JP5999402B2 - 固体撮像素子および製造方法、並びに電子機器 - Google Patents
固体撮像素子および製造方法、並びに電子機器 Download PDFInfo
- Publication number
- JP5999402B2 JP5999402B2 JP2011176721A JP2011176721A JP5999402B2 JP 5999402 B2 JP5999402 B2 JP 5999402B2 JP 2011176721 A JP2011176721 A JP 2011176721A JP 2011176721 A JP2011176721 A JP 2011176721A JP 5999402 B2 JP5999402 B2 JP 5999402B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- photoelectric conversion
- conversion unit
- pixel
- potential
- pinning layer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 title claims description 39
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 12
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims description 74
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 30
- 238000005468 ion implantation Methods 0.000 claims description 25
- 238000000926 separation method Methods 0.000 claims description 25
- 229920006395 saturated elastomer Polymers 0.000 claims description 17
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 12
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 7
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 20
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 20
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 20
- 230000003321 amplification Effects 0.000 description 11
- 238000003199 nucleic acid amplification method Methods 0.000 description 11
- 230000000875 corresponding effect Effects 0.000 description 7
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 7
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 7
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 5
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 5
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 5
- 238000002955 isolation Methods 0.000 description 5
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 5
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 5
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 4
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 4
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 description 4
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 3
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 3
- 238000009825 accumulation Methods 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 1
- 230000000295 complement effect Effects 0.000 description 1
- 230000002596 correlated effect Effects 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- CNQCVBJFEGMYDW-UHFFFAOYSA-N lawrencium atom Chemical compound [Lr] CNQCVBJFEGMYDW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 1
- 238000005070 sampling Methods 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14601—Structural or functional details thereof
- H01L27/14641—Electronic components shared by two or more pixel-elements, e.g. one amplifier shared by two pixel elements
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14601—Structural or functional details thereof
- H01L27/14603—Special geometry or disposition of pixel-elements, address-lines or gate-electrodes
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14601—Structural or functional details thereof
- H01L27/14609—Pixel-elements with integrated switching, control, storage or amplification elements
- H01L27/1461—Pixel-elements with integrated switching, control, storage or amplification elements characterised by the photosensitive area
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14601—Structural or functional details thereof
- H01L27/14609—Pixel-elements with integrated switching, control, storage or amplification elements
- H01L27/14612—Pixel-elements with integrated switching, control, storage or amplification elements involving a transistor
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14601—Structural or functional details thereof
- H01L27/1463—Pixel isolation structures
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14601—Structural or functional details thereof
- H01L27/14638—Structures specially adapted for transferring the charges across the imager perpendicular to the imaging plane
Description
(1)
半導体基板に形成された光電変換部と、
前記光電変換部の側面に形成された側面ピンニング層と
を有する画素を備え、
前記光電変換部が形成される領域の側面部分に形成されたトレンチが開口している状態でイオン注入を行うことにより前記側面ピンニング層が形成される
固体撮像素子。
(2)
前記側面ピンニング層は、前記光電変換部の側面を囲うように形成される
上記(1)に記載の固体撮像素子。
(3)
前記側面ピンニング層は、前記半導体基板の表面に対して傾斜する方向からイオン注入を行うことにより形成される
上記(1)または(2)に記載の固体撮像素子。
(4)
前記光電変換部の表面側に形成された表面ピンニング層をさらに有し、
前記側面ピンニング層および前記表面ピンニング層は、前記半導体基板の表面に対して傾斜する方向からイオン注入を行うことにより同時に形成される
上記(1)から(3)までのいずれかに記載の固体撮像素子。
(5)
前記側面ピンニング層の形成後に、前記トレンチに、隣接する画素と分離するための画素分離部が埋め込まれる
上記(1)から(4)までのいずれかに記載の固体撮像素子。
(6)
前記光電変換部に蓄積されている電荷を転送するタイミングで、前記画素分離部にマイナスの電位が供給される
上記(5)に記載の固体撮像素子。
Claims (6)
- 半導体基板に形成された光電変換部と、
前記光電変換部が形成される領域の側面部分に形成されたトレンチが開口している状態で行われるイオン注入により、前記光電変換部の外周のポテンシャルを深くして前記光電変換部の飽和電荷数を増加させるための急峻なPN接合が形成されるように、前記光電変換部の側面に形成された側面ピンニング層と、
前記トレンチに、隣接する他の画素と分離するために埋め込まれた画素分離部と
を有する画素を備え、
前記光電変換部に蓄積されている電荷を転送するタイミングで、前記光電変換部の外周のポテンシャルが浅くなるように、前記画素分離部にマイナスの電位を供給して、前記側面ピンニング層が形成されることによって前記光電変換部の外周に設けられるポテンシャルの深い部分に蓄積されている電荷の転送を補助する
固体撮像素子。 - 前記側面ピンニング層は、前記光電変換部の側面を囲う領域に形成される
請求項1に記載の固体撮像素子。 - 半導体基板に形成された光電変換部と、前記光電変換部の側面に形成された側面ピンニング層とを有する画素を備える固体撮像素子の製造方法であって、
前記光電変換部が形成される領域の側面部分にトレンチを形成し、
前記トレンチが開口している状態でイオン注入を行うことにより、前記光電変換部の外周のポテンシャルを深くして前記光電変換部の飽和電荷数を増加させるための急峻なPN接合が形成されるように、前記光電変換部の外周のポテンシャルが深くなるように前記側面ピンニング層を形成し、
前記トレンチに、隣接する他の画素と分離するための画素分離部を埋め込み、
前記光電変換部に蓄積されている電荷を転送するタイミングで、前記光電変換部の外周のポテンシャルが浅くなるように、前記画素分離部にマイナスの電位を供給して、前記側面ピンニング層が形成されることによって前記光電変換部の外周に設けられるポテンシャルの深い部分に蓄積されている電荷の転送を補助する信号配線を接続する
ステップを含む製造方法。 - 前記側面ピンニング層は、前記半導体基板の表面に対して傾斜する方向からイオン注入を行うことにより形成される
請求項3に記載の製造方法。 - 前記光電変換部の表面側に形成される表面ピンニング層と、前記側面ピンニング層とは、前記半導体基板の表面に対して傾斜する方向からイオン注入を行うことにより同時に形成される
請求項3に記載の製造方法。 - 半導体基板に形成された光電変換部と、
前記光電変換部が形成される領域の側面部分に形成されたトレンチが開口している状態で行われるイオン注入により、前記光電変換部の外周のポテンシャルを深くして前記光電変換部の飽和電荷数を増加させるための急峻なPN接合が形成されるように、前記光電変換部の側面に形成された側面ピンニング層と、
前記トレンチに、隣接する他の画素と分離するために埋め込まれた画素分離部と
を有する画素を備え、
前記光電変換部に蓄積されている電荷を転送するタイミングで、前記光電変換部の外周のポテンシャルが浅くなるように、前記画素分離部にマイナスの電位を供給して、前記側面ピンニング層が形成されることによって前記光電変換部の外周に設けられるポテンシャルの深い部分に蓄積されている電荷の転送を補助する
固体撮像素子を備える電子機器。
Priority Applications (5)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2011176721A JP5999402B2 (ja) | 2011-08-12 | 2011-08-12 | 固体撮像素子および製造方法、並びに電子機器 |
US13/564,030 US8785993B2 (en) | 2011-08-12 | 2012-08-01 | Solid-state imaging element, manufacturing method, and electronic device |
CN201210276159.7A CN103117289B (zh) | 2011-08-12 | 2012-08-03 | 固体摄像元件、固体摄像元件制造方法和电子设备 |
US14/322,132 US20140312451A1 (en) | 2011-08-12 | 2014-07-02 | Solid-state imaging element, manufacturing method, and electronic device |
US17/305,548 US20210335875A1 (en) | 2011-08-12 | 2021-07-09 | Solid-state imaging element, manufacturing method, and electronic device |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2011176721A JP5999402B2 (ja) | 2011-08-12 | 2011-08-12 | 固体撮像素子および製造方法、並びに電子機器 |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2013041915A JP2013041915A (ja) | 2013-02-28 |
JP2013041915A5 JP2013041915A5 (ja) | 2014-09-25 |
JP5999402B2 true JP5999402B2 (ja) | 2016-09-28 |
Family
ID=47677003
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2011176721A Active JP5999402B2 (ja) | 2011-08-12 | 2011-08-12 | 固体撮像素子および製造方法、並びに電子機器 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (3) | US8785993B2 (ja) |
JP (1) | JP5999402B2 (ja) |
CN (1) | CN103117289B (ja) |
Families Citing this family (22)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
GB201012631D0 (en) * | 2010-07-28 | 2010-09-15 | Isis Innovation | Image sensor and method of sensing |
JP6303803B2 (ja) | 2013-07-03 | 2018-04-04 | ソニー株式会社 | 固体撮像装置およびその製造方法 |
JP2015106621A (ja) * | 2013-11-29 | 2015-06-08 | ソニー株式会社 | 固体撮像素子および製造方法、並びに電子機器 |
JP6242211B2 (ja) * | 2013-12-26 | 2017-12-06 | キヤノン株式会社 | 撮像装置および撮像システム |
CN103855178B (zh) * | 2014-03-11 | 2016-07-06 | 格科微电子(上海)有限公司 | 图像传感器 |
JP2015185823A (ja) | 2014-03-26 | 2015-10-22 | ソニー株式会社 | 固体撮像素子、及び、撮像装置 |
JP2016012903A (ja) | 2014-06-02 | 2016-01-21 | ソニー株式会社 | 撮像素子、撮像方法、および電子機器 |
CN104143558B (zh) * | 2014-08-15 | 2018-03-27 | 北京思比科微电子技术股份有限公司 | 一种提高阱容量的图像传感器像素及其制作方法 |
US9799699B2 (en) * | 2014-09-24 | 2017-10-24 | Omnivision Technologies, Inc. | High near infrared sensitivity image sensor |
EP3352220A4 (en) * | 2015-09-18 | 2019-08-07 | National University Corporation Shizuoka University | SEMICONDUCTOR ELEMENT AND FIXED BODY RECORDING DEVICE |
TWI731017B (zh) | 2016-01-27 | 2021-06-21 | 日商新力股份有限公司 | 固體攝像元件及電子機器 |
JP6789653B2 (ja) * | 2016-03-31 | 2020-11-25 | キヤノン株式会社 | 光電変換装置およびカメラ |
US10109668B2 (en) * | 2017-03-20 | 2018-10-23 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Pixel structure of an image sensor and fabrication method thereof |
CN109256157B (zh) * | 2017-07-12 | 2022-04-01 | 格科微电子(上海)有限公司 | 多值存储器的实现方法 |
JP6932580B2 (ja) * | 2017-08-04 | 2021-09-08 | ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 | 固体撮像素子 |
WO2019150981A1 (ja) | 2018-02-01 | 2019-08-08 | ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 | 固体撮像装置およびその製造方法、並びに電子機器 |
KR102549400B1 (ko) | 2018-03-21 | 2023-06-30 | 에스케이하이닉스 주식회사 | Pd 바이어스 패턴들을 갖는 이미지 센서 |
KR102524415B1 (ko) | 2018-03-21 | 2023-04-24 | 에스케이하이닉스 주식회사 | Pd 바이어스 패턴들을 갖는 이미지 센서 |
JP2019176089A (ja) * | 2018-03-29 | 2019-10-10 | ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 | 固体撮像装置、および電子機器 |
JPWO2019220945A1 (ja) * | 2018-05-18 | 2021-06-17 | ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 | 撮像素子、電子機器 |
CN112369011B (zh) * | 2018-07-03 | 2024-04-19 | 索尼半导体解决方案公司 | 固态摄像装置 |
JP2020027903A (ja) * | 2018-08-15 | 2020-02-20 | ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 | 固体撮像素子および電子機器 |
Family Cites Families (22)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5134489A (en) * | 1990-12-28 | 1992-07-28 | David Sarnoff Research Center, Inc. | X-Y addressable solid state imager for low noise operation |
US5378641A (en) * | 1993-02-22 | 1995-01-03 | Micron Semiconductor, Inc. | Electrically conductive substrate interconnect continuity region and method of forming same with an angled implant |
US6642583B2 (en) * | 2001-06-11 | 2003-11-04 | Fuji Electric Co., Ltd. | CMOS device with trench structure |
US6436778B1 (en) * | 2001-06-12 | 2002-08-20 | Advanced Micro Devices, Inc. | Re-oxidation approach to improve peripheral gate oxide integrity in a tunnel nitride oxidation process |
JP4470363B2 (ja) * | 2002-10-04 | 2010-06-02 | ソニー株式会社 | 固体撮像素子及びその制御方法 |
KR100477790B1 (ko) * | 2003-03-13 | 2005-03-22 | 매그나칩 반도체 유한회사 | 씨모스 이미지센서의 제조방법 |
JP2005093866A (ja) * | 2003-09-19 | 2005-04-07 | Fuji Film Microdevices Co Ltd | 固体撮像素子の製造方法 |
US7542085B2 (en) * | 2003-11-26 | 2009-06-02 | Aptina Imaging Corporation | Image sensor with a capacitive storage node linked to transfer gate |
JP2005167588A (ja) * | 2003-12-02 | 2005-06-23 | Sony Corp | 固体撮像素子の駆動方法、固体撮像装置 |
WO2005065090A2 (en) * | 2003-12-30 | 2005-07-21 | The Mitre Corporation | Techniques for building-scale electrostatic tomography |
KR100760142B1 (ko) * | 2005-07-27 | 2007-09-18 | 매그나칩 반도체 유한회사 | 고해상도 cmos 이미지 센서를 위한 스택형 픽셀 |
US7728277B2 (en) * | 2005-11-16 | 2010-06-01 | Eastman Kodak Company | PMOS pixel structure with low cross talk for active pixel image sensors |
JP2007201092A (ja) * | 2006-01-25 | 2007-08-09 | Fujifilm Corp | 固体撮像素子及びその駆動方法 |
JP2008091702A (ja) * | 2006-10-03 | 2008-04-17 | Sharp Corp | 固体撮像装置およびその製造方法、電子情報機器 |
DE102008011929A1 (de) * | 2008-02-29 | 2009-09-10 | Advanced Micro Devices, Inc., Sunnyvale | Verfahren zum Implantieren einer Ionensorte in einer Mikrostruktur durch gleichzeitiges Reinigen der Implantationsanlage |
US7800147B2 (en) * | 2008-03-27 | 2010-09-21 | International Business Machines Corporation | CMOS image sensor with reduced dark current |
US7732845B2 (en) * | 2008-04-08 | 2010-06-08 | International Business Machines Corporation | Pixel sensor with reduced image lag |
JP5374941B2 (ja) | 2008-07-02 | 2013-12-25 | ソニー株式会社 | 固体撮像装置及び電子機器 |
KR20100022670A (ko) * | 2008-08-20 | 2010-03-03 | 크로스텍 캐피탈, 엘엘씨 | 전기적 제어가능한 피닝층을 갖는 이미지 센서의 픽셀 |
US20100140668A1 (en) * | 2008-12-08 | 2010-06-10 | Stevens Eric G | Shallow trench isolation regions in image sensors |
US8872953B2 (en) * | 2009-10-30 | 2014-10-28 | Sony Corporation | Solid-state imaging device, manufacturing method thereof, camera, and electronic device |
US20120083067A1 (en) * | 2010-09-30 | 2012-04-05 | Doan Hung Q | Method for forming photodetector isolation in imagers |
-
2011
- 2011-08-12 JP JP2011176721A patent/JP5999402B2/ja active Active
-
2012
- 2012-08-01 US US13/564,030 patent/US8785993B2/en active Active
- 2012-08-03 CN CN201210276159.7A patent/CN103117289B/zh active Active
-
2014
- 2014-07-02 US US14/322,132 patent/US20140312451A1/en not_active Abandoned
-
2021
- 2021-07-09 US US17/305,548 patent/US20210335875A1/en active Pending
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US20210335875A1 (en) | 2021-10-28 |
CN103117289A (zh) | 2013-05-22 |
CN103117289B (zh) | 2017-03-01 |
US20140312451A1 (en) | 2014-10-23 |
JP2013041915A (ja) | 2013-02-28 |
US20130037900A1 (en) | 2013-02-14 |
US8785993B2 (en) | 2014-07-22 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5999402B2 (ja) | 固体撮像素子および製造方法、並びに電子機器 | |
JP6126666B2 (ja) | 固体撮像装置及び電子機器 | |
JP5132102B2 (ja) | 光電変換装置および光電変換装置を用いた撮像システム | |
KR102248958B1 (ko) | 고체 촬상 소자, 전자 기기, 및 제조 방법 | |
JP6138661B2 (ja) | 固体撮像素子およびその製造方法、並びに電子機器 | |
JP5531580B2 (ja) | 固体撮像装置、および、その製造方法、電子機器 | |
JP2012199489A (ja) | 固体撮像装置、固体撮像装置の製造方法、及び電子機器 | |
JP2015053411A (ja) | 固体撮像素子、固体撮像素子の製造方法、および電子機器 | |
US8399914B2 (en) | Method for making solid-state imaging device | |
JP2010114274A (ja) | 固体撮像装置とその製造方法、及び電子機器 | |
US20130050552A1 (en) | Solid-state imaging apparatus, method of manufacturing solid-state imaging apparatus, and electronic apparatus | |
TWI505454B (zh) | 固態攝像裝置及其驅動方法、固態攝像裝置之製造方法、以及電子資訊機器 | |
KR102162123B1 (ko) | 고체 촬상 소자, 제조 방법, 및 전자 기기 | |
JP2013051327A (ja) | 固体撮像素子および電子機器 | |
JP5407282B2 (ja) | 固体撮像装置とその製造方法、及び電子機器 | |
TWI536553B (zh) | 固態影像感測裝置及固態影像感測裝置之製造方法 | |
JP2010205950A (ja) | 固体撮像装置とその製造方法、および撮像装置 | |
US9406816B2 (en) | Solid-state imaging apparatus, method of manufacturing solid-state imaging apparatus and electronic device | |
JP2013125862A (ja) | 固体撮像素子および電子機器 | |
KR101583904B1 (ko) | 고체 촬상 장치, 고체 촬상 장치의 제조 방법 및 카메라 모듈 | |
JP2008227357A (ja) | 固体撮像装置及びその製造方法 | |
JP2015018907A (ja) | 固体撮像装置およびその製造方法、並びに電子機器 | |
JP5213969B2 (ja) | 固体撮像装置及びカメラ | |
WO2014132815A1 (ja) | 固体撮像素子および製造方法、並びに電子機器 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20140812 |
|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20140812 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20150310 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20150312 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20150508 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20160119 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20160314 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20160804 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20160817 |
|
R151 | Written notification of patent or utility model registration |
Ref document number: 5999402 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R151 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |