JP4669191B2 - 横形超接合半導体デバイス - Google Patents
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Description
【発明の属する技術分野】
本発明は、横形伝導超接合半導体デバイスに関し、より詳細には、新規の横形伝導超接合MOSFETデバイスに関する。
【0002】
【従来の技術】
従来のMOSFET超接合デバイスは、米国特許第4、754、310号明細書、及び米国特許第5,216,275号明細書、並びに「SimulatedSuperior Performance of Semiconductor Superjunction Devices」(Fujihara、Miyaskaによる、the Proceedings of 1998 International Symposium on Semicoductor Devices & ICs、423〜426ページ)の文献に開示されている。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、このような従来のMOSFET超接合デバイスには、深いトレンチ(trench)、または連続的に堆積され拡散されたシリコンのPエピタキシャル層及びNエピタキシャル層が必要である。さらに、従来のMOSFET超接合デバイスの動作特性は、十分に活用されていないという問題がある。
【0004】
本発明は、このような問題に鑑みてなされたもので、その目的とするところは、浅いトレンチのみを必要とし、高密度の構造を有する新規の横形伝導超接合半導体デバイスを提供することにある。
【0005】
【課題を解決するための手段】
本発明は、このような目的を達成するために、請求項1に記載の発明は、一方の伝導型の基板を有する単結晶半導体ウェハと、前記基板上に支持され、上面を有する前記伝導型のエピタキシャル堆積されたトレンチ形成層と、該トレンチ形成層中に形成され、複数の間隔を置いて配置された横方向に延びるトレンチと、該トレンチの壁面及び底面に沿って延びて所定の深さ及び濃度を有する他方の伝導型の拡散領域であって、該拡散領域の深さと前記トレンチの深さとが互いに近接しており、前記トレンチ間に設けられた所定の幅及び濃度を有するメサと、前記トレンチ形成層中に、そして前記メサに隣接して、該メサの頂面から前記拡散領域及び前記トレンチ形成層まで延び、前記トレンチの一方の端部に配設される前記他方の伝導型のドレイン領域と、前記トレンチの他方の端部に配設され、前記トレンチ形成層中に設けられているベース領域と、該ベース領域上に一方の伝導型の拡散領域を介して設けられているソース領域と、該ソース領域及び前記ベース領域上に設けられているゲート電極を含むMOSゲート構造とを備え、前記メサ及び前記他方の伝導型の拡散領域の厚み及び濃度が、ブロッキング電圧状態下でそれぞれを完全に空乏化するように選択されることを特徴とする。
【0006】
また、請求項2に記載の発明は、請求項1に記載の発明において、前記上面上に支持され、前記ソース領域とゲート領域及びドレイン領域にそれぞれ接続されるソース電極とゲート電極及びドレイン電極を備えたことを特徴とする。
【0007】
また、請求項3に記載の発明は、請求項1に記載の発明において、前記基板と前記トレンチ形成層の間に配置される前記他方の伝導性の更なる領域を含み、該更なる領域が前記他方の伝導型の拡散領域よりもより軽くドープされ、前記他方の伝導型の拡散領域が前記トレンチの底面に沿って前記更なる領域中に延びていることを特徴とする。
【0008】
また、請求項4に記載の発明は、請求項1に記載の発明において、前記他方の伝導型の拡散領域が、前記トレンチの底面で前記基板中に延びていることを特徴とする。
【0009】
また、請求項5に記載の発明は、請求項1に記載の発明において、前記基板と前記トレンチ形成層の間に絶縁層が配置され、該絶縁層の上面が前記トレンチの底面と同一平面上にあることを特徴とする。
【0010】
また、請求項6に記載の発明は、請求項1乃至5いずれかに記載の発明において、前記トレンチのそれぞれの中に誘電体充填材を設けたことを特徴とする。
【0011】
また、請求項7に記載の発明は、請求項6に記載の発明において、前記基板が軽くドープされたP型材料であり、前記他方の伝導型の拡散領域及び前記メサがRESURF濃度を有することを特徴とする。
【0012】
このように本発明の横形伝導超接合半導体デバイスは、軽い導電性のP−−基板を設け、そのP−−基板上にN−−エピタキシャル層を成長させ、次いで、P−エピタキシャル層を成長させる。横方向に長く間隔を置いて配置されたトレンチが、P−エピタキシャル領域の頂面から形成され、下方に延びて、わずかにN−基板中まで延びる。これらのトレンチが、それらの間にP−メサを形成する。次いで、N−拡散下地膜(Liner)が、トレンチの壁面および底面中に拡散される。次いで、トレンチを、二酸化シリコンの絶縁体で埋める。N−拡散下地膜(liner)は、露出したN−トレンチ領域全域にわたってリサーフ(RESURF)濃度がcm2あたり1×1012イオンである。P−ピラー(pillar)の濃度が2×1012イオン/cm2である。
【0013】
また、本発明の他の実施例では、P−エピタキシャル層を、SOI(シリコンオンインシュレータ)基板上に形成することができる。
【0014】
本発明の横形伝導超接合半導体デバイスにより、従来技術のデバイスに比べて、以下のようないくつかの利点がもたらされる。
(1)デバイスを製作するのにより浅いトレンチしか必要でない。したがって、600ボルトのデバイスの場合、従来技術の35ミクロンのトレンチに代わり、15ミクロンの深さのトレンチを使用することができる。
(2)1ミクロンのピッチを用いて、より高密度の構造を作ることができる。ピッチはオン抵抗RDSONに比例するので、ピッチが減少することは非常に望ましい。
(3)デバイスが横形伝導超接合半導体デバイスであるので、このデバイスは多くの適用例に不可欠な低減されたゲート電荷量Qgを有することになる。
(4)複数のデバイスが共通のチップ中に集積化されるようになる。例えば、ブリッジ回路を単一のチップ中に集積化することができる。
(5)このデバイスは、N−−層がソース電極とドレイン電極の間のレール電圧をサポートするように設計されているときには、ハイサイドスイッチ(high side switch)として働くことができる。この場合、ハイサイドデバイス(high side device)とローサイドデバイス(low side device)と制御回路を、同じシリコン中に集積化することができる。
【0015】
【発明の実施の形態】
以下、図面を参照して本発明の実施例について説明する。
図1は、本発明の横形伝導超接合半導体デバイスを製作するプロセス中で、ウェハの活動領域にトレンチをエッチングした後の部分断面図である。単結晶半導体ウェハ10は、フローティングゾーン材料の非常に軽くドープされたP−−領域(基板;メインボディ)11を有することができる。非常に軽くドープされたエピタキシャル層のN−−領域(N−−シリコン)12が、P−−領域11の上面に成長している。次に、P−領域13が、N−−領域12の上面にエピタキシャル成長している。
【0016】
本発明の実施例では、600ボルトのデバイスの場合、P−−領域11は、任意の所望のP型不純物の濃度が、約2×1014であってよい。N−−領域12の濃度は、適切な不純物種の1×1012の量に相当し、それによってRESURF量を形成することができる。P−領域13の濃度は、適切なP型不純物の2×1012の2倍のRESURF量に相当する。
【0017】
さらに図1に示すように、複数の平行に横に長いトレンチ20〜23は、P−領域13を貫通してN−−領域12の上部中まで形成される。トレンチ20〜23は、デバイスの所望の降伏電圧に応じて、任意の長さでよく、600ボルトのデバイスの場合、およそ長さ40ミクロンでよい。メサ幅、すなわち、トレンチ20〜23間の間隔は、約1.0ミクロンでよく、トレンチ20〜23は、深さが約5ミクロンで、幅が約0.5ミクロンでよい。トレンチ20〜23は、N−−領域12中におよそ0.15ミクロン延びることが好ましい。上述した寸法のメサに対して所望のRESURF量を得るためには、2×1016イオン/cm3のP−濃度を使用すべきである。
【0018】
図2は、トレンチの壁面及び底面にN−注入を施した後の部分断面図で、図1と同じ領域を示している。
【0019】
トレンチ20〜23を形成した後、このトレンチ20〜23の壁面にN−拡散領域30を設け、それによって1×1012イオン/cm2相当量のRESURF拡散をトレンチ20〜23の底面に沿ってもたらす。その構造が適切に機能するためには、N−拡散領域30の深さとトレンチ20〜23の深さが互にほぼ同じであるべきであり、トレンチ20〜23より下では、P濃度は、バルク内で600ボルト(BV電圧)をサポートするのに必要な量である約2×1014イオン/cm2まで降下するべきである。このことを実現する1つの方法は、側壁からの拡散によってメサ内のP堆積物の濃度を制御することである。ドーピングは、ドープされた膜からの拡散またはドープされたプラズマのボンバードによっても達成することができる。
【0020】
図3は、図2における溝が酸化物で充填された後の部分断面図で、適切な誘電体、例えば、二酸化シリコン35が、熱成長または堆積によって、トレンチ20〜23内に充填される。
【0021】
図4は、その活動領域の上部表面全体にわたって酸化物を堆積した後の部分断面図で、図5は、図4の切断線5−5における断面図である。
MOSゲート構造が(任意の所望の順序で)形成され、ソース電極43およびドレイン電極62も形成される。より具体的には、MOSゲート構造は、N+ソース領域41を有する通常のP+ベース領域40を備えている。また、P+拡散領域42は、N+ソース領域41の下に形成されている。ソース/ベース構造の中心に、浅いエッチング領域を設け、そのエッチング領域は後でソース電極43によって充填される。
【0022】
通常のゲート酸化物領域44は、N+ソース領域41とP+ベース領域40の軽くドープされた部分の間の横方向の反転可能なチャネルを覆い、導電性ポリシリコンゲート電極50が、ゲート酸化物領域44の上に形成されている。例えば、絶縁層51の低温酸化物がゲート電極50をソース電極43から絶縁している。
【0023】
次に、図5に示すように、N+シンカ領域60が、P−領域13の頂面からN−拡散領域30およびN−−領域12まで延びている。その領域の頂面またはP−領域(メサ)13に、フィールド酸化膜61(図4、図5)を設ける。そのフィールド酸化膜61には、そのフィールド酸化膜61を貫通して、N+シンカ領域60に接触するドレイン電極62を設ける開口部がある。
【0024】
図6は、共通のチップ中に集積された複数のデバイスに対する主電極を示す図で、図4及び図5に示したウェハの上面図である。図6には、複数の別々ではあるが反復する素子が形成されており、横方向に隣接したソース領域S1〜S4およびドレイン領域D1、D2はそれぞれ、図4及び図5に示した構造と同じ構造を有する。ソース領域S1〜S4は、別々の集積デバイスに対するものであっても、あるいは一緒に接続されてもよい。同様に、ドレイン領域D1、D2も別々であっても、一緒に接続されてもよい。ゲート電極G1〜G4もまた、それぞれソース領域S1〜S4に隣接して配置されても、ゲート電極50などに対応するゲート電極G1〜G4に接続されてもよい。
【0025】
図4及び図5に示した横形伝導超接合半導体デバイスの動作は、以下のとおりである。
ブロッキングモードで、ソース電極43およびゲート電極50が、基板11に対して接地され、高い相対バイアスがドレイン電極62に印加されているとき、横方向の電圧は、トレンチ20〜23構造内で全てサポートされ、P−領域13およびN−拡散領域30は完全に空乏化し、トレンチ20〜23の長さに沿ってほぼ均一の電界分布となる。この空乏領域は下方にN−−領域12中に延びる。
【0026】
導電動作モードでは、バイアスがゲート電極50に印加され、ソース電極43が基板11に接地されて、N型チャネルが、N+ソース領域41とP+ベース領域40の間に形成される。バイアスがドレイン電極62に印加されると、デバイス内で空乏化されていないP−領域13およびN−拡散領域30中を電流が流れるようになる。
【0027】
次に、図7から図11を参照すると、図4及び図5の新規な構造が、図7及び図8で複製されており、その結果、それぞれ図9と図10及び図11と図12の2つの追加実施例と容易に対比することができる。同様の構成要素を識別するために、同じ番号を全体にわたって使用している。
【0028】
図9は、図7に示した中間のN型エピタキシャル層を削除した場合の、本発明の他の実施例を示す図で、図10は、図9の切断線10−10における断面図である。つまり、図7及び図8におけるN−−領域12を削除したもので、図4から図8の構成と比較して簡略化された構成が示されている。したがって、N+ソース領域41と基板11は短絡され、その結果、そのデバイスが電圧に耐えることができない(ハイサイドスイッチとして使用することができない)。しかし、図9及び図10のデバイスは、レサーフ(resurf)原理によってN+シリカ領域60とN+ソース領域41の間で電圧に耐えるように構成されている。
【0029】
図11は、酸化物絶縁層を図7に示したN型エピタキシャル層に代わって使用した場合の、本発明の他の実施例を示した図で、図12は、図11の切断線12−12における断面図である。つまり、酸化物絶縁層70(埋め込み酸化物層)が図7及び図8におけるN−−領域12の代わりに使用した構成図である。活動領域は、酸化物絶縁層70の表面上に形成されている。したがって、このデバイスは、図7及び図8のデバイスとは異なり、ハイサイドスイッチとして使用することができる。
【0030】
以上のように、本発明を特定の実施例に沿って説明したが、本発明は、他の実施例が可能であることは当業者にとって明らかになるであろう。したがって、本発明は、これらの実施例に限定されるものではなく、特許請求の範囲の記載に基づいてのみ限定されるべきものである。
【0031】
【発明の効果】
以上説明したように本発明の横形伝導超接合半導体デバイスにより、従来技術のデバイスに比べて、以下のような効果を奏する。
(1)デバイスを製作するのにより浅いトレンチしか必要でない。したがって、600ボルトのデバイスの場合、従来技術の35ミクロンのトレンチに代わり、15ミクロンの深さのトレンチを使用することができる。
(2)1ミクロンのピッチを用いて、より高密度の構造を作ることができる。ピッチはオン抵抗RDSONに比例するので、ピッチが減少することは非常に望ましい。
(3)デバイスが横形伝導超接合半導体デバイスであるので、このデバイスは多くの適用例に不可欠な低減されたゲート電荷量Qgを有することになる。
(4)複数のデバイスが共通のチップ中に集積化されるようになる。例えば、ブリッジ回路を単一のチップ中に集積化することができる。
(5)このデバイスは、N−−層がソース電極とドレイン電極の間のレール電圧をサポートするように設計されているときには、ハイサイドスイッチ(high side switch)として働くことができる。この場合、ハイサイドデバイス(high side device)とローサイドデバイス(low side device)と制御回路を、同じシリコン中に集積化することができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の横形伝導超接合半導体デバイスを製作するプロセス中で、ウェハの活動領域にトレンチをエッチングした後の部分断面図である。
【図2】トレンチの壁面及び底面にN−注入を施した後の部分断面図である。
【図3】図2における溝が酸化物で充填された後の部分断面図である。
【図4】活動領域の上部表面全体にわたって酸化物を堆積した後の部分断面図で、図5の切断線4−4における断面図である。
【図5】図4の切断線5−5における断面図である。
【図6】共通のチップ中に集積された複数のデバイスに対する主電極を示す図である。
【図7】活動領域の上部表面全体にわたって酸化物を堆積した後の部分断面図である。
【図8】図7の切断線8−8における断面図である。
【図9】図7に示した中間のN型エピタキシャル層を削除した場合の、他の実施例を示す図である。
【図10】図9の切断線10−10における断面図である。
【図11】酸化物絶縁層を図7に示したN型エピタキシャル層に代わって使用した場合の、他の実施例を示した図である。
【図12】図11の切断線12−12における断面図である。
【符号の説明】
10 単結晶半導体ウェハ
11 P−−領域(基板)
12 N−−領域(N−−シリコン)
13 P−領域(メサ)
20〜23 トレンチ
30 N−拡散領域
35 二酸化シリコン
40 P+ベース領域
41 N+ソース領域
42 P+拡散領域
43 ソース電極
44 ゲート酸化物領域
50 導電性ポリシリコンゲート電極
51 絶縁層
60 N+シンカ領域
61 フィールド酸化膜
62 ドレイン電極
70 酸化物絶縁層(埋め込み酸化物層)
Claims (7)
- 一方の伝導型の基板を有する単結晶半導体ウェハと、
前記基板上に支持され、上面を有する前記伝導型のエピタキシャル堆積されたトレンチ形成層と、
該トレンチ形成層中に形成され、複数の間隔を置いて配置された横方向に延びるトレンチと、
該トレンチの壁面及び底面に沿って延びて所定の深さ及び濃度を有する他方の伝導型の拡散領域であって、該拡散領域の深さと前記トレンチの深さとが互いに近接しており、
前記トレンチ間に設けられた所定の幅及び濃度を有するメサと、
前記トレンチ形成層中に、そして前記メサに隣接して、該メサの頂面から前記拡散領域及び前記トレンチ形成層まで延び、前記トレンチの一方の端部に配設される前記他方の伝導型のドレイン領域と、
前記トレンチの他方の端部に配設され、前記トレンチ形成層中に設けられているベース領域と、該ベース領域上に一方の伝導型の拡散領域を介して設けられているソース領域と、該ソース領域及び前記ベース領域上に設けられているゲート電極を含むMOSゲート構造とを備え、
前記メサ及び前記他方の伝導型の拡散領域の厚み及び濃度が、ブロッキング電圧状態下でそれぞれを完全に空乏化するように選択されることを特徴とする横形伝導超接合半導体デバイス。 - 前記上面上に支持され、前記ソース領域とゲート領域及びドレイン領域にそれぞれ接続されるソース電極とゲート電極及びドレイン電極を備えたことを特徴とする請求項1に記載の横形伝導超接合半導体デバイス。
- 前記基板と前記トレンチ形成層の間に配置される前記他方の伝導性の更なる領域を含み、該更なる領域が前記他方の伝導型の拡散領域よりもより軽くドープされ、前記他方の伝導型の拡散領域が前記トレンチの底面に沿って前記更なる領域中に延びていることを特徴とする請求項1に記載の横形伝導超接合半導体デバイス。
- 前記他方の伝導型の拡散領域が、前記トレンチの底面で前記基板中に延びていることを特徴とする請求項1に記載の横形伝導超接合半導体デバイス。
- 前記基板と前記トレンチ形成層の間に絶縁層が配置され、該絶縁層の上面が前記トレンチの底面と同一平面上にあることを特徴とする請求項1に記載の横形伝導超接合半導体デバイス。
- 前記トレンチのそれぞれの中に誘電体充填材を設けたことを特徴とする請求項1乃至5いずれかに記載の横形伝導超接合半導体デバイス。
- 前記基板が軽くドープされたP型材料であり、前記他方の伝導型の拡散領域及び前記メサがRESURF濃度を有することを特徴とする請求項6に記載の横形伝導超接合半導体デバイス。
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