JP6337702B2 - 半導体装置及びその製造方法 - Google Patents
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Description
膜86を特に厚くする構造が記載されている。
本発明の半導体装置は、
半導体基板の表面側において溝が形成され、当該溝の内面に形成された酸化膜と接するゲート電極が設けられ、前記半導体基板の表面側に形成された第1の主電極と前記半導体基板の裏面側に形成された第2の主電極との間に流れる動作電流が前記ゲート電極に印加された電圧によってスイッチング制御される半導体装置であって、
前記ゲート電極は前記溝の両側面に形成され、
前記ゲート電極の下端部の位置は前記溝の側壁側に比べて前記溝の中央側で高く、
前記ゲート電極の下端部は前記溝の側壁側から前記溝の中央側に向かう傾斜面を形成し、
前記溝の底面上の前記ゲート電極が形成されない領域に、前記ゲート電極と絶縁し、前記第1の主電極と電気的に接続された底面電極を具備し、
前記底面電極の側面は、前記ゲート電極の傾斜面と対向し、
前記底面電極の上面の幅は前記底面電極の下面の幅よりも小さいことを特徴とする。
また、図9で示すように、溝24の延伸する長手方向において、エミッタ電極30が底面電極28と接続していない領域があっても良い。例えば、エミッタ電極30と底面電極28が溝24の端部でのみ接続していても良い。
20、80 半導体基板
21 p+層
22、82 n−層
23、83 p−層
24、85 溝(トレンチ)
25、81、88 n+層
26、86 酸化膜
27、87 ゲート電極
28 底面電極
29、91 層間絶縁層
30 エミッタ電極(第1の主電極)
31 コレクタ電極(第2の主電極)
89 ソース電極(第1の主電極)
90 ドレイン電極(第2の主電極)
110 半導体装置(パワーMOSFET)
261 ゲート酸化膜(酸化膜)
262 追加酸化膜(酸化膜)
L 空乏層端部
Claims (2)
- 半導体基板の表面側において溝が形成され、当該溝の内面に形成された酸化膜と接するゲート電極が設けられ、前記半導体基板の表面側に形成された第1の主電極と前記半導体基板の裏面側に形成された第2の主電極との間に流れる動作電流が前記ゲート電極に印加された電圧によってスイッチング制御される半導体装置であって、
前記ゲート電極は前記溝の両側面に形成され、
前記ゲート電極の下端部の位置は前記溝の側壁側に比べて前記溝の中央側で高く、
前記ゲート電極の下端部は前記溝の側壁側から前記溝の中央側に向かう傾斜面を形成し、
前記溝の底面上の前記ゲート電極が形成されない領域に、前記ゲート電極と絶縁し、前記第1の主電極と電気的に接続された底面電極を具備し、
前記底面電極の側面は、前記ゲート電極の傾斜面と対向し、
前記底面電極の上面の幅は前記底面電極の下面の幅よりも小さいことを特徴とする半導体装置。 - 前記ゲート電極の下端部と前記溝の底部との間に前記酸化膜と異なる絶縁層を備えることを特徴とする請求項1の半導体装置。
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