JP2018046253A5 - - Google Patents

Claims (9)

1. 第１導電形の第１半導体領域と、
   前記第１半導体領域の上に設けられた第２導電形の第２半導体領域と、
   前記第２半導体領域の上に設けられた第１導電形の第３半導体領域と、
   前記第１半導体領域中に第１絶縁部を介して設けられた第１電極と、
   前記第１電極の上に設けられた第２絶縁部と、
   前記第２絶縁部の上に設けられたゲート電極であって、
   上方に向けて窪んだ第１凹部および第２凹部が設けられた下面と、
   第１方向において前記第２半導体領域とゲート絶縁部を介して対面する第１側面と、
   を有し、前記第１凹部は、前記第１方向において前記第２凹部と前記第１側面との間に位置し、前記第１凹部と前記第２凹部との間の前記第１方向における距離は、前記第１側面と前記第１凹部との間の前記第１方向における距離よりも長いゲート電極と、
   前記第２半導体領域の上および前記第３半導体領域の上に設けられ、前記第２半導体領域、前記第３半導体領域、および前記第１電極と電気的に接続された第２電極と、
   を備えた半導体装置。
2. 前記第１電極は、上面と、第２側面と、前記第２側面と反対側の第３側面と、を有し、
   前記上面と前記第２側面との間の第１角は、前記第１凹部と上下方向において並び、
   前記上面と前記第３側面との間の第２角は、前記第２凹部と上下方向において並ぶ請求項１記載の半導体装置。
3. 前記第２絶縁部は、
   第１絶縁部分と、
   前記ゲート電極と前記第１絶縁部分との間に設けられ、前記第１絶縁部分よりも誘電率が高い第２絶縁部分と、
   を有する請求項１または２に記載の半導体装置。
4. 前記第２絶縁部は、
   第１絶縁部分と、
   前記ゲート電極と前記第１絶縁部分との間に設けられ、前記第１絶縁部分よりもボロンを多く含む第２絶縁部分と、
   を有する請求項１または２に記載の半導体装置。
5. 前記第２絶縁部分は、上方に向けて突出した第１突出部および第２突出部を有し、
   前記第１突出部は、前記第１凹部中に設けられ、
   前記第２突出部は、前記第２凹部中に設けられた請求項３または４に記載の半導体装置。
6. 第１導電形の第１半導体領域と、
   前記第１半導体領域の上に設けられた第２導電形の第２半導体領域と、
   前記第２半導体領域の上に設けられた第１導電形の第３半導体領域と、
   前記第１半導体領域中に第１絶縁部を介して設けられた第１電極と、
   前記第１電極の上に設けられた第２絶縁部と、
   上方に向けて窪んだ凹部が設けられた下面を有し、前記第２絶縁部の上に設けられ、第１方向においてゲート絶縁部を介して前記第２半導体領域と対面し、前記凹部は前記第１電極の上面と前記第１電極の側面との間の角と上下方向において並ぶゲート電極と、
   前記第２半導体領域の上および前記第３半導体領域の上に設けられ、前記第２半導体領域、前記第３半導体領域、および前記第１電極と電気的に接続された第２電極と、
   を備えた半導体装置。
7. 前記第２絶縁部は、
   第１絶縁部分と、
   前記ゲート電極と前記第１絶縁部分との間に設けられ、前記第１絶縁部分よりも誘電率が高い第２絶縁部分と、
   を有する請求項６記載の半導体装置。
8. 前記第２絶縁部は、
   第１絶縁部分と、
   前記ゲート電極と前記第１絶縁部分との間に設けられ、前記第１絶縁部分よりもボロンを多く含む第２絶縁部分と、
   を有する請求項６記載の半導体装置。
9. 上面に第１トレンチが形成された第１半導体層と、
   前記第１トレンチの内壁に沿って設けられた第１絶縁層と、
   前記第１絶縁層の上において前記第１トレンチ内の下部に設けられた第１電極と、
   前記第１電極の上面に設けられた第２絶縁層と、
   を有する半導体基板に対して、前記第１絶縁層および前記第２絶縁層の表面に沿って、前記第１絶縁層よりもエッチングレートが低い第３絶縁層を形成し、
   前記第２絶縁層の上に前記第３絶縁層よりもエッチングレートが高い第４絶縁層を形成して前記第１トレンチを埋め込み、
   前記第１絶縁層の一部、前記第３絶縁層の一部、および前記第４絶縁層の少なくとも一部を除去し、記第２絶縁層の上に位置する前記第３絶縁層の他の一部の上面に、上方に向けて突出した第１突出部および第２突出部を形成し、
   前記第２絶縁層および前記第３絶縁層の前記他の一部の上にゲート電極を形成する半導体装置の製造方法。