JP5018307B2 - レジストパターン厚肉化材料、レジストパターンの形成方法、半導体装置及びその製造方法 - Google Patents
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Description
また、架橋反応を利用したこれらの材料組成では、反応量の制御が困難であり、レジストパターンの初期パターンサイズによる反応量の違い、レジスト抜きパターンの埋まりによる消失、反応量のパターン形状依存などが生じ易く、プロセス裕度が低いという欠点がある。
しかし、前記特許文献1に記載の水溶液系材料の組成では、フェノール系樹脂を用いるKrFレジストパターンの厚肉化(膨潤)には有効であるものの、樹脂系の異なるArFレジストパターンの厚肉化(膨潤)には有効ではないことが知られており、先端デバイスの加工に使用されているArFレジストには適用することができないという問題がある。
本発明は、パターニング時に露光光としてArF(フッ化アルゴン)エキシマレーザー光をも利用可能であり、ArFレジスト等で形成されたレジストパターン上に塗布等するだけで、ライン状パターン等のレジストパターンをそのサイズに依存することなく厚肉化することができ、水乃至アルカリ現像液による現像が可能で、エッチング耐性に特に優れ、露光装置の光源における露光限界(解像限界)を超えて微細なレジスト抜きパターンを低コストで簡便に効率よく形成可能なレジストパターン厚肉化材料を提供することを目的とする。
また、本発明は、新たな装置の設置が不要で、パターニング時に露光光としてArF(フッ化アルゴン)エキシマレーザー光をも利用可能であり、ライン状パターン等のレジストパターンをそのサイズに依存することなく厚肉化することができ、露光装置の光源における露光限界(解像限界)を超えて微細なレジスト抜きパターンを低コストで簡便に効率よく形成可能なレジストパターンの形成方法を提供することを目的とする。
また、本発明は、新たな装置の設置が不要で、パターニング時に露光光としてArF(フッ化アルゴン)エキシマレーザー光をも利用可能であり、露光装置の光源における露光限界(解像限界)を超えて微細なレジスト抜きパターンを形成可能であり、該レジスト抜きパターンを用いて形成した微細な配線パターンを有する高性能な半導体装置を効率的に量産可能な半導体装置の製造方法、及び該半導体装置の製造方法により製造され、微細な配線パターンを有し、高性能な半導体装置を提供することを目的とする。
本発明のレジストパターン厚肉化材料は、樹脂と、下記一般式(1)で表される化合物とを少なくとも含み、非水系であり、かつ酸発生剤及び架橋剤を含まないことを特徴とする。
該レジストパターン厚肉化材料がレジストパターン上に塗布されると、該レジストパターン厚肉化材料のうち、前記レジストパターンとの界面付近にあるものが該レジストパターンに染み込んで該レジストパターンの材料と相互作用(ミキシング)すると共に、前記一般式(1)で表される化合物が、近傍に存在する前記樹脂と反応する。このとき、前記レジストパターン厚肉化材料と前記レジストパターンとの親和性が良好であるため、該レジストパターンを内層としてその表面上に、該レジストパターン厚肉化材料と該レジストパターンとが相互作用してなる表層(ミキシング層)が効率よく形成される。その結果、前記レジストパターンが、前記レジストパターン厚肉化材料により効率よく厚肉化される。こうして厚肉化(「膨潤」と称することがある)されたレジストパターン(以下「厚肉化レジストパターン」と称することがある)は、前記レジストパターン厚肉化材料により均一に厚肉化されている。このため、該厚肉化レジストパターンにより形成されるレジスト抜きパターン(以下「抜きパターン」と称することがある)は露光限界(解像限界)を超えてより微細な構造を有する。なお、本発明のレジストパターン厚肉化材料は、前記一般式(1)で表される化合物を含有しているので、前記レジストパターンの材料の種類や大きさ等に関係なく良好なかつ均一な厚肉化効果を示し、前記レジストパターンの材料や大きさに対する依存性が少ない。また、前記樹脂として、フェノール系樹脂、ポリビニルピロリドン等を用いる場合には、これらの樹脂及び前記一般式(1)で表される化合物が芳香族環を有しているので、エッチング耐性に特に優れる。このため、種々のサイズのレジストパターンが混在するLOGIC LSIの配線層に用いられるライン状パターン等のレジストパターンの形成にも好適に適用可能である。
該レジストパターンの形成方法においては、レジストパターンが形成された後、該レジストパターン上に前記レジストパターン厚肉化材料が塗布されると、該レジストパターン厚肉化材料のうち、該レジストパターンとの界面付近にあるものが該レジストパターンに染み込んで該レジストパターンの材料と相互作用(ミキシング)すると共に、前記一般式(1)で表される化合物が、近傍に存在する前記樹脂と反応する。このため、該レジストパターンを内層としてその表面上に、該レジストパターン厚肉化材料と該レジストパターンとによる表層(ミキシング層)が形成される。こうして厚肉化された厚肉化レジストパターンは、前記レジストパターン厚肉化材料により均一に厚肉化されている。このため、該厚肉化レジストパターンにより形成されるレジスト抜きパターンは、露光限界(解像限界)を超えてより微細な構造を有する。なお、前記レジストパターン厚肉化材料が、前記一般式(1)で表される化合物を含有しているので、前記レジストパターンの材料の種類や大きさ等に関係なく良好なかつ均一な厚肉化効果を示し、前記レジストパターンの材料や大きさに対する依存性が少ない。また、前記樹脂として、フェノール系樹脂、ポリビニルピロリドン等を用いる場合には、これらの樹脂及び前記一般式(1)で表される化合物が芳香族環を有しているので、エッチング耐性に特に優れる。このため、前記レジストパターンの形成方法は、コンタクトホールパターンのみならず、種々のサイズのレジストパターンが混在するLOGIC LSIの配線層に用いられるライン状パターン等のレジストパターンの形成にも好適に適用可能である。
該半導体装置の製造方法では、まず、前記レジストパターン形成工程において、配線パターン等のパターンを形成する対象である前記被加工面上にレジストパターンを形成した後、該レジストパターンの表面を覆うように本発明の前記レジストパターン厚肉化材料が塗布される。すると、該レジストパターン厚肉化材料のうち、該レジストパターンとの界面付近にあるものが該レジストパターンに染み込んで該レジストパターンの材料と相互作用(ミキシング)すると共に、前記一般式(1)で表される化合物が、近傍に存在する前記樹脂と反応する。このため、該レジストパターンを内層としてその表面上に、該レジストパターン厚肉化材料と該レジストパターンとが相互作用してなる表層(ミキシング層)が形成される。こうして厚肉化された厚肉化レジストパターンは、前記レジストパターン厚肉化材料により均一に厚肉化されている。このため、該厚肉化レジストパターンにより形成されるレジスト抜きパターンは、露光限界(解像限界)を超えてより微細な構造を有する。なお、前記レジストパターン厚肉化材料は、前記一般式(1)で表される化合物を含有しているので、前記レジストパターンの材料の種類や大きさ等に関係なく良好なかつ均一な厚肉化効果を示し、前記レジストパターンの材料や大きさに対する依存性が少ない。また、前記樹脂として、フェノール系樹脂、ポリビニルピロリドン等を用いる場合には、これらの樹脂及び前記一般式(1)で表される化合物が芳香族環を有しているので、エッチング耐性に特に優れる。このため、コンタクトホールパターンのみならず、種々のサイズのレジストパターンが混在する半導体装置であるLOGIC LSIの配線層に用いられるライン状パターン等の厚肉化レジストパターンが容易にかつ高精細に形成される。
次に、前記パターニング工程においては、前記レジストパターン形成工程において厚肉化された厚肉化レジストパターンを用いてエッチングを行うことにより、前記被加工面が微細かつ高精細にしかも寸法精度よくパターニングされ、極めて微細かつ高精細で、しかも寸法精度に優れた配線パターン等のパターンを有する高品質かつ高性能な半導体装置が効率よく製造される。
本発明の半導体装置は、本発明の前記半導体装置の製造方法により製造されることを特徴とする。該半導体装置は、極めて微細かつ高精細で、しかも寸法精度に優れた配線パターン等のパターンを有し、高品質かつ高性能である。
また、本発明によると、パターニング時に露光光としてArF(フッ化アルゴン)エキシマレーザー光をも利用可能であり、ArFレジスト等で形成されたレジストパターン上に塗布等するだけで、ライン状パターン等のレジストパターンをそのサイズに依存することなく厚肉化することができ、水乃至アルカリ現像液による現像が可能で、エッチング耐性に特に優れ、露光装置の光源における露光限界(解像限界)を超えて微細なレジスト抜きパターンを低コストで簡便に効率よく形成可能なレジストパターン厚肉化材料を提供することができる。
また、本発明によると、新たな装置の設置が不要で、パターニング時に露光光としてArF(フッ化アルゴン)エキシマレーザー光をも利用可能であり、ライン状パターン等のレジストパターンをそのサイズに依存することなく厚肉化することができ、露光装置の光源における露光限界(解像限界)を超えて微細なレジスト抜きパターンを低コストで簡便に効率よく形成可能なレジストパターンの形成方法を提供することができる。
また、本発明によると、新たな装置の設置が不要で、パターニング時に露光光としてArF(フッ化アルゴン)エキシマレーザー光をも利用可能であり、露光装置の光源における露光限界(解像限界)を超えて微細なレジスト抜きパターンを形成可能であり、該レジスト抜きパターンを用いて形成した微細な配線パターンを有する高性能な半導体装置を効率的に量産可能な半導体装置の製造方法、及び該半導体装置の製造方法により製造され、微細な配線パターンを有し、高性能な半導体装置を提供することができる。
本発明のレジストパターン厚肉化材料は、樹脂と、下記一般式(1)で表される化合物とを少なくとも含有してなり、更に必要に応じて適宜選択した、界面活性剤、有機溶剤、その他の成分などを含有してなり、非水系であり、かつ酸発生剤及び架橋剤を含まない。
本発明の前記レジストパターン厚肉化材料は、酸発生剤及び架橋剤を含まないことが必要であり、該レジストパターン厚肉化材料によるレジストパターンの厚肉化は、酸の拡散による架橋反応を利用した従来のレジストパターンの膨潤化技術とは異なる。
前記水溶性としては、未反応部の除去が可能な程度に溶解性があれば特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができるが、例えば、25℃の水100gに対し、前記レジストパターン厚肉化材料が0.1g以上溶解する水溶性が好ましい。
前記アルカリ可溶性としては、上記同様に特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができるが、例えば、25℃の2.38質量%テトラメチルアンモニウムハイドロオキサイド(TMAH)水溶液100gに対し、前記レジストパターン厚肉化材料が0.1g以上溶解するアルカリ可溶性が好ましい。
本発明のレジストパターン厚肉化材料の態様としては、水溶液、コロイド液、エマルジョン液などの態様であってもよいが、水溶液であるのが好ましい。
前記樹脂としては、特に制限はなく目的に応じて適宜選択することができるが、前記レジストパターン厚肉化材料に優れたエッチング耐性を付与することができる点で、環状構造を少なくとも一部に有しているのが好ましく、例えば、フェノール系樹脂、ポリビニルピロリドン、スチレン−マレイン酸共重合体、アルキッド樹脂及びこれらの混合物から選択される少なくとも1種が好適に挙げられる。
前記フェノール系樹脂としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができるが、ポリパラヒドロキシスチレン樹脂、ノボラック樹脂、などが好適に挙げられる。
前記樹脂は、1種単独で使用してもよいし、2種以上を併用してもよい。これらの中でも、ポリパラヒドロキシスチレン樹脂、ノボラック樹脂、ポリビニルピロリドンが好ましい。
前記一般式(1)で表される化合物としては、芳香族環を構造の一部に有し、下記一般式(1)で表される限り特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができる。該芳香族環を有することにより、優れたエッチング耐性を前記レジストパターン厚肉化材料に付与することができる点で有利である。
mは1以上の整数を表し、nは0以上の整数を表す。架橋反応の発生を防止して反応を容易に制御することができる点で、mは1であるのが好ましい。
前記構造式(1)中、R1及びR2が前記置換基である場合、該置換基としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、ケトン(アルキルカルボニル)基、アルコキシカルボニル基、アルキル基、などが挙げられる。
前記ベンジルアルコール構造を有する化合物としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができるが、例えば、ベンジルアルコール及びその誘導体が好ましく、具体的には、ベンジルアルコール、2−ヒドロキシベンジルアルコール(サリチルアルコール)、4−ヒドロキシベンジルアルコール、2−アミノベンジルアルコール、4−アミノベンジルアルコール、2,4−ジヒドロキシベンジルアルコール、1,4−ベンゼンジメタノール、1,3−ベンゼンジメタノール、1−フェニル−1,2−エタンジオール、4−メトキシメチルフェノール、などが挙げられる。
前記ベンジルアミン構造を有する化合物としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができるが、例えば、ベンジルアミン及びその誘導体が好ましく、具体的には、ベンジルアミン、2−ヒドロキシベンジルアミン、2−メトキシベンジルアミン、などが挙げられる。
これらは、1種単独で使用してもよいし、2種以上を併用してもよい。
前記一般式(1)で表される化合物の含有量が、0.01質量部未満であると、所望の反応量が得られにくいことがあり、50質量部を超えると、塗布時に析出したり、パターン上で欠陥となったりする可能性が高くなるため好ましくない。
前記界面活性剤は、レジストパターン厚肉化材料とレジストパターンとの馴染みが改善させたい場合、より大きな厚肉化量が要求される場合、レジストパターン厚肉化材料とレジストパターンとの界面における厚肉化効果の面内均一性を向上させたい場合、消泡性が必要な場合、等に添加すると、これらの要求を実現することができる。
前記界面活性剤としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができるが、非イオン性界面活性剤、カチオン性界面活性剤、アニオン性界面活性剤、両性界面活性剤、などが挙げられる。これらは、1種単独で使用してもよいし、2種以上を併用してもよい。これらの中でも、ナトリウム塩、カリウム塩等の金属イオンを含有しない点で非イオン性界面活性剤が好ましい。
前記含有量が0.005質量部未満であると、塗布性の向上には効果があるものの、レジストパターンとの反応量については、界面活性剤を入れない場合と大差がないことが多い。
前記有機溶剤としては、前記レジストパターンを実質的に溶解しないものであれば特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができるが、例えば、炭素数4以上のアルコール系溶剤、炭素数2以上のグリコール系溶剤などが好適に挙げられる。
前記レジストパターン厚肉化材料が前記有機溶剤を含有していると、該レジストパターン厚肉化材料における、前記樹脂、前記一般式(1)で表される化合物等の溶解性を向上させることができる点で有利である。
前記炭素数2以上のグリコール系溶剤としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができるが、炭素数が2〜3であるのが好ましく、例えば、エチレングリコール、プロピレングリコールなどが好適に挙げられる。
前記有機溶剤の前記レジストパターン厚肉化材料における含有量としては、前記樹脂、前記一般式(1)で表される化合物、前記界面活性剤等の種類や含有量などに応じて適宜決定することができる。
前記その他の成分としては、本発明の効果を害しない限り特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、公知の各種添加剤、例えば、熱酸発生剤、アミン系、アミド系、等に代表されるクエンチャーなどが挙げられる。
前記その他の成分の前記レジストパターン厚肉化材料における含有量としては、前記樹脂、前記一般式(1)で表される化合物、前記界面活性剤等の種類や含有量などに応じて適宜決定することができる。
本発明のレジストパターン厚肉化材料は、前記レジストパターン上に塗布して使用することができる。
なお、前記塗布の際、前記界面活性剤については、前記レジストパターン厚肉化材料に含有させずに、該レジストパターン厚肉化材料を塗布する前に別途に塗布してもよい。
このとき、前記レジストパターン厚肉化材料中に前記一般式(1)で表される化合物が含まれているので、前記レジストパターンの材料の種類や大きさ等に関係なく良好なかつ均一な厚肉化効果が得られ、前記レジストパターンの材料や大きさに対して、厚肉化量の依存性が少ない。
なお、前記レジストパターンの厚肉化量は、前記レジストパターン厚肉化材料の粘度、塗布厚み、ベーク温度、ベーク時間等を適宜調節することにより、所望の範囲に制御することができる。
前記レジストパターン(本発明のレジストパターン厚肉化材料が塗布されるレジストパターン)の材料としては、特に制限はなく、公知のレジスト材料の中から目的に応じて適宜選択することができ、ネガ型、ポジ型のいずれであってもよく、例えば、g線、i線、KrFエキシマレーザー、ArFエキシマレーザー、F2エキシマレーザー、電子線等でパターニング可能なg線レジスト、i線レジスト、KrFレジスト、ArFレジスト、F2レジスト、電子線レジスト等が好適に挙げられる。これらは、化学増幅型であってもよいし、非化学増幅型であってもよい。これらの中でも、KrFレジスト、ArFレジスト、アクリル系樹脂を含んでなるレジスト、などが好ましく、より微細なパターニング、スループットの向上等の観点からは、解像限界の延伸が急務とされているArFレジスト、及びアクリル系樹脂を含んでなるレジストの少なくともいずれかがより好ましい。
図1に示すように、被加工面(基材)5上にレジストパターン3を形成した後、レジストパターン3の表面にレジストパターン厚肉化材料1を付与(塗布)し、ベーク(加温及び乾燥)をして塗膜を形成する。すると、レジストパターン3とレジストパターン厚肉化材料1との界面においてレジストパターン厚肉化材料1のレジストパターン3へのミキシング(含浸)が起こると共に、該レジストパターン厚肉化材料1中の前記一般式(1)で表される化合物が、近傍に存在する前記樹脂と反応し、図2に示すように、内層レジストパターン10b(レジストパターン3)とレジストパターン厚肉化材料1との界面において前記ミキシング(含浸)した部分が反応して表層(ミキシング層)10aが形成される。このとき、レジストパターン厚肉化材料1中に前記一般式(1)で表される化合物が含まれているので、内層レジストパターン10b(レジストパターン3)の大きさに左右されず(依存せず)安定にかつ均一に内層レジストパターン10b(レジストパターン3)が厚肉化される。
なお、前記現像処理は、水現像であってもよいし、アルカリ現像液による現像であってもよい。
なお、本発明のレジストパターン厚肉化材料を用いると、例えば、該レジストパターン厚肉化材料の処理前にアルカリ性水溶液(pHを10以上)で前処理した後に使用した場合や、露光後1年間クリーンルーム外の通常雰囲気下に放置したレジストパターンに対して使用した場合にも、このような操作を行わなかったときと同程度の厚肉化が可能である。また、酸や酸発生剤等を含有しない、例えば、ポリメチルメタクリレートからなる非化学増幅型レジストを用い、電子線露光により形成したレジストパターンに対して使用しても、化学増幅型レジストと同様に厚肉化させることができる。これらの事実から、酸の拡散により架橋反応を利用する従来の膨潤化技術とは異なる反応形態をとっていることが容易に理解できる。また、本発明の前記レジストパターン厚肉化材料を用いた場合には、前記レジストパターンと、前記レジストパターン厚肉化材料により形成される前記ミキシング層との間の樹脂の相溶性に依存して厚肉化が実現されるものと推測することができる。
本発明のレジストパターンの形成方法においては、レジストパターンを形成後、該レジストパターンの表面を覆うように本発明の前記レジストパターン厚肉化材料を塗布することを含み、更に必要に応じて適宜選択したその他の処理を含む。
前記レジストパターンは、公知の方法に従って形成することができる。
前記レジストパターンは、被加工面(基材)上に形成することができ、該被加工面(基材)としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができるが、該レジストパターンが半導体装置に形成される場合には、該被加工面(基材)としては、半導体基材表面が挙げられ、具体的には、シリコンウエハ等の基板、各種酸化膜等が好適に挙げられる。
前記塗布の際の塗布厚みとしては、通常、100〜10,000Å(10〜1,000nm)程度であり、1,000〜5,000Å(100〜500nm)程度が好ましい。
なお、前記塗布の際、前記界面活性剤については、前記レジストパターン厚肉化材料に含有させずに、該レジストパターン厚肉化材料を塗布する前に別途に塗布してもよい。
なお、前記プリベーク(加温及び乾燥)の条件、方法等としては、レジストパターンを軟化させない限り特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができるが、例えば、その回数としては、1回であってもよいし、2回以上であってもよい。2回以上の場合、各回におけるプリベークの温度は、一定であってもよいし、異なっていてもよく、前記一定である場合、40〜150℃程度が好ましく、70〜120℃がより好ましく、また、その時間としては、10秒間〜5分間程度が好ましく、40〜100秒間がより好ましい。
なお、前記反応ベークの条件、方法等としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができるが、前記プリベーク(加温及び乾燥)よりも通常高い温度条件が採用される。前記反応ベークの条件としては、例えば、温度が70〜150℃程度であり、90〜130℃が好ましく、時間が10秒間〜5分間程度であり、40〜100秒間が好ましい。
前記現像処理に用いる現像液としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができるが、例えば、アルカリ現像液、水(純水)が好適に挙げられる。これらは1種単独で使用してもよいし、併用してもよい。これらによる現像処理では、新たな薬液ラインの設置が不要であり、レジスト現像カップを共用することができ、装置コストの低減を図ることができる。
前記アルカリ現像液としては、例えば、2.38質量%テトラメチルアンモニウムハイドロオキサイド(TMAH)水溶液が好適に挙げられる。
図4に示すように、被加工面(基材)5上にレジスト材3aを塗布した後、図5に示すように、これをパターニングしてレジストパターン3を形成した後、図6に示すように、レジストパターン3の表面にレジストパターン厚肉化材料1を塗布し、ベーク(加温及び乾燥)をして塗膜を形成する。すると、レジストパターン3とレジストパターン厚肉化材料1との界面においてレジストパターン厚肉化材料1のレジストパターン3への相互作用(ミキシング(含浸))が起こり、図7に示すように、レジストパターン3とレジストパターン厚肉化材料1との界面において前記相互作用(ミキシング(含浸))が行われ、次いで、レジストパターン厚肉化材料1中の前記一般式(1)で表される化合物が、近傍に存在する前記樹脂と反応する。この後、図8に示すように、現像処理を行うと、塗布したレジストパターン厚肉化材料1の内、レジストパターン3と反応していない部分乃至相互作用(ミキシング)が弱い部分(アルカリ可溶性の高い部分)が溶解除去され、内層レジストパターン10b(レジストパターン3)上に表層10aを有してなる厚肉化レジストパターン10が形成(現像)される。
なお、前記現像処理は、水現像であってもよいし、アルカリ現像液による現像であってもよい。
なお、前記エッチング速度(nm/min)は、例えば、公知のエッチング装置を用いて所定時間エッチング処理を行い試料の減膜量を測定し、単位時間当たりの減膜量を算出することにより測定することができる。
前記表層(ミキシング層)は、本発明の前記レジストパターン厚肉化材料を用いて好適に形成することができ、エッチング耐性の更なる向上の観点からは前記フェノール系樹脂等の環状構造を含むのが好ましい。
前記表層(ミキシング層)が前記環状構造を含むか否かについては、例えば、該表層(ミキシング層)につきIR吸収スペクトルを分析すること等により確認することができる。
本発明の半導体装置の製造方法は、レジストパターン形成工程と、パターニング工程とを含み、更に必要に応じて適宜選択したその他の工程とを含む。
本発明の半導体装置は、本発明の前記半導体装置の製造方法により製造される。
該レジストパターン形成工程における詳細は、本発明の前記レジストパターンの形成方法と同様であり、前記レジストパターン厚肉化材料の塗布後、加熱し、現像処理することを含むのが好ましい。
前記エッチングの方法としては、特に制限はなく、公知の方法の中から目的に応じて適宜選択することができるが、例えば、ドライエッチングが好適に挙げられる。該エッチングの条件としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができる。
前記界面活性剤塗布工程は、前記厚肉化レジストパターン形成工程の前に、前記レジストパターンの表面に前記界面活性剤を塗布する工程である。
−レジストパターン厚肉化材料の調製−
表1に示す組成を有する、非水系であり、酸発生剤及び架橋剤を含まないレジストパターン厚肉化材料A〜Oを調製した。
なお、表1において、「厚肉化材料」は、レジストパターン厚肉化材料を意味し、「A」〜「O」は、前記レジストパターン厚肉化材料A〜Oに対応している。前記レジストパターン厚肉化材料A〜Oの内、前記レジストパターン厚肉化材料Aは比較例に相当し、前記レジストパターン厚肉化材料B〜Oは実施例(本発明)に相当する。表1中のカッコ内の数値の単位は、「質量部」を表す。
前記レジストパターン厚肉化材料B〜Oの「一般式(1)表される化合物」の欄における、ベンジルアルコール、ベンジルアミン、及びその誘導体は、下記一般式(1)で表される化合物である。
「界面活性剤」の欄における、「KP−341」は、シリコーン系非イオン性界面活性剤(信越化学工業製)を表し、「PC−6」は、非イオン性界面活性剤(ADEKA製、多核フェノール系界面活性剤)を表す。TN−80は、非イオン性界面活性剤(ADEKA製、第1級アルコールエトキシレート系界面活性剤)、L−64は、非イオン性界面活性剤(ADEKA製、ポリオキシエチレン−ポリオキシプロピレン縮合物化合物)を表す。
−レジストパターンの形成−
実施例1で調製したレジストパターン厚肉化材料A〜Oを、前記ArFレジスト(「AR1244J」;JSR社製)により形成したホールパターン(表2における「厚肉化前のレジスト抜きパターンサイズ」で示される開口径を有する)上に、スピンコート法により、初めに1,000rpm/5sの条件で、次に3,500rpm/40sの条件で塗布した後、110℃/60sの条件でベークを行った。次いで、レジストパターン厚肉化材料A〜E、J〜L、及びNについては、2.38質量%TMAHアルカリ現像液で60秒間リンスした後、純水で60秒間リンスし、レジストパターン厚肉化材料F〜I、M及びOについては、純水又は2.38質量%TMAHアルカリ現像液で60秒間リンスした後、純水で60秒間リンスし、それぞれ相互作用(ミキシング)していない未反応部を除去し、レジストパターン厚肉化材料A〜Oにより厚肉化したレジストパターンを現像させることにより、厚肉化レジストパターンを形成した。
得られた厚肉化レジストパターンにより形成された前記レジスト抜きパターンのサイズ(表2における「厚肉化後のレジスト抜きパターンサイズ」)について、初期パターンサイズ(厚肉化前のレジストパターンにより形成された前記レジスト抜きパターンのサイズを意味し、表2における「厚肉化前のレジスト抜きパターンサイズ」のこと)と共に表2に示した。なお、表2において、「A」〜「O」は、前記レジストパターン厚肉化材料A〜Oに対応する。
−レジストパターンの形成−
実施例1で調製した本発明のレジストパターン厚肉化材料D及びGを、前記ArFレジスト(「AR1244J」;JSR社製)により形成した、様々なサイズ(表3における「厚肉化前のレジスト抜きパターンサイズ」の欄に記載のサイズ、即ち110nm、200nm、300nm及び500nm)のスペース部を有するライン&スペースパターン上に、スピンコート法により、初めに1,000rpm/5sの条件で、次に3,500rpm/40sの条件で塗布し、110℃/60sの条件でベークを行った。次いで、レジストパターン厚肉化材料Dについては、2.38質量%TMAH現像液で60秒間リンスした後、純水で60秒間リンスを行い、レジストパターン厚肉化材料Gについては、純水で60秒間リンスを行い、それぞれ相互作用(ミキシング)しなかった未反応部を除去し、レジストパターン厚肉化材料D及びGにより厚肉化したレジストパターンを現像させることにより、厚肉化レジストパターンを形成した。
−レジストパターンの形成−
実施例1で調製した本発明のレジストパターン厚肉化材料Dを、非化学増幅型電子線レジスト(「Nano495PMMA」;米MicroChem社製)を用い、電子線露光により形成した、開口径580nmの開口(ホール)を有するホールパターン上に、スピンコート法により、初めに1,000rpm/5sの条件で、次に3,500rpm/40sの条件で塗布した後、110℃/60sの条件でベークを行った。次いで、純水でレジストパターン厚肉化材料Dを60秒間リンスし、相互作用(ミキシング)していない未反応部を除去し、レジストパターン厚肉化材料Dにより厚肉化したレジストパターンを現像させることにより、厚肉化レジストパターンを形成した。得られた厚肉化レジストパターンにより形成された前記レジスト抜きパターンのサイズは450nmであった。
本発明のレジストパターン厚肉化材料は、非化学増幅型電子線レジストに対しても厚肉化可能であり、このことから、レジストパターン内の酸を利用して厚肉化を行うものではなく、前記相互作用(ミキシング)は、酸の拡散による架橋反応ではないことが判った。
−エッチング耐性の評価−
シリコン基板上に形成したレジストの表面に、本発明のレジストパターン厚肉化材料D、G、及びKを塗布して厚みが0.5μmである表層を形成した。
また、これらの表層との比較のため、従来の脂肪族系樹脂を基材として用いた下記組成を有する水系のレジストパターン厚肉化材料(比較材料)を調製し、該比較材料による表層を同様に形成した。
<比較材料の組成>
基材樹脂:ポリビニルアセタール樹脂(「KW−3」;積水化学製)・・・16質量部
架橋剤:テトラメトキシメチルグリコールウリル・・・1.35質量部
溶剤:純水98.6質量部+イソプロピルアルコール0.4質量部
−フラッシュメモリ及びその製造−
実施例6は、本発明のレジストパターン厚肉化材料を用いた本発明の半導体装置及びその製造方法の一例である。なお、この実施例6では、以下のレジスト膜26、27、29及び32が、本発明のレジストパターン厚肉化材料を用いて実施例2及び3におけるのと同様の方法により厚肉化されたものである。
以上により、図22に示すように、半導体装置としてFLASH EPROMを製造した。
なお、ここでは、高融点金属膜(第4導電体膜)として高融点金属膜(第4導電体膜)42a及び42bを用いているが、チタンシリサイド(TiSi)膜等の高融点金属シリサイド膜を用いてもよい。
なお、ここでは、第3導電体膜53a又は53bと、高融点金属膜(第4導電体膜)42とをそれぞれ別々に形成しているが、共通の高融点金属膜として同時に形成してもよい。
(付記1) 樹脂と、下記一般式(1)で表される化合物とを少なくとも含み、非水系であり、かつ酸発生剤及び架橋剤を含まないことを特徴とするレジストパターン厚肉化材料。
(付記2) 水溶性乃至アルカリ可溶性である付記1に記載のレジストパターン厚肉化材料。
(付記3) 一般式(1)中、mが1である付記1から2のいずれかに記載のレジストパターン厚肉化材料。
(付記4) 樹脂が、フェノール系樹脂、ポリビニルピロリドン、及びこれらの混合物から選択される少なくとも1種である付記1から3のいずれかに記載のレジストパターン厚肉化材料。
(付記5) フェノール系樹脂が、ポリパラヒドロキシスチレン樹脂及びノボラック樹脂の少なくともいずれかである付記4に記載のレジストパターン厚肉化材料。
(付記6) 界面活性剤を含む付記1から5のいずれかに記載のレジストパターン厚肉化材料。
(付記7) 界面活性剤が、ポリオキシエチレン−ポリオキシプロピレン縮合物化合物、ポリオキシアルキレンアルキルエーテル化合物、ポリオキシエチレンアルキルエーテル化合物、ポリオキシエチレン誘導体化合物、ソルビタン脂肪酸エステル化合物、グリセリン脂肪酸エステル化合物、第1級アルコールエトキシレート化合物、フェノールエトキシレート化合物、ノニルフェノールエトキシレート化合物、オクチルフェノールエトキシレート化合物、ラウリルアルコールエトキシレート化合物、オレイルアルコールエトキシレート化合物、脂肪酸エステル系界面活性剤、アミド系界面活性剤、天然アルコール系界面活性剤、エチレンジアミン系界面活性剤、第2級アルコールエトキシレート化合物、アルキルカチオン系界面活性剤、アミド型4級カチオン系界面活性剤、エステル型4級カチオン系界面活性剤、アミンオキサイド系界面活性剤、ベタイン系界面活性剤、及びシリコーン系界面活性剤から選択される少なくとも1種である付記6に記載のレジストパターン厚肉化材料。
(付記8) 界面活性剤のレジストパターン厚肉化材料における含有量が、該レジストパターン厚肉化材料100質量部に対し、0.005質量部以上である付記6から7のいずれかに記載のレジストパターン厚肉化材料。
(付記9) レジストパターン厚肉化材料が塗布されるレジストパターンを実質的に溶解しない有機溶剤を含む付記1から8のいずれかに記載のレジストパターン厚肉化材料。
(付記10) 有機溶剤が、炭素数4以上のアルコール系溶剤、及び炭素数2以上のグリコール系溶剤から選択される少なくとも1種である付記9に記載のレジストパターン厚肉化材料。
(付記11) 被加工面上にレジストパターンを形成後、該レジストパターンの表面を覆うように付記1から10のいずれかに記載のレジストパターン厚肉化材料を塗布することにより該レジストパターンを厚肉化するレジストパターン形成工程と、該厚肉化したレジストパターンをマスクとしてエッチングにより前記被加工面をパターニングするパターニング工程とを含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。
(付記12) レジストパターン形成工程が、レジストパターン厚肉化材料の塗布後、加熱し、現像処理することを含む付記11に記載の半導体装置の製造方法。
(付記13) レジストパターン形成工程の前に、レジストパターンの表面に、界面活性剤を塗布する界面活性剤塗布工程を含む付記11から12のいずれかに記載の半導体装置の製造方法。
(付記14) 界面活性剤が、ポリオキシエチレン−ポリオキシプロピレン縮合物化合物、ポリオキシアルキレンアルキルエーテル化合物、ポリオキシエチレンアルキルエーテル化合物、ポリオキシエチレン誘導体化合物、ソルビタン脂肪酸エステル化合物、グリセリン脂肪酸エステル化合物、第1級アルコールエトキシレート化合物、フェノールエトキシレート化合物、ノニルフェノールエトキシレート化合物、オクチルフェノールエトキシレート化合物、ラウリルアルコールエトキシレート化合物、オレイルアルコールエトキシレート化合物、脂肪酸エステル系界面活性剤、アミド系界面活性剤、天然アルコール系界面活性剤、エチレンジアミン系界面活性剤、第2級アルコールエトキシレート化合物、アルキルカチオン系界面活性剤、アミド型4級カチオン系界面活性剤、エステル型4級カチオン系界面活性剤、アミンオキサイド系界面活性剤、ベタイン系界面活性剤、及びシリコーン系界面活性剤から選択される少なくとも1種である付記13に記載の半導体装置の製造方法。
(付記15) レジストパターンが、ArFレジスト、及びアクリル系樹脂を含んでなるレジストの少なくともいずれかで形成された付記11から14のいずれかに記載の半導体装置の製造方法。
(付記16) 付記11から15のいずれかに記載の半導体装置の製造方法により製造されることを特徴とする半導体装置。
本発明のレジストパターンの形成方法は、例えば、マスクパターン、レチクルパターン、磁気ヘッド、LCD(液晶ディスプレイ)、PDP(プラズマディスプレイパネル)、SAWフィルタ(弾性表面波フィルタ)等の機能部品、光配線の接続に利用される光部品、マイクロアクチュエータ等の微細部品、半導体装置の製造に好適に適用することができ、本発明の半導体装置の製造方法に好適に用いることができる。
本発明の半導体装置の製造方法は、フラッシュメモリ、DRAM、FRAM、等を初めとする各種半導体装置の製造に好適に用いることができ、特に、本発明の半導体装置の製造に好適に用いることができる。
3 レジストパターン
5 被加工面(基材)
10 レジストパターン(本発明)
10a 表層
10b 内層レジストパターン
22 Si基板(半導体基板)
23 フィールド酸化膜
24a 第1ゲート絶縁膜
24b 第2ゲート絶縁膜
25a 第1閾値制御層
25b 第2閾値制御層
26 レジスト膜
27 レジスト膜
28 第1ポリシリコン層(第1導電体膜)
28a フローティングゲート電極
28b ゲート電極(第1ポリシリコン膜)
28c フローティングゲート電極
29 レジスト膜
30a キャパシタ絶縁膜
30b キャパシタ絶縁膜
30c キャパシタ絶縁膜
30d SiO2膜
31 第2ポリシリコン層(第2導電体膜)
31a コントロールゲート電極
31b 第2ポリシリコン膜
32 レジスト膜
33a 第1ゲート部
33b 第2ゲート部
33c 第2ゲート部
35a S/D(ソース・ドレイン)領域層
35b S/D(ソース・ドレイン)領域層
36a S/D(ソース・ドレイン)領域層
36a S/D(ソース・ドレイン)領域層
37 層間絶縁膜
38a コンタクトホール
38b コンタクトホール
39a コンタクトホール
39b コンタクトホール
40a S/D(ソース・ドレイン)電極
40b S/D(ソース・ドレイン)電極
41a S/D(ソース・ドレイン)電極
41b S/D(ソース・ドレイン)電極
42 高融点金属膜(第4導電体膜)
42a 高融点金属膜(第4導電体膜)
42b 高融点金属膜(第4導電体膜)
44a 第1ゲート部
44b 第2ゲート部
45a S/D(ソース・ドレイン)領域層
45b S/D(ソース・ドレイン)領域層
46a S/D(ソース・ドレイン)領域層
46b S/D(ソース・ドレイン)領域層
47 層間絶縁膜
48a コンタクトホール
48b コンタクトホール
49a コンタクトホール
49b コンタクトホール
50a S/D(ソース・ドレイン)電極
50b S/D(ソース・ドレイン)電極
51a S/D(ソース・ドレイン)電極
51b S/D(ソース・ドレイン)電極
52a 開口部
52b 開口部
53a 高融点金属膜(第3導電体膜)
53b 高融点金属膜(第3導電体膜)
54 絶縁膜
Claims (9)
- ポリビニルピロリドン、ポリパラヒドロキシスチレン樹脂及びノボラック樹脂の少なくともいずれかと、下記一般式(1)で表される化合物とを少なくとも含み、非水系であり、かつ酸発生剤及び架橋剤を含まないことを特徴とするレジストパターン厚肉化材料。
- 界面活性剤を含み、該界面活性剤のレジストパターン厚肉化材料における含有量が、該レジストパターン厚肉化材料100質量部に対し、0.005質量部以上である請求項1に記載のレジストパターン厚肉化材料。
- レジストパターン厚肉化材料が塗布されるレジストパターンを実質的に溶解しない有機溶剤を含む請求項1から2のいずれかに記載のレジストパターン厚肉化材料。
- 前記有機溶剤が、炭素数4以上のアルコール系溶剤、及び炭素数2以上のグリコール系溶剤から選択される少なくとも1種である請求項3に記載のレジストパターン厚肉化材料。
- 前記炭素数4以上のアルコール系溶剤が、イソブタノール、n−ブタノール、及び4−メチル−2−ペンタノールから選択される少なくとも1種である請求項4に記載のレジストパターン厚肉化材料。
- 前記炭素数2以上のグリコール系溶剤が、エチレングリコール及びプロピレングリコールから選択される少なくとも1種である請求項4から5のいずれかに記載のレジストパターン厚肉化材料。
- 被加工面上にレジストパターンを形成後、該レジストパターンの表面を覆うように請求項1から6のいずれかに記載のレジストパターン厚肉化材料を塗布することにより該レジストパターンを厚肉化するレジストパターン形成工程と、該厚肉化したレジストパターンをマスクとしてエッチングにより前記被加工面をパターニングするパターニング工程とを含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。
- レジストパターンが、ArFレジスト、及びアクリル系樹脂を含んでなるレジストの少なくともいずれかで形成された請求項7に記載の半導体装置の製造方法。
- 請求項7から8のいずれかに記載の半導体装置の製造方法により製造されることを特徴とする半導体装置。
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---|---|---|---|---|
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JPH05107763A (ja) * | 1991-10-17 | 1993-04-30 | Japan Synthetic Rubber Co Ltd | 感放射線性樹脂組成物 |
JPH05181281A (ja) * | 1991-11-01 | 1993-07-23 | Fuji Photo Film Co Ltd | フオトレジスト組成物及びエツチング方法 |
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JP3271728B2 (ja) * | 1994-02-14 | 2002-04-08 | 日本電信電話株式会社 | ポジ型レジスト組成物 |
JP3071401B2 (ja) | 1996-07-05 | 2000-07-31 | 三菱電機株式会社 | 微細パターン形成材料及びこれを用いた半導体装置の製造方法並びに半導体装置 |
US5955241A (en) * | 1996-10-25 | 1999-09-21 | Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd. | Chemical-amplification-type negative resist composition and method for forming negative resist pattern |
TW372337B (en) * | 1997-03-31 | 1999-10-21 | Mitsubishi Electric Corp | Material for forming micropattern and manufacturing method of semiconductor using the material and semiconductor apparatus |
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US6534243B1 (en) * | 2000-10-23 | 2003-03-18 | Advanced Micro Devices, Inc. | Chemical feature doubling process |
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US20040029047A1 (en) * | 2002-08-07 | 2004-02-12 | Renesas Technology Corp. | Micropattern forming material, micropattern forming method and method for manufacturing semiconductor device |
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DE602004015755D1 (de) * | 2003-03-31 | 2008-09-25 | Alza Corp | Nicht wässrige einphasige visköse vehikel und formulierungen die diese vehikel verwenden |
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US7399582B2 (en) * | 2003-07-17 | 2008-07-15 | Az Electronic Materials Usa Corp. | Material for forming fine pattern and method for forming fine pattern using the same |
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