JP6459759B2 - パターン形成方法及びシュリンク剤 - Google Patents
パターン形成方法及びシュリンク剤 Download PDFInfo
- Publication number
- JP6459759B2 JP6459759B2 JP2015092599A JP2015092599A JP6459759B2 JP 6459759 B2 JP6459759 B2 JP 6459759B2 JP 2015092599 A JP2015092599 A JP 2015092599A JP 2015092599 A JP2015092599 A JP 2015092599A JP 6459759 B2 JP6459759 B2 JP 6459759B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- methyl
- solvent
- ether
- carbon atoms
- group
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 0 CCC1(CC2=C*(C)CC2(C)C(C)(C)O)CCCC1 Chemical compound CCC1(CC2=C*(C)CC2(C)C(C)(C)O)CCCC1 0.000 description 3
Images
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
- C08L—COMPOSITIONS OF MACROMOLECULAR COMPOUNDS
- C08L33/00—Compositions of homopolymers or copolymers of compounds having one or more unsaturated aliphatic radicals, each having only one carbon-to-carbon double bond, and only one being terminated by only one carboxyl radical, or of salts, anhydrides, esters, amides, imides or nitriles thereof; Compositions of derivatives of such polymers
- C08L33/04—Homopolymers or copolymers of esters
- C08L33/14—Homopolymers or copolymers of esters of esters containing halogen, nitrogen, sulfur, or oxygen atoms in addition to the carboxy oxygen
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
- C08F—MACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED BY REACTIONS ONLY INVOLVING CARBON-TO-CARBON UNSATURATED BONDS
- C08F226/00—Copolymers of compounds having one or more unsaturated aliphatic radicals, each having only one carbon-to-carbon double bond, and at least one being terminated by a single or double bond to nitrogen or by a heterocyclic ring containing nitrogen
- C08F226/02—Copolymers of compounds having one or more unsaturated aliphatic radicals, each having only one carbon-to-carbon double bond, and at least one being terminated by a single or double bond to nitrogen or by a heterocyclic ring containing nitrogen by a single or double bond to nitrogen
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
- C08F—MACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED BY REACTIONS ONLY INVOLVING CARBON-TO-CARBON UNSATURATED BONDS
- C08F26/00—Homopolymers and copolymers of compounds having one or more unsaturated aliphatic radicals, each having only one carbon-to-carbon double bond, and at least one being terminated by a single or double bond to nitrogen or by a heterocyclic ring containing nitrogen
- C08F26/06—Homopolymers and copolymers of compounds having one or more unsaturated aliphatic radicals, each having only one carbon-to-carbon double bond, and at least one being terminated by a single or double bond to nitrogen or by a heterocyclic ring containing nitrogen by a heterocyclic ring containing nitrogen
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
- C08L—COMPOSITIONS OF MACROMOLECULAR COMPOUNDS
- C08L39/00—Compositions of homopolymers or copolymers of compounds having one or more unsaturated aliphatic radicals, each having only one carbon-to-carbon double bond, and at least one being terminated by a single or double bond to nitrogen or by a heterocyclic ring containing nitrogen; Compositions of derivatives of such polymers
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09D—COATING COMPOSITIONS, e.g. PAINTS, VARNISHES OR LACQUERS; FILLING PASTES; CHEMICAL PAINT OR INK REMOVERS; INKS; CORRECTING FLUIDS; WOODSTAINS; PASTES OR SOLIDS FOR COLOURING OR PRINTING; USE OF MATERIALS THEREFOR
- C09D133/00—Coating compositions based on homopolymers or copolymers of compounds having one or more unsaturated aliphatic radicals, each having only one carbon-to-carbon double bond, and at least one being terminated by only one carboxyl radical, or of salts, anhydrides, esters, amides, imides, or nitriles thereof; Coating compositions based on derivatives of such polymers
- C09D133/04—Homopolymers or copolymers of esters
- C09D133/14—Homopolymers or copolymers of esters of esters containing halogen, nitrogen, sulfur or oxygen atoms in addition to the carboxy oxygen
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/004—Photosensitive materials
- G03F7/0045—Photosensitive materials with organic non-macromolecular light-sensitive compounds not otherwise provided for, e.g. dissolution inhibitors
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/004—Photosensitive materials
- G03F7/0046—Photosensitive materials with perfluoro compounds, e.g. for dry lithography
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/004—Photosensitive materials
- G03F7/039—Macromolecular compounds which are photodegradable, e.g. positive electron resists
- G03F7/0392—Macromolecular compounds which are photodegradable, e.g. positive electron resists the macromolecular compound being present in a chemically amplified positive photoresist composition
- G03F7/0397—Macromolecular compounds which are photodegradable, e.g. positive electron resists the macromolecular compound being present in a chemically amplified positive photoresist composition the macromolecular compound having an alicyclic moiety in a side chain
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/004—Photosensitive materials
- G03F7/09—Photosensitive materials characterised by structural details, e.g. supports, auxiliary layers
- G03F7/11—Photosensitive materials characterised by structural details, e.g. supports, auxiliary layers having cover layers or intermediate layers, e.g. subbing layers
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/20—Exposure; Apparatus therefor
- G03F7/2041—Exposure; Apparatus therefor in the presence of a fluid, e.g. immersion; using fluid cooling means
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/26—Processing photosensitive materials; Apparatus therefor
- G03F7/30—Imagewise removal using liquid means
- G03F7/32—Liquid compositions therefor, e.g. developers
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/26—Processing photosensitive materials; Apparatus therefor
- G03F7/30—Imagewise removal using liquid means
- G03F7/32—Liquid compositions therefor, e.g. developers
- G03F7/325—Non-aqueous compositions
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/26—Processing photosensitive materials; Apparatus therefor
- G03F7/40—Treatment after imagewise removal, e.g. baking
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/26—Processing photosensitive materials; Apparatus therefor
- G03F7/40—Treatment after imagewise removal, e.g. baking
- G03F7/405—Treatment with inorganic or organometallic reagents after imagewise removal
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/027—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34
- H01L21/0271—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising organic layers
- H01L21/0273—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising organic layers characterised by the treatment of photoresist layers
- H01L21/0274—Photolithographic processes
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
- C08F—MACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED BY REACTIONS ONLY INVOLVING CARBON-TO-CARBON UNSATURATED BONDS
- C08F220/00—Copolymers of compounds having one or more unsaturated aliphatic radicals, each having only one carbon-to-carbon double bond, and only one being terminated by only one carboxyl radical or a salt, anhydride ester, amide, imide or nitrile thereof
- C08F220/02—Monocarboxylic acids having less than ten carbon atoms; Derivatives thereof
- C08F220/10—Esters
- C08F220/26—Esters containing oxygen in addition to the carboxy oxygen
- C08F220/28—Esters containing oxygen in addition to the carboxy oxygen containing no aromatic rings in the alcohol moiety
- C08F220/281—Esters containing oxygen in addition to the carboxy oxygen containing no aromatic rings in the alcohol moiety and containing only one oxygen, e.g. furfuryl (meth)acrylate or 2-methoxyethyl (meth)acrylate
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
- C08F—MACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED BY REACTIONS ONLY INVOLVING CARBON-TO-CARBON UNSATURATED BONDS
- C08F220/00—Copolymers of compounds having one or more unsaturated aliphatic radicals, each having only one carbon-to-carbon double bond, and only one being terminated by only one carboxyl radical or a salt, anhydride ester, amide, imide or nitrile thereof
- C08F220/02—Monocarboxylic acids having less than ten carbon atoms; Derivatives thereof
- C08F220/10—Esters
- C08F220/26—Esters containing oxygen in addition to the carboxy oxygen
- C08F220/28—Esters containing oxygen in addition to the carboxy oxygen containing no aromatic rings in the alcohol moiety
- C08F220/283—Esters containing oxygen in addition to the carboxy oxygen containing no aromatic rings in the alcohol moiety and containing one or more carboxylic moiety in the chain, e.g. acetoacetoxyethyl(meth)acrylate
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
- C08F—MACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED BY REACTIONS ONLY INVOLVING CARBON-TO-CARBON UNSATURATED BONDS
- C08F220/00—Copolymers of compounds having one or more unsaturated aliphatic radicals, each having only one carbon-to-carbon double bond, and only one being terminated by only one carboxyl radical or a salt, anhydride ester, amide, imide or nitrile thereof
- C08F220/02—Monocarboxylic acids having less than ten carbon atoms; Derivatives thereof
- C08F220/10—Esters
- C08F220/26—Esters containing oxygen in addition to the carboxy oxygen
- C08F220/30—Esters containing oxygen in addition to the carboxy oxygen containing aromatic rings in the alcohol moiety
- C08F220/301—Esters containing oxygen in addition to the carboxy oxygen containing aromatic rings in the alcohol moiety and one oxygen in the alcohol moiety
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
- C08F—MACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED BY REACTIONS ONLY INVOLVING CARBON-TO-CARBON UNSATURATED BONDS
- C08F220/00—Copolymers of compounds having one or more unsaturated aliphatic radicals, each having only one carbon-to-carbon double bond, and only one being terminated by only one carboxyl radical or a salt, anhydride ester, amide, imide or nitrile thereof
- C08F220/02—Monocarboxylic acids having less than ten carbon atoms; Derivatives thereof
- C08F220/10—Esters
- C08F220/26—Esters containing oxygen in addition to the carboxy oxygen
- C08F220/30—Esters containing oxygen in addition to the carboxy oxygen containing aromatic rings in the alcohol moiety
- C08F220/303—Esters containing oxygen in addition to the carboxy oxygen containing aromatic rings in the alcohol moiety and one or more carboxylic moieties in the chain
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
- C08F—MACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED BY REACTIONS ONLY INVOLVING CARBON-TO-CARBON UNSATURATED BONDS
- C08F220/00—Copolymers of compounds having one or more unsaturated aliphatic radicals, each having only one carbon-to-carbon double bond, and only one being terminated by only one carboxyl radical or a salt, anhydride ester, amide, imide or nitrile thereof
- C08F220/02—Monocarboxylic acids having less than ten carbon atoms; Derivatives thereof
- C08F220/10—Esters
- C08F220/34—Esters containing nitrogen, e.g. N,N-dimethylaminoethyl (meth)acrylate
- C08F220/343—Esters containing nitrogen, e.g. N,N-dimethylaminoethyl (meth)acrylate in the form of urethane links
- C08F220/346—Esters containing nitrogen, e.g. N,N-dimethylaminoethyl (meth)acrylate in the form of urethane links and further oxygen
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
- C08F—MACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED BY REACTIONS ONLY INVOLVING CARBON-TO-CARBON UNSATURATED BONDS
- C08F220/00—Copolymers of compounds having one or more unsaturated aliphatic radicals, each having only one carbon-to-carbon double bond, and only one being terminated by only one carboxyl radical or a salt, anhydride ester, amide, imide or nitrile thereof
- C08F220/02—Monocarboxylic acids having less than ten carbon atoms; Derivatives thereof
- C08F220/10—Esters
- C08F220/38—Esters containing sulfur
- C08F220/382—Esters containing sulfur and containing oxygen, e.g. 2-sulfoethyl (meth)acrylate
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
- C08L—COMPOSITIONS OF MACROMOLECULAR COMPOUNDS
- C08L2312/00—Crosslinking
- C08L2312/06—Crosslinking by radiation
Description
〔1〕
カルボキシル基が酸不安定基で置換された繰り返し単位を有する高分子化合物と、酸発生剤と、有機溶剤とを含むレジスト組成物を基板上に塗布し、加熱処理後に高エネルギー線でレジスト膜を露光し、加熱処理後に有機溶剤の現像液を用いてネガパターンを形成し、その上に、下記一般式(1)で示される3級のアミノ基を有する繰り返し単位を含有するポリマー(但し、前記3級のアミノ基を有する繰り返し単位を得るために用いるモノマーが下記構造
〔2〕
一般式(1)で示されるコポリマー又はホモポリマーを含有するシュリンク剤の溶剤が、炭素数6〜12のエーテル系溶剤、炭素数4〜10のアルコール系溶剤、炭素数6〜12の炭化水素系溶剤、炭素数6〜16のエステル系溶剤、又は炭素数7〜16のケトン系溶剤であり、現像後のパターンの膜に30秒間、該溶剤に触れた時の膜減りが10nm以下であることを特徴とする〔1〕記載のパターン形成方法。
〔3〕
炭素数6〜12のエーテル系溶剤、炭素数4〜10のアルコール系溶剤、炭素数6〜12の炭化水素系溶剤、炭素数6〜16のエステル系溶剤、炭素数7〜16のケトン系溶剤から選ばれる溶剤が、ジ−n−ブチルエーテル、ジ−イソブチルエーテル、ジ−sec−ブチルエーテル、ジ−n−ペンチルエーテル、ジイソペンチルエーテル、ジ−sec−ペンチルエーテル、ジ−tert−アミルエーテル、ジ−n−ヘキシルエーテル、メチルシクロペンチルエーテル、メチルシクロヘキシルエーテル、メチルフェニルエーテル、メチルベンジルエーテル、エチルシクロペンチルエーテル、エチルシクロヘキシルエーテル、エチルフェニルエーテル、エチルベンジルエーテル、1−ブチルアルコール、2−ブチルアルコール、イソブチルアルコール、tert−ブチルアルコール、1−ペンタノール、2−ペンタノール、3−ペンタノール、tert−アミルアルコール、ネオペンチルアルコール、2−メチル−1−ブタノール、3−メチル−1−ブタノール、3−メチル−3−ペンタノール、シクロペンタノール、1−ヘキサノール、2−ヘキサノール、3−ヘキサノール、2,3−ジメチル−2−ブタノール、3,3−ジメチル−1−ブタノール、3,3−ジメチル−2−ブタノール、2−エチル−1−ブタノール、2−メチル−1−ペンタノール、2−メチル−2−ペンタノール、2−メチル−3−ペンタノール、3−メチル−1−ペンタノール、3−メチル−2−ペンタノール、3−メチル−3−ペンタノール、4−メチル−1−ペンタノール、4−メチル−2−ペンタノール、4−メチル−3−ペンタノール、シクロヘキサノール、1−オクタノール、ベンゼン、トルエン、キシレン、メシチレン、エチルベンゼン、n−プロピルベンゼン、クメン、n−ブチルベンゼン、シメン、アミルベンゼン、ジエチルベンゼン、オクタン、ノナン、デカン、テレピン油、ピネン、2−オクタノン、2−ノナノン、2−ヘプタノン、3−ヘプタノン、4−ヘプタノン、ジイソブチルケトン、メチルシクロヘキサノン、アセトフェノン、メチルアセトフェノン、エチル−n−ブチルケトン、ジ−n−ブチルケトン、酢酸ブチル、ホロン酸アミル、酢酸アミル、酢酸イソアミル、酢酸2−エチルヘキシル、酢酸シクロヘキシル、酢酸メチルシクロヘキシル、蟻酸ヘキシル、吉草酸エチル、吉草酸プロピル、吉草酸イソプロピル、吉草酸ブチル、吉草酸イソブチル、吉草酸tert−ブチル、吉草酸アミル、吉草酸イソアミル、イソ吉草酸エチル、イソ吉草酸プロピル、イソ吉草酸イソプロピル、イソ吉草酸ブチル、イソ吉草酸イソブチル、イソ吉草酸tert−ブチル、イソ吉草酸イソアミル、ピバル酸エチル、ピバル酸プロピル、ピバル酸イソプロピル、ピバル酸ブチル、ピバル酸tert−ブチル、ペンテン酸エチル、ペンテン酸プロピル、ペンテン酸イソプロピル、ペンテン酸ブチル、ペンテン酸tert−ブチル、クロトン酸プロピル、クロトン酸イソプロピル、クロトン酸ブチル、クロトン酸tert−ブチル、プロピオン酸ブチル、プロピオン酸イソブチル、プロピオン酸tert−ブチル、プロピオン酸ベンジル、酪酸プロピル、酪酸ブチル、酪酸イソブチル、酪酸tert−ブチル、安息香酸メチル、安息香酸エチル、安息香酸プロピル、安息香酸ブチル、酢酸フェニル、酢酸ベンジル、フェニル酢酸メチル、蟻酸ベンジル、蟻酸フェニルエチル、3−フェニルプロピオン酸メチル、フェニル酢酸エチル、酢酸2−フェニルエチルから選ばれる1種以上を含む単独又は混合溶剤であることを特徴とする〔1〕又は〔2〕に記載のパターン形成方法。
〔4〕
シュリンク剤の除去溶剤として、前記炭素数6〜12のエーテル系溶剤、炭素数4〜10のアルコール系溶剤、炭素数6〜12の炭化水素系溶剤、炭素数6〜16のエステル系溶剤、又は炭素数7〜16のケトン系溶剤を用いることを特徴とする〔1〕〜〔3〕のいずれかに記載のパターン形成方法。
〔5〕
レジスト組成物における高分子化合物が、下記一般式(2)で示される繰り返し単位bを有することを特徴とする〔1〕〜〔4〕のいずれかに記載のパターン形成方法。
(式中、R5は水素原子又はメチル基を示す。R6は酸不安定基である。Yは単結合又は−C(=O)−O−R7−であり、R7は炭素数1〜10の直鎖状、分岐状又は環状のアルキレン基で、エーテル基又はエステル基を有していてもよく、又はナフチレン基である。bは0<b<1.0の範囲である。)
〔6〕
現像液が、2−オクタノン、2−ノナノン、2−ヘプタノン、3−ヘプタノン、4−ヘプタノン、2−ヘキサノン、3−ヘキサノン、ジイソブチルケトン、メチルシクロヘキサノン、アセトフェノン、メチルアセトフェノン、酢酸プロピル、酢酸ブチル、酢酸イソブチル、酢酸アミル、酢酸ブテニル、酢酸イソアミル、蟻酸プロピル、蟻酸ブチル、蟻酸イソブチル、蟻酸アミル、蟻酸イソアミル、吉草酸メチル、ペンテン酸メチル、クロトン酸メチル、クロトン酸エチル、プロピオン酸メチル、プロピオン酸エチル、3−エトキシプロピオン酸エチル、乳酸メチル、乳酸エチル、乳酸プロピル、乳酸ブチル、乳酸イソブチル、乳酸アミル、乳酸イソアミル、2−ヒドロキシイソ酪酸メチル、2−ヒドロキシイソ酪酸エチル、安息香酸メチル、安息香酸エチル、酢酸フェニル、酢酸ベンジル、フェニル酢酸メチル、蟻酸ベンジル、蟻酸フェニルエチル、3−フェニルプロピオン酸メチル、プロピオン酸ベンジル、フェニル酢酸エチル、酢酸2−フェニルエチルから選ばれる1種以上であり、現像後ネガパターンを形成することを特徴とする〔1〕〜〔5〕のいずれかに記載のパターン形成方法。
〔7〕
レジストパターンのスペース部分の寸法を縮小させるシュリンク剤であって、下記一般式(1)で示される3級のアミノ基を有する繰り返し単位を含有するポリマー(但し、前記3級のアミノ基を有する繰り返し単位を得るために用いるモノマーが下記構造
(式中、R1は水素原子又はメチル基である。Xは単結合、フェニレン基、又は−C(=O)−O−である。mは1又は2であり、mが1の場合、R2は単結合、又は炭素数1〜10の直鎖状、分岐状又は環状のアルキレン基であり、エーテル基、エステル基、−N=又は−S−を有していてもよく、あるいはフェニレン基又はナフチレン基である。mが2の場合、R2は、上記mが1の場合のR2のアルキレン基、フェニレン基又はナフチレン基より水素原子が1個脱離した三価の基である。R3、R4は炭素数1〜4の直鎖状又は分岐状のアルキル基であり、R3とR4が結合してこれらが結合する窒素原子と共に環を形成してもよく、環の中にエーテル結合を有していてもよく、R3とR4のどちらか一方がR2と結合してこれらが結合する窒素原子と共に環を形成してもよい。0<a≦1.0である。)
即ち、本発明者らは、種々検討した結果、3級のアミノ基を繰り返し単位として有するポリマーを、炭素数6〜12のエーテル系溶剤、炭素数4〜10のアルコール系溶剤、炭素数6〜12の炭化水素系溶剤、炭素数6〜16のエステル系溶剤、又は炭素数7〜16のケトン系溶剤に溶解させた材料をシュリンク剤とし、これを現像後のレジストパターン上に塗布し、ベークし、次いで炭素数6〜12のエーテル系溶剤、炭素数4〜10のアルコール系溶剤、炭素数6〜12の炭化水素系溶剤、炭素数6〜16のエステル系溶剤、又は炭素数7〜16のケトン系溶剤によって余分な該材料を剥離し、レジストパターンのスペース部分の寸法を寸法制御よく縮小させることを見出し、本発明を完成させたものである。
(式中、R1は水素原子又はメチル基である。Xは単結合、フェニレン基、又は−C(=O)−O−である。mは1又は2であり、mが1の場合、R2は単結合、又は炭素数1〜10の直鎖状、分岐状又は環状のアルキレン基であり、エーテル基、エステル基、−N=又は−S−を有していてもよく、あるいはフェニレン基又はナフチレン基である。mが2の場合、R2は、上記mが1の場合のR2のアルキレン基、フェニレン基又はナフチレン基より水素原子が1個脱離した三価の基である。R3、R4は炭素数1〜4の直鎖状又は分岐状のアルキル基であり、R3とR4が結合してこれらが結合する窒素原子と共に環を形成してもよく、環の中にエーテル結合を有していてもよく、R3とR4のどちらか一方がR2と結合してこれらが結合する窒素原子と共に環を形成してもよい。0<a≦1.0である。)
(式中、R5は水素原子又はメチル基を示す。R6は酸不安定基である。Yは単結合又は−C(=O)−O−R7−であり、R7は炭素数1〜10の直鎖状、分岐状又は環状のアルキレン基で、エーテル基又はエステル基を有していてもよく、又はナフチレン基である。bは0<b<1.0の範囲である。)
また、組成比率や分子量分布や分子量が異なる2つ以上のポリマーをブレンドすることも可能である。
また、特開2008−158339号公報に記載されているα位がフッ素化されていないスルホン酸、特許第3991462号公報に記載のカルボン酸のスルホニウム塩、ヨードニウム塩、アンモニウム塩等のオニウム塩をクエンチャーとして併用することもできる。
また、溶解制御剤、界面活性剤、アセチレンアルコール類の配合量は、その配合目的に応じて適宜選定し得る。
炭素数8〜12のエーテル化合物としては、ジ−n−ブチルエーテル、ジイソブチルエーテル、ジ−sec−ブチルエーテル、ジ−n−ペンチルエーテル、ジイソペンチルエーテル、ジ−sec−ペンチルエーテル、ジ−tert−アミルエーテル、ジ−n−ヘキシルエーテルから選ばれる1種以上の溶剤が挙げられる。
前述の溶剤に加えてトルエン、キシレン、エチルベンゼン、イソプロピルベンゼン、tert−ブチルベンゼン、メシチレン等の芳香族系の溶剤を用いることもできる。リンス液をかけた後はスピンドライとベークによって乾燥を行う。リンスは必ずしも必要ではなく、現像液のスピンドライによって乾燥を行い、リンスを省略することもできる。
各々のモノマーを組み合わせてテトラヒドロフラン溶剤下で共重合反応を行い、メタノールに晶出し、更にヘキサンで洗浄を繰り返した後に単離、乾燥して、以下に示す組成のランダムコポリマーの高分子化合物(ポリマー1〜8、ブレンドポリマー1、比較ポリマー1,2、レジストポリマー1、撥水性ポリマー1)を得た。得られた高分子化合物の組成は1H−NMR、分子量及び分散度はゲルパーミエーションクロマトグラフにより確認した。
シュリンク剤に用いるブロックコポリマーを得るために下記RAFT重合によってブロックコポリマー1を得た。
窒素雰囲気下、スチレン2.1gと、2−シアノ−2−プロピルベンゾジチオエート0.15g、2,2’−アゾビスイソブチロニトリル0.04gをメチルエチルケトン11gに溶解させ、その溶液を窒素雰囲気下80℃で4時間撹拌した。続けてメタクリル酸2−(ジメチルアミノ)エチル3.1gをメチルエチルケトン3gに溶解させた溶液を滴下し、80℃で更に4時間撹拌した。その後、室温まで冷却した後、重合液を300gのヘキサンに滴下した。析出した固形物を濾別し、ヘキサン120gで洗浄し、60℃で15時間真空乾燥して、下記に示すブロックコポリマー1を得た。
ブロックコポリマー1
分子量(Mw)=26,000
分散度(Mw/Mn)=1.20
上記で合成した高分子化合物(ポリマー1〜8、ブレンドポリマー1、比較ポリマー1,2、ブロックコポリマー1)、酸発生剤やスルホニウム塩などの添加剤、溶剤を混合し、0.2μmのテフロン(登録商標)フィルターで濾過した溶液を調製した。比較シュリンク剤1では、比較ポリマー1が溶剤に溶解しなかった。
上記した高分子化合物(レジストポリマー1)を用いて、下記表2に示す組成で溶解させた住友3M社製の界面活性剤FC−4430を100ppm含有する溶液を0.2μmサイズのフィルターで濾過してレジスト溶液を調製した。
表2に示す組成で調製したレジスト組成物を、シリコンウエハーに信越化学工業(株)製スピンオンカーボン膜ODL−102を200nm、その上に珪素含有スピンオンハードマスクSHB−A940を35nmの膜厚で成膜したトライレイヤープロセス用の基板上にスピンコーティングし、ホットプレートを用いて100℃で60秒間ベークし、レジスト膜の厚みを100nmにした。これをArFエキシマレーザー液浸スキャナー((株)ニコン製、NSR−610C、NA1.30、σ0.98/0.78、ダイポール開口20度、Azimuthally偏光照明、6%ハーフトーン位相シフトマスク)を用いて露光量を変化させながら露光を行い、露光後90℃で60秒間ベーク(PEB)し、酢酸n−ブチルで30秒間パドル現像してピッチが100nmで45nmのトレンチパターンを形成した。現像後のレジストパターン上に表1に記載のシュリンク剤を塗布し、表3に記載の温度で60秒間ベークし、4−メチル−2−ペンタノール溶液を200rpmで回転しながらディスペンスして余分なシュリンク剤を剥離した。現像後とシュリンク処理後のピッチ100nmのトレンチの寸法と断面形状を測長SEM((株)日立製作所製CG−4000)で測定した。結果を表3に示す。
20 被加工基板
30 フォトレジスト膜
30a、30b レジストパターン
40 シュリンク剤膜
Claims (7)
- カルボキシル基が酸不安定基で置換された繰り返し単位を有する高分子化合物と、酸発生剤と、有機溶剤とを含むレジスト組成物を基板上に塗布し、加熱処理後に高エネルギー線でレジスト膜を露光し、加熱処理後に有機溶剤の現像液を用いてネガパターンを形成し、その上に、下記一般式(1)で示される3級のアミノ基を有する繰り返し単位を含有するポリマー(但し、前記3級のアミノ基を有する繰り返し単位を得るために用いるモノマーが下記構造
であるものを除く。)と、炭素数6〜12のエーテル系溶剤、炭素数4〜10のアルコール系溶剤、炭素数6〜12の炭化水素系溶剤、炭素数6〜16のエステル系溶剤、炭素数7〜16のケトン系溶剤から選ばれる溶剤を含有するシュリンク剤溶液を塗布し、ベーク後に余分なシュリンク剤を除去し、パターンのスペース部分の寸法を縮小させることを特徴とするパターン形成方法。
(式中、R1は水素原子又はメチル基である。Xは単結合、フェニレン基、又は−C(=O)−O−である。mは1又は2であり、mが1の場合、R2は単結合、又は炭素数1〜10の直鎖状、分岐状又は環状のアルキレン基であり、エーテル基、エステル基、−N=又は−S−を有していてもよく、あるいはフェニレン基又はナフチレン基である。mが2の場合、R2は、上記mが1の場合のR2のアルキレン基、フェニレン基又はナフチレン基より水素原子が1個脱離した三価の基である。R3、R4は炭素数1〜4の直鎖状又は分岐状のアルキル基であり、R3とR4が結合してこれらが結合する窒素原子と共に環を形成してもよく、環の中にエーテル結合を有していてもよく、R3とR4のどちらか一方がR2と結合してこれらが結合する窒素原子と共に環を形成してもよい。0<a≦1.0である。) - 一般式(1)で示されるコポリマー又はホモポリマーを含有するシュリンク剤の溶剤が、炭素数6〜12のエーテル系溶剤、炭素数4〜10のアルコール系溶剤、炭素数6〜12の炭化水素系溶剤、炭素数6〜16のエステル系溶剤、又は炭素数7〜16のケトン系溶剤であり、現像後のパターンの膜に30秒間、該溶剤に触れた時の膜減りが10nm以下であることを特徴とする請求項1記載のパターン形成方法。
- 炭素数6〜12のエーテル系溶剤、炭素数4〜10のアルコール系溶剤、炭素数6〜12の炭化水素系溶剤、炭素数6〜16のエステル系溶剤、炭素数7〜16のケトン系溶剤から選ばれる溶剤が、ジ−n−ブチルエーテル、ジ−イソブチルエーテル、ジ−sec−ブチルエーテル、ジ−n−ペンチルエーテル、ジイソペンチルエーテル、ジ−sec−ペンチルエーテル、ジ−tert−アミルエーテル、ジ−n−ヘキシルエーテル、メチルシクロペンチルエーテル、メチルシクロヘキシルエーテル、メチルフェニルエーテル、メチルベンジルエーテル、エチルシクロペンチルエーテル、エチルシクロヘキシルエーテル、エチルフェニルエーテル、エチルベンジルエーテル、1−ブチルアルコール、2−ブチルアルコール、イソブチルアルコール、tert−ブチルアルコール、1−ペンタノール、2−ペンタノール、3−ペンタノール、tert−アミルアルコール、ネオペンチルアルコール、2−メチル−1−ブタノール、3−メチル−1−ブタノール、3−メチル−3−ペンタノール、シクロペンタノール、1−ヘキサノール、2−ヘキサノール、3−ヘキサノール、2,3−ジメチル−2−ブタノール、3,3−ジメチル−1−ブタノール、3,3−ジメチル−2−ブタノール、2−エチル−1−ブタノール、2−メチル−1−ペンタノール、2−メチル−2−ペンタノール、2−メチル−3−ペンタノール、3−メチル−1−ペンタノール、3−メチル−2−ペンタノール、3−メチル−3−ペンタノール、4−メチル−1−ペンタノール、4−メチル−2−ペンタノール、4−メチル−3−ペンタノール、シクロヘキサノール、1−オクタノール、ベンゼン、トルエン、キシレン、メシチレン、エチルベンゼン、n−プロピルベンゼン、クメン、n−ブチルベンゼン、シメン、アミルベンゼン、ジエチルベンゼン、オクタン、ノナン、デカン、テレピン油、ピネン、2−オクタノン、2−ノナノン、2−ヘプタノン、3−ヘプタノン、4−ヘプタノン、ジイソブチルケトン、メチルシクロヘキサノン、アセトフェノン、メチルアセトフェノン、エチル−n−ブチルケトン、ジ−n−ブチルケトン、酢酸ブチル、ホロン酸アミル、酢酸アミル、酢酸イソアミル、酢酸2−エチルヘキシル、酢酸シクロヘキシル、酢酸メチルシクロヘキシル、蟻酸ヘキシル、吉草酸エチル、吉草酸プロピル、吉草酸イソプロピル、吉草酸ブチル、吉草酸イソブチル、吉草酸tert−ブチル、吉草酸アミル、吉草酸イソアミル、イソ吉草酸エチル、イソ吉草酸プロピル、イソ吉草酸イソプロピル、イソ吉草酸ブチル、イソ吉草酸イソブチル、イソ吉草酸tert−ブチル、イソ吉草酸イソアミル、ピバル酸エチル、ピバル酸プロピル、ピバル酸イソプロピル、ピバル酸ブチル、ピバル酸tert−ブチル、ペンテン酸エチル、ペンテン酸プロピル、ペンテン酸イソプロピル、ペンテン酸ブチル、ペンテン酸tert−ブチル、クロトン酸プロピル、クロトン酸イソプロピル、クロトン酸ブチル、クロトン酸tert−ブチル、プロピオン酸ブチル、プロピオン酸イソブチル、プロピオン酸tert−ブチル、プロピオン酸ベンジル、酪酸プロピル、酪酸ブチル、酪酸イソブチル、酪酸tert−ブチル、安息香酸メチル、安息香酸エチル、安息香酸プロピル、安息香酸ブチル、酢酸フェニル、酢酸ベンジル、フェニル酢酸メチル、蟻酸ベンジル、蟻酸フェニルエチル、3−フェニルプロピオン酸メチル、フェニル酢酸エチル、酢酸2−フェニルエチルから選ばれる1種以上を含む単独又は混合溶剤であることを特徴とする請求項1又は2記載のパターン形成方法。
- シュリンク剤の除去溶剤として、前記炭素数6〜12のエーテル系溶剤、炭素数4〜10のアルコール系溶剤、炭素数6〜12の炭化水素系溶剤、炭素数6〜16のエステル系溶剤、又は炭素数7〜16のケトン系溶剤を用いることを特徴とする請求項1乃至3のいずれか1項に記載のパターン形成方法。
- 現像液が、2−オクタノン、2−ノナノン、2−ヘプタノン、3−ヘプタノン、4−ヘプタノン、2−ヘキサノン、3−ヘキサノン、ジイソブチルケトン、メチルシクロヘキサノン、アセトフェノン、メチルアセトフェノン、酢酸プロピル、酢酸ブチル、酢酸イソブチル、酢酸アミル、酢酸ブテニル、酢酸イソアミル、蟻酸プロピル、蟻酸ブチル、蟻酸イソブチル、蟻酸アミル、蟻酸イソアミル、吉草酸メチル、ペンテン酸メチル、クロトン酸メチル、クロトン酸エチル、プロピオン酸メチル、プロピオン酸エチル、3−エトキシプロピオン酸エチル、乳酸メチル、乳酸エチル、乳酸プロピル、乳酸ブチル、乳酸イソブチル、乳酸アミル、乳酸イソアミル、2−ヒドロキシイソ酪酸メチル、2−ヒドロキシイソ酪酸エチル、安息香酸メチル、安息香酸エチル、酢酸フェニル、酢酸ベンジル、フェニル酢酸メチル、蟻酸ベンジル、蟻酸フェニルエチル、3−フェニルプロピオン酸メチル、プロピオン酸ベンジル、フェニル酢酸エチル、酢酸2−フェニルエチルから選ばれる1種以上であり、現像後ネガパターンを形成することを特徴とする請求項1乃至5のいずれか1項に記載のパターン形成方法。
- レジストパターンのスペース部分の寸法を縮小させるシュリンク剤であって、下記一般式(1)で示される3級のアミノ基を有する繰り返し単位を含有するポリマー(但し、前記3級のアミノ基を有する繰り返し単位を得るために用いるモノマーが下記構造
(式中、R1は水素原子又はメチル基である。Xは単結合、フェニレン基、又は−C(=O)−O−である。mは1又は2であり、mが1の場合、R2は単結合、又は炭素数1〜10の直鎖状、分岐状又は環状のアルキレン基であり、エーテル基、エステル基、−N=又は−S−を有していてもよく、あるいはフェニレン基又はナフチレン基である。mが2の場合、R2は、上記mが1の場合のR2のアルキレン基、フェニレン基又はナフチレン基より水素原子が1個脱離した三価の基である。R3、R4は炭素数1〜4の直鎖状又は分岐状のアルキル基であり、R3とR4が結合してこれらが結合する窒素原子と共に環を形成してもよく、環の中にエーテル結合を有していてもよく、R3とR4のどちらか一方がR2と結合してこれらが結合する窒素原子と共に環を形成してもよい。0<a≦1.0である。)
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2015092599A JP6459759B2 (ja) | 2014-05-26 | 2015-04-30 | パターン形成方法及びシュリンク剤 |
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2014108120 | 2014-05-26 | ||
JP2014108120 | 2014-05-26 | ||
JP2015092599A JP6459759B2 (ja) | 2014-05-26 | 2015-04-30 | パターン形成方法及びシュリンク剤 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2016006493A JP2016006493A (ja) | 2016-01-14 |
JP6459759B2 true JP6459759B2 (ja) | 2019-01-30 |
Family
ID=54555965
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2015092599A Active JP6459759B2 (ja) | 2014-05-26 | 2015-04-30 | パターン形成方法及びシュリンク剤 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US9360760B2 (ja) |
JP (1) | JP6459759B2 (ja) |
Families Citing this family (34)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US9448483B2 (en) * | 2014-07-31 | 2016-09-20 | Dow Global Technologies Llc | Pattern shrink methods |
JP6726449B2 (ja) * | 2015-08-28 | 2020-07-22 | 東京応化工業株式会社 | レジストパターン形成方法、シュリンク剤組成物及びシュリンク剤組成物の製造方法 |
TWI682250B (zh) * | 2014-10-17 | 2020-01-11 | 日商東京應化工業股份有限公司 | 光阻圖型形成方法 |
JP6483397B2 (ja) * | 2014-10-17 | 2019-03-13 | 東京応化工業株式会社 | レジストパターン形成方法 |
JP6722433B2 (ja) * | 2015-09-30 | 2020-07-15 | 東京応化工業株式会社 | レジストパターン形成方法及びパターン厚肉化用ポリマー組成物 |
JP6455370B2 (ja) * | 2014-10-30 | 2019-01-23 | 信越化学工業株式会社 | パターン形成方法及びシュリンク剤 |
JP6455369B2 (ja) * | 2014-10-30 | 2019-01-23 | 信越化学工業株式会社 | パターン形成方法及びシュリンク剤 |
JP6402702B2 (ja) * | 2014-11-04 | 2018-10-10 | 信越化学工業株式会社 | パターン形成方法及びシュリンク剤 |
EP3032332B1 (en) * | 2014-12-08 | 2017-04-05 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Shrink material and pattern forming process |
TWI603145B (zh) | 2014-12-31 | 2017-10-21 | 羅門哈斯電子材料有限公司 | 光微影方法 |
JP6481602B2 (ja) * | 2015-01-09 | 2019-03-13 | 信越化学工業株式会社 | パターン形成方法及びシュリンク剤 |
JP6467033B2 (ja) * | 2015-02-20 | 2019-02-06 | 富士フイルム株式会社 | 有機パターン埋め込み用組成物、パターン形成方法、及び、電子デバイスの製造方法 |
JP6503206B2 (ja) * | 2015-03-19 | 2019-04-17 | 東京応化工業株式会社 | レジストパターン修復方法 |
TWI627220B (zh) | 2015-06-03 | 2018-06-21 | 羅門哈斯電子材料有限公司 | 用於圖案處理之組合物及方法 |
TWI615460B (zh) * | 2015-06-03 | 2018-02-21 | 羅門哈斯電子材料有限公司 | 用於圖案處理的組合物和方法 |
CN106249540A (zh) * | 2015-06-03 | 2016-12-21 | 陶氏环球技术有限责任公司 | 图案处理方法 |
TWI617900B (zh) | 2015-06-03 | 2018-03-11 | 羅門哈斯電子材料有限公司 | 圖案處理方法 |
JP6877932B2 (ja) * | 2015-09-28 | 2021-05-26 | 東京応化工業株式会社 | レジストパターン形成方法及びシュリンク剤組成物 |
TWI612108B (zh) | 2015-10-31 | 2018-01-21 | Rohm And Haas Electronic Materials Llc | 嵌段共聚物及圖案處理組合物以及方法 |
US10162265B2 (en) | 2015-12-09 | 2018-12-25 | Rohm And Haas Electronic Materials Llc | Pattern treatment methods |
JP6520753B2 (ja) * | 2016-02-19 | 2019-05-29 | 信越化学工業株式会社 | ポジ型レジスト材料、及びパターン形成方法 |
US20190064663A1 (en) * | 2016-03-31 | 2019-02-28 | Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd. | Resist composition and method of forming resist pattern |
KR102539857B1 (ko) * | 2016-04-29 | 2023-06-07 | 동우 화인켐 주식회사 | 하드마스크용 조성물 |
KR102452808B1 (ko) * | 2016-06-16 | 2022-10-07 | 동우 화인켐 주식회사 | 하드마스크용 조성물 |
US10133179B2 (en) | 2016-07-29 | 2018-11-20 | Rohm And Haas Electronic Materials Llc | Pattern treatment methods |
JP6757623B2 (ja) * | 2016-08-10 | 2020-09-23 | 東京応化工業株式会社 | レジストパターン厚肉化用ポリマー組成物、及びレジストパターン形成方法 |
JP6757626B2 (ja) * | 2016-08-19 | 2020-09-23 | 東京応化工業株式会社 | レジストパターン形成方法、及びパターン厚肉化用ポリマー組成物 |
JP6745167B2 (ja) * | 2016-08-19 | 2020-08-26 | 東京応化工業株式会社 | レジストパターン形成方法、及びパターン厚肉化用ポリマー組成物 |
US10684549B2 (en) * | 2016-12-31 | 2020-06-16 | Rohm And Haas Electronic Materials Llc | Pattern-formation methods |
CN107170670B (zh) * | 2017-05-16 | 2019-10-29 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种掩膜版、过孔的制作方法及显示基板的制作方法 |
US10672610B2 (en) | 2017-05-19 | 2020-06-02 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Grafting design for pattern post-treatment in semiconductor manufacturing |
JP7264019B2 (ja) * | 2018-12-14 | 2023-04-25 | 信越化学工業株式会社 | ポジ型レジスト材料及びパターン形成方法 |
KR102029127B1 (ko) * | 2019-02-08 | 2019-10-07 | 영창케미칼 주식회사 | 반도체 제조 공정에 있어서 실리콘 또는 실리콘 화합물 패턴을 형성하기 위한 신규 방법 |
JP2021124722A (ja) * | 2020-02-04 | 2021-08-30 | 信越化学工業株式会社 | ポジ型レジスト材料及びパターン形成方法 |
Family Cites Families (24)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP3071401B2 (ja) | 1996-07-05 | 2000-07-31 | 三菱電機株式会社 | 微細パターン形成材料及びこれを用いた半導体装置の製造方法並びに半導体装置 |
TW372337B (en) | 1997-03-31 | 1999-10-21 | Mitsubishi Electric Corp | Material for forming micropattern and manufacturing method of semiconductor using the material and semiconductor apparatus |
JP3991462B2 (ja) | 1997-08-18 | 2007-10-17 | Jsr株式会社 | 感放射線性樹脂組成物 |
KR100551653B1 (ko) | 1997-08-18 | 2006-05-25 | 제이에스알 가부시끼가이샤 | 감방사선성수지조성물 |
JP3850767B2 (ja) * | 2002-07-25 | 2006-11-29 | 富士通株式会社 | レジストパターン厚肉化材料、レジストパターン及びその製造方法、並びに、半導体装置及びその製造方法 |
JP3895269B2 (ja) * | 2002-12-09 | 2007-03-22 | 富士通株式会社 | レジストパターンの形成方法並びに半導体装置及びその製造方法 |
JP5018307B2 (ja) * | 2006-09-26 | 2012-09-05 | 富士通株式会社 | レジストパターン厚肉化材料、レジストパターンの形成方法、半導体装置及びその製造方法 |
JP4858714B2 (ja) | 2006-10-04 | 2012-01-18 | 信越化学工業株式会社 | 高分子化合物、レジスト材料、及びパターン形成方法 |
KR101116963B1 (ko) | 2006-10-04 | 2012-03-14 | 신에쓰 가가꾸 고교 가부시끼가이샤 | 고분자 화합물, 레지스트 재료, 및 패턴 형성 방법 |
KR101242332B1 (ko) | 2006-10-17 | 2013-03-12 | 신에쓰 가가꾸 고교 가부시끼가이샤 | 레지스트 재료 및 이것을 이용한 패턴 형성 방법 |
JP4849267B2 (ja) | 2006-10-17 | 2012-01-11 | 信越化学工業株式会社 | レジスト材料及びこれを用いたパターン形成方法 |
JP5000260B2 (ja) * | 2006-10-19 | 2012-08-15 | AzエレクトロニックマテリアルズIp株式会社 | 微細化されたパターンの形成方法およびそれに用いるレジスト基板処理液 |
JP4355725B2 (ja) | 2006-12-25 | 2009-11-04 | 信越化学工業株式会社 | ポジ型レジスト材料及びパターン形成方法 |
JP5069494B2 (ja) | 2007-05-01 | 2012-11-07 | AzエレクトロニックマテリアルズIp株式会社 | 微細化パターン形成用水溶性樹脂組成物およびこれを用いた微細パターン形成方法 |
JP2009085989A (ja) * | 2007-09-27 | 2009-04-23 | Jsr Corp | 微細パターン形成用樹脂組成物および微細パターン形成方法 |
US7745077B2 (en) * | 2008-06-18 | 2010-06-29 | Az Electronic Materials Usa Corp. | Composition for coating over a photoresist pattern |
JP5628093B2 (ja) | 2010-07-13 | 2014-11-19 | 信越化学工業株式会社 | ポジ型レジスト材料及びこれを用いたパターン形成方法 |
JP5705669B2 (ja) * | 2011-07-14 | 2015-04-22 | メルクパフォーマンスマテリアルズIp合同会社 | 微細パターン形成用組成物およびそれを用いた微細化されたパターン形成方法 |
JP5664509B2 (ja) * | 2011-09-16 | 2015-02-04 | 信越化学工業株式会社 | パターン形成方法 |
JP5780222B2 (ja) * | 2011-09-16 | 2015-09-16 | 信越化学工業株式会社 | パターン形成方法 |
JP5758263B2 (ja) * | 2011-10-11 | 2015-08-05 | メルク、パテント、ゲゼルシャフト、ミット、ベシュレンクテル、ハフツングMerck Patent GmbH | 微細レジストパターン形成用組成物およびそれを用いたパターン形成方法 |
KR102028109B1 (ko) * | 2011-12-23 | 2019-11-15 | 금호석유화학 주식회사 | 미세패턴 형성용 수용성 수지 조성물 및 이를 이용한 미세패턴의 형성방법 |
JP6233240B2 (ja) * | 2013-09-26 | 2017-11-22 | 信越化学工業株式会社 | パターン形成方法 |
JP6531397B2 (ja) * | 2014-03-07 | 2019-06-19 | Jsr株式会社 | パターン形成方法及びこれに用いられる組成物 |
-
2015
- 2015-04-30 JP JP2015092599A patent/JP6459759B2/ja active Active
- 2015-05-20 US US14/716,982 patent/US9360760B2/en active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US20150338744A1 (en) | 2015-11-26 |
JP2016006493A (ja) | 2016-01-14 |
US9360760B2 (en) | 2016-06-07 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP6459759B2 (ja) | パターン形成方法及びシュリンク剤 | |
JP6233240B2 (ja) | パターン形成方法 | |
JP5842841B2 (ja) | パターン形成方法 | |
JP6481602B2 (ja) | パターン形成方法及びシュリンク剤 | |
JP6455369B2 (ja) | パターン形成方法及びシュリンク剤 | |
JP5776615B2 (ja) | パターン形成方法 | |
JP6544248B2 (ja) | レジスト材料及びこれを用いたパターン形成方法 | |
JP5772728B2 (ja) | レジスト組成物及びパターン形成方法 | |
JP6115322B2 (ja) | パターン形成方法 | |
JPH08220774A (ja) | レジストパターンの形成方法 | |
JP5772727B2 (ja) | レジスト組成物及びパターン形成方法 | |
JP6455370B2 (ja) | パターン形成方法及びシュリンク剤 | |
TWI570138B (zh) | 收縮材料及圖案形成方法 | |
JP6159176B2 (ja) | 下地剤及びパターン形成方法 | |
TWI573828B (zh) | 收縮材料及圖案形成方法 | |
KR102445499B1 (ko) | 레지스트 패턴 형성 방법, 레지스트 패턴 스플릿제, 스플릿 패턴 개선화제, 레지스트 패턴 스플릿 재료, 및 스플릿 패턴 형성용의 포지티브형 레지스트 조성물 | |
JP6323295B2 (ja) | パターン形成方法及び化学増幅ネガ型レジスト組成物 | |
JP6402702B2 (ja) | パターン形成方法及びシュリンク剤 | |
KR101955068B1 (ko) | 패턴 형성 방법 | |
JP2006091898A (ja) | レジスト材料及びレジストパターンの形成方法 | |
JP2023114421A (ja) | レジスト材料及びパターン形成方法 | |
KR20240049167A (ko) | 레지스트 재료 및 패턴 형성 방법 | |
TW202340277A (zh) | 阻劑材料及圖案形成方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20170425 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20171214 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20171226 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20180131 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20180703 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20180727 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20181204 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20181217 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 6459759 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |