JP2011129667A - 半導体装置及びその製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】第1導電型のドレイン領域と、前記ドレイン領域上に形成された第2導電型のボディ領域と、前記ボディ領域を貫通し、底面部分が前記ドレイン領域に達するトレンチと、前記トレンチに埋設されたゲート電極と、前記ゲート電極と、前記トレンチの側面及び底面とを絶縁する絶縁部と、を有し、前記ボディ領域は、前記トレンチ側面に近づくにつれ前記トレンチの深さ方向に深くなり、前記絶縁部は、トレンチ壁面に形成されたゲート絶縁膜と、トレンチ底部に形成された底部埋込絶縁膜とを備え、前記底部埋込絶縁膜は、前記トレンチの深さ方向に深くなるにつれ、前記ゲート酸化膜よりも厚くなる厚い絶縁膜部分を有し、前記厚い絶縁膜部分は、前記ボディ領域の最低部より前記トレンチの深さ方向に対して所定の深さに位置されている半導体装置。
【選択図】図1
Description
101 N+半導体基板
102 N−ドリフト領域
103 P型ボディ領域
104 N+ソース領域
105 ゲート電極
106 ゲート絶縁膜
107 層間絶縁膜
108 底部埋込絶縁膜
109 厚い絶縁膜
110 ソース電極
Claims (8)
- 第1導電型のドレイン領域と、
前記ドレイン領域上に形成された第2導電型のボディ領域と、
前記ボディ領域を貫通し、底面部分が前記ドレイン領域に達するトレンチと、
前記ボディ領域表層部において、前記トレンチに隣接して形成されたソース領域と、
前記トレンチに埋設されたゲート電極と、
前記ゲート電極と、前記トレンチの側面及び底面とを絶縁する絶縁部と、を有し、
前記ボディ領域は、前記トレンチ側面に近づくにつれ前記トレンチの深さ方向に深くなり、
前記絶縁部は、トレンチ壁面に形成されたゲート絶縁膜と、トレンチ底部に形成された底部埋込絶縁膜とを備え、
前記底部埋込絶縁膜は、前記トレンチの深さ方向に深くなるにつれ、前記ゲート酸化膜よりも厚くなる厚い絶縁膜部分を有し、
前記厚い絶縁膜部分は、前記ボディ領域の最低部より前記トレンチの深さ方向に対して所定の深さに位置されている
半導体装置。 - 前記ゲート絶縁膜と接する前記ボディ領域は、前記トレンチの深さ方向に深くなっても均一な不純物濃度を有する
請求項1に記載の半導体装置。 - 前記底部埋込絶縁膜は、熱酸化膜部分とCVD酸化膜部分とを有し、
前記熱酸化膜部分は、前記トレンチ壁面側に形成され、
前記CVD酸化膜部分は、その他の部分に形成される
請求項1または請求項2に記載の半導体装置。 - 前記ゲート電極上部に形成される層間絶縁膜が、前記ボディ領域平面と実質的に同じ面となるように形成される
請求項1〜請求項3のいずれか1項に記載の半導体装置。 - 第1導電型の半導体基板にトレンチを形成し、
前記トレンチ内を絶縁膜で埋め込み、
前記絶縁膜をエッチバックすることにより、前記トレンチ底部に、前記トレンチの深さ方向に深くなるにつれ、前記トレンチ壁面からの厚みが厚くなる底部絶縁膜を形成し、
前記底部埋込絶縁膜をマスクとして用いて、斜めイオン注入により、トレンチ側壁に第2導電型のボディ拡散層を形成し、
前記トレンチ底部にある底部絶縁膜を、所定の深さにまでエッチバックし、
前記トレンチ壁面を酸化させてゲート絶縁膜を形成し、
前記底部絶縁膜及び前記ゲート絶縁膜上に前記トレンチを埋めるようにゲート電極を形成し、
前記ボディ領域表層部において、前記トレンチに隣接するよう第1導電型のソース領域を形成し、
前記ゲート電極上部に層間絶縁膜を形成する
半導体装置の製造方法。 - 前記トレンチ内を絶縁膜で埋め込む場合、
前記トレンチ壁面側にはエッチングレートが低く、内側の絶縁膜にはエッチングレートが高い絶縁膜を使用する
請求項5に記載の半導体装置の製造方法。 - 前記トレンチ内を絶縁膜で埋め込む場合、
前記トレンチ内を熱酸化することにより、前記トレンチ壁面に熱酸化膜を形成し、
その後、前記熱酸化膜上に、CVD法によりCVD酸化膜を形成する
請求項5または請求項6に記載の半導体装置の製造方法。 - 前記トレンチ底部にある底部絶縁膜を、所定の深さにまでエッチバックする場合、リアクティブイオンエッチング方式を用いる
請求項5〜請求項7のいずれか1項に記載の半導体装置の製造方法。
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Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2022047943A (ja) * | 2020-09-14 | 2022-03-25 | 株式会社東芝 | 半導体装置の製造方法及び半導体装置 |
KR20220164118A (ko) * | 2021-06-03 | 2022-12-13 | 파워큐브세미 (주) | 두꺼운 트렌치 바닥에서 이격된 플로팅 쉴드를 갖는 실리콘카바이드 트렌치 게이트 트랜지스터 및 그 제조 방법 |
Citations (12)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0353521A (ja) * | 1989-07-21 | 1991-03-07 | Nec Corp | 半導体装置の製造方法 |
JP2001284588A (ja) * | 2000-03-29 | 2001-10-12 | Sanyo Electric Co Ltd | 絶縁ゲート型半導体装置およびその製造方法 |
JP2004303802A (ja) * | 2003-03-28 | 2004-10-28 | Toshiba Corp | 半導体装置及びその製造方法 |
JP2004363498A (ja) * | 2003-06-06 | 2004-12-24 | Toyota Motor Corp | 電力用半導体装置およびその製造方法 |
JP2005019668A (ja) * | 2003-06-26 | 2005-01-20 | Shindengen Electric Mfg Co Ltd | 半導体装置 |
JP2005019734A (ja) * | 2003-06-26 | 2005-01-20 | Renesas Technology Corp | 半導体装置およびその製造方法 |
JP2005294337A (ja) * | 2004-03-31 | 2005-10-20 | Denso Corp | 半導体装置の製造方法 |
JP2005340552A (ja) * | 2004-05-28 | 2005-12-08 | Toyota Motor Corp | 絶縁ゲート型半導体装置およびその製造方法 |
JP2006339508A (ja) * | 2005-06-03 | 2006-12-14 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 半導体装置およびその製造方法 |
JP2007317779A (ja) * | 2006-05-24 | 2007-12-06 | Toyota Motor Corp | 絶縁ゲート型半導体装置およびその製造方法 |
JP2008166696A (ja) * | 2006-12-26 | 2008-07-17 | Magnachip Semiconductor Ltd | リセスチャネルを有するトランジスタ及びその製造方法 |
JP2009081427A (ja) * | 2007-09-03 | 2009-04-16 | Rohm Co Ltd | 半導体装置および半導体装置の製造方法 |
-
2009
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Patent Citations (12)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0353521A (ja) * | 1989-07-21 | 1991-03-07 | Nec Corp | 半導体装置の製造方法 |
JP2001284588A (ja) * | 2000-03-29 | 2001-10-12 | Sanyo Electric Co Ltd | 絶縁ゲート型半導体装置およびその製造方法 |
JP2004303802A (ja) * | 2003-03-28 | 2004-10-28 | Toshiba Corp | 半導体装置及びその製造方法 |
JP2004363498A (ja) * | 2003-06-06 | 2004-12-24 | Toyota Motor Corp | 電力用半導体装置およびその製造方法 |
JP2005019668A (ja) * | 2003-06-26 | 2005-01-20 | Shindengen Electric Mfg Co Ltd | 半導体装置 |
JP2005019734A (ja) * | 2003-06-26 | 2005-01-20 | Renesas Technology Corp | 半導体装置およびその製造方法 |
JP2005294337A (ja) * | 2004-03-31 | 2005-10-20 | Denso Corp | 半導体装置の製造方法 |
JP2005340552A (ja) * | 2004-05-28 | 2005-12-08 | Toyota Motor Corp | 絶縁ゲート型半導体装置およびその製造方法 |
JP2006339508A (ja) * | 2005-06-03 | 2006-12-14 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 半導体装置およびその製造方法 |
JP2007317779A (ja) * | 2006-05-24 | 2007-12-06 | Toyota Motor Corp | 絶縁ゲート型半導体装置およびその製造方法 |
JP2008166696A (ja) * | 2006-12-26 | 2008-07-17 | Magnachip Semiconductor Ltd | リセスチャネルを有するトランジスタ及びその製造方法 |
JP2009081427A (ja) * | 2007-09-03 | 2009-04-16 | Rohm Co Ltd | 半導体装置および半導体装置の製造方法 |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2022047943A (ja) * | 2020-09-14 | 2022-03-25 | 株式会社東芝 | 半導体装置の製造方法及び半導体装置 |
JP7417499B2 (ja) | 2020-09-14 | 2024-01-18 | 株式会社東芝 | 半導体装置の製造方法及び半導体装置 |
KR20220164118A (ko) * | 2021-06-03 | 2022-12-13 | 파워큐브세미 (주) | 두꺼운 트렌치 바닥에서 이격된 플로팅 쉴드를 갖는 실리콘카바이드 트렌치 게이트 트랜지스터 및 그 제조 방법 |
KR102564713B1 (ko) * | 2021-06-03 | 2023-08-09 | 파워큐브세미 (주) | 두꺼운 트렌치 바닥에서 이격된 플로팅 쉴드를 갖는 실리콘카바이드 트렌치 게이트 트랜지스터 및 그 제조 방법 |
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