JP2011086746A - 半導体装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】 半導体装置10の半導体基板12には、半導体素子が形成される第1活性領域14と、半導体素子が形成される第2活性領域16と、ゲートパッド18が形成される非活性領域が形成されている。半導体基板12を平面視したときに、(a)第1活性領域14と第2活性領域16は矩形状に形成されており、(b)ゲートパッド18と第2活性領域16は、y方向に並んで配置されており、(c)ゲートパッド18と第2活性領域16は、第1活性領域14に対してx方向に並んで配置されており、(d)ゲートパッド18と第2活性領域16のy方向の長さはそれぞれ、第1活性領域14のy方向の長さよりも短くされている。
【選択図】図1
Description
(1)第1活性領域は、その一辺が長辺となる一方で他方の辺が短辺となる長方形状である。
(2)第2活性領域は、矩形状であり、第1活性領域に対して第1活性領域の長辺が伸びる方向に並んで配置されている。
(3)ゲートパッドは、矩形状であり、第1活性領域に対して第1活性領域の長辺が伸びる方向に並んで配置されている。
(4)第2活性領域とゲートパッドは、第1活性領域の短辺が伸びる方向に並んで配置されている。
(5)第2活性領域の第1活性領域の短辺と平行となる辺の長さは、第1活性領域の短辺の長さより短くされている。
(6)ゲートパッドの第1活性領域の短辺と平行となる辺の長さは、第1活性領域の短辺の長さより短くされている。
(7)ゲートパッドの第1活性領域の長辺と平行となる辺の長さは、第1活性領域の長辺の長さより短くされている。
(8)第2活性領域の第1活性領域の長辺と平行となる辺の長さは、ゲートパッドの第1活性領域の長辺と平行となる辺の長さ以下とされている。
また、「第1導電型」及び「第2導電型」とは、n型またはp型のいずれかを意味する。すなわち、「第1導電型」がp型である場合には「第2導電型」がn型であり、「第1導電型」がn型である場合には「第2導電型」がp型である。
また、第1活性領域64と第3活性領域68の間にゲート配線72bを形成することで、ゲート配線72bを介してゲート電極65、69にゲートパッド70の電位を印加する。これによって、半導体装置60のスイッチング速度の向上が図られている。その一方、第1活性領域64と第2活性領域66の間にはゲート配線を形成しないことで、活性領域の面積の増大が図られている。
本明細書または図面に説明した技術要素は、単独であるいは各種の組み合わせによって技術的有用性を発揮するものであり、出願時請求項記載の組み合わせに限定されるものではない。また、本明細書または図面に例示した技術は複数目的を同時に達成するものであり、そのうちの一つの目的を達成すること自体で技術的有用性を持つものである。
12:半導体基板
14:第1活性領域
14a:セル領域
14b:終端領域
16:第2活性領域
16a:セル領域
16b:終端領域
17:ゲート電極
18:ゲートパッド
20a,20b,20c,20d:ゲート配線
36:ゲート電極
Claims (5)
- 半導体基板に形成されている第1活性領域と、
半導体基板に形成されている第2活性領域と、
半導体基板に形成されている非活性領域と、
非活性領域上に形成されているゲートパッドを有しており、
第1活性領域と第2活性領域のそれぞれは、素子領域と、その素子領域を取り囲む終端領域を有しており、
第1活性領域と第2活性領域のそれぞれの素子領域は、
半導体基板内の上面に臨む範囲に形成されている第1導電型のボディ領域と、
ボディ領域の下面に接している第2導電型のドリフト領域と、
ボディ領域を貫通してドリフト領域にまで伸びるゲートトレンチ内に配置され、ボディ領域と対向しているゲート電極と、
ゲート電極とゲートトレンチの壁面との間に配置されている絶縁体と、
ゲートトレンチの底部を囲んでおり、その周囲がドリフト領域によって囲まれている第1導電型のフローティング領域と、を有しており、
第1活性領域と第2活性領域のそれぞれの終端領域には、素子領域の外側を一巡する終端トレンチが形成されており、その終端トレンチの底部を囲む範囲には、その周囲がドリフト領域によって囲まれている第1導電型のフローティング領域が形成されており、
ゲートパッドは、第1活性領域と第2活性領域のそれぞれのゲート電極と電気的に接続されており、
半導体基板を平面視したときに、
(1)第1活性領域は、その一辺が長辺となる一方で他方の辺が短辺となる長方形状であり、
(2)第2活性領域は、矩形状であり、第1活性領域に対して第1活性領域の長辺が伸びる方向に並んで配置されており、
(3)ゲートパッドは、矩形状であり、第1活性領域に対して第1活性領域の長辺が伸びる方向に並んで配置されており、
(4)第2活性領域とゲートパッドは、第1活性領域の短辺が伸びる方向に並んで配置されており、
(5)第2活性領域の第1活性領域の短辺と平行となる辺の長さは、第1活性領域の短辺の長さより短くされており、
(6)ゲートパッドの第1活性領域の短辺と平行となる辺の長さは、第1活性領域の短辺の長さより短くされており、
(7)ゲートパッドの第1活性領域の長辺と平行となる辺の長さは、第1活性領域の長辺の長さより短くされており、
(8)第2活性領域の第1活性領域の長辺と平行となる辺の長さは、ゲートパッドの第1活性領域の長辺と平行となる辺の長さ以下とされていることを特徴とする半導体装置。 - 第1活性領域と第2活性領域のそれぞれの素子領域は複数のゲート電極を有しており、
各素子領域の複数のゲート電極は、半導体基板を平面視したときに、第1活性領域の短辺が伸びる方向に伸びており、かつ、第1活性領域の長辺が伸びる方向に間隔を空けて並んで配置されていることを特徴とする請求項1に記載の半導体装置。 - 非活性領域上には、ゲートパッドに導通すると共にゲート電極に導通するゲート配線が形成されており、そのゲート配線は、半導体基板を平面視したときに、第1活性領域の2つの長辺に沿って設けられており、第1活性領域と第2活性領域の間にはゲート配線が設けられていないことを特徴とする請求項2に記載の半導体装置。
- ゲート配線は、第2活性領域の第1活性領域の長辺と平行となる2辺のうちゲートパッドと隣接しない側の辺に沿って設けられており、第2活性領域とゲートパッドの間には第2活性領域に沿って伸びるゲート配線が設けられていないことを特徴とする請求項3に記載の半導体装置。
- 第1活性領域の素子領域は、半導体基板の表面に設けられた第1表面電極をさらに有しており、第2活性領域の素子領域は、半導体基板の表面に設けられた第2表面電極をさらに有しており、第1表面電極と第2表面電極とが金属層によって接続されていることを特徴とする請求項3又は4に記載の半導体装置。
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