JP2008166696A - リセスチャネルを有するトランジスタ及びその製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】このため、トレンチが形成された基板と、前記トレンチの一部が埋め込まれるように、前記トレンチの底面の縁部が中央部よりも厚く形成された絶縁膜と、該絶縁膜よりも薄い厚さで、前記トレンチの内側壁に形成されたゲート絶縁膜と、前記トレンチが埋め込まれるように形成されたゲート電極とを備えるトランジスタを提供する。
【選択図】図4
Description
111 エピタキシャル層
112 窒化膜
113 酸化膜
115 トレンチ
116 第2犠牲酸化膜
117 アンドープポリシリコン膜
117A 埋め込み層
117B 絶縁膜
118 ゲート絶縁膜(ゲート酸化膜)
119 ゲート電極
Claims (17)
- トレンチが形成された基板と、
前記トレンチの一部が埋め込まれるように、前記トレンチの底面の縁部が中央部よりも厚く形成された絶縁膜と、
該絶縁膜よりも薄い厚さで、前記トレンチの内側壁に形成されたゲート絶縁膜と、
前記トレンチが埋め込まれるように形成されたゲート電極と
を備えることを特徴とするトランジスタ。 - トレンチが形成された基板と、
前記トレンチの一部が埋め込まれるようにV状に形成された絶縁膜と、
該絶縁膜よりも薄い厚さで、前記トレンチの内側壁に形成されたゲート絶縁膜と、
前記トレンチが埋め込まれるように形成されたゲート電極と
を備えることを特徴とするトランジスタ。 - 前記絶縁膜が、酸化物系物質を含むことを特徴とする請求項1又は2に記載のトランジスタ。
- 前記絶縁膜が、2000Å〜3000Åの範囲の厚さに形成されることを特徴とする請求項1又は2に記載のトランジスタ。
- 前記基板が、
シリコン基板と、
該シリコン基板上に形成されたエピタキシャル層と
を備えることを特徴とする請求項1又は2に記載のトランジスタ。 - 前記トレンチが、前記エピタキシャル層内に形成されることを特徴とする請求項5に記載のトランジスタ。
- 前記トレンチが、1.2μm〜2.0μmの範囲の深さを有し、0.38μm〜0.47μmの範囲の幅を有することを特徴とする請求項1又は2に記載のトランジスタ。
- 基板内にトレンチを形成するステップと、
前記トレンチが埋め込まれるように、前記基板上にポリシリコン膜を蒸着するステップと、
前記ポリシリコン膜をエッチングし、前記トレンチの内面において、前記ポリシリコン膜の一部が、前記トレンチの底面の中央部よりも縁部でより厚く形成されるように残留させるステップと、
残留する前記ポリシリコン膜を酸化させ、前記トレンチの底面に絶縁膜を形成すると同時に、前記トレンチの内側壁に、前記絶縁膜よりも薄い厚さで、ゲート絶縁膜を形成するステップと、
前記トレンチが埋め込まれるように、前記絶縁膜上にゲート電極を形成するステップと
を含むことを特徴とするトランジスタの製造方法。 - 前記ポリシリコン膜を蒸着するステップにおいて、前記ポリシリコン膜として、不純物イオンのドープされていないアンドープポリシリコン膜が用いられることを特徴とする請求項8に記載のトランジスタの製造方法。
- 前記ポリシリコン膜を蒸着するステップが、前記トレンチの中央部に対応する部分に凹状の段差部を有するように形成されることを特徴とする請求項8に記載のトランジスタの製造方法。
- 前記トレンチの内面において、前記ポリシリコン膜の一部が、前記トレンチの底面の中央部よりも縁部でより厚く形成されるように残留させるステップが、エッチバック工程により行われることを特徴とする請求項8に記載のトランジスタの製造方法。
- 前記エッチバック工程が、SF6ガスを用いて、0.4Pa〜0.6Paの範囲の圧力、及び500℃〜800℃の範囲の温度で行われることを特徴とする請求項11に記載のトランジスタの製造方法。
- 前記絶縁膜及び前記ゲート絶縁膜を形成するステップが、20:4(SLPM)の割合で混合されたN2とO2ガスとを用いて、1000℃〜1200℃の範囲の温度で行われることを特徴とする請求項8に記載のトランジスタの製造方法。
- 前記トレンチを形成するステップの後、
前記トレンチの内面を酸化させ、第1犠牲酸化膜を形成するステップと、
前記第1犠牲酸化膜を除去するステップと、
前記第1犠牲酸化膜が除去された部分に第2犠牲酸化膜を形成するステップと
を更に含むことを特徴とする請求項8に記載のトランジスタの製造方法。 - 前記トレンチの内面において、前記ポリシリコン膜の一部が、前記トレンチの底面の中央部よりも縁部でより厚く形成されるように残留させるステップの後、前記第2犠牲酸化膜を除去するステップを更に含むことを特徴とする請求項14に記載のトランジスタの製造方法。
- 前記絶縁膜が、2000Å〜3000Åの範囲の厚さに形成されることを特徴とする請求項8に記載のトランジスタの製造方法。
- 前記基板が、
シリコン基板と、
該シリコン基板上に形成されたエピタキシャル層と
を備えることを特徴とする請求項8に記載のトランジスタの製造方法。
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