JP5833277B1 - 半導体装置 - Google Patents
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Abstract
[課題]容量の充放電が原因でゲート電極の電圧が上昇して誤作動を起こす可能性を低くすること。[解決手段]半導体装置は、第一導電型のドリフト層20と、ソース電極90に接続され、ドリフト層20上に配置された第二導電型のベース層30と、ソース電極90に接続され、ベース層30を貫通してドリフト層20まで延びた第二導電型のカラム層50と、を備える。半導体装置は、カラム層50の上端の両側に設けられた一対の第一トレンチ63の内部に配置され、第一絶縁層62に取り囲まれた一対の第一ゲート電極61と、ベース層30に設けられ、第一絶縁層62のうちカラム層50側と反対側の側部で当該第一絶縁層62に隣接し、ソース電極90に接続される第一導電型のソース領域31と、を備える。
Description
本発明は、半導体装置に関する。
従来から、第1導電型の半導体基板と、半導体基板上に断面短冊状の第1導電型の第1半導体ピラー層と第2導電型の第2半導体ピラー層とを含むピラー層と、半導体基板に電気的に接続された第1の主電極と、第1半導体ピラー層の表面に形成された第2導電型の半導体ベース層と、半導体ベース層の表面に選択的に拡散形成された第1導電型の半導体拡散層に直接接合し、半導体ベース層に電気的に接続するように形成された第2の主電極と、半導体拡散層と第1半導体ピラー層との間の半導体ベース層にチャネルを形成するため半導体拡散層から第1半導体ピラー層に亘る領域に絶縁膜を介して形成されたゲート電極とを備えた半導体装置が知られている(例えば、特許文献1の図15参照)。
例えば、上述した特許文献1の図15に開示されたようなMOSFETのような半導体装置を二つ用いて同期整流させた場合、当該半導体装置の入力容量Ciss帰還容量Crssに対する比率が小さいときには、容量の充放電が原因でゲート電圧が上昇した結果、オフしたはずの半導体装置がオン状態となり誤作動を起こす可能性がある。この点の改善方法として、これら入力容量Ciss及び帰還容量Crssを調整するためにゲート電極の周りの絶縁層の厚みや面積を調整することも考えられるが、このようにゲート電極の周りの絶縁層の厚みや面積を調整すると閾値電圧や耐圧等の他の特性に影響が出てしまう。
本発明はこのような点を鑑みてなされたものであり、容量の充放電が原因でゲート電極の電圧が上昇して誤作動を起こす可能性を低くすることができる。
本発明による半導体装置は、
第一導電型のドリフト層と、
前記ドリフト層上に配置されるとともに、ソース電極に接続された第二導電型のベース層と、
前記ソース電極に接続され、前記ベース層を貫通して前記ドリフト層まで延びた第二導電型のカラム層と、
前記カラム層の上端の両側に設けられた一対の第一トレンチの内部に配置され、第一絶縁層に取り囲まれた一対の第一ゲート電極と、
前記ベース層に設けられ、前記第一絶縁層のうち前記カラム層側と反対側の側部で当該第一絶縁層に隣接し、前記ソース電極に接続される第一導電型のソース領域と、
を備える。
第一導電型のドリフト層と、
前記ドリフト層上に配置されるとともに、ソース電極に接続された第二導電型のベース層と、
前記ソース電極に接続され、前記ベース層を貫通して前記ドリフト層まで延びた第二導電型のカラム層と、
前記カラム層の上端の両側に設けられた一対の第一トレンチの内部に配置され、第一絶縁層に取り囲まれた一対の第一ゲート電極と、
前記ベース層に設けられ、前記第一絶縁層のうち前記カラム層側と反対側の側部で当該第一絶縁層に隣接し、前記ソース電極に接続される第一導電型のソース領域と、
を備える。
本発明による半導体装置において、
前記カラム層と前記ドリフト層とは水平方向において繰り返されており、スーパージャンクション構造となっていてもよい。
前記カラム層と前記ドリフト層とは水平方向において繰り返されており、スーパージャンクション構造となっていてもよい。
本発明による半導体装置は、
水平方向において一対の前記第一ゲート電極の間であって前記カラム層内に設けられた第二トレンチの内部に配置され、第二絶縁層に取り囲まれた第二ゲート電極をさらに備えてもよい。
水平方向において一対の前記第一ゲート電極の間であって前記カラム層内に設けられた第二トレンチの内部に配置され、第二絶縁層に取り囲まれた第二ゲート電極をさらに備えてもよい。
本発明による半導体装置において、
前記カラム層は複数設けられ、
本発明による半導体装置は、隣り合った2つの前記カラム層の間に設けられ、前記ソース領域から前記ドリフト層まで延びた第三トレンチの内部に配置され、第三絶縁層に取り囲まれた第三ゲート電極をさらに備えてもよい。
前記カラム層は複数設けられ、
本発明による半導体装置は、隣り合った2つの前記カラム層の間に設けられ、前記ソース領域から前記ドリフト層まで延びた第三トレンチの内部に配置され、第三絶縁層に取り囲まれた第三ゲート電極をさらに備えてもよい。
本発明による半導体装置において、
前記カラム層は複数設けられ、
本発明による半導体装置は、水平方向において一対の前記第一ゲート電極の間であって前記カラム層内に設けられた第二トレンチの内部に配置され、第二絶縁層に取り囲まれた第二ゲート電極と、
隣り合った2つの前記カラム層の間に設けられ、前記ソース領域から前記ドリフト層まで延びた第三トレンチの内部に配置され、第三絶縁層に取り囲まれた第三ゲート電極と、
をさらに備えてもよい。
前記カラム層は複数設けられ、
本発明による半導体装置は、水平方向において一対の前記第一ゲート電極の間であって前記カラム層内に設けられた第二トレンチの内部に配置され、第二絶縁層に取り囲まれた第二ゲート電極と、
隣り合った2つの前記カラム層の間に設けられ、前記ソース領域から前記ドリフト層まで延びた第三トレンチの内部に配置され、第三絶縁層に取り囲まれた第三ゲート電極と、
をさらに備えてもよい。
本発明による半導体装置において、
前記第二絶縁層及び前記第二ゲート電極は複数設けられてもよい。
前記第二絶縁層及び前記第二ゲート電極は複数設けられてもよい。
本発明による半導体装置において、
前記第三絶縁層及び前記第三ゲート電極は複数設けられてもよい。
前記第三絶縁層及び前記第三ゲート電極は複数設けられてもよい。
本発明による半導体装置において、
前記第二絶縁層及び前記第二ゲート電極は複数設けられ、かつ、前記第三絶縁層及び前記第三ゲート電極は複数設けられてもよい。
前記第二絶縁層及び前記第二ゲート電極は複数設けられ、かつ、前記第三絶縁層及び前記第三ゲート電極は複数設けられてもよい。
本発明による半導体装置において、
前記第一トレンチの前記カラム層側の側面は当該カラム層内に配置され、
前記第一トレンチの前記カラム層と反対側の側面は前記ソース領域、前記ベース層及び前記ドリフト層内に配置されてもよい。
前記第一トレンチの前記カラム層側の側面は当該カラム層内に配置され、
前記第一トレンチの前記カラム層と反対側の側面は前記ソース領域、前記ベース層及び前記ドリフト層内に配置されてもよい。
いわゆる帰還容量Crssはゲート電位とドレイン電位との間の容量Cgdと等しくなり、いわゆる入力容量Cissはゲート電位とドレイン電位との間の容量Cgdにゲート電位とソース電位の間の容量Cgsを加えた値となっている。この点、本発明によれば、ゲート電位となっている第一ゲート電極を取り囲んだ第一絶縁層が、ソース電極に接続されてソース電位となっているカラム層の上端の両側に配置されている。また、ゲート電位である第一ゲート電極と接する第一絶縁層が、カラム層側と反対側の側部で、ソース電極に接続されてソース電位となっているソース領域及びベース層に接している。このため、ゲート電位とドレイン電位との間の容量Cgdに影響をほぼ与えることなく、ゲート電位とソース電位の間の容量Cgsを増加させることができ、その結果、帰還容量Crssをほぼ増加させることなく入力容量Cissを増加させることができる。したがって、入力容量Cissの帰還容量Crssに対する比率を大きくすることができ、容量の充放電が原因でゲート電極の電圧が上昇して誤作動を起こす可能性を低くすることができる。
第1の実施の形態
《構成》
以下、本発明に係る半導体装置の第1の実施の形態について、図面を参照して説明する。ここで、図1乃至図3は本発明の第1の実施の形態を説明するための図である。
《構成》
以下、本発明に係る半導体装置の第1の実施の形態について、図面を参照して説明する。ここで、図1乃至図3は本発明の第1の実施の形態を説明するための図である。
本実施の形態の半導体装置は、例えば縦型パワーMOSFETである。以下では、半導体装置として縦型パワーMOSFETを用いて説明するが、これはあくまでも半導体装置の一例に過ぎないことには留意が必要である。
図1に示すように、本実施の形態の半導体装置は、高不純物濃度のn型(特許請求の範囲の「第一導電型」に対応する。)の半導体基板10と、高不純物濃度のn型の半導体基板10上に形成された低不純物濃度のn型のドリフト層20と、ドリフト層20上に配置されたp型(特許請求の範囲の「第二導電型」に対応する。)のベース層30と、p型のベース層30を貫通してn型のドリフト層20まで延びたp型のカラム層50と、を備えている。なお、本実施の形態では、n型が「第一導電型」となり、p型が「第二導電型」となる態様を用いて説明するが、これに限られることはなく、p型が「第一導電型」となり、n型が「第二導電型」となる態様を採用することもできる。
なお、本実施の形態では、どのような製造方法を採用するかにかかわらず、ソース電極90に接続されてベース層30の下端よりも下方まで延びた層の全体をカラム層50と呼ぶ。したがって、(例えばp型半導体層をエピタキシャル成長、あるいは拡散させることでベース層30及びカラム層50の上部を形成するといったように)仮に同じ処理を行うことでベース層30とカラム層50の上部を形成しても、カラム層50の上部を「ベース層30」とは呼ばず、あくまでも「カラム層50」の一部を構成するものとする。
p型のカラム層50の上端の両側には一対の第一トレンチ63が設けられており、この第一トレンチ63の内部に、第一絶縁層62で取り囲まれた第一ゲート電極61が配置されている。このため、本実施の形態では、図1に示すように、p型のカラム層50の上端の両側に一対の第一ゲート電極61が配置されることとなる。なお、第一ゲート電極61は制御電極として機能し、その電位はゲート電位となっている。
本実施の形態では、第一ゲート電極61及び第一絶縁層62の上面に第一層間絶縁膜66が形成されている。本実施の形態の第一ゲート電極61、第一絶縁層62及び第一層間絶縁膜66は、上方から見た場合にストライプ状に形成されている(第一ゲート電極61及び第一絶縁層62に関しては図2を参考にされたい。)。なお、図1は、図2のI−I直線に沿って切断した断面に対応するものである。ちなみに、第一絶縁層62及び第一層間絶縁膜66としては、例えば酸化ケイ素(SiO2)等を用いることができる。
図1に示すように、本実施の形態では、p型のカラム層50とn型のドリフト層20とが水平方向において繰り返されており、スーパージャンクション構造となっている。すなわち、p型のカラム層50内のキャリアの数と、隣接する2つのp型のカラム層50の間で挟まれた領域に位置するn型のドリフト層20内のキャリアの数が等しくなっている。なお、p型のカラム層50は上方から見た場合にストライプ状に形成されている(図2参照)。
図1に示すように、ベース層30には、第一絶縁層62のうちp型のカラム層50側と反対側の側部の上端であって当該第一絶縁層62に隣接した位置に、高不純物濃度のn型のソース領域31が設けられている。また、図2に示すように、p型のベース層30の上面の一部には、ベース層30よりも高不純物濃度となったp型のオーミック領域32が形成されている。また、p型のカラム層50の上面には、カラム層50よりも高不純物濃度となったp型のオーミック領域52が形成されている。
n型のソース領域31、p型のオーミック領域32、p型のオーミック領域52及び第一層間絶縁膜66の上方には第一の主電極であるソース電極90が配置されている。また、n型の半導体基板10の下面には第二の主電極であるドレイン電極95が配置されている。
本実施の形態において、n型のソース領域31、p型のオーミック領域32及びp型のオーミック領域52はソース電極90に接続されてソース電位となっている。また、p型のオーミック領域32がソース電極90に接続されることで、p型のベース層30の全体がソース電位となっている。また、p型のオーミック領域52がソース電極90に接続されることで、p型のカラム層50の全体がソース電位となっている。また、n型の半導体基板10はドレイン電極95に接続されており、n型の半導体基板10及びn型のドリフト層20はドレイン電位となっている。
本実施の形態では、図1に示すように、第一トレンチ63内の第一絶縁層62のカラム層50側の側面は当該カラム層50内に配置され、第一トレンチ63内の第一絶縁層62のカラム層50と反対側の側面はソース領域31、ベース層30及びドリフト層20内に配置されている。より具体的には、第一トレンチ63内の第一絶縁層62の下面がカラム層50とドリフト層20とを横切り、その結果、第一絶縁層62のカラム層50側の側面は当該カラム層50内に配置され、第一絶縁層62のカラム層50と反対側の側面はソース領域31、ベース層30及びドリフト層20内に配置されることとなっている。
《製造方法》
次に、本実施の形態の半導体装置の製造方法の一例について、主に図3を用いて簡単に説明する。
次に、本実施の形態の半導体装置の製造方法の一例について、主に図3を用いて簡単に説明する。
まず、高不純物濃度のn型の半導体基板10上にドリフト層20となる低不純物濃度のn型の半導体層をエピタキシャル成長させる(図3(a)参照)。次に、図示しないエッチングマスクを用いて、所定の領域にトレンチ53を形成する。その後、エピタキシャル成長法を用いて、トレンチ53を埋め込むようにしてカラム層50の一部を構成するp型の半導体層を形成する。
次に、不図示の周辺構造領域の一部にマスキングし、p型不純物をイオン注入した後、熱拡散することで、ベース層30を形成する(図3(b)参照)。次に、図示しないエッチングマスクを用いて、カラム層50の両側方にストライプ状の第一トレンチ63を形成する。その後、トレンチ内周面に第一絶縁層62となる絶縁層(酸化ケイ素(SiO2)等)を形成する。その後、この絶縁層上に第一ゲート電極61となるポリシリコン等の導電材を成膜する。
次に、所望の位置にマスキングをし、n型の不純物のイオン注入を行うことで第一トレンチ63に沿ってソース領域31を形成する。次に、ベース層30及びカラム層50の一部に適宜イオン注入を行うことでオーミック領域32,52を形成する。
次に、LP−CVD等を用いて酸化ケイ素(SiO2)等からなる絶縁膜を形成することで、ゲート電極61上に第一層間絶縁膜66を形成する(図3(c)参照)。その後で、上面にソース電極90を載置する。また、下面にドレイン電極95を載置する。
《効果》
次に、上述した構成からなる本実施の形態によって達成される効果であって、まだ述べていない効果又はとりわけ重要な効果について説明する。
次に、上述した構成からなる本実施の形態によって達成される効果であって、まだ述べていない効果又はとりわけ重要な効果について説明する。
いわゆる帰還容量Crssはゲート電位とドレイン電位との間の容量Cgdと等しくなり、いわゆる入力容量Cissはゲート電位とドレイン電位との間の容量Cgdにゲート電位とソース電位の間の容量Cgsを加えた値となっている。
つまり、
帰還容量Crss=Cgd
入力容量Ciss=Cgd+Cgs
として示される。
つまり、
帰還容量Crss=Cgd
入力容量Ciss=Cgd+Cgs
として示される。
本実施の形態では、図1に示すように、ゲート電位となっている第一ゲート電極61は、p型のオーミック領域52を介してソース電極90に接続されてソース電位となっているカラム層50の上端の両側に第一絶縁層62を介して配置されている。また、ゲート電位となっている第一ゲート電極61と接する第一絶縁層62は、カラム層50側と反対側の側部で、ソース電極90に接続されてソース電位となっているソース領域31と、p型のオーミック領域32を介してソース電極90に接続されてソース電位となっているベース層30に接している。このため、ゲート電位とドレイン電位との間の容量Cgdに影響をほぼ与えることなく、ゲート電位とソース電位の間の容量Cgsを増加させることができ、その結果、帰還容量Crssをほぼ増加させることなく入力容量Cissを増加させることができる。
この点について、図11を用いて説明すると、本実施の形態によれば、ゲート電位となっている第一ゲート電極61をソース電位となっているカラム層50の上端の両側に配置することで、第一ゲート電極61のカラム層50側に、ゲート電位とソース電位の間の容量Cgsを設けることができ、当該容量Cgsを増加させることができる。他方、このような第一ゲート電極61を設けることで増加するゲート電位とドレイン電位との間の容量Cgdは、第一ゲート電極61とドレイン電位となったドリフト層20との間に形成されるだけであるので、その増加量は容量Cgsの増加量よりも小さくなる。このため、ゲート電位とドレイン電位との間の容量Cgdに影響をほぼ与えることなく、ゲート電位とソース電位の間の容量Cgsを増加させることができ、その結果、帰還容量Crssをほぼ増加させることなく入力容量Cissを増加させることができる。したがって、本実施の形態によれば、入力容量Cissの帰還容量Crssに対する比率を大きくすることができ、容量の充放電が原因で第一ゲート電極61の電圧が上昇して誤作動を起こす可能性を低くすることができる。
この点、例えば特許文献1の図15に開示されたようなMOSFETのような半導体装置を二つ用いて同期整流させた場合であって、当該半導体装置の入力容量Cissの帰還容量Crssに対する比率が小さいときには、容量の充放電が原因で(例えばドレイン電位が上がったときに)ゲート電圧が上昇した結果、オフしたはずのMOSFETがオン状態となり貫通電流が発生してしまうという誤動作を起こす可能性がある。他方、本実施の形態によれば、入力容量Cissの帰還容量Crssに対する比率を大きくできることから、このような誤動作を起こす可能性を低くすることができる。
また、本実施の形態によれば容量に関する設計を容易に行うことができる。しかも、入力容量Ciss及び帰還容量Crssを調整するためにゲート電極の周りの絶縁層の厚みや面積を調整する必要がないことから、閾値電圧や耐圧等の他の特性に影響が出てしまうこともなく、オン抵抗も増加しない。
また、本実施の形態によれば、カラム層50の上端の両側に第一絶縁層62が設けられていることから、カラム層50からボロン等の不純物が第一トレンチ63のカラム層50の反対側のベース層30に拡散し難くなっている。このため、微細Cellからなるスーパージャンクション構造を有する半導体装置を容易に製造することができる。
この点について説明する。特許文献1の図15のような構成において、Cellを微細化した場合、本実施の形態のカラム層50に対応するピラー層とゲート電極との距離が非常に近くなってしまう。このようにピラー層とゲート電極との距離が非常に近くなると、経験則上、ピラー層から拡散されるボロン等の不純物による影響を受けて閾値電圧が変動してしまうことがある。このため、特許文献1の図15のような構成ではCellを微細化することが難しくなるという問題が発生する。他方、本実施の形態では、上述したようにカラム層50の上端の両側に第一絶縁層62が設けられている。このため、このカラム層50からボロン等の不純物が拡散せず、カラム層50と反対側のベース層30の不純物濃度に影響を及ぼさないようにすることができる。この結果、Cellを微細化しても閾値電圧が変動してしまうことを防止することができ、微細Cellからなるスーパージャンクション構造を有する縦型パワーMOSFET等の半導体装置を容易に製造することができる。
また、本実施の形態によれば、スーパージャンクション構造を採用してもスイッチをオフにしたときにサージ電圧が発生することを抑えることができる。この点について説明する。スーパージャンクション構造を有するデバイスでは、カラム層とドリフト層間の接合容量Cdsが大きくなるため、スイッチング動作時の電荷の放出量が多く、急激な変化となる。このため、スーパージャンクション構造を有する半導体装置ではスイッチをオフにしたときにサージ電圧が起こりやすいという問題がある。他方、本実施の形態によれば、上述したように入力容量Cissを大きくすることができるので、スイッチをオフにしたときに、つまりゲート電圧を0もしくは不電位にしたときに、大きな入力容量Cissに起因しスイッチングスピードが減速されるため、電荷が急激に変化することを防止することができる。このため、本実施の形態によれば、スーパージャンクション構造を採用しても、スイッチをオフにしたときにサージ電圧が発生しにくいものにすることができる。
第2の実施の形態
次に、主に図4、図5及び図11を用いて、本発明の第2の実施の形態について説明する。
次に、主に図4、図5及び図11を用いて、本発明の第2の実施の形態について説明する。
第2の実施の形態は、第1の実施の形態における第一ゲート電極61及び第一絶縁層62に加えて、水平方向において一対の第一ゲート電極61の間であってカラム層50内に、第二絶縁層72に取り囲まれた第二ゲート電極71を設けたものである。これら第二絶縁層72及び第二ゲート電極71はカラム層50内に形成された第二トレンチ73の内部に配置されている。なお、第二ゲート電極71もゲート電位となっている。
また、本実施の形態では、第二ゲート電極71及び第二絶縁層72の上面に第二層間絶縁膜76が形成されている。また、本実施の形態の第二ゲート電極71、第二絶縁層72及び第二層間絶縁膜76は、上方から見た場合にストライプ状に形成されている。
第2の実施の形態において、その他の構成は、第1の実施の形態と略同一の態様となっている。第2の実施の形態において、第1の実施の形態と同一部分には同一符号を付して詳細な説明は省略する。
本実施の形態でも、第1の実施の形態と同様の効果を奏することができる。第1の実施の形態で詳細に説明したことから、本実施の形態における効果の説明は、本実施の形態において固有なものに留める。
図4に示すように、本実施の形態では、第二絶縁層72により取り囲まれ、ゲート電位となっている第二ゲート電極71が、カラム層50内に設けられている。上述したように、カラム層50はオーミック領域52を介してソース電極90に接続されてソース電位となっている。このため、このような第二ゲート電極71及び第二絶縁層72を設けることで、ゲート電位とソース電位との間の容量Cgsのみを増加させることができる。
この点について、図11を用いて説明すると、本実施の形態によれば、ゲート電位となっている第二ゲート電極71をソース電位となっているカラム層50内に配置することで、カラム層50と第二ゲート電極71との間に、ゲート電位とソース電位の間の容量Cgsを設けることができ、当該容量Cgsを増加させることができる。他方、このような第二ゲート電極71を設けてもゲート電位とドレイン電位との間の容量Cgdは増加しない。このため、ゲート電位とドレイン電位との間の容量Cgdに影響を与えることなく、ゲート電位とソース電位の間の容量Cgsのみを増加させることができ、その結果、帰還容量Crssを増加させることなく入力容量Cissのみを増加させることができる。したがって、本実施の形態によれば、入力容量Cissの帰還容量Crssに対する比率を効率よくより大きくすることができ、容量の充放電が原因でゲート電極の電圧が上昇することで、誤作動を起こす可能性をより低くすることができる。
また、本実施の形態でも、閾値電圧や耐圧等の他の特性に影響が出てしまうことなく、また、オン抵抗を増加させることなく、容量に関する設計を容易に行うことができる。
また、本実施の形態では、第1の実施の形態と比較しても入力容量Cissを大きくすることができるので、スーパージャンクション構造を採用してもスイッチをオフにしたときにサージ電圧が発生することをより抑えることができる。
なお、図4では第二絶縁層72及び第二ゲート電極71が一対の第一ゲート電極61の間に一つしか設けられていないが、図5に示すように、第二絶縁層72及び第二ゲート電極71を一対の第一ゲート電極61の間に複数設けてもよい。このように第二絶縁層72及び第二ゲート電極71を複数設けることで、第二絶縁層72を介してゲート電位となっている第二ゲート電極71とカラム層50との間の総面積を増やすことができ、ゲート電位とソース電位との間の容量Cgsをより増加させることができる。したがって、入力容量Cissの帰還容量Crssに対する比率をさらに大きくすることができ、容量の充放電が原因でゲート電極の電圧が上昇して誤作動を起こす可能性をさらに低くすることができる。また、スーパージャンクション構造を採用してもスイッチをオフにしたときにサージ電圧が発生することをより確実に抑えることができる。
第3の実施の形態
次に、主に図6乃至図8を用いて、本発明の第3の実施の形態について説明する。
次に、主に図6乃至図8を用いて、本発明の第3の実施の形態について説明する。
第3の実施の形態は、第1の実施の形態における第一ゲート電極61及び第一絶縁層62に加えて、隣り合った2つのカラム層50の間に、第三絶縁層82に取り囲まれた第三ゲート電極81を設けたものである。これら第三絶縁層82及び第三ゲート電極81は、ソース領域31からドリフト層20まで延びた第三トレンチ83の内部に配置されている。なお、第三ゲート電極81もゲート電位となっている。
また、本実施の形態では、第三ゲート電極81及び第三絶縁層82の上面に第三層間絶縁膜86が形成されている。また、本実施の形態の第三ゲート電極81、第三絶縁層82及び第三層間絶縁膜86は、上方から見た場合にストライプ状に形成されている(第三ゲート電極81及び第三絶縁層82に関しては図7を参考にされたい。)。なお、図6は、図7のVI−VI直線に沿って切断した断面に対応するものである。
第3の実施の形態において、その他の構成は、第1の実施の形態と略同一の態様となっている。第3の実施の形態において、第1の実施の形態と同一部分には同一符号を付して詳細な説明は省略する。
本実施の形態でも、第1の実施の形態と同様の効果を奏することができる。第1の実施の形態で詳細に説明したことから、本実施の形態における効果の説明は、本実施の形態において固有なものに留める。
本実施の形態によれば、第三ゲート電極81を増やすことでチャネル幅を増やすことができるので、オン抵抗を下げることができる。
なお、図6では第三絶縁層82及び第三ゲート電極81が隣り合った2つのカラム層50の間に一つしか設けられていないが、図8に示すように、第三絶縁層82及び第三ゲート電極81を隣り合った2つのカラム層50の間に複数設けてもよい。このように第三ゲート電極81を複数設けることで、第三絶縁層82を介して接するベース層30の面積が増えるためチャネル幅が増加し、よりオン抵抗を下げることができる。
第4の実施の形態
次に、主に図9及び図10を用いて、本発明の第4の実施の形態について説明する。
次に、主に図9及び図10を用いて、本発明の第4の実施の形態について説明する。
第4の実施の形態は、第2の実施の形態と第3の実施の形態とを組み合わせたものである。すなわち、第1の実施の形態における第一ゲート電極61及び第一絶縁層62に加えて、水平方向において一対の第一ゲート電極61の間であってカラム層50内に、第二絶縁層72に取り囲まれた第二ゲート電極71を設け、かつ、隣り合った2つのカラム層50の間に、第三絶縁層82に取り囲まれた第三ゲート電極81を設けたものである。そして、第二絶縁層72及び第二ゲート電極71はカラム層50内に形成された第二トレンチ73の内部に配置され、かつ、第三絶縁層82及び第三ゲート電極81は、ソース領域31からドリフト層20まで延びた第三トレンチ83の内部に配置されている。なお、第二ゲート電極71及び第三ゲート電極81はともにゲート電位となっている。
また、本実施の形態では、第二ゲート電極71及び第二絶縁層72の上面に第二層間絶縁膜76が形成されている。そして、本実施の形態の第二ゲート電極71、第二絶縁層72及び第二層間絶縁膜76は、上方から見た場合にストライプ状に形成されている。また、第三ゲート電極81及び第三絶縁層82の上面に第三層間絶縁膜86が形成されている。そして、本実施の形態の第三ゲート電極81、第三絶縁層82及び第三層間絶縁膜86は、上方から見た場合にストライプ状に形成されている。
第4の実施の形態において、その他の構成は、第1の実施の形態と略同一の態様となっている。第4の実施の形態において、第1の実施の形態と同一部分には同一符号を付して詳細な説明は省略する。
本実施の形態でも、第1の実施の形態と同様の効果を奏することができる。第1の実施の形態で詳細に説明したことから、本実施の形態における効果の説明は、本実施の形態において固有なものに留める。
本実施の形態では、第一絶縁層62に取り囲まれゲート電位となっている第一ゲート電極61に加えて、第二絶縁層72に取り囲まれゲート電位となっている第二ゲート電極71及び第三絶縁層82に取り囲まれゲート電位となっている第三ゲート電極81が設けられている。そして、第2の実施の形態で説明したように第二ゲート電極71を設けることで、ゲート電位とソース電位の間の容量Cgsのみを増加させることができる。また、第3の実施の形態で説明したように第三ゲート電極81を設けることで、チャネル幅を増加させることができるためオン抵抗を下げることができる。したがって、本実施の形態によれば、容量の充放電が原因でゲート電極の電圧が上昇して誤作動を起こす可能性を、第2の実施の形態と同程度に低くすることができ、かつ、第3の実施の形態と同程度にオン抵抗を下げることができる。
また、本実施の形態でも、閾値電圧や耐圧等の他の特性に影響を出すことなく、また、オン抵抗も増加させず容量に関する設計を容易に行うことができる。
また、本実施の形態では、第2の実施の形態と同程度に入力容量Cissを大きくすることができるので、スーパージャンクション構造を採用してもスイッチをオフにしたときにサージ電圧が発生することをより抑えることができる。
なお、図9では、第二絶縁層72及び第二ゲート電極71が一対の第一ゲート電極61の間に一つしか設けられておらず、第三絶縁層82及び第三ゲート電極81が隣り合った2つのカラム層50の間に一つしか設けられていないが、これに限られることはなく、第二絶縁層72及び第二ゲート電極71を一対の第一ゲート電極61の間に複数設けてもよいし、第三絶縁層82及び第三ゲート電極81を隣り合った2つのカラム層50の間に複数設けてもよい。また、図10に示すように、第二絶縁層72及び第二ゲート電極71を一対の第一ゲート電極61の間に複数設け、かつ、第三絶縁層82及び第三ゲート電極81を隣り合った2つのカラム層50の間に複数設けてもよい。
このように第二絶縁層72及び第二ゲート電極71を複数設けることで入力容量Cissの帰還容量Crssに対する比率をさらにより大きくすることができ、容量の充放電が原因でゲート電極の電圧が上昇して誤作動を起こす可能性をさらにより低くすることができる。また、スーパージャンクション構造を採用してもスイッチをオフにしたときにサージ電圧が発生することをさらにより確実に抑えることができる。また、オン抵抗をさらに下げることができる。
最後になったが、上述した各実施の形態の記載及び図面の開示は、特許請求の範囲に記載された発明を説明するための一例に過ぎず、上述した実施の形態の記載又は図面の開示によって特許請求の範囲に記載された発明が限定されることはない。
20 ドリフト層
30 ベース層
50 カラム層
61 第一ゲート電極
62 第一絶縁層
63 第一トレンチ
71 第二ゲート電極
72 第二絶縁層
73 第二トレンチ
81 第三ゲート電極
82 第三絶縁層
83 第三トレンチ
90 ソース電極
30 ベース層
50 カラム層
61 第一ゲート電極
62 第一絶縁層
63 第一トレンチ
71 第二ゲート電極
72 第二絶縁層
73 第二トレンチ
81 第三ゲート電極
82 第三絶縁層
83 第三トレンチ
90 ソース電極
Claims (5)
- 第一導電型のドリフト層と、
前記ドリフト層上に配置されるとともに、ソース電極に接続された第二導電型のベース層と、
前記ソース電極に接続され、前記ベース層を貫通して前記ドリフト層まで延びた第二導電型のカラム層と、
前記カラム層の上端の両側に設けられた一対の第一トレンチの内部に配置され、第一絶縁層に取り囲まれた一対の第一ゲート電極と、
前記ベース層に設けられ、前記第一絶縁層のうち前記カラム層側と反対側の側部で当該第一絶縁層に隣接し、前記ソース電極に接続される第一導電型のソース領域と、
水平方向において一対の前記第一ゲート電極の間であって前記カラム層内に設けられた第二トレンチの内部に配置され、第二絶縁層に取り囲まれた第二ゲート電極と、
を備え、
前記第一トレンチの深さと前記第二トレンチの深さは同じ深さとなっており、
前記第一トレンチの幅と前記第二トレンチの幅は同じ広さとなっており、
前記第二絶縁層及び前記第二ゲート電極は複数設けられることを特徴とする半導体装置。 - 前記カラム層と前記ドリフト層とは水平方向において繰り返されており、スーパージャンクション構造となっていることを特徴とする請求項1に記載の半導体装置。
- 前記カラム層は複数設けられ、
隣り合った2つの前記カラム層の間に設けられ、前記ソース領域から前記ドリフト層まで延びた第三トレンチの内部に配置され、第三絶縁層に取り囲まれた第三ゲート電極をさらに備えたことを特徴とする請求項1又は2のいずれかに記載の半導体装置。 - 前記第三絶縁層及び前記第三ゲート電極は複数設けられることを特徴とする請求項3に記載の半導体装置。
- 前記第一トレンチの前記カラム層側の側面は当該カラム層内に配置され、
前記第一トレンチの前記カラム層と反対側の側面は前記ソース領域、前記ベース層及び前記ドリフト層内に配置されることを特徴とする請求項1乃至4のいずれか1項に記載の半導体装置。
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Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US10510879B2 (en) | 2018-03-22 | 2019-12-17 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Semiconductor device |
US10818750B2 (en) | 2019-03-18 | 2020-10-27 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Semiconductor device and method for controlling same |
Families Citing this family (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2017168736A1 (ja) * | 2016-03-31 | 2017-10-05 | 新電元工業株式会社 | 半導体装置及び半導体装置の製造方法 |
CN105702739B (zh) * | 2016-05-04 | 2019-04-23 | 深圳尚阳通科技有限公司 | 屏蔽栅沟槽mosfet器件及其制造方法 |
JP2019071384A (ja) * | 2017-10-11 | 2019-05-09 | 株式会社東芝 | 半導体装置 |
US11557671B2 (en) * | 2018-10-25 | 2023-01-17 | Mitsubishi Electric Corporation | Semiconductor device having trench gate electrodes formed in first pillars including source layers formed in the first pillars being deeper into the substrate than first source layers in second pillars |
EP3783665A1 (en) | 2019-08-22 | 2021-02-24 | Infineon Technologies Austria AG | Superjunction transistor device with soft switching behavior |
US11728421B2 (en) * | 2020-02-27 | 2023-08-15 | Semiconductor Components Industries, Llc | Split trench gate super junction power device |
CN112086506B (zh) * | 2020-10-20 | 2022-02-18 | 苏州东微半导体股份有限公司 | 半导体超结器件的制造方法 |
Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH09102607A (ja) * | 1995-06-02 | 1997-04-15 | Siliconix Inc | トレンチゲートパワーmosfet |
JP2006269720A (ja) * | 2005-03-24 | 2006-10-05 | Toshiba Corp | 半導体素子及びその製造方法 |
JP2008053648A (ja) * | 2006-08-28 | 2008-03-06 | Mitsubishi Electric Corp | 絶縁ゲート型半導体装置及びその製造方法 |
JP2009170670A (ja) * | 2008-01-16 | 2009-07-30 | Toyota Motor Corp | 半導体装置とその半導体装置を備えている給電装置の駆動方法 |
JP2012023272A (ja) * | 2010-07-16 | 2012-02-02 | Toshiba Corp | 半導体装置 |
JP2013084905A (ja) * | 2011-09-27 | 2013-05-09 | Denso Corp | 縦型半導体素子を備えた半導体装置 |
Family Cites Families (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2009289791A (ja) * | 2008-05-27 | 2009-12-10 | Nec Electronics Corp | 半導体装置 |
US8264033B2 (en) * | 2009-07-21 | 2012-09-11 | Infineon Technologies Austria Ag | Semiconductor device having a floating semiconductor zone |
JP5893471B2 (ja) * | 2012-03-30 | 2016-03-23 | ルネサスエレクトロニクス株式会社 | 半導体装置およびその製造方法 |
CN203659877U (zh) * | 2013-10-30 | 2014-06-18 | 英飞凌科技奥地利有限公司 | 超结器件和包括所述超结器件的半导体结构 |
-
2014
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- 2014-03-31 US US14/774,125 patent/US9859414B2/en active Active
- 2014-03-31 JP JP2015516363A patent/JP5833277B1/ja active Active
- 2014-03-31 CN CN201480003200.0A patent/CN106165101B/zh active Active
-
2015
- 2015-03-27 TW TW104110138A patent/TWI565059B/zh active
Patent Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH09102607A (ja) * | 1995-06-02 | 1997-04-15 | Siliconix Inc | トレンチゲートパワーmosfet |
JP2006269720A (ja) * | 2005-03-24 | 2006-10-05 | Toshiba Corp | 半導体素子及びその製造方法 |
JP2008053648A (ja) * | 2006-08-28 | 2008-03-06 | Mitsubishi Electric Corp | 絶縁ゲート型半導体装置及びその製造方法 |
JP2009170670A (ja) * | 2008-01-16 | 2009-07-30 | Toyota Motor Corp | 半導体装置とその半導体装置を備えている給電装置の駆動方法 |
JP2012023272A (ja) * | 2010-07-16 | 2012-02-02 | Toshiba Corp | 半導体装置 |
JP2013084905A (ja) * | 2011-09-27 | 2013-05-09 | Denso Corp | 縦型半導体素子を備えた半導体装置 |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US10510879B2 (en) | 2018-03-22 | 2019-12-17 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Semiconductor device |
US10818750B2 (en) | 2019-03-18 | 2020-10-27 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Semiconductor device and method for controlling same |
Also Published As
Publication number | Publication date |
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