A (ko) | 2013-04-02 | 2014-10-13 | 주식회사 동진쎄미켐 | 미세패턴 형성용 코팅 조성물 및 이를 이용한 미세패턴 형성방법 |
US9382444B2 (en) * | 2013-06-24 | 2016-07-05 | Dow Global Technologies Llc | Neutral layer polymers, methods of manufacture thereof and articles comprising the same |
JP6134619B2 (ja) | 2013-09-13 | 2017-05-24 | 富士フイルム株式会社 | パターン形成方法、及び、電子デバイスの製造方法 |
JP6233240B2 (ja) * | 2013-09-26 | 2017-11-22 | 信越化学工業株式会社 | パターン形成方法 |
KR102198023B1 (ko) | 2013-10-30 | 2021-01-05 | 삼성전자주식회사 | 반도체 소자의 패턴 형성방법 |
KR20150101875A (ko) * | 2014-02-27 | 2015-09-04 | 삼성전자주식회사 | 블록 공중합체를 이용한 미세 패턴 형성 방법 |
JP6459759B2 (ja) | 2014-05-26 | 2019-01-30 | 信越化学工業株式会社 | パターン形成方法及びシュリンク剤 |
US9448483B2 (en) | 2014-07-31 | 2016-09-20 | Dow Global Technologies Llc | Pattern shrink methods |
JP6483397B2 (ja) * | 2014-10-17 | 2019-03-13 | 東京応化工業株式会社 | レジストパターン形成方法 |
JP6332113B2 (ja) * | 2014-12-08 | 2018-05-30 | 信越化学工業株式会社 | シュリンク材料及びパターン形成方法 |
-
2016
- 2016-05-30 TW TW105116936A patent/TWI627220B/zh not_active IP Right Cessation
- 2016-06-01 CN CN201610382359.9A patent/CN106243513A/zh active Pending
- 2016-06-02 KR KR1020160069076A patent/KR101809571B1/ko active IP Right Grant
- 2016-06-02 JP JP2016111064A patent/JP6231161B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2016-06-03 US US15/172,260 patent/US9703203B2/en not_active Expired - Fee Related
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP2017010015A5 (ja) | ||
WO2019099171A3 (en) | Fabrication methods | |
JP2017016104A5 (ja) | ||
JP2017010016A5 (ja) | ||
JP2016224448A5 (ja) | ||
JP2015042788A5 (ja) | ||
JP2016149546A5 (ja) | ||
WO2016014648A3 (en) | Polyimides as laser release materials for 3-d ic applications | |
WO2007002426A3 (en) | Semiconductor device structures and methods of forming semiconductor structures | |
JP2020505769A5 (ja) | ||
JP2017034246A5 (ja) | 半導体装置の作製方法 | |
JP2017520906A5 (ja) | ||
JP5768074B2 (ja) | パターン形成方法 | |
ATE524827T1 (de) | Verfahren zum transfer einer schicht gespannten halbleitermaterials | |
JP2016095504A5 (ja) | ||
JP2016529708A5 (ja) | ||
JP2016046530A5 (ja) | 半導体装置の作製方法 | |
JP2016066793A5 (ja) | ||
JP2018517300A5 (ja) | ||
CN109863259A8 (zh) | 母板、母板的制造方法、掩模的制造方法及oled像素蒸镀方法 | |
EP3389083A4 (en) | WET ETCHING COMPOSITION FOR SUBSTRATE HAVING SiN LAYER AND Si LAYER AND WET ETCHING METHOD USING SAME | |
WO2015134200A3 (en) | Baking tool for improved wafer coating process | |
JP2015214448A5 (ja) | ||
JP2009117688A5 (ja) | ||
WO2016060455A3 (ko) | 박막 트랜지스터 제조 방법 및 박막 트랜지스터 |