JP2012164945A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】 半導体基板101の撮像領域103及び周辺領域104の上に第5層間絶縁膜113eが配される。第5層間絶縁膜113eの光電変換部105と重なった位置に開口116が形成される。半導体基板101の撮像領域103及び周辺領域104に第1導波路部材118を形成する。第1導波路部材118の周辺領域104に配された部分を除去し、第5層間絶縁膜113eを露出させる。
【選択図】 図6
Description
101 半導体基板
103 撮像領域
104 周辺領域
105 光電変換部
112a 第1配線層
112b 第2配線層
112c 第3配線層
113a〜113e 第1〜第5層間絶縁膜
114 プラグ
116 開口
118 第1導波路部材
119 第6層間絶縁膜
121 プラグ
125 スルーホール
126 第8絶縁膜
Claims (9)
- 第1領域及び第2領域を含む半導体基板の前記第2領域の上に導電部材を形成する第1工程と、
前記半導体基板の第1領域の上と、前記第2領域の上であって、前記導電部材に対して前記半導体基板とは反対側に第1絶縁体を形成する第2工程と、
前記導電部材と電気的に接続されるプラグが配される位置には前記第1絶縁体を残し、前記第1絶縁体のうち前記第1領域の上に配された部分に第1開口を形成する第3工程と、
前記第1開口の内部、及び前記第1絶縁体のうち前記第2領域の上に配された部分の上に、前記第1絶縁体とは異なる材料で構成される第2絶縁体を形成する第4工程と、
前記第2絶縁体のうち前記第2領域の上に配された部分であって、前記プラグが配される前記位置の上、及び前記プラグが配される前記位置から所定の距離以内に配された部分を前記第1絶縁体が露出するように除去する第5工程と、
前記第5工程の後に、前記第1絶縁体の前記プラグが配される前記位置に第2開口を形成する第6工程と、
前記第2開口にプラグを形成する第7工程と、を含み、
前記第2開口の面積は、前記第2絶縁体の前記第3工程で除去される前記部分の面積よりも小さいことを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 複数の光電変換部が配された第1領域、及び前記複数の光電変換部からの信号を処理する回路が配された第2領域を含む半導体基板の前記第2領域の上に導電部材を形成する第1工程と、
前記半導体基板の前記第1領域の上と、前記第2領域の上であって、前記導電部材に対して前記半導体基板とは反対側に第1絶縁体を形成する第2工程と、
前記導電部材と電気的に接続されるプラグが配される位置には前記第1絶縁体を残し、前記第1絶縁体の前記複数の光電変換部の各々と重なった位置に複数の第1開口を形成する第3工程と、
前記複数の第1開口の各々の内部、及び前記第1絶縁体のうち前記第2領域の上に配された部分の上に、前記第1絶縁体とは異なる材料で構成される第2絶縁体を形成する第4工程と、
前記第2絶縁体のうち前記第2領域の上に配された部分であって、前記プラグが配される前記位置の上、及び前記プラグが配される前記位置から所定の距離以内に配された部分を前記第1絶縁体が露出するように除去する第5工程と、
前記第5工程の後に、前記第1絶縁体の前記プラグが配される前記位置に第2開口を形成する第6工程と、
前記第2開口にプラグを形成する第7工程と、を含み、
前記第2開口の面積は、前記第2絶縁体の前記第3工程で除去される前記部分の面積よりも小さいことを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 前記第5工程と前記第6工程の間に、前記第2絶縁体の上、及び前記第2領域に配された前記第1絶縁体の上に、第3絶縁体を形成する第8工程をさらに有し、
前記第6工程において、前記第3絶縁体の前記プラグが形成される位置に前記第2開口を形成することを特徴とする請求項1または請求項2のいずれかに記載の半導体装置の製造方法。 - 前記第1絶縁体と前記第3絶縁体とは同じ材料で構成されることを特徴とする請求項3に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記第3工程と前記第4工程との間に、前記第2絶縁体の上に第4絶縁体を形成する第9工程をさらに有し、
前記第4工程において、前記導電部材の上であって前記導電部材と電気的に接続されるプラグが形成される位置の上、及び前記プラグが形成される前記位置から所定の距離以内に配された前記第2絶縁体及び前記第4絶縁体を、前記第1絶縁体が露出するように除去することを特徴とする請求項1乃至請求項4のいずれか一項に記載の半導体装置の製造方法。 - 前記第4工程の後において、前記第2絶縁体の前記第2領域の上に配された部分の全部が除去され、前記第1絶縁体の前記第2領域の上に配された部分の全面が露出することを特徴とする請求項1乃至請求項5のいずれか一項に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記第4工程の後に、前記第2領域の上であって、前記プラグが形成される前記位置から前記所定の距離よりも遠い位置に配された第2絶縁体の少なくとも一部または全部が、前記第1絶縁体の上に残ることを特徴とする請求項1乃至請求項5のいずれか一項に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記第1絶縁体が複数の絶縁膜を含み、
前記第3工程において、前記第1開口は前記複数の絶縁膜を貫通することを特徴とする請求項1乃至請求項7のいずれか一項に記載の半導体装置の製造方法。 - 前記プラグと接続され、前記導電部材に対して前記半導体基板とは反対側に配された別の導電部材を形成する工程と、をさらに含み、
前記別の導電部材を形成する前記工程において、前記別の導電部材を構成する材料の膜を形成する工程と、前記膜の上に配されたエッチング用のマスクパターンを用いて前記膜をエッチングする工程とが含まれることを特徴とする請求項1乃至請求項8いずれか一項に記載の半導体装置の製造方法。
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