JP2012244180A5 - - Google Patents

Claims (16)

1. 相互接続領域に少なくとも４つのコンタクトレベルのスタックを有する３次元積層ＩＣデバイスで使用され、前記コンタクトレベルのランドエリアにアライメントされ且つ該ランドエリアを露出させる相互接続コンタクト領域を形成する方法であって、各コンタクトレベルは導電層と絶縁層とを有し、当該方法は：
   各コンタクトレベルのためのコンタクト開口を作り出すために、第１のコンタクトレベルを露出させるように、前記相互接続領域の上に位置する上部層の少なくとも一部を除去するステップと、
   Ｎは２以上の整数として、前記コンタクトレベルの前記スタックに複数レベルの相互接続コンタクト領域を作り出すためのＮ個のエッチングマスクの組を選定するステップと、
   前記Ｎ個のマスクを使用して、前記コンタクト開口を最大２^Ｎ個のコンタクトレベルまでエッチングするステップであり、少なくとも：
   第１のマスクを使用して、前記コンタクト開口のうちの実効的に半数で、１つのコンタクトレベルをエッチングするステップ；及び
   第２のマスクを使用して、前記コンタクト開口のうちの実効的に半数で、２つのコンタクトレベルをエッチングするステップ；
   を有するステップと、
   を有し、
   それにより、前記コンタクト開口を通って前記コンタクトレベルの前記ランドエリアに接触する導電体を形成することが可能にされる、
   方法。
2. 前記除去するステップは、更なるマスクを用いて実行される、請求項１に記載の方法。
3. 前記第１のマスクを使用するステップは、前記第１のマスクを用いて１つおきのコンタクト開口で、１つのコンタクトレベルをエッチングすることを有し、
   前記第２のマスクを使用するステップは、前記第２のマスクを用いて、少なくとも一組の第１乃至第４のコンタクト開口のうちの第３及び第４のコンタクト開口で、２つのコンタクトレベルをエッチングすることを有する、
   請求項１又は２に記載の方法。
4. 前記Ｎ個のマスクを使用するステップは更に：
   第３のマスクを使用して、前記コンタクト開口のうちの実効的に半数で、４つのコンタクトレベルをエッチングするステップ；及び
   第４のマスクを使用して、前記コンタクト開口のうちの実効的に半数で、８つのコンタクトレベルをエッチングするステップ；
   を有する、請求項１乃至３の何れか一項に記載の方法。
5. 前記第３のマスクを使用するステップは、前記第３のマスクを用いて、少なくとも一組の第１乃至第８のコンタクト開口のうちの第５乃至第８のコンタクト開口で、４つのコンタクトレベルをエッチングすることを有し、
   前記第４のマスクを使用するステップは、前記第４のマスクを用いて、少なくとも一組の第１乃至第１６のコンタクト開口のうちの第９乃至第１６のコンタクト開口で、８つのコンタクトレベルをエッチングすることを有する、
   請求項４に記載の方法。
6. 前記第１のマスクを使用するステップは、コンタクト開口２、４、６、８、１０、１２、１４、１６で１つのコンタクトレベルをエッチングするように実行され、
   前記第２のマスクを使用するステップは、コンタクト開口３、４、７、８、１１、１２、１５、１６で２つのコンタクトレベルをエッチングするように実行され、
   前記第３のマスクを使用するステップは、コンタクト開口５−８、１３−１６で４つのコンタクトレベルをエッチングするように実行され、
   前記第４のマスクを使用するステップは、コンタクト開口９−１６で８つのコンタクトレベルをエッチングするように実行される、
   請求項４に記載の方法。
7. 前記第１のマスクを使用するステップは、コンタクト開口２、４、６、８、１０、１２、１４、１６で８つのコンタクトレベルをエッチングするように実行され、
   前記第２のマスクを使用するステップは、コンタクト開口５、６、７、８、１３、１４、１５、１６で２つのコンタクトレベルをエッチングするように実行され、
   前記第３のマスクを使用するステップは、コンタクト開口３、４、７、８、１１、１２、１５、１６で４つのコンタクトレベルをエッチングするように実行され、
   前記第４のマスクを使用するステップは、コンタクト開口９−１６で１つのコンタクトレベルをエッチングするように実行される、
   請求項４に記載の方法。
8. 前記コンタクトレベルを貫通するグランドコンタクト開口を作り出すステップと、
   前記コンタクトレベルの複数の前記導電層と電気的に接触するように、前記グランドコンタクト開口内にグランド導電体を形成するステップと、
   を更に有する請求項１乃至７の何れか一項に記載の方法。
9. 前記グランドコンタクト開口はグランドコンタクト開口側壁を有し、当該方法は更に：
   前記グランド導電体が前記グランド導電体と前記コンタクトレベルの前記複数の前記導電層との間に強化された電気接触を生成するように、前記グランド導電体を形成するステップに先立って、前記グランドコンタクト開口側壁において前記絶縁層の一部を除去するステップ、
   を更に有する請求項８に記載の方法。
10. 前記使用するステップは、エッチングされるコンタクトレベルの数順とは異なる順序で実行される、請求項１乃至９の何れか一項に記載の方法。
11. 前記コンタクト開口は側壁を有し、当該方法は更に、該側壁に誘電体層を形成するステップを有する、請求項１乃至１０の何れか一項に記載の方法。
12. 相互接続領域の、少なくとも第１、第２、第３及び第４のコンタクトレベルのスタックであり、各コンタクトレベルが導電層と絶縁層とを有する、スタックと、
    前記コンタクトレベルのスタックの一部を貫通する第１、第２、第３及び第４の導電体であり、それぞれ、前記第１、第２、第３及び第４のコンタクトレベルの前記導電層と電気的に接触する第１、第２、第３及び第４の導電体と、
    前記第２、第３及び第４の導電体がそれぞれ前記第２、第３及び第４の導電層とのみ電気的に接触するように、前記第２、第３及び第４の導電体の周囲を取り囲む誘電体側壁スペーサと、
    を有する３次元積層ＩＣデバイス。
13. 前記第１、第２、第３及び第４の導電体は一定のピッチを有する、請求項１２に記載の積層ＩＣデバイス。
14. 前記第１、第２、第３及び第４の導電体の位置は、共通マスクによって決定可能である、請求項１２又は１３に記載の積層ＩＣデバイス。
15. 前記コンタクトレベルのスタックの一部を貫通し且つ前記第１、第２、第３及び第４のコンタクトレベルの前記導電層の各々と電気的に接触するグランド導電体、を更に有する請求項１２乃至１４の何れか一項に記載の積層ＩＣデバイス。
16. 前記第１、第２、第３及び第４の導電体並びに前記グランド導電体の位置は、共通マスクによって決定可能である、請求項１５に記載の積層ＩＣデバイス。