JP2018198267A5 - - Google Patents
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- 239000011800 void material Substances 0.000 claims 1
Claims (9)
- 半導体基板上に第１導電形の半導体層を形成する工程と、
前記半導体基板及び前記半導体層にトレンチを形成する工程と、
前記トレンチの内壁面上及び底面上に第２導電形の半導体膜を形成する工程と、
前記半導体膜の側面上及び底面上に、シリコン酸化物を含む第１絶縁膜を形成する工程と、
前記第１絶縁膜の側面上及び底面上に、シリコン窒化物を含む第２絶縁膜を形成する工程と、
前記第２絶縁膜の側面上及び底面上に、シリコン酸化物を含む第３絶縁膜を形成する工程と、
を備えた半導体装置の製造方法。 - 前記第３絶縁膜を形成する工程は、前記第２絶縁膜に酸化処理を施す工程を含む請求項１記載の半導体装置の製造方法。
- 前記第１絶縁膜を形成する工程は、前記半導体膜に酸化処理を施す工程を含む請求項１または２に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記トレンチの上部であって、前記第３絶縁膜の側面の一部上にカバー膜を形成する工程をさらに備えた請求項１から３のいずれか１つに記載の半導体装置の製造方法。
- 第１方向に延びる第１導電形の第１半導体領域と、
前記第１方向に延び、前記第１方向に交差する第２方向に前記第１半導体領域と配置され、空隙を囲む第２導電形の第２半導体領域と、
前記空隙と、前記第２半導体領域との間に設けられ、シリコン酸化物を含む第１絶縁膜と、シリコン窒化物を含む第２絶縁膜と、シリコン酸化物を含む第３絶縁膜とを有する絶縁部と、
を備え、
前記第１絶縁膜、前記第２絶縁膜及び前記第３絶縁膜は、前記第２半導体領域から前記空隙に向かって順に位置した半導体装置。 - 前記第１絶縁膜は、前記第２半導体領域の側面上及び底面上に位置し、
前記第２絶縁膜は、前記第１絶縁膜の側面上及び底面上に位置し、
前記第３絶縁膜は、前記第２絶縁膜の側面上及び底面上に位置する請求項５記載の半導体装置。 - 前記第１半導体領域及び前記第２半導体領域上に設けられた第２導電形の第３半導体領域と、
前記空隙上に設けられ、前記第３半導体領域との間で前記絶縁部が位置するカバー膜と、
をさらに備えた請求項５または６に記載の半導体装置。 - 前記第１絶縁膜と前記第３絶縁膜の厚さの合計は、前記第２絶縁膜の厚さの０．５倍以上であって４倍以下である請求項５から７のいずれか１つに記載の半導体装置。
- 第１方向に延びる第１導電形の第１半導体領域と、
前記第１方向に延び、前記第１方向に交差する第２方向に空隙を介して前記第１半導体領域と配置される第２導電形の第２半導体領域と、
前記空隙と、前記第１半導体領域及び前記第２半導体領域との間に設けられ、シリコン酸化物を含む第１絶縁膜と、シリコン窒化物を含む第２絶縁膜と、シリコン酸化物を含む第３絶縁膜とを有する絶縁部と、
を備えた半導体装置。
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