JP2014204047A5

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Publication number: JP2014204047A5
Application number: JP2013080836A
Authority: JP
Filing date: 2013-04-08
Publication date: 2016-05-26
Anticipated expiration: 2033-04-08

Description

本発明の１つの側面は、半導体装置の製造方法に係り、前記製造方法は、第１面および第２面を有する半導体基板を用意する工程と、前記第１面の上に配された、第１開口を有するマスクを使用して前記半導体基板をエッチングすることによって、前記半導体基板に第１溝を形成する工程と、前記第１溝を形成する工程の後に、前記第１面の上に配された、第２開口を有するマスクを使用して前記半導体基板をエッチングすることによって、前記半導体基板に第２溝を形成する工程と、を含み、前記第２溝を形成する工程では、前記第２開口が前記第１溝の上に位置し、前記第１面に沿った方向における前記第２開口の幅が前記方向における前記第１開口の幅よりも大きく、前記第２溝は前記第１溝よりも前記第１面に対して浅く形成される。

Claims

半導体装置の製造方法であって、
第１面および第２面を有する半導体基板を用意する工程と、
前記第１面の上に配された、第１開口を有するマスクを使用して前記半導体基板をエッチングすることによって、前記半導体基板に第１溝を形成する工程と、
前記第１溝を形成する工程の後に、前記第１面の上に配された、第２開口を有するマスクを使用して前記半導体基板をエッチングすることによって、前記半導体基板に第２溝を形成する工程と、
を含み、
前記第２溝を形成する工程では、前記第２開口が前記第１溝の上に位置し、前記第１面に沿った方向における前記第２開口の幅が前記方向における前記第１開口の幅よりも大きく、
前記第２溝は前記第１溝よりも前記第１面に対して浅く形成される、
ことを特徴とする半導体装置の製造方法。
前記第２溝の中に絶縁体を充填する工程と、
前記絶縁体で取り囲まれた半導体素子を形成する工程と、を更に含む、
ことを特徴とする請求項１に記載の半導体装置の製造方法。
前記第１開口の上に第３開口を有するマスクを、前記第１開口を有する前記マスクの上に形成し、
前記第３開口を有する前記マスクを使用して前記第１開口を有する前記マスクのうち前記第３開口に露出している部分を除去して前記第２開口を形成する、
ことを特徴とする請求項１または２に記載の半導体装置の製造方法。
前記第３開口に露出している前記部分の除去は前記第１溝の形成における前記半導体基板のエッチングとともに行われる、
ことを特徴とする請求項３に記載の半導体装置の製造方法。
前記第２溝を通して前記半導体基板における前記第２溝と前記第２面との間に位置する領域にイオンを注入する工程を更に含む、
ことを特徴とする請求項１乃至４のいずれか１項に記載の半導体装置の製造方法。
前記第２溝を形成する工程の後に、
前記半導体基板の中に半導体領域を形成する工程と、
前記半導体基板を前記第２面の側から薄化する工程と、を更に含み、
前記半導体基板を薄化する工程は、前記半導体基板の前記第１面とは反対側の面に前記半導体領域が露出するようになされる、
ことを特徴とする請求項１乃至５のいずれか１項に記載の半導体装置の製造方法。
前記半導体基板を前記第２面の側から薄化する工程を更に含み、
前記半導体基板を薄化する工程は、前記半導体基板の前記第１面とは反対側の面に前記第１溝が露出するようになされる、
ことを特徴とする請求項１乃至５のいずれか１項に記載の半導体装置の製造方法。
前記半導体基板を前記第２面の側から薄化する工程を更に含み、
前記半導体基板を薄化する工程は、前記半導体基板の前記第１面とは反対側の面に前記第１溝が露出しないようになされる、
ことを特徴とする請求項１乃至５のいずれか１項に記載の半導体装置の製造方法。
前記半導体基板を薄化する工程の後に、前記半導体基板の前記第１面とは反対側の前記面の上に膜を形成する工程を更に含み、前記膜を形成する工程の後に前記第１溝の中に空間が残る、
ことを特徴とする請求項６乃至８のいずれか１項に記載の半導体装置の製造方法。
前記第１面と前記第２面との間に、光電変換部を形成する工程を更に含む、
ことを特徴とする請求項１乃至９のいずれか１項に記載の半導体装置の製造方法。
第１面および第２面を有する半導体基板と、
前記半導体基板に対して前記第１面の側に配置された配線構造と、
前記半導体基板に設けられ、前記第１面に沿った方向において第１の幅を有する部分と、前記第１の幅を有する前記部分よりも前記第２面の側に位置し、前記第１の幅よりも小さい第２の幅を有する部分と、を有する溝と、
前記溝の前記第１の幅を有する前記部分の中に配置された絶縁体と、
前記半導体基板に配置された光電変換部と、を備え、
前記光電変換部は第１導電型の第１半導体領域と、前記第１半導体領域と前記第１面との間に位置し前記第１導電型とは反対の第２導電型の第２半導体領域と、前記第１半導体領域と前記第２面との間に位置する前記第２導電型の第３半導体領域と、を有し、
前記第１半導体領域は、前記第１面に垂直な方向において、前記絶縁体と前記第２面との間に位置する部分を有する、
ことを特徴とする半導体装置。
前記第２の幅を有する前記部分の中には空間が設けられている、
ことを特徴とする請求項１１に記載の半導体装置。
前記絶縁体と前記第１半導体領域との間には前記第２導電型の第４半導体領域が配置されている、
ことを特徴とする請求項１１又は１２に記載の半導体装置。
前記半導体基板には、
前記光電変換部で発生した電荷が転送されるフローティングディフュージョンと、
前記フローティングディフュージョンの電位をリセットする、あるいは、前記フローティングディフュージョンの電位に応じた信号を出力するトランジスタと、が配置されており、
前記フローティングディフュージョンと前記トランジスタとの間に前記溝が位置している、
ことを特徴とする請求項１１乃至１３のいずれか１項に記載の半導体装置。
前記半導体基板に対して前記第２面の側に配置されたマイクロレンズ層を更に備える、
ことを特徴とする請求項１１乃至１４のいずれか１項に記載の半導体装置。
請求項１１乃至１５のいずれか１項に記載の半導体装置と、
前記半導体装置から出力される信号を処理する処理部と、
を備えることを特徴とするカメラ。