JP5483693B2 - 半導体装置及びその製造方法 - Google Patents
半導体装置及びその製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP5483693B2 JP5483693B2 JP2009286075A JP2009286075A JP5483693B2 JP 5483693 B2 JP5483693 B2 JP 5483693B2 JP 2009286075 A JP2009286075 A JP 2009286075A JP 2009286075 A JP2009286075 A JP 2009286075A JP 5483693 B2 JP5483693 B2 JP 5483693B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- trench
- insulating film
- gate
- semiconductor device
- body region
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Images
Landscapes
- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
Description
101 N+半導体基板
102 N−ドリフト領域
103 P型ボディ領域
104 N+ソース領域
105 ゲート電極
106 ゲート絶縁膜
107 層間絶縁膜
108 底部埋込絶縁膜
109 厚い絶縁膜
110 ソース電極
Claims (6)
- 第1導電型のドレイン領域と、
前記ドレイン領域上に形成された第2導電型のボディ領域と、
前記ボディ領域を貫通し、底面部分が前記ドレイン領域に達するトレンチと、
前記ボディ領域表層部において、前記トレンチに隣接して形成されたソース領域と、
前記トレンチに埋設されたゲート電極と、
前記ゲート電極と、前記トレンチの側面及び底面とを絶縁する絶縁部と、を有し、
前記ボディ領域は、前記トレンチ側面に近づくにつれ前記トレンチの深さ方向に深くなり、
前記絶縁部は、トレンチ壁面に形成されたゲート絶縁膜と、トレンチ底部に形成された底部埋込絶縁膜とを備え、
前記底部埋込絶縁膜は、前記トレンチの深さ方向に深くなるにつれ、前記ゲート絶縁膜よりも厚くなる厚い絶縁膜部分を有し、
前記厚い絶縁膜部分は、前記ボディ領域の最低部より前記トレンチの深さ方向に対して所定の深さに位置されており、
前記底部埋込絶縁膜は、熱酸化膜部分とCVD酸化膜部分とを有し、
前記熱酸化膜部分は、前記トレンチ壁面側に形成され、
前記CVD酸化膜部分は、その他の部分に形成される
半導体装置。 - 前記ゲート絶縁膜と接する前記ボディ領域は、前記トレンチの深さ方向に深くなっても均一な不純物濃度を有する
請求項1に記載の半導体装置。 - 前記ゲート電極上部に形成される層間絶縁膜が、前記ボディ領域平面と実質的に同じ面となるように形成される
請求項1または請求項2に記載の半導体装置。 - 第1導電型の半導体基板にトレンチを形成し、
前記トレンチ内を絶縁膜で埋め込み、
前記絶縁膜をエッチバックすることにより、前記トレンチ底部に、前記トレンチの深さ方向に深くなるにつれ、前記トレンチ壁面からの厚みが厚くなる底部埋込絶縁膜を形成し、
前記底部埋込絶縁膜をマスクとして用いて、斜めイオン注入により、トレンチ側壁に第2導電型のボディ拡散層を形成し、
前記トレンチ底部にある前記底部埋込絶縁膜を、所定の深さにまでエッチバックし、
前記トレンチ壁面を酸化させてゲート絶縁膜を形成し、
前記底部埋込絶縁膜及び前記ゲート絶縁膜上に前記トレンチを埋めるようにゲート電極を形成し、
前記ボディ拡散層表層部において、前記トレンチに隣接するよう第1導電型のソース領域を形成し、
前記ゲート電極上部に層間絶縁膜を形成し
前記トレンチ内を絶縁膜で埋め込む場合、
前記トレンチ壁面側にはエッチングレートが低く、内側の絶縁膜にはエッチングレートが高い絶縁膜を使用する
半導体装置の製造方法。 - 前記トレンチ内を絶縁膜で埋め込む場合、
前記トレンチ内を熱酸化することにより、前記トレンチ壁面に熱酸化膜を形成し、
その後、前記熱酸化膜上に、CVD法によりCVD酸化膜を形成する
請求項4に記載の半導体装置の製造方法。 - 前記トレンチ底部にある前記底部埋込絶縁膜を、所定の深さにまでエッチバックする場合、リアクティブイオンエッチング方式を用いる
請求項4または請求項5に記載の半導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2009286075A JP5483693B2 (ja) | 2009-12-17 | 2009-12-17 | 半導体装置及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2009286075A JP5483693B2 (ja) | 2009-12-17 | 2009-12-17 | 半導体装置及びその製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2011129667A JP2011129667A (ja) | 2011-06-30 |
JP5483693B2 true JP5483693B2 (ja) | 2014-05-07 |
Family
ID=44291955
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2009286075A Expired - Fee Related JP5483693B2 (ja) | 2009-12-17 | 2009-12-17 | 半導体装置及びその製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP5483693B2 (ja) |
Families Citing this family (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP7417499B2 (ja) * | 2020-09-14 | 2024-01-18 | 株式会社東芝 | 半導体装置の製造方法及び半導体装置 |
KR102564713B1 (ko) * | 2021-06-03 | 2023-08-09 | 파워큐브세미 (주) | 두꺼운 트렌치 바닥에서 이격된 플로팅 쉴드를 갖는 실리콘카바이드 트렌치 게이트 트랜지스터 및 그 제조 방법 |
Family Cites Families (12)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0353521A (ja) * | 1989-07-21 | 1991-03-07 | Nec Corp | 半導体装置の製造方法 |
JP3754266B2 (ja) * | 2000-03-29 | 2006-03-08 | 三洋電機株式会社 | 絶縁ゲート型半導体装置の製造方法 |
JP3713498B2 (ja) * | 2003-03-28 | 2005-11-09 | 株式会社東芝 | 半導体装置及びその製造方法 |
JP4202194B2 (ja) * | 2003-06-06 | 2008-12-24 | トヨタ自動車株式会社 | 電力用半導体装置およびその製造方法 |
JP4860102B2 (ja) * | 2003-06-26 | 2012-01-25 | ルネサスエレクトロニクス株式会社 | 半導体装置 |
JP2005019668A (ja) * | 2003-06-26 | 2005-01-20 | Shindengen Electric Mfg Co Ltd | 半導体装置 |
JP4400287B2 (ja) * | 2004-03-31 | 2010-01-20 | 株式会社デンソー | 半導体装置の製造方法 |
JP4447377B2 (ja) * | 2004-05-28 | 2010-04-07 | トヨタ自動車株式会社 | 絶縁ゲート型半導体装置およびその製造方法 |
JP2006339508A (ja) * | 2005-06-03 | 2006-12-14 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 半導体装置およびその製造方法 |
JP4735414B2 (ja) * | 2006-05-24 | 2011-07-27 | トヨタ自動車株式会社 | 絶縁ゲート型半導体装置 |
KR100824205B1 (ko) * | 2006-12-26 | 2008-04-21 | 매그나칩 반도체 유한회사 | Dmos 트랜지스터 및 그 제조방법 |
JP5385567B2 (ja) * | 2007-09-03 | 2014-01-08 | ローム株式会社 | 半導体装置および半導体装置の製造方法 |
-
2009
- 2009-12-17 JP JP2009286075A patent/JP5483693B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2011129667A (ja) | 2011-06-30 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
TWI591789B (zh) | 用於製造具有一屏蔽電極結構之一絕緣閘極半導體裝置之方法 | |
US8633539B2 (en) | Trench transistor and manufacturing method of the trench transistor | |
US7956411B2 (en) | High aspect ratio trench structures with void-free fill material | |
JP5569162B2 (ja) | 半導体装置および半導体装置の製造方法 | |
US7492005B2 (en) | Excessive round-hole shielded gate trench (SGT) MOSFET devices and manufacturing processes | |
US20130153995A1 (en) | Semiconductor device and method for manufacturing the same | |
US20130134505A1 (en) | Semiconductor device for power and method of manufacture thereof | |
US7998808B2 (en) | Semiconductor device fabrication using spacers | |
US20120241761A1 (en) | Semiconductor device and method for manufacturing same | |
TWI471942B (zh) | 半導體裝置及其製造方法 | |
JP6170812B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
TWI488304B (zh) | 溝渠金屬氧化物半導體場效電晶體(mosfet)及其製造方法 | |
JP2010505270A (ja) | 窪んだフィールドプレートを備えたパワーmosfet | |
US8981462B2 (en) | Semiconductor device | |
JP5341639B2 (ja) | 半導体装置および半導体装置の製造方法 | |
US10497782B2 (en) | Trench power semiconductor component and method of manufacturing the same | |
US20130221431A1 (en) | Semiconductor device and method of manufacture thereof | |
KR101832334B1 (ko) | 반도체소자 및 그 제조방법 | |
JP2018046253A (ja) | 半導体装置およびその製造方法 | |
JP2018056463A (ja) | 半導体装置及びその製造方法 | |
JP6337702B2 (ja) | 半導体装置及びその製造方法 | |
JP5483693B2 (ja) | 半導体装置及びその製造方法 | |
JP2009016480A (ja) | 半導体装置、及び半導体装置の製造方法 | |
JP2005045123A (ja) | トレンチゲート型半導体装置およびその製造方法 | |
JP2005116985A (ja) | トレンチゲート型半導体装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20120801 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20131122 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20131126 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20140124 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20140212 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20140217 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 5483693 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
S531 | Written request for registration of change of domicile |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313531 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |