JP2012164945A5 - - Google Patents

Download PDF

Info

Publication number
JP2012164945A5
JP2012164945A5 JP2011026355A JP2011026355A JP2012164945A5 JP 2012164945 A5 JP2012164945 A5 JP 2012164945A5 JP 2011026355 A JP2011026355 A JP 2011026355A JP 2011026355 A JP2011026355 A JP 2011026355A JP 2012164945 A5 JP2012164945 A5 JP 2012164945A5
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
insulator
disposed
plug
semiconductor device
forming
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP2011026355A
Other languages
English (en)
Other versions
JP5709564B2 (ja
JP2012164945A (ja
Filing date
Publication date
Application filed filed Critical
Priority to JP2011026355A priority Critical patent/JP5709564B2/ja
Priority claimed from JP2011026355A external-priority patent/JP5709564B2/ja
Priority to US13/366,577 priority patent/US8846436B2/en
Priority to CN201210027892.5A priority patent/CN102637705B/zh
Publication of JP2012164945A publication Critical patent/JP2012164945A/ja
Publication of JP2012164945A5 publication Critical patent/JP2012164945A5/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP5709564B2 publication Critical patent/JP5709564B2/ja
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Description

本発明の一つの側面に係る固体撮像装置の製造方法は、複数の光電変換部が配された第１領域及び前記複数の光電変換部からの信号を処理する回路が配された第２領域を含む半導体基板の前記第２領域の上に導電部材を形成する第１工程と、前記導電部材の上に、前記半導体基板の第１領域の上に配される第１部分と前記第２領域の上に配される第２部分とを含む第１絶縁体を形成する第２工程と、前記導電部材と電気的に接続されるプラグが配される位置には前記第１絶縁体を残し、前記第１絶縁体の前記第１部分に第１開口を形成する第３工程と、前記第１開口の内部、及び前記第１絶縁体の前記第２部分の上に、前記第１絶縁体とは異なる材料で構成される第２絶縁体を形成する第４工程と、前記第２絶縁体のうち前記第２領域の上に配された部分であって、前記プラグが配される前記位置、及び前記プラグが配される前記位置から所定の距離以内に配された部分を前記第１絶縁体が露出するように除去する第５工程と、前記第５工程の後に、前記第１絶縁体の前記プラグが配される前記位置に第２開口を形成する第６工程と、前記第２開口にプラグを形成する第７工程と、を含み、前記第２開口の面積は、前記第２絶縁体の前記第５工程で除去される前記部分の面積よりも小さいことを特徴とする。

Claims (10)

  1. 複数の光電変換部が配された第１領域及び前記複数の光電変換部からの信号を処理する回路が配された第２領域を含む半導体基板の前記第２領域の上に導電部材を形成する第１工程と、
    前記導電部材の上に、前記半導体基板の第１領域の上に配される第１部分と前記第２領域の上に配される第２部分とを含む第１絶縁体を形成する第２工程と、
    前記導電部材と電気的に接続されるプラグが配される位置には前記第１絶縁体を残し、前記第１絶縁体の前記第１部分に第１開口を形成する第３工程と、
    前記第１開口の内部、及び前記第１絶縁体の前記第２部分の上に、前記第１絶縁体とは異なる材料で構成される第２絶縁体を形成する第４工程と、
    前記第２絶縁体のうち前記第２領域の上に配された部分であって、前記プラグが配される前記位置、及び前記プラグが配される前記位置から所定の距離以内に配された部分を前記第１絶縁体が露出するように除去する第５工程と、
    前記第５工程の後に、前記第１絶縁体の前記プラグが配される前記位置に第２開口を形成する第６工程と、
    前記第２開口にプラグを形成する第７工程と、を含み、
    前記第２開口の面積は、前記第２絶縁体の前記第５工程で除去される前記部分の面積よりも小さいことを特徴とする半導体装置の製造方法。
  2. 前記第５工程と前記第６工程の間に、前記第２絶縁体の上、及び前記第２領域に配された前記第１絶縁体の上に、第３絶縁体を形成する第８工程をさらに有し、
    前記第６工程において、前記第３絶縁体の前記プラグが形成される位置に前記第２開口を形成することを特徴とする請求項１に記載の半導体装置の製造方法。
  3. 前記第１絶縁体と前記第３絶縁体とは同じ材料で構成されることを特徴とする請求項２に記載の半導体装置の製造方法。
  4. 前記第４工程と前記第５工程との間に、前記第２絶縁体の上に第４絶縁体を形成する第９工程をさらに有し、
    前記第４工程において、前記導電部材の上であって前記導電部材と電気的に接続されるプラグが形成される位置、及び前記プラグが形成される前記位置から所定の距離以内に配された前記第２絶縁体及び前記第４絶縁体を、前記第１絶縁体が露出するように除去することを特徴とする請求項１乃至請求項３のいずれか一項に記載の半導体装置の製造方法。
  5. 前記第４工程において、前記第２絶縁体の前記第２領域の上に配された部分の全部が除去され、前記第１絶縁体の前記第２部分の全面が露出することを特徴とする請求項１乃至請求項４のいずれか一項に記載の半導体装置の製造方法。
  6. 前記第４工程の後に、前記第２領域の上であって、前記プラグが形成される前記位置から前記所定の距離よりも遠い位置に配された第２絶縁体の少なくとも一部または全部が、前記第１絶縁体の上に残ることを特徴とする請求項１乃至請求項４のいずれか一項に記載の半導体装置の製造方法。
  7. 前記第１絶縁体が複数の絶縁膜を含み、
    前記第３工程において、前記第１開口は前記複数の絶縁膜を貫通することを特徴とする請求項１乃至請求項６のいずれか一項に記載の半導体装置の製造方法。
  8. 前記プラグと接続され、前記導電部材に対して前記半導体基板とは反対側に配された別の導電部材を形成する工程と、をさらに含み、
    前記別の導電部材を形成する前記工程において、前記別の導電部材を構成する材料の膜を形成する工程と、前記膜の上に配されたエッチング用のマスクパターンを用いて前記膜をエッチングする工程とが含まれることを特徴とする請求項１乃至請求項７いずれか一項に記載の半導体装置の製造方法。
  9. 前記第４工程と前記第５工程との間に、前記第２絶縁体を平坦化する平坦化工程を含むことを特徴とする請求項１乃至請求項８のいずれか一項に記載の半導体装置の製造方法。
  10. 前記第４工程と前記第５工程との間に、前記第４絶縁体を平坦化する平坦化工程を含むことを特徴とする請求項４に記載の半導体装置の製造方法。
JP2011026355A 2011-02-09 2011-02-09 半導体装置の製造方法 Active JP5709564B2 (ja)

Priority Applications (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2011026355A JP5709564B2 (ja) 2011-02-09 2011-02-09 半導体装置の製造方法
US13/366,577 US8846436B2 (en) 2011-02-09 2012-02-06 Semiconductor device manufacturing method for forming an opening to provide a plug
CN201210027892.5A CN102637705B (zh) 2011-02-09 2012-02-09 半导体器件制造方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2011026355A JP5709564B2 (ja) 2011-02-09 2011-02-09 半導体装置の製造方法

Related Child Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2015042753A Division JP5968481B2 (ja) 2015-03-04 2015-03-04 半導体装置の製造方法

Publications (3)

Publication Number Publication Date
JP2012164945A JP2012164945A (ja) 2012-08-30
JP2012164945A5 true JP2012164945A5 (ja) 2014-09-18
JP5709564B2 JP5709564B2 (ja) 2015-04-30

Family

ID=46600899

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2011026355A Active JP5709564B2 (ja) 2011-02-09 2011-02-09 半導体装置の製造方法

Country Status (3)

Country Link
US (1) US8846436B2 (ja)
JP (1) JP5709564B2 (ja)
CN (1) CN102637705B (ja)

Families Citing this family (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4866972B1 (ja) * 2011-04-20 2012-02-01 パナソニック株式会社 固体撮像装置及びその製造方法
US20120267741A1 (en) * 2011-04-21 2012-10-25 Panasonic Corporation Solid-state imaging device and method for manufacturing the same
JP6039294B2 (ja) 2012-08-07 2016-12-07 キヤノン株式会社 半導体装置の製造方法
JP2015114433A (ja) * 2013-12-10 2015-06-22 富士通セミコンダクター株式会社 半導体装置及び半導体装置の製造方法
JP2015153870A (ja) * 2014-02-13 2015-08-24 キヤノン株式会社 半導体装置の製造方法、光電変換装置
JP2017162925A (ja) * 2016-03-08 2017-09-14 キヤノン株式会社 撮像装置の製造方法
JP2017220620A (ja) 2016-06-09 2017-12-14 キヤノン株式会社 固体撮像装置の製造方法
US10319765B2 (en) 2016-07-01 2019-06-11 Canon Kabushiki Kaisha Imaging device having an effective pixel region, an optical black region and a dummy region each with pixels including a photoelectric converter
JP6574808B2 (ja) * 2016-07-01 2019-09-11 キヤノン株式会社 撮像装置
JP7086558B2 (ja) * 2016-10-28 2022-06-20 キヤノン株式会社 光電変換装置および撮像システム
GB2558714B (en) 2016-10-28 2020-04-08 Canon Kk Photoelectric conversion apparatus and image pickup system

Family Cites Families (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS61173251A (ja) * 1985-01-28 1986-08-04 Mitsubishi Electric Corp フオトマスクの製造方法
JP2002057318A (ja) 2000-08-07 2002-02-22 Sony Corp 固体撮像素子及びその製造方法
WO2004055898A1 (ja) * 2002-12-13 2004-07-01 Sony Corporation 固体撮像素子およびその製造方法
JP4427949B2 (ja) 2002-12-13 2010-03-10 ソニー株式会社 固体撮像素子及びその製造方法
JP2008103757A (ja) * 2002-12-25 2008-05-01 Sony Corp 固体撮像素子およびその製造方法
JP2006229206A (ja) * 2005-02-14 2006-08-31 Samsung Electronics Co Ltd 向上された感度を有するイメージセンサ及びその製造方法
JP2007149893A (ja) 2005-11-25 2007-06-14 Matsushita Electric Ind Co Ltd 固体撮像装置の製造方法、固体撮像装置及びカメラ
US7973271B2 (en) * 2006-12-08 2011-07-05 Sony Corporation Solid-state image pickup device, method for manufacturing solid-state image pickup device, and camera
JP2008166677A (ja) 2006-12-08 2008-07-17 Sony Corp 固体撮像装置とその製造方法並びにカメラ
JP5446484B2 (ja) * 2008-07-10 2014-03-19 ソニー株式会社 固体撮像装置とその製造方法および撮像装置
JP5402083B2 (ja) 2008-09-29 2014-01-29 ソニー株式会社 固体撮像装置とその製造方法、及び電子機器
JP2011023481A (ja) * 2009-07-14 2011-02-03 Panasonic Corp 固体撮像装置及びその製造方法
JP5418044B2 (ja) * 2009-07-30 2014-02-19 ソニー株式会社 固体撮像装置およびその製造方法

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP2012164945A5 (ja)
JP2016213468A5 (ja)
JP2016149546A5 (ja)
JP2014204047A5 (ja)
JP2012134500A5 (ja)
JP2012244180A5 (ja)
JP2012164944A5 (ja)
JP2016174144A5 (ja)
JP2012068627A5 (ja) 半導体装置の作製方法
JP2009158940A5 (ja)
JP2017034246A5 (ja) 半導体装置の作製方法
JP2012182429A5 (ja) 固体撮像装置、及び固体撮像装置の製造方法
JP2013520844A5 (ja)
JP2014123740A5 (ja) 貫通電極を有する半導体素子及びその製造方法
JP2016033979A5 (ja)
JP2012182427A5 (ja)
JP2013084753A5 (ja)
TW200703524A (en) Method for fabricating conductive line
JP2015529017A5 (ja)
JP2010283307A5 (ja)
JP2016219468A5 (ja)
JP2016033977A5 (ja)
JP2012164942A5 (ja)
JP2012104811A5 (ja)
JP2016058599A5 (ja)