JP2010114152A5 - - Google Patents

Claims (8)

1. 第１導電型のドリフト領域の表面に第２導電型のボディ領域が積層されている半導体基板を備えた半導体装置であり、
   前記半導体基板の上面から前記ボディ領域を貫通する複数の第１トレンチと、
   前記第１トレンチ内に配置されているゲート電極と、
   前記ゲート電極を被覆している絶縁膜と、
   前記第１トレンチの底部を包囲しており、ドリフト領域によってボディ領域より分離されている第２導電型の第１拡散領域と、
   隣り合う第１トレンチの間のドリフト領域に設けられており、その一端部がボディ領域に接する一方で他端部が第１拡散領域に接し、ドリフト領域によって第１トレンチから分離されている第２導電型の第２拡散領域と、
   を備えている半導体装置。
2. 前記隣り合う第１トレンチの間であって前記第２拡散領域の上面側には、底部が前記ボディ領域内にあって前記ドリフト領域に達していない第２トレンチが設けられていることを特徴とする請求項１に記載の半導体装置。
3. 前記第２トレンチは、半導体装置の積層方向に伸びていることを特徴とする請求項２に記載の半導体装置。
4. 前記第２トレンチは、前記第１トレンチの長手方向にも伸びており、前記第２拡散領域が前記第１トレンチの長手方向に伸びていることを特徴とする請求項３に記載の半導体装置。
5. 前記第１トレンチと前記第２トレンチの間に第１導電型のソース領域が設けられており、前記ソース領域は前記第１トレンチと対向する前記第２トレンチの内壁面に露出しており、前記ソース電極が前記第２トレンチ内に充填されていることを特徴とする請求項２乃至４のいずれか一項の半導体装置。
6. 前記第２拡散領域と前記第２トレンチの間の前記ボディ領域内には第２導電型のコンタクト領域が設けられており、前記コンタクト領域の不純物濃度は、前記ボディ領域の不純物濃度よりも高濃度であることを特徴とする請求項２乃至５のいずれか一項に記載の半導体装置。
7. 前記第１トレンチの長手方向の側端部には、底部が前記ボディ領域内にあって前記ドリフト領域に達していない段差部が設けられており、
   前記段差部の下面側には、その一端が前記ボディ領域に接する一方でその他端が前記第１拡散領域に接する第２導電型の第３拡散領域が設けられていることを特徴とする請求項１乃至６のいずれか一項に記載の半導体装置。
8. 第１導電型のドリフト領域の表面に第２導電型のボディ領域が積層されている半導体基板を備えた半導体装置であり、
   前記半導体基板の上面から前記ボディ領域を貫通する複数の第１トレンチと、
   前記第１トレンチ内に配置されているゲート電極と、
   前記ゲート電極を被覆している絶縁膜と、
   前記第１トレンチの底部を包囲しており、ドリフト領域によってボディ領域より分離されている第２導電型の第１拡散領域と、
   隣り合う第１トレンチの間のドリフト領域に設けられており、その一端部がボディ領域に接する一方で他端部が第１拡散領域に接し、ドリフト領域によって第１トレンチから分離されている第２導電型の第２拡散領域と、
   を備えている半導体装置の製造方法であって、
   前記半導体基板に、その底部が前記ボディ領域内にあって前記ドリフト領域に達していない第２トレンチを形成する工程と、
   形成した前記第２トレンチの底部からイオン注入を行うことで、前記第２拡散領域を形成する工程と、
   を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。