JP2007317779A - 絶縁ゲート型半導体装置およびその製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】半導体装置100は,ゲート絶縁膜24と絶縁層23との間(すなわち,ゲート電極22の下側の角部周辺)に,ゲート絶縁膜24よりも幅が大きい拡張絶縁領域241を有している。ゲートトレンチ21の側部は,拡張絶縁領域241の外形に沿ってゲート電極22の下端付近で外側に膨らんだ形状となっている。また,ゲート電極22の下側の角部は,拡張絶縁領域241の外形に沿って内側に窪む形状となっている。そのため,ゲート電極22の底部は,拡張絶縁層241の外形に沿って角部が傾斜した形状をなしている。
【選択図】 図1
Description
12 N- ドリフト領域
21 ゲートトレンチ(トレンチ部)
22 ゲート電極(ゲート電極層)
23 絶縁層
24 ゲート絶縁膜
241 拡張絶縁領域
244 CVD窒化膜(酸化保護膜)
31 N+ ソース領域
41 P- ボディ領域
51 P拡散領域
100 絶縁ゲート型半導体装置
Claims (8)
- トレンチゲート構造を有する絶縁ゲート型半導体装置の製造方法において,
半導体基板の上面にトレンチ部を形成するトレンチ部形成工程と,
前記トレンチ部内を絶縁物で充填し,その後のエッチバックにより前記トレンチ部内の絶縁物を所望の深さまで除去し,前記トレンチ部の底上に絶縁層を形成する絶縁層形成工程と,
前記絶縁層形成工程後に,前記トレンチ部を閉塞しない膜厚の酸化保護膜を形成する保護膜形成工程と,
前記酸化保護膜のうち,前記トレンチ部の側壁上に位置する部分を残したまま前記絶縁層上に位置する部分を除去する保護膜エッチバック工程と,
前記保護膜エッチバック工程後に,熱酸化処理を行う熱酸化工程と,
前記熱酸化工程後に,前記トレンチ部内にゲート電極層を形成するゲート電極層形成工程と含むことを特徴とする絶縁ゲート型半導体装置の製造方法。 - 請求項1に記載する絶縁ゲート型半導体装置の製造方法において,
前記熱酸化工程後であって前記ゲート電極層形成工程前に,前記酸化保護膜を除去する保護膜除去工程を含むことを特徴とする絶縁ゲート型半導体装置の製造方法。 - 請求項1に記載する絶縁ゲート型半導体装置の製造方法において,
前記ゲート電極形成工程では,前記トレンチ部の側壁に前記酸化保護膜を残したまま前記ゲート電極層を形成することを特徴とする絶縁ゲート型半導体装置の製造方法。 - 請求項1から請求項3のいずれか1つに記載する絶縁ゲート型半導体装置の製造方法において,
前記保護膜エッチバック工程後であって前記熱酸化工程前に,前記絶縁層を所望の深さまで掘り下げる第2絶縁層エッチバック工程を含むことを特徴とする絶縁ゲート型半導体装置の製造方法。 - 請求項1から請求項4のいずれか1つに記載する絶縁ゲート型半導体装置の製造方法において,
前記酸化保護膜を形成する前に,前記トレンチ部の側壁にゲート絶縁膜を形成するゲート絶縁膜形成工程を含み,
前記保護膜形成工程では,前記ゲート絶縁膜上に前記酸化保護膜を形成することを特徴とする絶縁ゲート型半導体装置の製造方法。 - 半導体基板内の上面側に位置し第1導電型半導体であるボディ領域と,前記ボディ領域の下面と接し第2導電型半導体であるドリフト領域と,前記ドリフト領域に囲まれるとともに第1導電型半導体であるフローティング領域と,半導体基板の上面から前記ボディ領域を貫通し,底部が前記フローティング領域内に位置するトレンチ部とを有し,前記フローティング領域と前記ドリフト領域との接合箇所での電界強度が前記ボディ領域と前記ドリフト領域との接合箇所での電界強度と同等となる位置に前記フローティング領域が配置されている絶縁ゲート型半導体装置の製造方法において,
半導体基板の上面にトレンチ部を形成するトレンチ部形成工程と,
前記トレンチ部の底部から不純物を注入する不純物注入工程と,
前記トレンチ部内を絶縁物で充填し,その後のエッチバックにより前記トレンチ部内の絶縁物を所望の深さまで除去し,前記トレンチ部の底上に絶縁層を形成する絶縁層形成工程と,
前記絶縁層形成工程後に,前記トレンチ部を閉塞しない膜厚の酸化保護膜を形成する保護膜形成工程と,
前記酸化保護膜のうち,前記トレンチ部の側壁上に位置する部分を残したまま前記絶縁層上に位置する部分を除去する保護膜エッチバック工程と,
前記保護膜エッチバック工程後に,熱酸化処理を行う熱酸化工程と,
前記熱酸化工程後に,前記トレンチ部内にゲート電極層を形成するゲート電極層形成工程と含むことを特徴とする絶縁ゲート型半導体装置の製造方法。 - 半導体基板内の上面側に位置し第1導電型半導体であるボディ領域と,前記ボディ領域の下面と接し第2導電型半導体であるドリフト領域と,半導体基板の上面から前記ボディ領域を貫通するトレンチ部とを有する絶縁ゲート型半導体装置において,
前記トレンチ部の底上に位置し,絶縁物にて構成される絶縁層と,
前記トレンチ部内であって前記絶縁層の上方に位置するゲート電極層と,
前記ボディ領域と前記ゲート電極層との間に位置するゲート絶縁膜と,
前記ゲート絶縁膜の下端および前記絶縁層の上面と接し,前記トレンチ部の幅方向の膜厚が前記ゲート絶縁膜の膜厚よりも厚い拡張絶縁領域とを有し,
前記トレンチ部の側壁は,前記拡張絶縁領域の外形に沿って前記トレンチ部の外側に膨らんだ形状をなし,
前記ゲート電極層の下面の両角部は,前記拡張絶縁領域と接するとともに前記拡張絶縁領域の外形に沿って内側に窪む形状をなしていることを特徴とする絶縁ゲート型半導体装置。 - 半導体基板内の上面側に位置し第1導電型半導体であるボディ領域と,前記ボディ領域の下面と接し第2導電型半導体であるドリフト領域と,前記ドリフト領域に囲まれるとともに第1導電型半導体であるフローティング領域と,半導体基板の上面から前記ボディ領域を貫通し,底部が前記フローティング領域内に位置するトレンチ部とを有し,前記フローティング領域と前記ドリフト領域との接合箇所での電界強度が前記ボディ領域と前記ドリフト領域との接合箇所での電界強度と同等となる位置に前記フローティング領域が配置されている絶縁ゲート型半導体装置において,
前記トレンチ部の底上に位置し,絶縁物にて構成される絶縁層と,
前記トレンチ部内であって前記絶縁層の上方に位置するゲート電極層と,
前記ボディ領域と前記ゲート電極層との間に位置するゲート絶縁膜と,
前記ゲート絶縁膜の下端および前記絶縁層の上面と接し,前記トレンチ部の幅方向の膜厚が前記ゲート絶縁膜の膜厚よりも厚い拡張絶縁領域とを有し,
前記トレンチ部の側壁は,前記拡張絶縁領域の外形に沿って前記トレンチ部の外側に膨らんだ形状をなし,
前記ゲート電極層の下面の両角部は,前記拡張絶縁領域と接するとともに前記拡張絶縁領域の外形に沿って内側に窪む形状をなしていることを特徴とする絶縁ゲート型半導体装置。
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