JP2018198267A5 - - Google Patents

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  1. 半導体基板上に第1導電形の半導体層を形成する工程と、
    前記半導体基板及び前記半導体層にトレンチを形成する工程と、
    前記トレンチの内壁面上及び底面上に第2導電形の半導体膜を形成する工程と、
    前記半導体膜の側面上及び底面上に、シリコン酸化物を含む第1絶縁膜を形成する工程と、
    前記第1絶縁膜の側面上及び底面上に、シリコン窒化物を含む第2絶縁膜を形成する工程と、
    前記第2絶縁膜の側面上及び底面上に、シリコン酸化物を含む第3絶縁膜を形成する工程と、
    を備えた半導体装置の製造方法。
  2. 前記第3絶縁膜を形成する工程は、前記第2絶縁膜に酸化処理を施す工程を含む請求項1記載の半導体装置の製造方法。
  3. 前記第1絶縁膜を形成する工程は、前記半導体膜に酸化処理を施す工程を含む請求項1または2に記載の半導体装置の製造方法。
  4. 前記トレンチの上部であって、前記第3絶縁膜の側面の一部上にカバー膜を形成する工程をさらに備えた請求項1から3のいずれか1つに記載の半導体装置の製造方法。
  5. 第1方向に延びる第1導電形の第1半導体領域と、
    前記第1方向に延び、前記第1方向に交差する第2方向に前記第1半導体領域と配置され、空隙を囲む第2導電形の第2半導体領域と、
    前記空隙と、前記第2半導体領域との間に設けられ、シリコン酸化物を含む第1絶縁膜と、シリコン窒化物を含む第2絶縁膜と、シリコン酸化物を含む第3絶縁膜とを有する絶縁部と、
    を備え
    前記第1絶縁膜、前記第2絶縁膜及び前記第3絶縁膜は、前記第2半導体領域から前記空隙に向かって順に位置した半導体装置。
  6. 前記第1絶縁膜は、前記第2半導体領域の側面上及び底面上に位置し、
    前記第2絶縁膜は、前記第1絶縁膜の側面上及び底面上に位置し、
    前記第3絶縁膜は、前記第2絶縁膜の側面上及び底面上に位置する請求項記載の半導体装置。
  7. 前記第1半導体領域及び前記第2半導体領域上に設けられた第2導電形の第3半導体領域と、
    前記空隙上に設けられ、前記第3半導体領域との間で前記絶縁部が位置するカバー膜と、
    をさらに備えた請求項5または6に記載の半導体装置。
  8. 前記第1絶縁膜と前記第3絶縁膜の厚さの合計は、前記第2絶縁膜の厚さの0.5倍以上であって4倍以下である請求項5から7のいずれか1つに記載の半導体装置。
  9. 第1方向に延びる第1導電形の第1半導体領域と、
    前記第1方向に延び、前記第1方向に交差する第2方向に空隙を介して前記第1半導体領域と配置される第2導電形の第2半導体領域と、
    前記空隙と、前記第1半導体領域及び前記第2半導体領域との間に設けられ、シリコン酸化物を含む第1絶縁膜と、シリコン窒化物を含む第2絶縁膜と、シリコン酸化物を含む第3絶縁膜とを有する絶縁部と、
    を備えた半導体装置。
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