JP2005093866A - 固体撮像素子の製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】 第1導電型半導体基板に第2導電型領域を形成する。第2導電型領域に、第1導電型の複数の垂直CCDチャネルを形成する。複数の垂直CCDチャネルの上方に、複数の垂直転送電極を形成し、複数の垂直CCDチャネルと合わせて垂直CCD部を得る。第2導電型領域に、第1導電型不純物を半導体基板の法線方向と交差する方向から注入し第1不純物層を形成する。第2導電型領域に、第1導電型不純物を半導体基板の法線方向と交差する方向から注入し第2不純物層を形成する。第1及び第2の不純物層間に第2導電型の第3不純物層を形成する。第2導電型領域における、第1、第2及び第3の不純物層上方に、第2導電型の第4不純物層を形成する。
【選択図】 図1
Description
図3(A)及び(B)は、先の提案による固体撮像素子を説明するための図である。
2 垂直CCDチャネル
3 垂直転送電極(低感度フォトダイオード読み出しゲート電極)
4 垂直転送電極(高感度フォトダイオード読み出しゲート電極)
5 低感度フォトダイオード
5a (低感度フォトダイオード)n型不純物層
6 高感度フォトダイオード
6a (高感度フォトダイオード)n型不純物層
7 フォトダイオード間素子分離領域
8 開口部
9 遮光膜
11 ゲート絶縁膜
12 p+型不純物層
17 p型ウエル
18 半導体基板
19 光
22 レジスト
30 画素
51 固体撮像素子
52 駆動信号発生装置
53 出力信号処理装置
54 記憶装置
55 表示装置
56 伝送装置
57 テレビジョン
65 駆動部
66 水平CCD部
67 増幅回路部
70 MOSトランジスタ
Claims (9)
- (a)第1導電型の半導体基板内部に前記第1導電型とは逆の第2導電型の領域を形成する工程と、
(b)前記第2導電型の領域内に、前記第1導電型の複数の垂直CCDチャネルを形成する工程と、
(c)複数の前記垂直CCDチャネルの上方を覆うように、複数の垂直転送電極を形成し、複数の前記垂直CCDチャネルと合わせて垂直CCD部を得る工程と、
(d)前記第2導電型の領域内に、前記第1導電型の不純物を前記半導体基板の法線方向と交差する方向から注入することによって第1の不純物層を形成し、第1のフォトダイオードを形成する工程と、
(e)前記第2導電型の領域内に、前記第1導電型の不純物を前記半導体基板の法線方向と交差する方向から注入することによって第2の不純物層を形成し、第2のフォトダイオードを形成する工程と、
(f)前記第1及び第2の不純物層の間に前記第2導電型の第3の不純物層を形成する工程と、
(g)前記第2導電型の領域内における、前記第1、第2及び第3の不純物層の上方に、前記第2導電型の第4の不純物層を形成する工程と
を有する固体撮像素子の製造方法。 - 前記第1導電型がn型であり、前記第2導電型がp型である請求項1に記載の固体撮像素子の製造方法。
- 前記工程(d)において前記第1導電型の不純物を注入する方向と、前記工程(e)において前記第1導電型の不純物を注入する方向とが異なる方向である請求項1または2に記載の固体撮像素子の製造方法。
- 前記第1導電型の複数の垂直CCDチャネルのうち、第1の垂直CCDチャネルに前記第1のフォトダイオードに蓄積された信号電荷が読み出され、その信号読み出し方向を第1の方向とするとき、前記工程(d)において前記第1導電型の不純物を前記半導体基板の法線方向から前記第1の方向と逆方向に第1の角度だけ傾けて注入する請求項1〜3のいずれか1項に記載の固体撮像装置の製造方法。
- 前記第1導電型の複数の垂直CCDチャネルのうち、第2の垂直CCDチャネルに前記第2のフォトダイオードに蓄積された信号電荷が読み出され、その信号読み出し方向を第2の方向とするとき、前記工程(e)において前記第1導電型の不純物を前記半導体基板の法線方向から前記第2の方向と逆方向に第2の角度だけ傾けて注入する請求項1〜4のいずれか1項に記載の固体撮像装置の製造方法。
- 前記第1の角度と前記第2の角度とが異なる請求項4または5に記載の固体撮像素子の製造方法。
- 前記第1または第2の角度が3°〜28°である請求項4〜6のいずれか1項に記載の固体撮像素子の製造方法。
- 前記工程(d)において注入する前記第1導電型の不純物のドーズ量と、前記工程(e)において注入する前記第1導電型の不純物のドーズ量とが異なる請求項1〜7のいずれか1項に記載の固体撮像素子の製造方法。
- 前記工程(d)において前記第1導電型の不純物を注入するときの加速エネルギと、前記工程(e)において前記第1導電型の不純物を注入するときの加速エネルギとが異なる請求項1〜8のいずれか1項に記載の固体撮像素子の製造方法。
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