JP2008135522A - 半導体装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】ボディ領域141と、ボディ領域141に接しているドリフト領域112と、セルエリアを実質的に一巡するように伸びているとともに、ボディ領域の表面からボディ領域を貫通してドリフト領域に達している終端トレンチ161〜163と、ドリフト領域112内において終端トレンチ161〜163の底面を囲繞する範囲に形成されている底面囲繞領域153を備える半導体装置に関する。終端トレンチ161〜163の底面における不純物密度が、終端トレンチの長さに沿って観測したときに不均一であり、不純物密度が低い部分では終端トレンチ161〜163を分離する分離壁164の厚みが薄く設定されており、不純物密度が高い部分では終端トレンチ161〜163の分離壁164の厚みが厚く設定されている。
【選択図】 図2
Description
半導体装置の耐圧を更に向上するために、第2導電型(例えばn型)のドリフト領域内において終端トレンチの底面を囲繞する範囲に、第1導電型(例えばp型)の底面囲繞領域を形成した半導体装置が開発されている。その一例が、特許文献1に開示されている。
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中の破線で示す枠Xの内側)と、そのセルエリア505を取り囲む終端エリア507に区分されている。
セルエリア505には、6本のメイントレンチ513が図11の上下方向に伸びるように形成されている。終端エリア507には、半導体基板502の外周504の内側を外周504に沿って伸びる3重の終端トレンチ561〜563が形成されている。各終端トレンチ561〜563は、セルエリア505を一巡する閉ループ形状となっている。
メイントレンチ513は、ボディ領域541の表面からボディ領域541を貫通してドリフト領域512に達している。各々のメイントレンチ513には、メイン絶縁領域523が充填されている。各々のメイン絶縁領域523内には、トレンチゲート電極522が埋め込まれている。各々のトレンチゲート電極522は、ボディ領域541の表面からボディ領域541を貫通してドリフト領域512に達している。メイントレンチ513の底面に沿って、p型不純物を含む底面囲繞領域551がメイントレンチ513の底面を囲む範囲に形成されている。
n+ソース領域531とp+ボディコンタクト領域532の表面には、ソース電極533が形成されており、ソース電極533はソース配線Sに接続されている。トレンチゲート電極522はゲート配線Gに接続されている。n+ドレイン領域511はドレイン配線Dに接続されている。ドレイン配線Dはプラスの電位に接続され、ソース配線Sは接地されて用いられる。
n−ドリフト領域512内に、メイントレンチ513と終端トレンチ561〜563の底面を囲繞する底面囲繞領域551,553を設けることによって、半導体装置500の高耐圧化が図られている。メイントレンチ513と終端トレンチ561〜563の底面を底面囲繞領域551,553で囲繞することによって、半導体装置500が高耐圧化される現象は、特許文献1に詳細に記載されている。
そこで、特許文献2の技術が提案されている(ただし、本出願の出願時点ではまだ未公開である)。この技術では、図13に模式的に図示するように、斜めにp型の不純物を注入して熱拡散することによって、メイントレンチ513と終端トレンチ561〜563の端部の側壁にp型の不純物拡散層570を形成し、p型の不純物拡散層570によって、メイントレンチ513と終端トレンチ561〜563の浅部に位置しているp型ボディ領域541と、メイントレンチ513と終端トレンチ561〜563の底面を取り囲んでいるp型の底面囲繞領域551,553を連通させる。p型の底面囲繞領域551,553をp型のボディ領域541に導通させると、半導体装置500がターンオンしたときに、p型の底面囲繞領域551,553に蓄積した電荷がp型ボディ領域541に抜けやすくなるために、スイッチング速度が遅くなるという問題が解決される。
すなわち、終端トレンチの長さに沿って観察したときに、終端トレンチの底面を覆っている底面囲繞領域553のトレンチ底面における不純物密度が一様ならず、トレンチの長手方向の位置によって不純物密度が変化してしまうという現象が生じる。
そこで、メイントレンチ513のトレンチ底面における不純物密度を最適値に調整することになる。そのために、終端トレンチ561,562,563のうちのy方向に長く伸びている部分561y,562y,563yのトレンチ底面における不純物密度が過少となってしまう。終端トレンチ561,562,563のうちのy方向に長く伸びている部分561y,562y,563yでは、底面囲繞領域553が小さくしか広がらず、隣接する底面囲繞領域553,553の間に残されるドリフト領域512の幅が広くなりすぎ、底面囲繞領域553による耐圧向上効果が不十分となってしまう。
本発明の第1の手法では、隣接する終端トレンチ同士の間隔(終端トレンチの幅方向の中心から隣接する終端トレンチの幅方向の中心までの距離)が一様であると制約の中で、分離壁の厚みを位置によって調整する。そのために、終端トレンチの幅を位置に応じて調整する。
本発明の第2の手法では、終端トレンチの幅が一様であると制約の中で、分離壁の厚みを位置によって調整する。そのために、終端トレンチ同士の間隔(終端トレンチの幅方向の中心から隣接する終端トレンチの幅方向の中心までの距離)を位置に応じて調整する。
本発明の改良された半導体装置では、最内側の終端トレンチと最外側のメイントレンチの間隔を位置によって調整し、最内側の終端トレンチの底面囲繞領域と最外側のメイントレンチの底面囲繞領域の間に残される距離を位置によらないでほぼ一様とする。
コーナー部が湾曲している場合、そのコーナー部におけるトレンチ底面の不純物密度も連続的に一様に変化していることが多い。それに応じて、コーナー部における分離壁の厚みが連続的に一様に変化していると、コーナー部の全範囲においてほぼ均一な耐圧向上効果を得ることができる。
しかしながら、この方法でも、湾曲しているコーナー部では、不純物がトレンチ底面に到達しづらいという問題は解消しない。
そのために、コーナー部における分離壁の厚みが、直線的に伸びている部分における分離壁の厚みよりも薄いことが好ましい。
この場合、不純物がトレンチ底面に到達しづらいために底面囲繞領域が小さくしか広がらないコーナー部では、分離壁の厚みが減じられており、隣接する底面囲繞領域間の間隙の距離が伸びることが補償される。コーナー部ではトレンチ底面の不純物密度が低下することを、コーナー部の分離壁の厚みを薄くすることで補償することができる。
コーナー部の中央において、分離壁の厚みが薄く、終端トレンチが直線的に伸びている部分に近づくにつれて分離壁の厚みが厚くなっていると、トレンチ底面の不純物密度の低下を分離壁の厚みの減少で補償することができ、隣接する底面囲繞領域の間に残されている領域の幅をコーナー部を含む終端トレンチの全長に亘って一様化でき、終端トレンチの全長に亘ってほぼ均一な耐圧特性を得ることができる。
例えば、セルエリア内にMOS構造が形成されている場合、MOSにはしばしば高い耐圧特性が要求されるために、本発明が特に有用である。
セルエリア内にMOS構造が形成されている場合、ボディ領域の表面からボディ領域を貫通してドリフト領域に達しているメイントレンチと、メイントレンチの壁面を被覆しているゲート絶縁領域と、ゲート絶縁領域を介してボディ領域に対向する位置関係でメイントレンチ内に収容されており、ボディ領域の表面からボディ領域を貫通してドリフト領域に達しているトレンチゲート電極と、ボディ領域の表面のメイントレンチに隣接する位置に形成されている第2導電型のソース領域と、半導体基板の裏面側に形成されているドレイン領域を備えている。この構造を備えているMOSは、トレンチゲート電極の電位で、ソース領域とドレイン領域の間の導通・非導通が切換えられる。
MOSの耐圧特性を改善するために、ドリフト領域内においてメイントレンチの底面を囲繞する範囲に形成されている第1導電型の底面囲繞領域と、ドリフト領域内においてメイントレンチの端面に接する範囲に形成されており、第1導電型のボディ領域と第1導電型の底面囲繞領域を導通する第1導電型の端面隣接領域を備えているMOSが提案されている。
(特徴1)底面囲繞領域は、半導体基板の表面に直交する方向から不純物を注入する垂直注入工程と、半導体基板の表面に対して傾斜する方向から不純物を注入する傾斜注入工程によって形成されている。
(特徴2)ボディ領域と底面囲繞領域を導通させる端面隣接領域は、半導体基板の表面に対して傾斜する方向から不純物を注入する傾斜注入工程によって形成されている。
(特徴3)半導体基板を平面視したときに、各終端トレンチはコーナー部が湾曲している直角四辺形の形状であり、終端トレンチの長さに沿って観測したときに終端トレンチ同士の間隔は一様であり、平行に伸びる一対の辺では前記不純物密度が高くて各終端トレンチの幅が狭く、前記一対の辺に直交する他の一対の辺では前記不純物密度が低くて各終端トレンチの幅が広い。
(特徴4)特徴3に加えて、湾曲しているコーナー部で、各終端トレンチの幅が連続的に一様に変化している。
(特徴5)半導体基板を平面視したときに、各終端トレンチはコーナー部が湾曲している直角四辺形の形状であり、終端トレンチの長さに沿って観測したときに終端トレンチ同士の間隔は一様であり、コーナー部における各終端トレンチの幅が、直線的に伸びる部分における各終端トレンチの幅よりも広い。
(特徴6)特徴5に加えて、コーナー部の中央において各終端トレンチの幅が広く、終端トレンチが直線的に伸びている部分に近づくにつれて各終端トレンチの幅が狭くなっている。
(特徴7)半導体基板を平面視したときに、各終端トレンチはコーナー部が湾曲している直角四辺形の形状であり、終端トレンチの長さに沿って観測したときに各終端トレンチの幅は一様であり、平行に伸びる一対の辺では前記不純物密度が高くて終端トレンチ同士の間隔が広く、前記一対の辺に直交する他の一対の辺では前記不純物密度が低くて終端トレンチ同士の間隔が狭い。
(特徴8)特徴7に加えて、前記湾曲しているコーナー部で、終端トレンチ同士の間隔が連続的に一様に変化している。
(特徴9)半導体基板を平面視したときに、各終端トレンチはコーナー部が湾曲している直角四辺形の形状であり、終端トレンチの長さに沿って観測したときに各終端トレンチの幅は一様であり、コーナー部の中央において終端トレンチ同士の間隔が狭く、終端トレンチが直線的に伸びている部分に近づくにつれて終端トレンチ同士の間隔が広がっている。
(特徴10)特徴9に加えて、コーナー部における終端トレンチの曲率半径が、内側の終端トレンチでは小さく、外側の終端トレンチでは大きい。
(実施例1:終端トレンチの一対の辺ではトレンチ幅が広く、それに直交する他の一対の辺ではトレンチ幅が狭く、隣接するトレンチ同士の間隔が一様である例)
図1は第1実施例の半導体装置100の平面図であり、図2は図1のII−II線の断面図である。図3は図1のIII−III線の一部の断面図である。正確には、図1は図2のI−I線の断面図である。ただし、図1において、ドレイン領域112に対するハッチングは省略されている。
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中の破線で示す枠X内)と、そのセルエリア105を取り囲む終端エリア107に区分されている。
各終端トレンチ部161〜163は、ほぼ直角四辺形の形状を備えており、湾曲するコーナー部を備えている。
メイントレンチ113は、半導体基板102の表面101からボディ領域141を貫通してドリフト領域112に達している。メイントレンチ113同士の間隔(メイントレンチの幅方向の中心と隣接するメイントレンチの幅方向の中心の間の距離)は、2.5μmで均一である。メイントレンチ113同士の間隔は長さ方向に一様であり、どのメイントレンチに着目しても等しい。各々のメイントレンチ113の少なくとも側壁は、メイン絶縁領域123で被覆されている。各々のメイントレンチ113には、メイン絶縁領域123で半導体基板102から絶縁された状態で、トレンチゲート電極122が埋め込まれている。各々のトレンチゲート電極122は、ボディ領域141の表面からボディ領域141を貫通してドリフト領域112に達している。各々のメイントレンチ113は、各々のトレンチゲート電極122よりも深く伸びており、トレンチゲート電極122が存在しない深さではメイン絶縁領域123で充填されている。
n+ソース領域131とp+ボディコンタクト領域132の表面には、ソース電極133が形成されており、ソース電極133はソース配線Sに接続されている。ゲート電極122はゲート配線Gに接続されている。n+ドレイン領域111はドレイン配線Dに接続されている。ドレイン配線Dはプラスの電位に接続され、ソース電線Sは接地されて用いられる。ゲート電極122は、ソース電極133とソース配線Sから絶縁されており、セルエリア105に電流を流すか流さないかを制御する電圧が印加される。ドレイン領域111、ソース領域131、ボディコンタクト領域132の不純物濃度は、電極との間でオーミック特性を確保する高濃度に調整されている。
セルエリア105内には、ソース領域131とボディ領域141とドリフト領域112とドレイン領域111とトレンチゲート電極122によって、MOS構造が形成されている。
最も内側の終端絶縁領域171には、ダミーゲート電極124が埋め込まれている。ダミーゲート電極124は、セルエリア105に形成されているゲート電極122と同一材料で同一形状を備えている。ダミーゲート電極124はゲート配線Gに接続されている。他の終端トレンチ162,163には、終端絶縁領域172,173のみが充填されている。ダミーゲート電極124は省略してもよい。すなわち、最も内側の終端トレンチ161の全体に終端絶縁領域171を充填してもよい。
終端トレンチ161〜163の左側部161L〜163Lと右側部161R〜163Rに沿って形成されている底面囲繞領域153は、各終端トレンチ161〜163の側面よりも側方に距離d1だけ広がっている。ただし、隣接する底面囲繞領域153,153はつながっていない。隣接する底面囲繞領域153,153の間には、幅m1のドリフト領域が残されている。
図2において、d1とd3はほぼ等しく、m4はm1よりもわずかに広い。m4は、セルエリア105内において底面囲繞領域151による耐圧向上効果が充分に得られるとともにMOS100のオン抵抗を所定範囲内に抑えられる適値に調整されており、m1は、終端エリア107において底面囲繞領域153による耐圧向上効果が充分に得られる適値に調整されている。
図3に示されているメイントレンチ113の端面113aから最内側の終端トレンチ161の上側部161Tの内側の側面161bまでの距離p3は、図2に示されている終端トレンチ161の左側部161L(あるいは右側部161R)の内側の側面161bと隣接するメイントレンチ113の側面113bとの距離p4よりも短く設定されている。同様に、メイントレンチ113の下側の端面113cから最内側の終端トレンチ161の下側部161Bの内側の側面161bまでの距離p3は、終端トレンチ161の左側部161L(あるいは右側部161R)の内側の側面161bと隣接するメイントレンチ113の側面113bとの距離p4よりも短く設定されている。
メイントレンチ113の端面113aに沿って、p型不純物が拡散している端面隣接領域152が形成されている。p型の端面隣接領域152は、p型の底面囲繞領域151とp型のボディ領域141を導通させている。端面隣接領域152は、メイントレンチ113の端面113a、113cに沿って伸びている。端面隣接領域152の不純物密度と厚みは、半導体装置100の耐圧及びオン抵抗を配慮して決定されている。半導体装置100の耐圧を保持するためには、半導体装置100がオフのときに、端面隣接領域152が完全に空乏化することが理想である。一方、オン抵抗を低減するためには、端面隣接領域152の不純物密度が高いことが好ましい。シミュレーションによって、不純物のピーク濃度がおよそ0.7×1016/cm3であり、厚みが0.3μmであれば、耐圧と導電性を両立できることが判明している。
それに対して、終端トレンチ161〜163の右側部161R〜163Rと左側部161L〜163Lのトレンチ幅h1(図2参照)は、終端トレンチ161〜163の上側部161T〜163Tと下側部161B〜163Bのトレンチ幅h2(図3参照)よりも狭い。そのために、終端トレンチ161〜163の右側部161R〜163Rと左側部161L〜163Lにおける分離壁164,164の厚みp1(図2参照)は、終端トレンチ161〜163の上側部161T〜163Tと下側部161B〜163Bにおける分離壁164,164の厚みp2(図3参照)よりも厚い。
後記するように、終端トレンチ161〜163の右側部161R〜163Rと左側部161L〜163Lのトレンチ底面における不純物密度は、終端トレンチ161〜163の上側部161T〜163Tと下側部161B〜163Bのトレンチ底面における不純物密度よりも高い。そのために、終端トレンチ161〜163の右側部161R〜163Rと左側部161L〜163Lでは、底面囲繞領域153が終端トレンチから側方に張り出す距離d1(図2参照)が大きいのに対し、終端トレンチ161〜163の上側部161T〜163Tと下側部161B〜163Bでは、底面囲繞領域153が終端トレンチから側方に張り出す距離d2(図3参照)が小さい。
本実施例の場合、トレンチ161〜163の幅h1,h2は、下記の式を満たすように選択されている。
h1+2×d1=h2+2×d2 あるいは、h2−h1=2×(d1−d2)
すなわち、分離壁164の厚みは、下記の式を満たすように設定されている。
p1−p2=h3−h1=2×(d1−d2)
上記の関係が設定されていると、終端トレンチ161〜163の右側部161R〜163Rと左側部161L〜163Lに形成されている隣接する底面囲繞領域153,153の間隙の距離m1(図2参照)と、終端トレンチ161〜163の上側部161T〜163Tと下側部161B〜163Bに形成されている隣接する底面囲繞領域153,153の間隙の距離m2(図3参照)は等しくなる。
図4に示す工程では、半導体基板102の表面101に垂直なT方向から、メイントレンチ113と終端トレンチ161〜163の底面に、p型の不純物を均一に注入する。この段階で、メイントレンチ113と終端トレンチ161〜163の底面に、密度qtで不純物が注入される。ここでいう密度は、トレンチ底面の単位面積当たりの不純物注入量を言う。
図4に示したN1方向の傾斜注入をした段階では、終端トレンチ161の上側部161Tと下側部161Bの底面での不純物密度が低く、終端トレンチ161の左側部161Lと右側部161Rの底面での不純物密度が高くなる。
終端トレンチ161の左側部161Lと右側部161Rは、不純物の注入方向N1に沿って長く伸びており、その底面が不純物の注入方向N1に露出している。従って、N1方向の傾斜注入をすることによって、終端トレンチ161の左側部161Lと右側部161Rの底面に多くの不純物密度が注入される。それに対して、終端トレンチ161の上側部161Tと下側部161Bは、不純物の注入方向N1に沿ったトレンチの長さが短い(トレンチの幅に相当する)。そのために、不純物の注入方向N1から見たときに、上側部161Tと下側部161Bの底面は露出していない。すなわち、マスク191や半導体基板102の表面101に遮られるために、上側部161Tと下側部161Bの底面が露出していない。そのために、N1方向から傾斜注入をしても、上側部161Tと下側部161Bの底面に注入される不純物量は少ない。
同様のことが、N2方向の傾斜注入をした段階でも生じる。左側部161Lと右側部161Rは、不純物の注入方向N2に沿って長く伸びており、その底面が不純物の注入方向N2に露出している。従って、N2方向の傾斜注入をすることによって、左側部161Lと右側部161Rの底面に多くの不純物密度が注入される。それに対して、上側部161Tと下側部161Bは、不純物の注入方向N2に沿ったトレンチの長さが短い。そのために、不純物の注入方向N2から見たときに、上側部161Tと下側部161Bの底面は露出していない。すなわち、マスク191や半導体基板102の表面101に遮られるために、上側部161Tと下側部161Bの底面が露出していない。そのために、N2方向から傾斜注入をしても、上側部161Tと下側部161Bの底面に注入される不純物量は少ない。
コーナー部付近では、底面における不純物密度が濃い領域C2から中間密度の領域C1を経て密度が薄い領域C3に向けて徐々に密度が変化している。
本実施例では、h2−h1=2×(d1−d2)の関係に設定されている。終端トレンチ162,163も、終端トレンチ161と同様に構成されている。
従って、右側部161R〜163Rと左側部161L〜163Lに沿って隣接する底面囲繞領域153,153の間隙の距離m1(図2参照)と、終端トレンチ161〜163の上側部161T〜163Tと下側部161B〜163Bに沿って隣接する底面囲繞領域153,153の間隙の距離m2(図3参照)は等しい。隣接する底面囲繞領域153,153の間隙の距離m1,m2は、トレンチ底面での不純物密度の濃淡にもかかわらず、終端トレンチ161〜163の全長に亘って一様化されている。底面囲繞領域153による耐圧向上効果を終端トレンチ161,162,163の全長にわたって、良好なレベルに維持することができる。
また、最内側の終端トレンチ161の上側部161T及び下側部161Bの内側の側面161bと、それに隣接するメイントレンチ113の端面113a,113cの距離p3(図3参照)が、左側部161L及び右側部161Rの内側の側面161bと、それに隣接するメイントレンチ113の側面113bとの距離p4(図2参照)によりも短く設定されている。それにより、最内側の終端トレンチ161と隣接するメイントレンチ113との間の耐圧特性が、終端トレンチ161の全長にわたって均一化されている。
第1実施例では、終端トレンチの幅hを調整することによって、終端トレンチの長さに沿って略均一の耐圧特性を得ているが、終端トレンチが長さ方向に均一の幅hを有する場合でも、終端トレンチ同士の間隔を調整することによって、終端トレンチの長さ方向に沿って略均一の耐圧特性を得ることができる。
以下、図6を参照しながら実施例1の変形例の半導体装置100′を説明する。実施例1と対応する部分に対して、同じ番号に「′」を付することによって、その重複説明を省略する。図6は、半導体装置100′の終端トレンチ161′〜163′及びメイントレンチ113′のレイアウトを示す模式図である。図6において、終端トレンチ161′〜163′及びメイントレンチ113′をハッチングで、底面囲繞領域151′,153′を破断線で示している。
半導体装置100′では、終端トレンチ161′〜163′の幅h′が長さ方向に均一である。終端トレンチ161′〜163′の底面における不純物密度の分布パターンは、基本的に半導体装置100と類似している。すなわち、上側部161T′〜163T′及び下側部161B′〜163B′の底面では不純物密度が低く、左側部161L′〜163L′及び右側部161R′〜163R′の底面では不純物密度が高く、コーナー部161LT′〜163LT′,161LB′〜163LB′,161RT′〜163RT′,161RB′〜163RB′の底面では不純物密度が一様に変化している。
この結果、終端トレンチ161′の底面を取り囲む底面囲繞領域153′と終端トレンチ162′の底面を取り囲む底面囲繞領域153′の間隔m1、m2は、終端トレンチ161′、162′の全長にわたって均質化されている。終端トレンチ162′の底面を取り囲む底面囲繞領域153′と終端トレンチ163′の底面を取り囲む底面囲繞領域153′の間隔m1、m2も、終端トレンチ162′、163′の全長にわたって均質化されている。
コーナー部でも、終端トレンチ161′の底面を取り囲む底面囲繞領域153′と終端トレンチ162′の底面を取り囲む底面囲繞領域153′の間隔mが、コーナー部の全長にわたって均質化されている。終端トレンチ162′の底面を取り囲む底面囲繞領域153′と終端トレンチ163′の底面を取り囲む底面囲繞領域153′の間隔mも、コーナー部の全長にわたって均質化されている。
以下、図7及び図8を参照しながら第2実施例の半導体装置を説明する。図7は、第2実施例の半導体装置200を示す断面図であり、図1のII−II線の断面図に相当する図である。そして、第1実施例と共通する部分に対して、第1実施例の番号に100をプラスすることによって、重複説明を省略する。
この結果、メイントレンチ213の両端面のみならず、メイントレンチ213の側面にも不純物が注入されるが、図4または図8に示すように、イオンの注入方向が半導体基板の表面に対して大きく傾斜しているために、メイントレンチの長さ方向の両端面113a,113cでは表面から底面に至るまで不純物が注入されて端面隣接領域252が形成されるが、メイントレンチの幅方向の側面では浅い部分にしか不純物が注入されない。メイントレンチの幅方向の側面における不純物注入領域はボディ層241内に留まっている。
半導体装置200では、x方向に長く伸びているトレンチとy方向に長く伸びているトレンチでは、底面での不純物密度が一様となるが、コーナー部では、底面での不純物密度が変化する。おおむね、コーナー部の中央に近づくほど、不純物密度は低下する。
そこで、不純物密度が低下するコーナー部では、トレンチの幅が拡大されている。特に、不純物密度が最小に低下するコーナー部の中央付近でトレンチの幅hが最大となるように設定されている。結果として、各コーナー部261LT,261LB,261RT,261RBでは、トレンチ幅hが、図9に示すように、直線部につながる両端から中央へ向けて徐々に大きくなるように設定されている。
本実施例の場合、直線的に伸びている部分におけるトレンチの幅は0.4μmに設定されており、コーナー部付近では幅が徐々に拡大し、中央で0.6μmにまで拡大するように設定されている。この結果、終端トレンチ261〜263を分離する分離壁の厚みは、コーナー部の中央付近で薄く、直線的に伸びている部分に近づくのにつれて厚くなっている。
また、ボディ領域241cは最も外側の終端トレンチ263の内側の領域に留まっている。これに代えて、ボディ領域241cが、半導体基板202の周辺204にまで達していてもよい。
また、実施例2の変形例の半導体装置200′では、実施例1の変形例と同様に、終端トレンチの幅hを調整する代わりに、隣接する終端トレンチを分離する分離壁の厚みpを調整する。このことは、終端トレンチ同士の間隔を調整することを意味する。
実施例2と対応する部分に対して、同じ番号に「′」を付することによって、重複説明を省略する。図10は、半導体装置200′の終端トレンチ261′〜263′の左上角のレイアウトを示す拡大模式図である。図10では、終端トレンチ261′〜263′をハッチングで示し、底面囲繞領域251′,253′を破断線で示している。
図10に示すように、各終端トレンチ261′〜263′の幅hは、長手方向に一様に0.4μmに設定されている。各終端トレンチ261′〜263′のコーナー部付近以外の部分では、底面における不純物密度が同じであるために、隣接する終端トレンチ同士の間隔は長さ方向に一様に設定されている。
また、以上の実施例では、終端トレンチが一巡する閉ループに形成しているが、それに限らない。例えば、終端トレンチは、局部的に一箇所又は数箇所で切断されてもよい。
また、各半導体領域については,P型とN型とを入れ替えてもよい。また、絶縁領域については,酸化膜に限らず、窒化膜等の他の種類の絶縁膜でもよいし、複合膜でもよい。また、半導体についても,シリコンに限らず、他の種類の半導体(SiC,GaN,GaAs等)であってもよい。また、実施の形態の半導体装置は、伝導度変調型パワーIGBTに対しても適用可能である。
本明細書または図面に説明した技術要素は、単独であるいは各種の組み合わせによって技術的有用性を発揮するものであり、出願時請求項記載の組み合わせに限定されるものではない。また、本明細書または図面に例示した技術は複数目的を同時に達成するものであり、そのうちの一つの目的を達成すること自体で技術的有用性を持つものである。
101: 表面
102: 半導体基板
104: 外周
105: セルエリア
107: 終端エリア
111: ドレイン領域
112: ドリフト領域
122: トレンチゲート電極
124: ダミートレンチゲート電極
131: ソース領域
132: ボディコンタクト領域
133: ソース電極
141: ボディ領域
D : ドレイン配線
S : ソース配線
G : ゲート配線
113: メイントレンチ
123: メイン絶縁領域
151: 底面囲繞領域
152: 端面隣接領域
153: 底面囲繞領域
161〜163: 終端トレンチ
161L〜163L: 左側部
161R〜163R: 右側部
161T〜163T: 上側部
161B〜163B: 下側部
161LT〜163LT: コーナー部
161RT〜163RT: コーナー部
161LB〜163LB: コーナー部
161RB〜163RB: コーナー部
164:分離壁
171〜173: 終端絶縁領域
h:終端トレンチの幅
p:分離壁の厚み
r:底面囲繞領域の幅
d:底面囲繞領域がトレンチの側面から張り出す距離
m:隣接する底面囲繞領域の間隔
Claims (9)
- 半導体基板の表面側に形成されている第1導電型のボディ領域と、
ボディ領域の深部側でボディ領域に接している第2導電型のドリフト領域と、
半導体基板のセルエリアを実質的に一巡するように伸びており、ボディ領域の表面からボディ領域を貫通してドリフト領域に達しているとともに、少なくとも2重に形成されている終端トレンチと、
ドリフト領域内において各終端トレンチの底面を囲繞する範囲に形成されている第1導電型の底面囲繞領域を備えており、
終端トレンチの長さに沿って観測したときに、各終端トレンチの底面における第1導電型の不純物密度が不均一であり、
終端トレンチの長さに沿って観測したときに、前記不純物密度が高い部分では隣接する終端トレンチを分離する分離壁の厚みが厚く、前記不純物密度が低い部分では前記分離壁の厚みが薄いことを特徴とする半導体装置。 - 終端トレンチの長さに沿って観測したときに、終端トレンチ同士の間隔は一様であり、前記不純物密度が高い部分では各終端トレンチの幅が狭く、前記不純物密度が低い部分では各終端トレンチの幅が広いことを特徴とする請求項1の半導体装置。
- 終端トレンチの長さに沿って観測したときに、各終端トレンチの幅は一様であり、前記不純物密度が高い部分では終端トレンチ同士の間隔が広く、前記不純物密度が低い部分では終端トレンチ同士の間隔が狭いことを特徴とする請求項1の半導体装置。
- 前記半導体基板を平面視したときに、各終端トレンチはコーナー部が湾曲している直角四辺形の形状であり、
平行に伸びる一対の辺では、前記不純物密度が高くて前記分離壁の厚みが厚く、
前記一対の辺に直交する他の一対の辺では、前記不純物密度が低くて前記分離壁の厚みが薄いことを特徴とする請求項1から3のいずれかの半導体装置。 - 前記湾曲しているコーナー部で、前記分離壁の厚みが連続的に一様に変化していることを特徴とする請求項4の半導体装置。
- 前記半導体基板を平面視したときに、各終端トレンチはコーナー部が湾曲している直角四辺形の形状であり、
前記コーナー部における前記分離壁の厚みが、終端トレンチが直線的に伸びている部分における前記分離壁の厚みよりも薄いことを特徴とする請求項1から3のいずれかの半導体装置。 - 前記コーナー部の中央において前記分離壁の厚みが薄く、終端トレンチが直線的に伸びている部分に近づくにつれて前記分離壁の厚みが厚くなっていることを特徴とする請求項6の半導体装置。
- 半導体基板のセルエリア内に形成されており、ボディ領域の表面からボディ領域を貫通してドリフト領域に達しているとともに、直線的に平行に伸びている複数のメイントレンチを備えており、
前記半導体基板を平面視したときに、終端トレンチは、メイントレンチと平行している一対の辺と、メイントレンチと直交している一対の辺を備えており、
メイントレンチと平行している辺では、最外側のメイントレンチと最内側の終端トレンチの間隔が広く、
メイントレンチと直交している辺では、メイントレンチの端部と最内側の終端トレンチの間隔が狭いことを特徴とする請求項1〜7のいずれかの半導体装置。 - 半導体基板のセルエリア内に、
ボディ領域の表面からボディ領域を貫通してドリフト領域に達しているメイントレンチと、
メイントレンチの壁面を被覆しているゲート絶縁領域と、
ゲート絶縁領域を介してボディ領域に対向する位置関係でメイントレンチ内に収容されており、ボディ領域の表面からボディ領域を貫通してドリフト領域に達しているトレンチゲート電極と、
ドリフト領域内においてメイントレンチの底面を囲繞する範囲に形成されている第1導電型の底面囲繞領域と、
ドリフト領域内においてメイントレンチの端面に接する範囲に形成されており、第1導電型のボディ領域と第1導電型の底面囲繞領域を導通する第1導電型の端面隣接領域と、
ボディ領域の表面のメイントレンチに隣接する位置に形成されている第2導電型のソース領域と、
半導体基板の裏面側に形成されているドレイン領域を備えており、
トレンチゲート電極の電位で、ソース領域とドレイン領域の間の導通・非導通が切換えられることを特徴とする請求項1〜8のいずれかの半導体装置。
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