JP2008294218A5 - - Google Patents
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Claims (7)
- 複数の受光領域に対応して画素回路が共有され、
前記受光領域の光入射側が、半導体基体の前記画素回路が形成される第１の面とは反対側の第２の面側とされ、
前記受光領域が、前記第２の面側においては略等間隔に配置され、前記第１の面側においては非等間隔に配置され、前記半導体基体中で前記第２の面側における配置位置と前記第１の面側における配置位置とを接続する形状で前記第２の面側から前記第１の面側に延在されて成る
固体撮像素子。 - 前記受光領域の、前記第２の面側において等間隔に配置される領域の深さが、前記半導体基体の前記第２の面から１μｍ以上５μｍ以下とされる請求項１記載の固体撮像素子。
- 前記受光領域の、前記第２の面側において等間隔に配置される領域が、前記第１の面側からのイオン注入により形成されて成る請求項１記載の固体撮像素子。
- 前記イオン注入が、エネルギーを変化させて複数回行われ、前記第１の面側の領域の濃度が前記第２の面側の領域の濃度に比して高くされて成る請求項３記載の固体撮像素子。
- 前記イオン注入が、素子分離領域を形成する工程より前の工程で行われる請求項３記載の固体撮像素子。
- 撮像光学部と、固体撮像素子と、前記固体撮像素子から出力される画像信号を処理する信号処理部と、を有する撮像装置であって、
前記固体撮像素子は、
複数の受光領域に対応して画素回路を共有し、
前記受光領域の光入射側が、半導体基体の前記画素回路が形成される第１の面とは反対側の第２の面側とされ、
前記受光領域が、前記第２の面側においては略等間隔に配置され、前記第１の面側においては非等間隔に配置され、前記半導体基体中で前記第２の面側における配置位置と前記第１の面側における配置位置とを接続する形状で前記第２の面側から前記第１の面側に延在されて成る
固体撮像装置。 - 半導体基体の第１の面側から第１導電型の不純物を注入して、前記半導体基体の第２の面側の部分に受光領域の第２面側領域を形成する工程と、
前記半導体基体の第１の面側に素子分離領域を形成する工程と、
前記第１の面上にゲート電極を形成する工程と、
前記受光領域の第２面側領域上に、前記第１の面側から第２導電型不純物を注入して、前記受光領域の第１面側領域を前記半導体基体の前記第１の面側の部分に形成する工程と、
前記第１の面上に層間絶縁層及び配線層を形成する工程と、
前記半導体基体の前記第１の面とは反対側の第２の面側から前記半導体基体をエッチングして前記半導体基体の前記第２の面側の部分に略等間隔に形成された前記受光領域の前記第２面側領域を露出させる工程と、を有し、
前記素子分離領域を形成する工程の前に、前記第１の面側から不純物を注入して前記受光領域の第２面側領域を形成する工程を行う
固体撮像素子の製造方法。
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