JP2010114152A - 半導体装置および半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置および半導体装置の製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2010114152A JP2010114152A JP2008283546A JP2008283546A JP2010114152A JP 2010114152 A JP2010114152 A JP 2010114152A JP 2008283546 A JP2008283546 A JP 2008283546A JP 2008283546 A JP2008283546 A JP 2008283546A JP 2010114152 A JP2010114152 A JP 2010114152A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- region
- trench
- semiconductor device
- diffusion region
- gate
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 109
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 21
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 claims abstract description 144
- 210000000746 body region Anatomy 0.000 claims abstract description 65
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 23
- 238000005468 ion implantation Methods 0.000 claims description 16
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 14
- 239000012535 impurity Substances 0.000 claims description 8
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 claims description 3
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 abstract description 8
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 21
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 6
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 4
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 description 4
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 description 4
- 239000000463 material Substances 0.000 description 4
- 230000008569 process Effects 0.000 description 4
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 4
- 230000001133 acceleration Effects 0.000 description 3
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 3
- 238000009434 installation Methods 0.000 description 3
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 3
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 3
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 3
- BOTDANWDWHJENH-UHFFFAOYSA-N Tetraethyl orthosilicate Chemical compound CCO[Si](OCC)(OCC)OCC BOTDANWDWHJENH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000008859 change Effects 0.000 description 2
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 2
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 2
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 2
- 230000005669 field effect Effects 0.000 description 2
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 2
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 2
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052785 arsenic Inorganic materials 0.000 description 1
- RQNWIZPPADIBDY-UHFFFAOYSA-N arsenic atom Chemical compound [As] RQNWIZPPADIBDY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000001505 atmospheric-pressure chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 239000000969 carrier Substances 0.000 description 1
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 1
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 1
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 1
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 description 1
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 description 1
- 239000012495 reaction gas Substances 0.000 description 1
- 238000003892 spreading Methods 0.000 description 1
- 230000007480 spreading Effects 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching, or capacitors or resistors with at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/68—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
- H01L29/76—Unipolar devices, e.g. field effect transistors
- H01L29/772—Field effect transistors
- H01L29/78—Field effect transistors with field effect produced by an insulated gate
- H01L29/7801—DMOS transistors, i.e. MISFETs with a channel accommodating body or base region adjoining a drain drift region
- H01L29/7802—Vertical DMOS transistors, i.e. VDMOS transistors
- H01L29/7811—Vertical DMOS transistors, i.e. VDMOS transistors with an edge termination structure
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching, or capacitors or resistors with at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/02—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/06—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape; characterised by the shapes, relative sizes, or dispositions of the semiconductor regions ; characterised by the concentration or distribution of impurities within semiconductor regions
- H01L29/0603—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape; characterised by the shapes, relative sizes, or dispositions of the semiconductor regions ; characterised by the concentration or distribution of impurities within semiconductor regions characterised by particular constructional design considerations, e.g. for preventing surface leakage, for controlling electric field concentration or for internal isolations regions
- H01L29/0607—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape; characterised by the shapes, relative sizes, or dispositions of the semiconductor regions ; characterised by the concentration or distribution of impurities within semiconductor regions characterised by particular constructional design considerations, e.g. for preventing surface leakage, for controlling electric field concentration or for internal isolations regions for preventing surface leakage or controlling electric field concentration
- H01L29/0611—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape; characterised by the shapes, relative sizes, or dispositions of the semiconductor regions ; characterised by the concentration or distribution of impurities within semiconductor regions characterised by particular constructional design considerations, e.g. for preventing surface leakage, for controlling electric field concentration or for internal isolations regions for preventing surface leakage or controlling electric field concentration for increasing or controlling the breakdown voltage of reverse biased devices
- H01L29/0615—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape; characterised by the shapes, relative sizes, or dispositions of the semiconductor regions ; characterised by the concentration or distribution of impurities within semiconductor regions characterised by particular constructional design considerations, e.g. for preventing surface leakage, for controlling electric field concentration or for internal isolations regions for preventing surface leakage or controlling electric field concentration for increasing or controlling the breakdown voltage of reverse biased devices by the doping profile or the shape or the arrangement of the PN junction, or with supplementary regions, e.g. junction termination extension [JTE]
- H01L29/0619—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape; characterised by the shapes, relative sizes, or dispositions of the semiconductor regions ; characterised by the concentration or distribution of impurities within semiconductor regions characterised by particular constructional design considerations, e.g. for preventing surface leakage, for controlling electric field concentration or for internal isolations regions for preventing surface leakage or controlling electric field concentration for increasing or controlling the breakdown voltage of reverse biased devices by the doping profile or the shape or the arrangement of the PN junction, or with supplementary regions, e.g. junction termination extension [JTE] with a supplementary region doped oppositely to or in rectifying contact with the semiconductor containing or contacting region, e.g. guard rings with PN or Schottky junction
- H01L29/0623—Buried supplementary region, e.g. buried guard ring
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching, or capacitors or resistors with at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/02—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/06—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape; characterised by the shapes, relative sizes, or dispositions of the semiconductor regions ; characterised by the concentration or distribution of impurities within semiconductor regions
- H01L29/0684—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape; characterised by the shapes, relative sizes, or dispositions of the semiconductor regions ; characterised by the concentration or distribution of impurities within semiconductor regions characterised by the shape, relative sizes or dispositions of the semiconductor regions or junctions between the regions
- H01L29/0692—Surface layout
- H01L29/0696—Surface layout of cellular field-effect devices, e.g. multicellular DMOS transistors or IGBTs
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching, or capacitors or resistors with at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/68—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
- H01L29/76—Unipolar devices, e.g. field effect transistors
- H01L29/772—Field effect transistors
- H01L29/78—Field effect transistors with field effect produced by an insulated gate
- H01L29/7801—DMOS transistors, i.e. MISFETs with a channel accommodating body or base region adjoining a drain drift region
- H01L29/7802—Vertical DMOS transistors, i.e. VDMOS transistors
- H01L29/7813—Vertical DMOS transistors, i.e. VDMOS transistors with trench gate electrode, e.g. UMOS transistors
Abstract
【解決手段】
ゲートトレンチ112の間に、第2導電型のボディ領域106と第2導電型の第1拡散領域107とを導通する第2導電型の第2拡散領域110を設ける。第2拡散領域110とゲートトレンチ112の間には、ドリフト領域105が確保されている。隣合うゲートトレンチ112の間の任意の箇所に任意の個数の第2拡散領域110を設置することができるため、ゲートトレンチ112の設計を変更することなく必要なキャリア供給量を確保することができる。これによって、高耐圧かつ低オン抵抗なトレンチゲート構造の絶縁ゲート型半導体を得ることができる。
【選択図】 図2
Description
(特徴1) 第1導電型はN型であり、第2導電型がP型である。
(特徴2) 隣り合うゲートトレンチの間に設置される第2拡散領域は、隣り合うゲートトレンチの底部を包囲する複数の第1拡散領域と電気的に接続している。
(特徴3) 第2トレンチおよび第1トレンチの側端部に設けられた段差部の底部から垂直にイオン注入することによってキャリア供給経路を形成する。
(特徴4) イオン注入強度を調整してキャリア供給経路の濃度を調整する。
W :空乏層巾
ε :半導体の誘電率
Vbi :内蔵電位
q :素電荷量
Nd :ドナー不純物濃度
102 ソース電極
103 ドレイン電極
104 N+ドレイン領域
105 N−ドリフト領域
106 P−ボディ領域
107 P拡散領域
108 N+ソース領域
109 コンタクトP+領域
110 P−拡散領域(第2拡散領域)
111 P−拡散領域(第3拡散領域)
112 ゲートトレンチ
113 ゲート絶縁膜
114 堆積絶縁層
115 接触面
116 層間絶縁膜
121 第2トレンチ
122 段差部
131 終端トレンチ
137 終端P拡散領域
138 堆積絶縁層
151 パターンマスク
152 絶縁膜
900 半導体装置
901 ゲート電極
902 ソース電極
903 ドレイン電極
904 N−ドリフト領域
905 N+ドレイン領域
906 P−ボディ領域
907 P拡散領域
908 N+ソース領域
909 コンタクトP+領域
911 P−−拡散領域
912 ゲートトレンチ
913 ゲート絶縁膜
914 堆積絶縁層
931 終端トレンチ
Claims (8)
- 第1導電型のドリフト領域の表面に第2導電型のボディ領域が積層されている半導体基板を備えた半導体装置であり、
前記半導体基板の上面から前記ボディ領域を貫通する複数の第1トレンチと、
前記第1トレンチ内に配置されているゲート電極と、
前記ゲート電極を被覆している絶縁膜と、
前記第1トレンチの底部を包囲しており、ドリフト領域によってボディ領域より分離されている第2導電型の第1拡散領域と、
隣り合う第1トレンチの間のボディ領域に設けられており、その一端部がボディ領域に接する一方で他端部が第1拡散領域に接し、ドリフト領域によって第1トレンチから分離されている第2導電型の第2拡散領域と、
を備えている半導体装置。 - 前記隣り合う第1トレンチの間であって前記第2拡散領域の上面側には、底部が前記ボディ領域内にあって前記ドリフト領域に達していない第2トレンチが設けられていることを特徴とする請求項1に記載の半導体装置。
- 前記第2トレンチは、半導体装置の積層方向に伸びていることを特徴とする請求項2に記載の半導体装置。
- 前記第2トレンチは、前記第1トレンチの長手方向にも伸びており、前記第2拡散領域が前記第1トレンチの長手方向に伸びていることを特徴とする請求項3に記載の半導体装置。
- 前記第1トレンチと前記第2トレンチの間に第1導電型のソース領域が設けられており、前記ソース領域は前記第1トレンチと対向する前記第2トレンチの内壁面に露出しており、前記ソース電極が前記第2トレンチ内に充填されていることを特徴とする請求項2乃至4のいずれか一項の半導体装置。
- 前記第2拡散領域と前記第2トレンチの間の前記ボディ領域内には第2導電型のコンタクト領域が設けられており、前記コンタクト領域の不純物濃度は、前記ボディ領域の不純物濃度よりも高濃度であることを特徴とする請求項2乃至5のいずれか一項に記載の半導体装置。
- 前記第1トレンチの長手方向の側端部には、底部が前記ボディ領域内にあって前記ドリフト領域に達していない段差部が設けられており、
前記段差部の下面側には、その一端が前記ボディ領域に接する一方でその他端が前記第1拡散領域に接する第2導電型の第3拡散領域が設けられていることを特徴とする請求項1乃至6のいずれか一項に記載の半導体装置。 - 第1導電型のドリフト領域の表面に第2導電型のボディ領域が積層されている半導体基板を備えた半導体装置であり、
前記半導体基板の上面から前記ボディ領域を貫通する複数の第1トレンチと、
前記第1トレンチ内に配置されているゲート電極と、
前記ゲート電極を被覆している絶縁膜と、
前記第1トレンチの底部を包囲しており、ドリフト領域によってボディ領域より分離されている第2導電型の第1拡散領域と、
隣り合う第1トレンチの間のボディ領域に設けられており、その一端部がボディ領域に接する一方で他端部が第1拡散領域に接し、ドリフト領域によって第1トレンチから分離されている第2導電型の第2拡散領域と、
を備えている半導体装置の製造方法であって、
前記半導体基板に、その底部が前記ボディ領域内にあって前記ドリフト領域に達していない第2トレンチを形成する工程と、
形成した前記第2トレンチの底部からイオン注入を行うことで、前記第2拡散領域を形成する工程と、
を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2008283546A JP5353190B2 (ja) | 2008-11-04 | 2008-11-04 | 半導体装置および半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2008283546A JP5353190B2 (ja) | 2008-11-04 | 2008-11-04 | 半導体装置および半導体装置の製造方法 |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2010114152A true JP2010114152A (ja) | 2010-05-20 |
JP2010114152A5 JP2010114152A5 (ja) | 2011-06-16 |
JP5353190B2 JP5353190B2 (ja) | 2013-11-27 |
Family
ID=42302509
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2008283546A Active JP5353190B2 (ja) | 2008-11-04 | 2008-11-04 | 半導体装置および半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP5353190B2 (ja) |
Cited By (16)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2011253837A (ja) * | 2010-05-31 | 2011-12-15 | Denso Corp | 炭化珪素半導体装置およびその製造方法 |
JP2012064686A (ja) * | 2010-09-15 | 2012-03-29 | Toshiba Corp | 半導体装置 |
JP2012069735A (ja) * | 2010-09-24 | 2012-04-05 | Toshiba Corp | 半導体装置 |
WO2012077617A1 (ja) * | 2010-12-10 | 2012-06-14 | 三菱電機株式会社 | 半導体装置およびその製造方法 |
WO2014080471A1 (ja) * | 2012-11-21 | 2014-05-30 | トヨタ自動車株式会社 | 半導体装置 |
WO2015098167A1 (ja) * | 2013-12-26 | 2015-07-02 | トヨタ自動車株式会社 | 絶縁ゲート型半導体装置の製造方法及び絶縁ゲート型半導体装置 |
JP6038391B2 (ja) * | 2014-09-30 | 2016-12-07 | 三菱電機株式会社 | 半導体装置 |
WO2017145210A1 (en) * | 2016-02-26 | 2017-08-31 | Toyota Jidosha Kabushiki Kaisha | Semiconductor switching element |
WO2017175460A1 (ja) * | 2016-04-07 | 2017-10-12 | 三菱電機株式会社 | 半導体装置および電力変換装置 |
JP2017208380A (ja) * | 2016-05-16 | 2017-11-24 | 富士電機株式会社 | 半導体装置および半導体装置の製造方法 |
US9853141B2 (en) | 2013-12-26 | 2017-12-26 | Toyota Jidosha Kabushiki Kaisha | Semiconductor device with front and rear surface electrodes on a substrate having element and circumferential regions, an insulating gate type switching element in the element region being configured to switch between the front and rear surface electrodes |
US10020390B2 (en) | 2013-12-26 | 2018-07-10 | Toyota Jidosha Kabushiki Kaisha | Semiconductor device and semiconductor device manufacturing method |
CN109075197A (zh) * | 2016-02-26 | 2018-12-21 | 丰田自动车株式会社 | 半导体开关元件 |
CN110431669A (zh) * | 2017-03-07 | 2019-11-08 | 三菱电机株式会社 | 半导体装置以及电力变换装置 |
JP2020064950A (ja) * | 2018-10-16 | 2020-04-23 | 富士電機株式会社 | 炭化珪素半導体装置および炭化珪素半導体装置の製造方法 |
US20220069073A1 (en) * | 2020-08-28 | 2022-03-03 | Nanjing Zizhu Microelectronics Co., Ltd. | Integrated circuit system with super junction transistor mechanism and method of manufacture thereof |
Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2001267570A (ja) * | 2000-03-15 | 2001-09-28 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体装置及び半導体装置製造方法 |
JP2002368220A (ja) * | 2001-06-04 | 2002-12-20 | Hitachi Ltd | 半導体装置及びこれを用いた電源システム |
JP2003188379A (ja) * | 2001-12-18 | 2003-07-04 | Fuji Electric Co Ltd | 半導体装置およびその製造方法 |
JP2005057049A (ja) * | 2003-08-04 | 2005-03-03 | Renesas Technology Corp | 半導体装置およびその製造方法 |
WO2007060716A1 (ja) * | 2005-11-22 | 2007-05-31 | Shindengen Electric Manufacturing Co., Ltd. | トレンチゲートパワー半導体装置 |
JP2008135522A (ja) * | 2006-11-28 | 2008-06-12 | Toyota Motor Corp | 半導体装置 |
-
2008
- 2008-11-04 JP JP2008283546A patent/JP5353190B2/ja active Active
Patent Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2001267570A (ja) * | 2000-03-15 | 2001-09-28 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体装置及び半導体装置製造方法 |
JP2002368220A (ja) * | 2001-06-04 | 2002-12-20 | Hitachi Ltd | 半導体装置及びこれを用いた電源システム |
JP2003188379A (ja) * | 2001-12-18 | 2003-07-04 | Fuji Electric Co Ltd | 半導体装置およびその製造方法 |
JP2005057049A (ja) * | 2003-08-04 | 2005-03-03 | Renesas Technology Corp | 半導体装置およびその製造方法 |
WO2007060716A1 (ja) * | 2005-11-22 | 2007-05-31 | Shindengen Electric Manufacturing Co., Ltd. | トレンチゲートパワー半導体装置 |
JP2008135522A (ja) * | 2006-11-28 | 2008-06-12 | Toyota Motor Corp | 半導体装置 |
Cited By (34)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2011253837A (ja) * | 2010-05-31 | 2011-12-15 | Denso Corp | 炭化珪素半導体装置およびその製造方法 |
US9029918B2 (en) | 2010-09-15 | 2015-05-12 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Semiconductor device |
JP2012064686A (ja) * | 2010-09-15 | 2012-03-29 | Toshiba Corp | 半導体装置 |
CN102403358A (zh) * | 2010-09-15 | 2012-04-04 | 株式会社东芝 | 半导体装置 |
US9293548B2 (en) | 2010-09-15 | 2016-03-22 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Semiconductor device |
US8912632B2 (en) | 2010-09-24 | 2014-12-16 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Semiconductor device |
JP2012069735A (ja) * | 2010-09-24 | 2012-04-05 | Toshiba Corp | 半導体装置 |
WO2012077617A1 (ja) * | 2010-12-10 | 2012-06-14 | 三菱電機株式会社 | 半導体装置およびその製造方法 |
JP5710644B2 (ja) * | 2010-12-10 | 2015-04-30 | 三菱電機株式会社 | 炭化珪素半導体装置およびその製造方法 |
CN103262248A (zh) * | 2010-12-10 | 2013-08-21 | 三菱电机株式会社 | 半导体装置及其制造方法 |
US9224860B2 (en) | 2010-12-10 | 2015-12-29 | Mitsubishi Electric Corporation | Trench-gate type semiconductor device and manufacturing method therefor |
US9614029B2 (en) | 2010-12-10 | 2017-04-04 | Mitsubishi Electric Corporation | Trench-gate type semiconductor device and manufacturing method therefor |
US9985093B2 (en) | 2010-12-10 | 2018-05-29 | Mitsubishi Electric Corporation | Trench-gate type semiconductor device and manufacturing method therefor |
CN103959475A (zh) * | 2012-11-21 | 2014-07-30 | 丰田自动车株式会社 | 半导体装置 |
KR101439310B1 (ko) | 2012-11-21 | 2014-09-11 | 도요타 지도샤(주) | 반도체 장치 |
WO2014080471A1 (ja) * | 2012-11-21 | 2014-05-30 | トヨタ自動車株式会社 | 半導体装置 |
JP5547347B1 (ja) * | 2012-11-21 | 2014-07-09 | トヨタ自動車株式会社 | 半導体装置 |
US9853141B2 (en) | 2013-12-26 | 2017-12-26 | Toyota Jidosha Kabushiki Kaisha | Semiconductor device with front and rear surface electrodes on a substrate having element and circumferential regions, an insulating gate type switching element in the element region being configured to switch between the front and rear surface electrodes |
WO2015098167A1 (ja) * | 2013-12-26 | 2015-07-02 | トヨタ自動車株式会社 | 絶縁ゲート型半導体装置の製造方法及び絶縁ゲート型半導体装置 |
US10020390B2 (en) | 2013-12-26 | 2018-07-10 | Toyota Jidosha Kabushiki Kaisha | Semiconductor device and semiconductor device manufacturing method |
JP6038391B2 (ja) * | 2014-09-30 | 2016-12-07 | 三菱電機株式会社 | 半導体装置 |
US10312233B2 (en) | 2014-09-30 | 2019-06-04 | Mitsubishi Electric Corporation | Semiconductor device |
CN109075196A (zh) * | 2016-02-26 | 2018-12-21 | 丰田自动车株式会社 | 半导体开关元件 |
WO2017145210A1 (en) * | 2016-02-26 | 2017-08-31 | Toyota Jidosha Kabushiki Kaisha | Semiconductor switching element |
CN109075197A (zh) * | 2016-02-26 | 2018-12-21 | 丰田自动车株式会社 | 半导体开关元件 |
WO2017175460A1 (ja) * | 2016-04-07 | 2017-10-12 | 三菱電機株式会社 | 半導体装置および電力変換装置 |
US10026807B2 (en) | 2016-05-16 | 2018-07-17 | Fuji Electric Co., Ltd. | Semiconductor device and method of manufacturing semiconductor device |
JP2017208380A (ja) * | 2016-05-16 | 2017-11-24 | 富士電機株式会社 | 半導体装置および半導体装置の製造方法 |
US10381436B2 (en) | 2016-05-16 | 2019-08-13 | Fuji Electric Co., Ltd. | Semiconductor device and method of manufacturing semiconductor device |
CN110431669A (zh) * | 2017-03-07 | 2019-11-08 | 三菱电机株式会社 | 半导体装置以及电力变换装置 |
CN110431669B (zh) * | 2017-03-07 | 2023-03-28 | 三菱电机株式会社 | 半导体装置以及电力变换装置 |
JP2020064950A (ja) * | 2018-10-16 | 2020-04-23 | 富士電機株式会社 | 炭化珪素半導体装置および炭化珪素半導体装置の製造方法 |
JP7151363B2 (ja) | 2018-10-16 | 2022-10-12 | 富士電機株式会社 | 炭化珪素半導体装置および炭化珪素半導体装置の製造方法 |
US20220069073A1 (en) * | 2020-08-28 | 2022-03-03 | Nanjing Zizhu Microelectronics Co., Ltd. | Integrated circuit system with super junction transistor mechanism and method of manufacture thereof |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP5353190B2 (ja) | 2013-11-27 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5353190B2 (ja) | 半導体装置および半導体装置の製造方法 | |
US10825923B2 (en) | Semiconductor device | |
CN107112358B (zh) | 半导体装置及半导体装置的制造方法 | |
JP4453671B2 (ja) | 絶縁ゲート型半導体装置およびその製造方法 | |
JP6168732B2 (ja) | 炭化珪素半導体装置およびその製造方法 | |
US9627526B2 (en) | Assymetric poly gate for optimum termination design in trench power MOSFETs | |
US8174066B2 (en) | Semiconductor device and method of manufacturing semiconductor device | |
US10446649B2 (en) | Silicon carbide semiconductor device | |
JP4735235B2 (ja) | 絶縁ゲート型半導体装置およびその製造方法 | |
WO2017006711A1 (ja) | 半導体装置 | |
KR100731141B1 (ko) | 반도체소자 및 그의 제조방법 | |
JP6140823B2 (ja) | 炭化珪素半導体装置 | |
JP2009088005A (ja) | 半導体装置およびその製造方法 | |
US20130056790A1 (en) | Semiconductor device and method for manufacturing same | |
CN105321824B (zh) | 半导体装置的制造方法 | |
JP4447474B2 (ja) | 半導体装置およびその製造方法 | |
US9825125B2 (en) | Silicon carbide semiconductor device and manufacturing method of silicon carbide semiconductor device | |
KR20100027056A (ko) | 반도체 장치 및 그의 제조 방법 | |
JP2006093459A (ja) | トレンチゲート型半導体装置およびその製造方法 | |
JP2008306022A (ja) | 半導体装置 | |
JP5037103B2 (ja) | 炭化珪素半導体装置 | |
US20210028306A1 (en) | Manufacturing method of semiconductor device and semiconductor device | |
US20080054348A1 (en) | Semiconductor device and a method of fabricating the same | |
US10062773B2 (en) | Semiconductor device having a transistor and first and second embedded layers | |
WO2023112547A1 (ja) | 半導体装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20110318 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20110426 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20121012 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20121030 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20121225 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20130730 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20130812 |
|
R151 | Written notification of patent or utility model registration |
Ref document number: 5353190 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R151 |