JP2013041915A5 - - Google Patents
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Description
第１の工程において、シリコン基板６１に対して、画素分離部６２を形成する領域に対応してトレンチ６２’を形成する。なお、図５では断面的に示されているが、図４Ａに示されている画素分離部６２に対応するように、トレンチ６２’は、ＰＤ３１が形成される領域を囲うように形成される。
第４の工程において、画素分離部６２に接続するようにコンタクト部６３が形成されるとともに、ゲート電極７１に接続するようにコンタクト部７２が形成される。その後、コンタクト部６３に接続するように接地配線６４が形成されるとともに、コンタクト部７２に接続するように転送信号配線４１が形成される。
また、ＰＤ３１、表面ピンニング層８１、および側面ピンニング層８２のＰＮ接合を斜め方向からイオン注入することにより同時に形成することにより、従来の製造方法から工程数を増加させることなく、飽和電荷数の多いＰＤ３１を形成することができる。
図７に示すように、画素２１Ａでは、４つのＰＤ３１−１乃至３１−４が、１つのＦＤ３３を共有する構造が採用されている。そして、図４の画素２１と同様に、画素２１Ａにおいても、ＰＤ３１−１と、ＰＤ３１−１の側面を囲う画素分離部６２−１との間に側面ピンニング層８２−１が形成されている。また、ＰＤ３１−２乃至３１−４についても同様に側面ピンニング層８２−２乃至８２−４が形成されている。
Claims (8)
- 半導体基板に形成された光電変換部と、
前記光電変換部の側面に形成された側面ピンニング層と
を有する画素を備え、
前記光電変換部が形成される領域の側面部分に形成されたトレンチが開口している状態でイオン注入を行うことにより前記側面ピンニング層が形成される
固体撮像素子。 - 前記側面ピンニング層は、前記光電変換部の側面を囲う領域に形成される
請求項１に記載の固体撮像素子。 - 前記側面ピンニング層は、前記半導体基板の表面に対して傾斜する方向からイオン注入を行うことにより形成される
請求項１または２に記載の固体撮像素子。 - 前記光電変換部の表面側に形成された表面ピンニング層をさらに有し、
前記側面ピンニング層および前記表面ピンニング層は、前記半導体基板の表面に対して傾斜する方向からイオン注入を行うことにより同時に形成される
請求項１乃至３のいずれかに記載の固体撮像素子。 - 前記側面ピンニング層の形成後、前記トレンチに、隣接する他の画素と分離するための画素分離部が埋め込まれる
請求項１乃至４のいずれかに記載の固体撮像素子。 - 前記光電変換部に蓄積されている電荷を転送するタイミングで、前記画素分離部にマイナスの電位が供給される
請求項５に記載の固体撮像素子。 - 半導体基板に形成された光電変換部と、前記光電変換部の側面に形成された側面ピンニング層とを有する画素を備える固体撮像素子の製造方法であって、
前記光電変換部が形成される領域の側面部分にトレンチを形成し、
前記トレンチが開口している状態でイオン注入を行うことにより前記側面ピンニング層を形成する
ステップを含む製造方法。 - 半導体基板に形成された光電変換部と、
前記光電変換部の側面に形成された側面ピンニング層と
が形成された画素を有し、
前記光電変換部が形成される領域の側面部分に形成されたトレンチが開口している状態でイオン注入を行うことにより前記側面ピンニング層が形成される
固体撮像素子を備える電子機器。
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