JP5309427B2 - 半導体装置 - Google Patents
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Description
本発明を600VプレーナゲートMOSFETに適用した例について説明する。図1は、実施の形態1の半導体装置の第1主面側の平面レイアウトを示す図であり、第1主面上に形成されている電極や絶縁膜等を省略した図である。図1に示すように、活性領域1は、半導体装置の中央部に配置されている。遷移領域2は、活性領域1を囲むように、活性領域1の外側に配置されている。終端構造領域3は、遷移領域2を囲むように、遷移領域2の外側に配置されている。
実施の形態2は、実施の形態1の変形例である。図4は、実施の形態2の半導体装置の第1主面側の平面レイアウトの要部を示す図であり、第1主面上に形成されている電極や絶縁膜等を省略した図である。図5および図6は、それぞれ図4の切断線C−C’およびD−D’における断面の構成を示す図である。これら切断線C−C’およびD−D’は、それぞれ図1の切断線A−A’およびB−B’に相当する。図4〜図6に示すように、実施の形態2が実施の形態1と異なるのは、活性領域1のMOSゲート構造が、トレンチ溝41、ゲート絶縁膜42およびゲート電極43からなるトレンチゲート構造44になっていることである。
2 遷移領域
3 終端構造領域
6,23 バイパス領域
7a,7b 切断面
11 ドリフト領域
4,12 チャネル領域
13 第1半導体領域
14,42 ゲート絶縁膜
15,43 ゲート電極
16,21 ボディ領域
17 第1電極
19,41 トレンチ溝
20 電極
31 第2半導体領域
32 第2電極
Claims (8)
- 活性領域と該活性領域を囲む終端構造領域との間に遷移領域を有する半導体装置において、
第1主面と第2主面を有する第1導電型のドリフト領域と、
前記第1主面に沿って選択的に設けられた第2導電型のチャネル領域、該チャネル領域内に選択的に設けられた第1導電型の第1半導体領域、該第1半導体領域と前記チャネル領域の両方に接続された第1電極、前記第1半導体領域と前記ドリフト領域の間の前記チャネル領域に沿って設けられたゲート絶縁膜、および該ゲート絶縁膜に沿って設けられたゲート電極を有する前記活性領域と、
前記第1主面から前記チャネル領域よりも深くまで達するトレンチ溝内に埋め込まれ、かつ前記第1電極に接続された電極、前記トレンチ溝の側壁および底部に沿って設けられた第2導電型の第1バイパス領域、および前記トレンチ溝の前記終端構造領域側に前記第1主面に沿って選択的に設けられた、前記第1バイパス領域と接する第2バイパス領域を有する前記遷移領域と、
前記ドリフト領域の第2主面に沿って設けられた第1導電型の第2半導体領域と、
前記第2半導体領域に接続された第2電極と、
前記終端構造領域の外周縁に沿って前記第1主面から前記第2主面まで達する切断面と、
を備え、
前記第1バイパス領域の、前記トレンチ溝の側壁に沿って設けられた部分の幅が、前記チャネル領域側から前記トレンチ溝の底部にわたって等しい幅であり、
前記第1バイパス領域と前記第2バイパス領域とが異なる領域であることを特徴とする半導体装置。 - 活性領域と該活性領域を囲む終端構造領域との間に遷移領域を有する半導体装置において、
第1主面と第2主面を有する第1導電型のドリフト領域と、
前記第1主面に沿って選択的に設けられた第2導電型のチャネル領域、該チャネル領域内に選択的に設けられた第1導電型の第1半導体領域、該第1半導体領域と前記チャネル領域の両方に接続された第1電極、前記第1半導体領域と前記ドリフト領域の間の前記チャネル領域に沿って設けられたゲート絶縁膜、および該ゲート絶縁膜に沿って設けられたゲート電極を有する前記活性領域と、
前記第1主面から前記チャネル領域よりも深くまで達するトレンチ溝内に埋め込まれ、かつ前記第1電極に接続された電極、前記トレンチ溝の側壁および底部に沿って設けられた第2導電型の第1バイパス領域、および前記トレンチ溝の前記終端構造領域側に前記第1主面に沿って選択的に設けられた、前記第1バイパス領域と接する第2バイパス領域を有する前記遷移領域と、
前記ドリフト領域の第2主面に沿って設けられた第2導電型の第2半導体領域と、
前記第2半導体領域に接続された第2電極と、
前記終端構造領域の外周縁に沿って前記第1主面から前記第2主面まで達する切断面と、
を備え、
前記第1バイパス領域の、前記トレンチ溝の側壁に沿って設けられた部分の幅が、前記チャネル領域側から前記トレンチ溝の底部にわたって等しい幅であり、
前記第1バイパス領域と前記第2バイパス領域とが異なる領域であることを特徴とする半導体装置。 - 活性領域と該活性領域を囲む終端構造領域との間に遷移領域を有する半導体装置において、
第1主面と第2主面を有する第1導電型のドリフト領域と、
前記第1主面に沿って選択的に設けられた第2導電型のチャネル領域、該チャネル領域内に選択的に設けられた第1導電型の第1半導体領域、該第1半導体領域と前記チャネル領域の両方に接続された第1電極、前記第1半導体領域に隣接して前記第1主面から前記チャネル領域を貫通して前記ドリフト領域に達する第1トレンチ溝の内周面に沿って設けられたゲート絶縁膜、該ゲート絶縁膜を介して前記第1トレンチ溝内に埋め込まれたゲート電極を有する前記活性領域と、
前記第1主面から前記チャネル領域よりも深くまで達する第2トレンチ溝内に埋め込まれ、かつ前記第1電極に接続された電極、前記第2トレンチ溝の側壁および底部に沿って設けられた第2導電型の第1バイパス領域、および前記第2トレンチ溝の前記終端構造領域側に前記第1主面に沿って選択的に設けられた、前記第1バイパス領域と接する第2バイパス領域を有する前記遷移領域と、
前記ドリフト領域の第2主面に沿って設けられた第1導電型の第2半導体領域と、
前記第2半導体領域に接続された第2電極と、
前記終端構造領域の外周縁に沿って前記第1主面から前記第2主面まで達する切断面と、
を備え、
前記第1バイパス領域の、前記第2トレンチ溝の側壁に沿って設けられた部分の幅が、前記チャネル領域側から前記第2トレンチ溝の底部にわたって等しい幅であり、
前記第1バイパス領域と前記第2バイパス領域とが異なる領域であることを特徴とする半導体装置。 - 活性領域と該活性領域を囲む終端構造領域との間に遷移領域を有する半導体装置において、
第1主面と第2主面を有する第1導電型のドリフト領域と、
前記第1主面に沿って選択的に設けられた第2導電型のチャネル領域、該チャネル領域内に選択的に設けられた第1導電型の第1半導体領域、該第1半導体領域と前記チャネル領域の両方に接続された第1電極、前記第1半導体領域に隣接して前記第1主面から前記チャネル領域を貫通して前記ドリフト領域に達する第1トレンチ溝の内周面に沿って設けられたゲート絶縁膜、該ゲート絶縁膜を介して前記第1トレンチ溝内に埋め込まれたゲート電極を有する前記活性領域と、
前記第1主面から前記チャネル領域よりも深くまで達する第2トレンチ溝内に埋め込まれ、かつ前記第1電極に接続された電極、前記第2トレンチ溝の側壁および底部に沿って設けられた第2導電型の第1バイパス領域、および前記第2トレンチ溝の前記終端構造領域側に前記第1主面に沿って選択的に設けられた、前記第1バイパス領域と接する第2バイパス領域を有する前記遷移領域と、
前記ドリフト領域の第2主面に沿って設けられた第2導電型の第2半導体領域と、
前記第2半導体領域に接続された第2電極と、
前記終端構造領域の外周縁に沿って前記第1主面から前記第2主面まで達する切断面と、
を備え、
前記第1バイパス領域の、前記第2トレンチ溝の側壁に沿って設けられた部分の幅が、前記チャネル領域側から前記第2トレンチ溝の底部にわたって等しい幅であり、
前記第1バイパス領域と前記第2バイパス領域とが異なる領域であることを特徴とする半導体装置。 - 前記第1トレンチ溝の深さと前記第2トレンチ溝の深さが同じであることを特徴とする請求項3または4に記載の半導体装置。
- 前記第2バイパス領域の不純物プロファイルと前記チャネル領域の不純物プロファイルが同じであることを特徴とする請求項1〜5のいずれか一つに記載の半導体装置。
- 前記チャネル領域内に選択的に第2導電型のボディ領域が設けられており、前記第2バイパス領域の不純物プロファイルと前記ボディ領域の不純物プロファイルが同じであることを特徴とする請求項1〜5のいずれか一つに記載の半導体装置。
- 前記活性領域のMOSゲート構造が直線状に形成されていることを特徴とする請求項1〜7のいずれか一つに記載の半導体装置。
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