JP2006128507A - 絶縁ゲート型半導体装置およびその製造方法 - Google Patents
絶縁ゲート型半導体装置およびその製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2006128507A JP2006128507A JP2004316912A JP2004316912A JP2006128507A JP 2006128507 A JP2006128507 A JP 2006128507A JP 2004316912 A JP2004316912 A JP 2004316912A JP 2004316912 A JP2004316912 A JP 2004316912A JP 2006128507 A JP2006128507 A JP 2006128507A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- trench portion
- trench
- semiconductor device
- region
- insulated gate
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 162
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 24
- 239000012535 impurity Substances 0.000 claims abstract description 13
- 239000012212 insulator Substances 0.000 claims abstract description 7
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims description 91
- 210000000746 body region Anatomy 0.000 claims description 45
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 33
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 31
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims description 13
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 claims description 9
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 claims description 8
- 238000000151 deposition Methods 0.000 claims description 5
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 claims description 5
- 238000002513 implantation Methods 0.000 claims description 2
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 claims 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 4
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 abstract description 4
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 43
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 13
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 description 10
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 10
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 10
- 238000005468 ion implantation Methods 0.000 description 8
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 6
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 6
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 6
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 239000000463 material Substances 0.000 description 5
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 5
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 4
- 230000001133 acceleration Effects 0.000 description 3
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 3
- 239000008186 active pharmaceutical agent Substances 0.000 description 2
- 239000012141 concentrate Substances 0.000 description 2
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 description 2
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 description 2
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 2
- 230000007261 regionalization Effects 0.000 description 2
- 238000001039 wet etching Methods 0.000 description 2
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical compound [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 1
- CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N Ozone Chemical compound [O-][O+]=O CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000001505 atmospheric-pressure chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000969 carrier Substances 0.000 description 1
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 1
- 230000003111 delayed effect Effects 0.000 description 1
- 238000005137 deposition process Methods 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 1
- 238000005304 joining Methods 0.000 description 1
- 238000004518 low pressure chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 229910021421 monocrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 1
- 230000002040 relaxant effect Effects 0.000 description 1
- 238000003892 spreading Methods 0.000 description 1
- 238000005728 strengthening Methods 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/68—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
- H01L29/76—Unipolar devices, e.g. field effect transistors
- H01L29/772—Field effect transistors
- H01L29/78—Field effect transistors with field effect produced by an insulated gate
- H01L29/7801—DMOS transistors, i.e. MISFETs with a channel accommodating body or base region adjoining a drain drift region
- H01L29/7802—Vertical DMOS transistors, i.e. VDMOS transistors
- H01L29/7813—Vertical DMOS transistors, i.e. VDMOS transistors with trench gate electrode, e.g. UMOS transistors
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/02—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/06—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape; characterised by the shapes, relative sizes, or dispositions of the semiconductor regions ; characterised by the concentration or distribution of impurities within semiconductor regions
- H01L29/0603—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape; characterised by the shapes, relative sizes, or dispositions of the semiconductor regions ; characterised by the concentration or distribution of impurities within semiconductor regions characterised by particular constructional design considerations, e.g. for preventing surface leakage, for controlling electric field concentration or for internal isolations regions
- H01L29/0607—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape; characterised by the shapes, relative sizes, or dispositions of the semiconductor regions ; characterised by the concentration or distribution of impurities within semiconductor regions characterised by particular constructional design considerations, e.g. for preventing surface leakage, for controlling electric field concentration or for internal isolations regions for preventing surface leakage or controlling electric field concentration
- H01L29/0611—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape; characterised by the shapes, relative sizes, or dispositions of the semiconductor regions ; characterised by the concentration or distribution of impurities within semiconductor regions characterised by particular constructional design considerations, e.g. for preventing surface leakage, for controlling electric field concentration or for internal isolations regions for preventing surface leakage or controlling electric field concentration for increasing or controlling the breakdown voltage of reverse biased devices
- H01L29/0615—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape; characterised by the shapes, relative sizes, or dispositions of the semiconductor regions ; characterised by the concentration or distribution of impurities within semiconductor regions characterised by particular constructional design considerations, e.g. for preventing surface leakage, for controlling electric field concentration or for internal isolations regions for preventing surface leakage or controlling electric field concentration for increasing or controlling the breakdown voltage of reverse biased devices by the doping profile or the shape or the arrangement of the PN junction, or with supplementary regions, e.g. junction termination extension [JTE]
- H01L29/0619—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape; characterised by the shapes, relative sizes, or dispositions of the semiconductor regions ; characterised by the concentration or distribution of impurities within semiconductor regions characterised by particular constructional design considerations, e.g. for preventing surface leakage, for controlling electric field concentration or for internal isolations regions for preventing surface leakage or controlling electric field concentration for increasing or controlling the breakdown voltage of reverse biased devices by the doping profile or the shape or the arrangement of the PN junction, or with supplementary regions, e.g. junction termination extension [JTE] with a supplementary region doped oppositely to or in rectifying contact with the semiconductor containing or contacting region, e.g. guard rings with PN or Schottky junction
- H01L29/0623—Buried supplementary region, e.g. buried guard ring
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/02—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/06—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape; characterised by the shapes, relative sizes, or dispositions of the semiconductor regions ; characterised by the concentration or distribution of impurities within semiconductor regions
- H01L29/0603—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape; characterised by the shapes, relative sizes, or dispositions of the semiconductor regions ; characterised by the concentration or distribution of impurities within semiconductor regions characterised by particular constructional design considerations, e.g. for preventing surface leakage, for controlling electric field concentration or for internal isolations regions
- H01L29/0642—Isolation within the component, i.e. internal isolation
- H01L29/0649—Dielectric regions, e.g. SiO2 regions, air gaps
- H01L29/0653—Dielectric regions, e.g. SiO2 regions, air gaps adjoining the input or output region of a field-effect device, e.g. the source or drain region
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/40—Electrodes ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/402—Field plates
- H01L29/407—Recessed field plates, e.g. trench field plates, buried field plates
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/40—Electrodes ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/41—Electrodes ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape, relative sizes or dispositions
- H01L29/423—Electrodes ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape, relative sizes or dispositions not carrying the current to be rectified, amplified or switched
- H01L29/42312—Gate electrodes for field effect devices
- H01L29/42316—Gate electrodes for field effect devices for field-effect transistors
- H01L29/4232—Gate electrodes for field effect devices for field-effect transistors with insulated gate
- H01L29/42364—Gate electrodes for field effect devices for field-effect transistors with insulated gate characterised by the insulating layer, e.g. thickness or uniformity
- H01L29/42368—Gate electrodes for field effect devices for field-effect transistors with insulated gate characterised by the insulating layer, e.g. thickness or uniformity the thickness being non-uniform
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66007—Multistep manufacturing processes
- H01L29/66075—Multistep manufacturing processes of devices having semiconductor bodies comprising group 14 or group 13/15 materials
- H01L29/66227—Multistep manufacturing processes of devices having semiconductor bodies comprising group 14 or group 13/15 materials the devices being controllable only by the electric current supplied or the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched, e.g. three-terminal devices
- H01L29/66409—Unipolar field-effect transistors
- H01L29/66477—Unipolar field-effect transistors with an insulated gate, i.e. MISFET
- H01L29/66674—DMOS transistors, i.e. MISFETs with a channel accommodating body or base region adjoining a drain drift region
- H01L29/66712—Vertical DMOS transistors, i.e. VDMOS transistors
- H01L29/66734—Vertical DMOS transistors, i.e. VDMOS transistors with a step of recessing the gate electrode, e.g. to form a trench gate electrode
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/68—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
- H01L29/76—Unipolar devices, e.g. field effect transistors
- H01L29/772—Field effect transistors
- H01L29/78—Field effect transistors with field effect produced by an insulated gate
- H01L29/7801—DMOS transistors, i.e. MISFETs with a channel accommodating body or base region adjoining a drain drift region
- H01L29/7802—Vertical DMOS transistors, i.e. VDMOS transistors
- H01L29/7811—Vertical DMOS transistors, i.e. VDMOS transistors with an edge termination structure
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/40—Electrodes ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/402—Field plates
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/40—Electrodes ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/41—Electrodes ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape, relative sizes or dispositions
- H01L29/423—Electrodes ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape, relative sizes or dispositions not carrying the current to be rectified, amplified or switched
- H01L29/42312—Gate electrodes for field effect devices
- H01L29/42316—Gate electrodes for field effect devices for field-effect transistors
- H01L29/4232—Gate electrodes for field effect devices for field-effect transistors with insulated gate
- H01L29/42372—Gate electrodes for field effect devices for field-effect transistors with insulated gate characterised by the conducting layer, e.g. the length, the sectional shape or the lay-out
- H01L29/4238—Gate electrodes for field effect devices for field-effect transistors with insulated gate characterised by the conducting layer, e.g. the length, the sectional shape or the lay-out characterised by the surface lay-out
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Ceramic Engineering (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
Abstract
【解決手段】半導体装置100は,セルエリアにゲートトレンチ21およびPフローティング領域51が,終端エリアに終端トレンチ62およびPフローティング領域53がそれぞれ形成されている。また,3本の終端トレンチ62(終端トレンチ621,終端トレンチ622,終端トレンチ623)のうち,終端トレンチ621内についてはゲートトレンチ21と同様の構造を有し,その他の終端トレンチ内については酸化シリコン等の絶縁物で充填されている構造を有している。なお,Pフローティング領域51はゲートトレンチ21の底面から,Pフローティング領域53は終端トレンチ62の底面から,それぞれ不純物を注入することにより形成された領域である。
【選択図】 図2
Description
第1の変形例に係る半導体装置110は,図7の断面図に示す構造を有している。半導体装置110の特徴は,終端エリアのPフローティング領域53の位置がセルエリアから離れるほど浅いことである。
第2の変形例に係る半導体装置120は,図8の断面図に示す構造を有している。半導体装置120の特徴は,終端エリアのPフローティング領域53の位置がセルエリアのPフローティング領域51の位置よりも深いことである。
第3の変形例に係る半導体装置130は,図10の断面図に示す構造を有している。半導体装置120の特徴は,終端トレンチ62の溝幅がゲートトレンチ21の溝幅よりも広いことである。すなわち,マイクロローディング効果により,同じ条件でエッチングした場合であっても,溝幅が広いトレンチの方が溝幅が狭いトレンチと比較して深い位置までエッチングされる。さらに,溝幅が広いことからPフローティング領域53のサイズがPフローティング領域51のサイズよりも大きい。これにより,パターニングの際にトレンチの溝幅を広くするだけでPフローティング領域の位置を深くすることができる。よって,第2の変形例と同様に,終端エリア内の空乏層の厚さがセルエリアの厚さと比べて厚くなる。従って,終端エリアは,セルエリアと比較して高耐圧であり,終端エリアでの絶縁破壊の抑制を図ることができる。
12 N- ドリフト領域(ドリフト領域)
21 ゲートトレンチ(第1トレンチ部群を構成するトレンチ部)
22 ゲート電極(ゲート電極)
23 堆積絶縁層
24 ゲート絶縁膜
31 N+ ソース領域
41 P- ボディ領域(ボディ領域)
51 Pフローティング領域(第1フローティング領域)
53 Pフローティング領域(第2フローティング領域)
62 終端トレンチ(第2トレンチ部群を構成するトレンチ部)
72 ゲート電極(ゲート電極)
73 堆積絶縁層
74 ゲート絶縁膜
100 半導体装置(絶縁ゲート型半導体装置)
Claims (11)
- 半導体基板内の上面側に位置し第1導電型半導体であるボディ領域と,前記ボディ領域の下方に接し第2導電型半導体であるドリフト領域とを有する絶縁ゲート型半導体装置において,
前記ボディ領域を半導体基板の厚さ方向に貫通するとともにセル領域内に位置し,ゲート電極を内蔵する第1トレンチ部群と,
前記ドリフト領域に囲まれるとともに前記第1トレンチ部群のうちの少なくとも1つのトレンチ部の底部を包囲し,第1導電型半導体である第1フローティング領域と,
前記ボディ領域を半導体基板の厚さ方向に貫通するとともにセル領域を取り囲む終端領域内に位置し,半導体基板の上面から見てセル領域を取り囲んで環状をなす第2トレンチ部群と,
前記ドリフト領域に囲まれるとともに前記第2トレンチ部群のうちの少なくとも1つのトレンチ部の底部を包囲し,第1導電型半導体である第2フローティング領域とを有し,
前記第2トレンチ部群のうち,少なくとも最内に位置するトレンチ部には,ゲート電極が内蔵されていることを特徴とする絶縁ゲート型半導体装置。 - 請求項1に記載する絶縁ゲート型半導体装置において,
前記第2トレンチ部群のうち,少なくとも最外に位置するトレンチ部は,ゲートレス構造を有していることを特徴とする絶縁ゲート型半導体装置。 - 請求項1または請求項2に記載する絶縁ゲート型半導体装置において,
前記第2トレンチ部群のうち,最内に位置するトレンチ部にのみゲート電極が内蔵されていることを特徴とする絶縁ゲート型半導体装置。 - 請求項1から請求項3のいずれか1つに記載する絶縁ゲート型半導体装置において,
前記第2トレンチ部群の各トレンチ部のピッチは,前記第1トレンチ部群の各トレンチ部のピッチよりも狭いことを特徴とする絶縁ゲート型半導体装置。 - 請求項1から請求項4のいずれか1つに記載する絶縁ゲート型半導体装置において,
前記第2トレンチ部群の,隣り合うトレンチ部の深さは,内側に位置するトレンチ部の方が深いことを特徴とする絶縁ゲート型半導体装置。 - 請求項1から請求項4のいずれか1つに記載する絶縁ゲート型半導体装置において,
前記第2トレンチ部群の各トレンチ部の深さは,前記第1トレンチ部群の各トレンチ部の深さよりも深いことを特徴とする絶縁ゲート型半導体装置。 - 請求項6に記載する絶縁ゲート型半導体装置において,
前記第2トレンチ部群の各トレンチ部の溝幅は,前記第1トレンチ部群の各トレンチ部の溝幅よりも広いことを特徴とする絶縁ゲート型半導体装置。 - 請求項1から請求項7のいずれか1つに記載する絶縁ゲート型半導体装置において,
前記ボディ領域の板面方向の端部は,前記第2トレンチ部群のうちの最外に位置するトレンチ部よりも内側に位置することを特徴とする絶縁ゲート型半導体装置。 - 半導体基板内の上面側に位置し第1導電型半導体であるボディ領域と,前記ボディ領域の下方に接し第2導電型半導体であるドリフト領域とを有する絶縁ゲート型半導体装置の製造方法において,
セル領域内に位置する第1トレンチ部群およびセル領域を取り囲む終端領域に位置し前記第1トレンチ部群を取り囲む第2トレンチ部群を形成するためのマスクパターンを形成するマスクパターン形成工程と,
前記マスクパターン形成工程にて形成されたマスクパターンを基に,エッチングにより各トレンチ部群を構成するトレンチ部を形成するトレンチ部形成工程と,
前記トレンチ部形成工程にて形成された各トレンチ部の底部から不純物を注入することにより,第1導電型半導体であるフローティング領域を形成する不純物注入工程と,
前記トレンチ部形成工程にて形成された各トレンチ部内に絶縁物の堆積による堆積絶縁層を形成する堆積絶縁層形成工程と,
前記第2トレンチ部群のうち,少なくとも最内に位置するトレンチ部の上方が開口しているエッチング保護層を形成し,前記堆積絶縁層形成工程にて形成された堆積絶縁層の一部を除去するエッチバック工程と,
前記エッチバック工程にて各トレンチ部内に生じたスペースにゲート電極層を形成するゲート電極形成工程とを含むことを特徴とする絶縁ゲート型半導体装置の製造方法。 - 請求項9に記載する絶縁ゲート型半導体装置の製造方法において,
前記マスクパターン形成工程前に,前記マスクパターン形成工程にて形成されたマスク層よりトレンチ部形成工程でのエッチングレートが大きい保護膜層を半導体基板上の一部に形成する保護膜形成工程を含むことを特徴とする絶縁ゲート型半導体装置の製造方法。 - 請求項9に記載する絶縁ゲート型半導体装置の製造方法において,
前記トレンチ部形成工程では,第2トレンチ部群の各トレンチ部を形成するためのマスクパターンのパターン幅を,第1トレンチ部群の各トレンチ部を形成するためのマスクパターンのパターン幅よりも広くすることを特徴とする絶縁ゲート型半導体装置の製造方法。
Priority Applications (6)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2004316912A JP4414863B2 (ja) | 2004-10-29 | 2004-10-29 | 絶縁ゲート型半導体装置およびその製造方法 |
KR1020077011996A KR100879327B1 (ko) | 2004-10-29 | 2005-09-28 | 절연 게이트 반도체 장치 및 그 제조방법 |
US11/666,461 US8076718B2 (en) | 2004-10-29 | 2005-09-28 | Insulated gate semiconductor device and method for producing the same |
PCT/JP2005/018406 WO2006046388A1 (en) | 2004-10-29 | 2005-09-28 | Insulated gate semiconductor device and method for producing the same |
EP05790701A EP1815526B1 (en) | 2004-10-29 | 2005-09-28 | Insulated gate type semiconductor device and method for producing the same |
CNB2005800369867A CN100477267C (zh) | 2004-10-29 | 2005-09-28 | 绝缘栅极半导体器件及其生产方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2004316912A JP4414863B2 (ja) | 2004-10-29 | 2004-10-29 | 絶縁ゲート型半導体装置およびその製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2006128507A true JP2006128507A (ja) | 2006-05-18 |
JP4414863B2 JP4414863B2 (ja) | 2010-02-10 |
Family
ID=35447744
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2004316912A Expired - Fee Related JP4414863B2 (ja) | 2004-10-29 | 2004-10-29 | 絶縁ゲート型半導体装置およびその製造方法 |
Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US8076718B2 (ja) |
EP (1) | EP1815526B1 (ja) |
JP (1) | JP4414863B2 (ja) |
KR (1) | KR100879327B1 (ja) |
CN (1) | CN100477267C (ja) |
WO (1) | WO2006046388A1 (ja) |
Cited By (40)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2008016518A (ja) * | 2006-07-03 | 2008-01-24 | Nec Electronics Corp | 半導体装置および製造方法 |
JP2008066473A (ja) * | 2006-09-06 | 2008-03-21 | Toyota Motor Corp | 半導体装置 |
JP2008135522A (ja) * | 2006-11-28 | 2008-06-12 | Toyota Motor Corp | 半導体装置 |
JP2008171887A (ja) * | 2007-01-09 | 2008-07-24 | Toshiba Corp | 半導体装置及び半導体装置の製造方法 |
JP2009004655A (ja) * | 2007-06-22 | 2009-01-08 | Toyota Motor Corp | 半導体装置 |
JP2009094203A (ja) * | 2007-10-05 | 2009-04-30 | Denso Corp | 炭化珪素半導体装置 |
JP2010062377A (ja) * | 2008-09-04 | 2010-03-18 | Sanyo Electric Co Ltd | 半導体装置及びその製造方法 |
JP2010541289A (ja) * | 2007-10-05 | 2010-12-24 | ビシェイ−シリコニクス | Mosfetのアクティブ領域および終端領域の電荷バランス |
JP2011086746A (ja) * | 2009-10-15 | 2011-04-28 | Toyota Motor Corp | 半導体装置 |
JP2011187708A (ja) * | 2010-03-09 | 2011-09-22 | Toyota Motor Corp | 半導体装置 |
WO2011155394A1 (ja) * | 2010-06-11 | 2011-12-15 | トヨタ自動車株式会社 | 半導体装置および半導体装置の製造方法 |
WO2012077617A1 (ja) * | 2010-12-10 | 2012-06-14 | 三菱電機株式会社 | 半導体装置およびその製造方法 |
JP2012216675A (ja) * | 2011-03-31 | 2012-11-08 | Toyota Motor Corp | 半導体装置及びその製造方法 |
WO2013035818A1 (ja) * | 2011-09-08 | 2013-03-14 | 富士電機株式会社 | 半導体装置 |
JP2013191734A (ja) * | 2012-03-14 | 2013-09-26 | Toyota Motor Corp | 半導体装置および半導体装置の製造方法 |
JP2015065237A (ja) * | 2013-09-24 | 2015-04-09 | トヨタ自動車株式会社 | 半導体装置 |
WO2015098167A1 (ja) * | 2013-12-26 | 2015-07-02 | トヨタ自動車株式会社 | 絶縁ゲート型半導体装置の製造方法及び絶縁ゲート型半導体装置 |
WO2015156023A1 (ja) * | 2014-04-09 | 2015-10-15 | トヨタ自動車株式会社 | 絶縁ゲート型半導体装置、及び、絶縁ゲート型半導体装置の製造方法 |
JP2015185751A (ja) * | 2014-03-25 | 2015-10-22 | トヨタ自動車株式会社 | 絶縁ゲート型半導体装置 |
DE102015120148A1 (de) | 2014-11-21 | 2016-05-25 | Toyota Jidosha Kabushiki Kaisha | Halbleiterbauelement und Verfahren zur Herstellung von Halbleiterbauelement |
JP2016096286A (ja) * | 2014-11-17 | 2016-05-26 | トヨタ自動車株式会社 | 半導体装置 |
WO2016113797A1 (en) | 2015-01-15 | 2016-07-21 | Toyota Jidosha Kabushiki Kaisha | Semiconductor device and manufacturing method thereof |
US9431249B2 (en) | 2011-12-01 | 2016-08-30 | Vishay-Siliconix | Edge termination for super junction MOSFET devices |
JP2016189368A (ja) * | 2015-03-30 | 2016-11-04 | サンケン電気株式会社 | 半導体装置 |
JP2016189369A (ja) * | 2015-03-30 | 2016-11-04 | サンケン電気株式会社 | 半導体装置 |
US9508596B2 (en) | 2014-06-20 | 2016-11-29 | Vishay-Siliconix | Processes used in fabricating a metal-insulator-semiconductor field effect transistor |
US9614043B2 (en) | 2012-02-09 | 2017-04-04 | Vishay-Siliconix | MOSFET termination trench |
JP2017107939A (ja) * | 2015-12-08 | 2017-06-15 | 株式会社豊田自動織機 | 半導体装置及び半導体装置の製造方法 |
US9842911B2 (en) | 2012-05-30 | 2017-12-12 | Vishay-Siliconix | Adaptive charge balanced edge termination |
US9847414B2 (en) | 2014-11-17 | 2017-12-19 | Toyota Jidosha Kabushiki Kaisha | Semiconductor device and method for manufacturing semiconductor device having a step provided in a lateral surface of a trench formed in a surface of a semiconductor substrate |
US9882044B2 (en) | 2014-08-19 | 2018-01-30 | Vishay-Siliconix | Edge termination for super-junction MOSFETs |
US9887259B2 (en) | 2014-06-23 | 2018-02-06 | Vishay-Siliconix | Modulated super junction power MOSFET devices |
JP2018046139A (ja) * | 2016-09-14 | 2018-03-22 | 三菱電機株式会社 | 半導体装置、および、半導体装置の製造方法 |
KR20200064874A (ko) * | 2018-11-29 | 2020-06-08 | 부산대학교 산학협력단 | 높은 항복 전압을 갖는 트렌치 모스펫을 포함하는 반도체 장치 |
JP2020161838A (ja) * | 2013-10-03 | 2020-10-01 | 日本テキサス・インスツルメンツ合同会社 | トレンチゲートトレンチフィールドプレート半垂直半横方向mosfet |
JP2020202271A (ja) * | 2019-06-07 | 2020-12-17 | 新電元工業株式会社 | 半導体装置及び半導体装置の製造方法 |
JP2021005610A (ja) * | 2019-06-26 | 2021-01-14 | 富士電機株式会社 | 窒化物半導体装置 |
JP2021034528A (ja) * | 2019-08-22 | 2021-03-01 | 株式会社デンソー | スイッチング素子 |
WO2021149500A1 (ja) * | 2020-01-20 | 2021-07-29 | ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 | 光電変換装置の製造方法、及び光電変換装置 |
WO2022124042A1 (ja) * | 2020-12-08 | 2022-06-16 | 株式会社日立パワーデバイス | 半導体装置 |
Families Citing this family (45)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP4721653B2 (ja) * | 2004-05-12 | 2011-07-13 | トヨタ自動車株式会社 | 絶縁ゲート型半導体装置 |
US9252251B2 (en) | 2006-08-03 | 2016-02-02 | Infineon Technologies Austria Ag | Semiconductor component with a space saving edge structure |
DE102006036347B4 (de) | 2006-08-03 | 2012-01-12 | Infineon Technologies Austria Ag | Halbleiterbauelement mit einer platzsparenden Randstruktur |
JP5222466B2 (ja) * | 2006-08-09 | 2013-06-26 | ルネサスエレクトロニクス株式会社 | 半導体装置およびその製造方法 |
DE102006046853B4 (de) | 2006-10-02 | 2010-01-07 | Infineon Technologies Austria Ag | Randkonstruktion für ein Halbleiterbauelement und Verfahren zur Herstellung derselben |
JP5612268B2 (ja) * | 2008-03-28 | 2014-10-22 | 株式会社東芝 | 半導体装置及びdc−dcコンバータ |
US8525255B2 (en) * | 2009-11-20 | 2013-09-03 | Force Mos Technology Co., Ltd. | Trench MOSFET with trenched floating gates having thick trench bottom oxide as termination |
US8698232B2 (en) * | 2010-01-04 | 2014-04-15 | International Rectifier Corporation | Semiconductor device including a voltage controlled termination structure and method for fabricating same |
CN102184959B (zh) * | 2011-04-25 | 2016-03-02 | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 | 功率mos管及其制造方法 |
JP6037499B2 (ja) | 2011-06-08 | 2016-12-07 | ローム株式会社 | 半導体装置およびその製造方法 |
US9224852B2 (en) * | 2011-08-25 | 2015-12-29 | Alpha And Omega Semiconductor Incorporated | Corner layout for high voltage semiconductor devices |
US8785279B2 (en) * | 2012-07-30 | 2014-07-22 | Alpha And Omega Semiconductor Incorporated | High voltage field balance metal oxide field effect transistor (FBM) |
US8680613B2 (en) | 2012-07-30 | 2014-03-25 | Alpha And Omega Semiconductor Incorporated | Termination design for high voltage device |
CN103165604B (zh) * | 2011-12-19 | 2016-11-09 | 英飞凌科技奥地利有限公司 | 具有节省空间的边缘结构的半导体部件 |
US20130181253A1 (en) * | 2012-01-18 | 2013-07-18 | Richtek Technology Corporation, R.O.C. | Semiconductor structure and manufacturing method thereof |
CN103390545A (zh) * | 2012-05-08 | 2013-11-13 | 上海华虹Nec电子有限公司 | 改善沟槽型nmos漏源击穿电压的方法及其结构 |
KR20140038750A (ko) | 2012-09-21 | 2014-03-31 | 삼성전자주식회사 | 반도체 장치 및 그 제조 방법 |
CN103715232B (zh) * | 2012-09-28 | 2017-10-10 | 中国科学院微电子研究所 | 用于半导体功率器件的沟槽式终端及其制备方法 |
CN103730499A (zh) * | 2012-10-12 | 2014-04-16 | 力士科技股份有限公司 | 沟槽式金属氧化物半导体场效应管 |
US8853774B2 (en) * | 2012-11-30 | 2014-10-07 | Infineon Technologies Ag | Semiconductor device including trenches and method of manufacturing a semiconductor device |
JP5694285B2 (ja) * | 2012-12-28 | 2015-04-01 | トヨタ自動車株式会社 | 半導体装置 |
US9018700B2 (en) * | 2013-03-14 | 2015-04-28 | Fairchild Semiconductor Corporation | Direct-drain trench FET with source and drain isolation |
US8987090B2 (en) * | 2013-07-03 | 2015-03-24 | Infineon Technologies Dresden Gmbh | Method of manufacturing a semiconductor device with device separation structures |
JP6160477B2 (ja) | 2013-12-25 | 2017-07-12 | トヨタ自動車株式会社 | 半導体装置 |
JP6208579B2 (ja) * | 2013-12-26 | 2017-10-04 | トヨタ自動車株式会社 | 半導体装置 |
US9484404B2 (en) | 2014-01-29 | 2016-11-01 | Stmicroelectronics S.R.L. | Electronic device of vertical MOS type with termination trenches having variable depth |
TWI555208B (zh) * | 2014-05-20 | 2016-10-21 | 力祥半導體股份有限公司 | 線型架構之功率半導體元件 |
CN105448720A (zh) * | 2014-07-30 | 2016-03-30 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 沟槽型mosfet的制作方法、沟槽型mosfet及半导体器件 |
DE102014112371B4 (de) * | 2014-08-28 | 2023-11-23 | Infineon Technologies Austria Ag | Halbleitervorrichtung und elektronische anordnung mit einer halbleitervorrichtung |
US9698256B2 (en) * | 2014-09-24 | 2017-07-04 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Termination of super junction power MOSFET |
CN106537603B (zh) | 2015-02-16 | 2019-12-13 | 富士电机株式会社 | 半导体装置和半导体装置的制造方法 |
JP6299658B2 (ja) * | 2015-04-22 | 2018-03-28 | トヨタ自動車株式会社 | 絶縁ゲート型スイッチング素子 |
JP6488204B2 (ja) * | 2015-07-07 | 2019-03-20 | 株式会社豊田中央研究所 | 半導体装置の製造方法 |
CN105679810A (zh) * | 2016-03-31 | 2016-06-15 | 无锡新洁能股份有限公司 | 适用于电荷耦合器件的半导体结构及其制造方法 |
JP2018056304A (ja) * | 2016-09-28 | 2018-04-05 | トヨタ自動車株式会社 | スイッチング装置とその製造方法 |
CN106783951B (zh) * | 2016-12-23 | 2020-03-24 | 株洲中车时代电气股份有限公司 | 一种半导体器件及其形成方法 |
JP2019046991A (ja) * | 2017-09-04 | 2019-03-22 | ルネサスエレクトロニクス株式会社 | 半導体装置およびその製造方法 |
CN108063159B (zh) * | 2017-12-08 | 2020-09-18 | 上海芯龙半导体技术股份有限公司 | 半导体功率器件的终端结构、半导体功率器件及其制作方法 |
US11069770B2 (en) * | 2018-10-01 | 2021-07-20 | Ipower Semiconductor | Carrier injection control fast recovery diode structures |
CN109300977A (zh) * | 2018-10-08 | 2019-02-01 | 深圳市南硕明泰科技有限公司 | 一种晶体管及其制作方法 |
CN112951771A (zh) * | 2019-12-10 | 2021-06-11 | 中芯国际集成电路制造(北京)有限公司 | 半导体结构及其形成方法 |
CN113690301B (zh) * | 2020-05-18 | 2024-01-26 | 华润微电子(重庆)有限公司 | 半导体器件及其制备方法 |
CN112310195B (zh) * | 2020-09-27 | 2022-09-30 | 东莞南方半导体科技有限公司 | 一种台阶式SiC沟槽场限环终端结构、制备方法及其器件 |
DE102020214398A1 (de) * | 2020-11-17 | 2022-05-19 | Robert Bosch Gesellschaft mit beschränkter Haftung | Vertikales halbleiterbauelement und verfahren zum herstellen desselben |
CN112928155B (zh) * | 2021-04-01 | 2022-04-12 | 四川大学 | 一种浮空p柱的槽栅超结IGBT |
Family Cites Families (24)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5665996A (en) * | 1994-12-30 | 1997-09-09 | Siliconix Incorporated | Vertical power mosfet having thick metal layer to reduce distributed resistance |
EP0893830A1 (en) * | 1996-12-11 | 1999-01-27 | The Kansai Electric Power Co., Inc. | Insulated gate semiconductor device |
JP3904648B2 (ja) | 1997-01-31 | 2007-04-11 | 株式会社ルネサステクノロジ | 半導体装置 |
JP3450650B2 (ja) | 1997-06-24 | 2003-09-29 | 株式会社東芝 | 半導体装置 |
JPH1187698A (ja) * | 1997-09-02 | 1999-03-30 | Kansai Electric Power Co Inc:The | 高耐圧半導体装置及びこの装置を用いた電力変換器 |
US6342709B1 (en) * | 1997-12-10 | 2002-01-29 | The Kansai Electric Power Co., Inc. | Insulated gate semiconductor device |
JPH11297994A (ja) | 1998-04-07 | 1999-10-29 | Hitachi Ltd | 半導体装置 |
US6194741B1 (en) * | 1998-11-03 | 2001-02-27 | International Rectifier Corp. | MOSgated trench type power semiconductor with silicon carbide substrate and increased gate breakdown voltage and reduced on-resistance |
WO2000042665A1 (de) * | 1999-01-11 | 2000-07-20 | Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. | Mos-leistungsbauelement und verfahren zum herstellen desselben |
JP2001015744A (ja) | 1999-06-30 | 2001-01-19 | Toshiba Corp | 電力用半導体素子 |
GB0118000D0 (en) * | 2001-07-24 | 2001-09-19 | Koninkl Philips Electronics Nv | Manufacture of semiconductor devices with schottky barriers |
JP4216189B2 (ja) * | 2001-09-04 | 2009-01-28 | エヌエックスピー ビー ヴィ | エッジ構造を備えた半導体装置の製造方法 |
GB0122120D0 (en) * | 2001-09-13 | 2001-10-31 | Koninkl Philips Electronics Nv | Edge termination in MOS transistors |
US6693011B2 (en) * | 2001-10-02 | 2004-02-17 | Fraunhofer-Gesellschaft Zur Foerderung Der Angewandten Forschung E.V. | Power MOS element and method for producing the same |
DE10219398B4 (de) | 2002-04-30 | 2007-06-06 | Infineon Technologies Ag | Herstellungsverfahren für eine Grabenanordnung mit Gräben unterschiedlicher Tiefe in einem Halbleitersubstrat |
GB0214618D0 (en) * | 2002-06-25 | 2002-08-07 | Koninkl Philips Electronics Nv | Semiconductor device with edge structure |
DE10231966A1 (de) | 2002-07-15 | 2004-02-12 | Infineon Technologies Ag | Feldeffekttransistor, zugehörige Verwendung und zugehöriges Herstellungsverfahren |
US6818947B2 (en) * | 2002-09-19 | 2004-11-16 | Fairchild Semiconductor Corporation | Buried gate-field termination structure |
JP3906181B2 (ja) * | 2003-05-26 | 2007-04-18 | 株式会社東芝 | 電力用半導体装置 |
JP4398185B2 (ja) | 2003-06-24 | 2010-01-13 | セイコーインスツル株式会社 | 縦形mosトランジスタ |
JP4538211B2 (ja) | 2003-10-08 | 2010-09-08 | トヨタ自動車株式会社 | 絶縁ゲート型半導体装置およびその製造方法 |
US7078780B2 (en) * | 2004-04-19 | 2006-07-18 | Shye-Lin Wu | Schottky barrier diode and method of making the same |
DE102004052610B4 (de) * | 2004-10-29 | 2020-06-18 | Infineon Technologies Ag | Leistungstransistor mit einem Halbleitervolumen |
US8084815B2 (en) * | 2005-06-29 | 2011-12-27 | Fairchild Korea Semiconductor Ltd. | Superjunction semiconductor device |
-
2004
- 2004-10-29 JP JP2004316912A patent/JP4414863B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2005
- 2005-09-28 WO PCT/JP2005/018406 patent/WO2006046388A1/en active Application Filing
- 2005-09-28 CN CNB2005800369867A patent/CN100477267C/zh active Active
- 2005-09-28 KR KR1020077011996A patent/KR100879327B1/ko active IP Right Grant
- 2005-09-28 EP EP05790701A patent/EP1815526B1/en active Active
- 2005-09-28 US US11/666,461 patent/US8076718B2/en not_active Expired - Fee Related
Cited By (69)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2008016518A (ja) * | 2006-07-03 | 2008-01-24 | Nec Electronics Corp | 半導体装置および製造方法 |
JP2008066473A (ja) * | 2006-09-06 | 2008-03-21 | Toyota Motor Corp | 半導体装置 |
JP2008135522A (ja) * | 2006-11-28 | 2008-06-12 | Toyota Motor Corp | 半導体装置 |
JP2008171887A (ja) * | 2007-01-09 | 2008-07-24 | Toshiba Corp | 半導体装置及び半導体装置の製造方法 |
JP2009004655A (ja) * | 2007-06-22 | 2009-01-08 | Toyota Motor Corp | 半導体装置 |
JP2009094203A (ja) * | 2007-10-05 | 2009-04-30 | Denso Corp | 炭化珪素半導体装置 |
US9484451B2 (en) | 2007-10-05 | 2016-11-01 | Vishay-Siliconix | MOSFET active area and edge termination area charge balance |
JP2010541289A (ja) * | 2007-10-05 | 2010-12-24 | ビシェイ−シリコニクス | Mosfetのアクティブ領域および終端領域の電荷バランス |
JP2010062377A (ja) * | 2008-09-04 | 2010-03-18 | Sanyo Electric Co Ltd | 半導体装置及びその製造方法 |
JP2011086746A (ja) * | 2009-10-15 | 2011-04-28 | Toyota Motor Corp | 半導体装置 |
JP2011187708A (ja) * | 2010-03-09 | 2011-09-22 | Toyota Motor Corp | 半導体装置 |
US9064952B2 (en) | 2010-03-09 | 2015-06-23 | Toyota Jidosha Kabushiki Kaisha | Semiconductor device |
WO2011155394A1 (ja) * | 2010-06-11 | 2011-12-15 | トヨタ自動車株式会社 | 半導体装置および半導体装置の製造方法 |
JP2012019188A (ja) * | 2010-06-11 | 2012-01-26 | Toyota Motor Corp | 半導体装置および半導体装置の製造方法 |
US8952430B2 (en) | 2010-06-11 | 2015-02-10 | Denso Corporation | Semiconductor device and method for manufacturing semiconductor device |
US9985093B2 (en) | 2010-12-10 | 2018-05-29 | Mitsubishi Electric Corporation | Trench-gate type semiconductor device and manufacturing method therefor |
US9224860B2 (en) | 2010-12-10 | 2015-12-29 | Mitsubishi Electric Corporation | Trench-gate type semiconductor device and manufacturing method therefor |
WO2012077617A1 (ja) * | 2010-12-10 | 2012-06-14 | 三菱電機株式会社 | 半導体装置およびその製造方法 |
US9614029B2 (en) | 2010-12-10 | 2017-04-04 | Mitsubishi Electric Corporation | Trench-gate type semiconductor device and manufacturing method therefor |
JP2012216675A (ja) * | 2011-03-31 | 2012-11-08 | Toyota Motor Corp | 半導体装置及びその製造方法 |
US9059238B2 (en) | 2011-09-08 | 2015-06-16 | Fuji Electric Co., Ltd. | Semiconductor device |
WO2013035818A1 (ja) * | 2011-09-08 | 2013-03-14 | 富士電機株式会社 | 半導体装置 |
JPWO2013035818A1 (ja) * | 2011-09-08 | 2015-03-23 | 富士電機株式会社 | 半導体装置 |
US9431249B2 (en) | 2011-12-01 | 2016-08-30 | Vishay-Siliconix | Edge termination for super junction MOSFET devices |
US9614043B2 (en) | 2012-02-09 | 2017-04-04 | Vishay-Siliconix | MOSFET termination trench |
US9935193B2 (en) | 2012-02-09 | 2018-04-03 | Siliconix Technology C. V. | MOSFET termination trench |
JP2013191734A (ja) * | 2012-03-14 | 2013-09-26 | Toyota Motor Corp | 半導体装置および半導体装置の製造方法 |
US9842911B2 (en) | 2012-05-30 | 2017-12-12 | Vishay-Siliconix | Adaptive charge balanced edge termination |
US10229988B2 (en) | 2012-05-30 | 2019-03-12 | Vishay-Siliconix | Adaptive charge balanced edge termination |
US9911803B2 (en) | 2013-09-24 | 2018-03-06 | Toyota Jidosha Kabushiki Kaisha | Semiconductor device |
KR101780612B1 (ko) * | 2013-09-24 | 2017-09-21 | 도요타 지도샤(주) | 반도체 장치 |
JP2015065237A (ja) * | 2013-09-24 | 2015-04-09 | トヨタ自動車株式会社 | 半導体装置 |
JP2020161838A (ja) * | 2013-10-03 | 2020-10-01 | 日本テキサス・インスツルメンツ合同会社 | トレンチゲートトレンチフィールドプレート半垂直半横方向mosfet |
JP7021416B2 (ja) | 2013-10-03 | 2022-02-17 | テキサス インスツルメンツ インコーポレイテッド | トレンチゲートトレンチフィールドプレート半垂直半横方向mosfet |
US9780205B2 (en) | 2013-12-26 | 2017-10-03 | Toyota Jidosha Kabushiki Kaisha | Insulated gate type semiconductor device having floating regions at bottom of trenches in cell region and circumferential region and manufacturing method thereof |
WO2015098167A1 (ja) * | 2013-12-26 | 2015-07-02 | トヨタ自動車株式会社 | 絶縁ゲート型半導体装置の製造方法及び絶縁ゲート型半導体装置 |
JP2015185751A (ja) * | 2014-03-25 | 2015-10-22 | トヨタ自動車株式会社 | 絶縁ゲート型半導体装置 |
KR20160138294A (ko) * | 2014-04-09 | 2016-12-02 | 도요타 지도샤(주) | 절연 게이트형 반도체 장치, 및 절연 게이트형 반도체 장치의 제조 방법 |
KR101887795B1 (ko) | 2014-04-09 | 2018-08-10 | 도요타 지도샤(주) | 절연 게이트형 반도체 장치, 및 절연 게이트형 반도체 장치의 제조 방법 |
WO2015156023A1 (ja) * | 2014-04-09 | 2015-10-15 | トヨタ自動車株式会社 | 絶縁ゲート型半導体装置、及び、絶縁ゲート型半導体装置の製造方法 |
JP2015201559A (ja) * | 2014-04-09 | 2015-11-12 | トヨタ自動車株式会社 | 絶縁ゲート型半導体装置、及び、絶縁ゲート型半導体装置の製造方法 |
US9755042B2 (en) | 2014-04-09 | 2017-09-05 | Toyota Jidosha Kabushiki Kaisha | Insulated gate semiconductor device and method for manufacturing the insulated gate semiconductor device |
US9508596B2 (en) | 2014-06-20 | 2016-11-29 | Vishay-Siliconix | Processes used in fabricating a metal-insulator-semiconductor field effect transistor |
US9887259B2 (en) | 2014-06-23 | 2018-02-06 | Vishay-Siliconix | Modulated super junction power MOSFET devices |
US10283587B2 (en) | 2014-06-23 | 2019-05-07 | Vishay-Siliconix | Modulated super junction power MOSFET devices |
US9882044B2 (en) | 2014-08-19 | 2018-01-30 | Vishay-Siliconix | Edge termination for super-junction MOSFETs |
US10340377B2 (en) | 2014-08-19 | 2019-07-02 | Vishay-Siliconix | Edge termination for super-junction MOSFETs |
US9847414B2 (en) | 2014-11-17 | 2017-12-19 | Toyota Jidosha Kabushiki Kaisha | Semiconductor device and method for manufacturing semiconductor device having a step provided in a lateral surface of a trench formed in a surface of a semiconductor substrate |
JP2016096286A (ja) * | 2014-11-17 | 2016-05-26 | トヨタ自動車株式会社 | 半導体装置 |
DE102015120148A1 (de) | 2014-11-21 | 2016-05-25 | Toyota Jidosha Kabushiki Kaisha | Halbleiterbauelement und Verfahren zur Herstellung von Halbleiterbauelement |
US9899469B2 (en) | 2015-01-15 | 2018-02-20 | Toyota Jidosha Kabushiki Kaisha | Semiconductor device and manufacturing method thereof |
WO2016113797A1 (en) | 2015-01-15 | 2016-07-21 | Toyota Jidosha Kabushiki Kaisha | Semiconductor device and manufacturing method thereof |
JP2016189368A (ja) * | 2015-03-30 | 2016-11-04 | サンケン電気株式会社 | 半導体装置 |
JP2016189369A (ja) * | 2015-03-30 | 2016-11-04 | サンケン電気株式会社 | 半導体装置 |
JP2017107939A (ja) * | 2015-12-08 | 2017-06-15 | 株式会社豊田自動織機 | 半導体装置及び半導体装置の製造方法 |
JP2018046139A (ja) * | 2016-09-14 | 2018-03-22 | 三菱電機株式会社 | 半導体装置、および、半導体装置の製造方法 |
KR20200064874A (ko) * | 2018-11-29 | 2020-06-08 | 부산대학교 산학협력단 | 높은 항복 전압을 갖는 트렌치 모스펫을 포함하는 반도체 장치 |
KR102183362B1 (ko) * | 2018-11-29 | 2020-11-26 | 부산대학교 산학협력단 | 높은 항복 전압을 갖는 트렌치 모스펫을 포함하는 반도체 장치 |
US11626479B2 (en) | 2019-06-07 | 2023-04-11 | Shindengen Electric Manufacturing Co., Ltd. | Semiconductor device and method of manufacturing semiconductor device |
JP2020202271A (ja) * | 2019-06-07 | 2020-12-17 | 新電元工業株式会社 | 半導体装置及び半導体装置の製造方法 |
JP2021005610A (ja) * | 2019-06-26 | 2021-01-14 | 富士電機株式会社 | 窒化物半導体装置 |
JP7379882B2 (ja) | 2019-06-26 | 2023-11-15 | 富士電機株式会社 | 窒化物半導体装置 |
JP2021034528A (ja) * | 2019-08-22 | 2021-03-01 | 株式会社デンソー | スイッチング素子 |
JP7326991B2 (ja) | 2019-08-22 | 2023-08-16 | 株式会社デンソー | スイッチング素子 |
WO2021149500A1 (ja) * | 2020-01-20 | 2021-07-29 | ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 | 光電変換装置の製造方法、及び光電変換装置 |
JP2022090921A (ja) * | 2020-12-08 | 2022-06-20 | 株式会社 日立パワーデバイス | 半導体装置 |
WO2022124042A1 (ja) * | 2020-12-08 | 2022-06-16 | 株式会社日立パワーデバイス | 半導体装置 |
DE112021004430T5 (de) | 2020-12-08 | 2023-06-07 | Hitachi Power Semiconductor Device, Ltd. | Halbleitervorrichtung |
JP7291679B2 (ja) | 2020-12-08 | 2023-06-15 | 株式会社 日立パワーデバイス | 半導体装置 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
WO2006046388A1 (en) | 2006-05-04 |
EP1815526A1 (en) | 2007-08-08 |
US8076718B2 (en) | 2011-12-13 |
US20080087951A1 (en) | 2008-04-17 |
KR20070072623A (ko) | 2007-07-04 |
CN101048874A (zh) | 2007-10-03 |
JP4414863B2 (ja) | 2010-02-10 |
KR100879327B1 (ko) | 2009-01-19 |
EP1815526B1 (en) | 2012-01-18 |
CN100477267C (zh) | 2009-04-08 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP4414863B2 (ja) | 絶縁ゲート型半導体装置およびその製造方法 | |
US9818860B2 (en) | Silicon carbide semiconductor device and method for producing the same | |
JP4453671B2 (ja) | 絶縁ゲート型半導体装置およびその製造方法 | |
TWI427792B (zh) | Semiconductor device | |
JP4538211B2 (ja) | 絶縁ゲート型半導体装置およびその製造方法 | |
JP5569162B2 (ja) | 半導体装置および半導体装置の製造方法 | |
KR100767078B1 (ko) | 절연 게이트형 반도체 장치 및 그 제조 방법 | |
JP4456013B2 (ja) | 半導体装置 | |
JP4735224B2 (ja) | 絶縁ゲート型半導体装置およびその製造方法 | |
JP4735235B2 (ja) | 絶縁ゲート型半導体装置およびその製造方法 | |
JP5767857B2 (ja) | トレンチ型mosfet及びその製造方法 | |
JP4404709B2 (ja) | 絶縁ゲート型半導体装置およびその製造方法 | |
JP2009500831A (ja) | 保護ゲート電界効果トランジスタであると形成するための構造と方法 | |
JP4500530B2 (ja) | 絶縁ゲート型半導体装置およびその製造方法 | |
US8017494B2 (en) | Termination trench structure for mosgated device and process for its manufacture | |
JP4447474B2 (ja) | 半導体装置およびその製造方法 | |
JP2007317779A (ja) | 絶縁ゲート型半導体装置およびその製造方法 | |
JP4500639B2 (ja) | トレンチゲート型半導体装置およびその製造方法 | |
JP2005223255A (ja) | 絶縁ゲート型半導体装置およびその製造方法 | |
JP7316746B2 (ja) | 半導体装置および半導体装置の製造方法 | |
JP4491307B2 (ja) | 半導体装置およびその製造方法 | |
JP2005252204A (ja) | 絶縁ゲート型半導体装置およびその製造方法 | |
JP2012160601A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
KR101803978B1 (ko) | 반도체 장치 및 그 제조 방법 | |
TWI597766B (zh) | 溝槽式功率半導體器件及其製備方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20061114 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20091110 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20091120 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20121127 Year of fee payment: 3 |
|
R151 | Written notification of patent or utility model registration |
Ref document number: 4414863 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R151 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20121127 Year of fee payment: 3 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20131127 Year of fee payment: 4 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |