JPWO2019220945A1 - 撮像素子、電子機器 - Google Patents
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Abstract
Description
図2は、撮像素子12の構成例を示すブロック図である。撮像素子12は、CMOS(Complementary Metal Oxide Semiconductor)イメージセンサとすることができる。
<第1の実施の形態における画素の構成例>
図3は、画素アレイ部41に行列状に配置されている単位画素50の配置例を示す図である。第1の実施の形態における画素50を、画素50aとして説明を続ける。
図6は、画素50aの垂直方向の断面図であり、図4中の線分A−A’の位置に対応するものである。画素50aは、Si基板70の内部に形成された各画素の光電変換素子であるPD71を有する。PD71の光入射側(図中、下側であり、裏面側となる)には、P型領域72が形成され、そのP型領域72のさらに下層には、平坦化膜73が形成されている。このP型領域72と平坦化膜73の境界を、裏面Si界面75とする。
画素50aの製造、特に、接続部97の製造について、図9を参照して説明を加える。
図10は、第2の実施の形態における画素50bの構成例を示す図である。図10に示した画素50bの基本的な構成は、図4に示した画素50aと同様なため、同様の部分には同様の符号を付し、説明は省略する。
図11は、第3の実施の形態における画素50cの構成例を示す図である。図11に示した画素50cの基本的な構成は、図4に示した画素50aと同様なため、同様の部分には同様の符号を付し、説明は省略する。
図13は、第4の実施の形態における画素50dの構成例を示す図である。図13に示した画素50dの基本的な構成は、図4に示した画素50aと同様なため、同様の部分には同様の符号を付し、説明は省略する。
図14は、第5の実施の形態における画素50eの構成例を示す図である。図14に示した画素50eの基本的な構成は、図4に示した画素50aと同様なため、同様の部分には同様の符号を付し、説明は省略する。
図15は、第6の実施の形態における画素50fの構成例を示す図である。図15に示した画素50fの基本的な構成は、図4に示した画素50aと同様なため、同様の部分には同様の符号を付し、説明は省略する。
画素50fの製造、特に、接続部97fの製造について、図17を参照して説明を加える。
図18乃至図20は、第7の実施の形態における画素50gの構成例を示す図である。上記した第1乃至第6の実施の形態における画素50は、2画素共有である場合を例に挙げて説明したが、本技術は、2画素共有に限定されるわけではなく、2以上の画素でトランジスタなどを共有する場合も適用できる。
また、例えば、本開示に係る技術(本技術)は、内視鏡手術システムに適用されてもよい。
また、例えば、本開示に係る技術は、自動車、電気自動車、ハイブリッド電気自動車、自動二輪車、自転車、パーソナルモビリティ、飛行機、ドローン、船舶、ロボット等のいずれかの種類の移動体に搭載される装置として実現されてもよい。
(1)
基板と、
前記基板に設けられた第1の光電変換領域を含む第1の画素と、
前記第1の光電変換領域の隣であって、前記基板に設けられた第2の光電変換領域を含む第2の画素と、
前記第1の光電変換領域と前記第2の光電変換領域との間であって、前記基板に設けられたトレンチと、
前記第1の画素に含まれる第1の領域と、
前記第2の画素に含まれる第2の領域と、
前記第1の領域、前記第2の領域、および前記トレンチに接した第3の領域と
を備える撮像素子。
(2)
前記第1の領域、前記第2の領域、および前記第3の領域は、N型の不純物領域またはP型の不純物領域である
前記(1)に記載の撮像素子。
(3)
前記第1の領域、前記第2の領域、および前記第3の領域は、同一の電位となる領域である
前記(1)または(2)に記載の撮像素子。
(4)
前記第1の領域と前記第2の領域は、FD(フローティングディフュージョン)である
前記(1)乃至(3)のいずれかに記載の撮像素子。
(5)
前記第1の領域と前記第2の領域は、グランド領域である
前記(1)乃至(4)のいずれかに記載の撮像素子。
(6)
前記第3の領域は、前記基板に対してN型またはP型の不純物を含むポリシリコンで形成されている
前記(1)乃至(5)のいずれかに記載の撮像素子。
(7)
前記第3の領域の側面のうち2面と底面は、前記トレンチに形成されている所定の膜と接している
前記(1)乃至(6)のいずれかに記載の撮像素子。
(8)
前記第3の領域に、トランジスタと接続される配線が接続されている
前記(1)乃至(7)のいずれかに記載の撮像素子。
(9)
前記第3の領域の深さは、前記第1の領域の深さの50乃至80%の深さとされている
前記(1)乃至(8)のいずれかに記載の撮像素子。
(10)
前記第1の領域と前記第3の領域が接している部分において、前記第1の領域は、前記第3の領域と同程度または大きく形成されている
前記(1)乃至(9)のいずれかに記載の撮像素子。
(11)
前記第3の領域は、前記第1の領域と2面で接している
前記(1)乃至(10)のいずれかに記載の撮像素子。
(12)
前記第1の領域に、トランジスタと接続される配線が接続され、
前記第1の領域は、前記第2の領域よりも大きい領域で形成されている
前記(1)乃至(7)のいずれかに記載の撮像素子。
(13)
前記トレンチの側壁に、P型領域とN型領域から構成されるPN接合領域が形成されている
前記(1)乃至(12)のいずれかに記載の撮像素子。
(14)
基板と、
前記基板に設けられた第1の光電変換領域を含む第1の画素と、
前記第1の光電変換領域の隣であって、前記基板に設けられた第2の光電変換領域を含む第2の画素と、
前記第1の光電変換領域と前記第2の光電変換領域との間であって、前記基板に設けられたトレンチと、
前記第1の画素に含まれる第1の領域と、
前記第2の画素に含まれる第2の領域と、
前記第1の領域、前記第2の領域、および前記トレンチに接した第3の領域と
を備える撮像素子を含む
電子機器。
Claims (14)
- 基板と、
前記基板に設けられた第1の光電変換領域を含む第1の画素と、
前記第1の光電変換領域の隣であって、前記基板に設けられた第2の光電変換領域を含む第2の画素と、
前記第1の光電変換領域と前記第2の光電変換領域との間であって、前記基板に設けられたトレンチと、
前記第1の画素に含まれる第1の領域と、
前記第2の画素に含まれる第2の領域と、
前記第1の領域、前記第2の領域、および前記トレンチに接した第3の領域と
を備える撮像素子。 - 前記第1の領域、前記第2の領域、および前記第3の領域は、N型の不純物領域またはP型の不純物領域である
請求項1に記載の撮像素子。 - 前記第1の領域、前記第2の領域、および前記第3の領域は、同一の電位となる領域である
請求項1に記載の撮像素子。 - 前記第1の領域と前記第2の領域は、FD(フローティングディフュージョン)である
請求項1に記載の撮像素子。 - 前記第1の領域と前記第2の領域は、グランド領域である
請求項1に記載の撮像素子。 - 前記第3の領域は、前記基板に対してN型またはP型の不純物を含むポリシリコンで形成されている
請求項1に記載の撮像素子。 - 前記第3の領域の側面のうち2面と底面は、前記トレンチに形成されている所定の膜と接している
請求項1に記載の撮像素子。 - 前記第3の領域に、トランジスタと接続される配線が接続されている
請求項1に記載の撮像素子。 - 前記第3の領域の深さは、前記第1の領域の深さの50乃至80%の深さとされている
請求項1に記載の撮像素子。 - 前記第1の領域と前記第3の領域が接している部分において、前記第1の領域は、前記第3の領域と同程度または大きく形成されている
請求項1に記載の撮像素子。 - 前記第3の領域は、前記第1の領域と2面で接している
請求項1に記載の撮像素子。 - 前記第1の領域に、トランジスタと接続される配線が接続され、
前記第1の領域は、前記第2の領域よりも大きい領域で形成されている
請求項1に記載の撮像素子。 - 前記トレンチの側壁に、P型領域とN型領域から構成されるPN接合領域が形成されている
請求項1に記載の撮像素子。 - 基板と、
前記基板に設けられた第1の光電変換領域を含む第1の画素と、
前記第1の光電変換領域の隣であって、前記基板に設けられた第2の光電変換領域を含む第2の画素と、
前記第1の光電変換領域と前記第2の光電変換領域との間であって、前記基板に設けられたトレンチと、
前記第1の画素に含まれる第1の領域と、
前記第2の画素に含まれる第2の領域と、
前記第1の領域、前記第2の領域、および前記トレンチに接した第3の領域と
を備える撮像素子を含む
電子機器。
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---|---|---|---|---|
JP2021136380A (ja) * | 2020-02-28 | 2021-09-13 | ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 | 固体撮像装置及び電子機器 |
CN117321772A (zh) * | 2021-05-27 | 2023-12-29 | 索尼半导体解决方案公司 | 固态摄像元件、固态摄像元件的制造方法以及电子设备 |
JP2023063943A (ja) * | 2021-10-25 | 2023-05-10 | ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 | 撮像装置 |
JP2023132147A (ja) * | 2022-03-10 | 2023-09-22 | ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 | 固体撮像装置 |
TW202410428A (zh) * | 2022-03-15 | 2024-03-01 | 日商索尼半導體解決方案公司 | 光檢測裝置 |
WO2023190194A1 (ja) * | 2022-03-31 | 2023-10-05 | ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 | 撮像素子、撮像装置及び半導体素子 |
WO2023203811A1 (ja) * | 2022-04-18 | 2023-10-26 | ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 | 光検出装置 |
WO2023249116A1 (ja) * | 2022-06-24 | 2023-12-28 | ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 | 撮像素子及び電子機器 |
WO2024075405A1 (ja) * | 2022-10-04 | 2024-04-11 | ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 | 固体撮像装置 |
Citations (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2010186818A (ja) * | 2009-02-10 | 2010-08-26 | Sony Corp | 固体撮像装置とその製造方法、及び電子機器 |
JP2011003860A (ja) * | 2009-06-22 | 2011-01-06 | Sony Corp | 固体撮像装置とその製造方法、及び電子機器 |
JP2011014808A (ja) * | 2009-07-06 | 2011-01-20 | Sony Corp | 固体撮像装置、固体撮像装置の製造方法及び電子機器 |
US20130307040A1 (en) * | 2012-05-18 | 2013-11-21 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Image sensors and methods of fabricating the same |
JP2014096490A (ja) * | 2012-11-09 | 2014-05-22 | Sony Corp | 撮像素子、製造方法 |
JP2015046477A (ja) * | 2013-08-28 | 2015-03-12 | ソニー株式会社 | 固体撮像装置および製造方法、並びに、電子機器 |
JP2015177323A (ja) * | 2014-03-14 | 2015-10-05 | ソニー株式会社 | 固体撮像素子およびその駆動方法、並びに電子機器 |
JP2015233122A (ja) * | 2014-05-16 | 2015-12-24 | ソニー株式会社 | 固体撮像素子および固体撮像素子の製造方法、並びに電子機器 |
WO2017187957A1 (ja) * | 2016-04-25 | 2017-11-02 | ソニー株式会社 | 固体撮像素子およびその製造方法、並びに電子機器 |
Family Cites Families (17)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7315014B2 (en) * | 2005-08-30 | 2008-01-01 | Micron Technology, Inc. | Image sensors with optical trench |
JP5320659B2 (ja) * | 2005-12-05 | 2013-10-23 | ソニー株式会社 | 固体撮像装置 |
JP5292787B2 (ja) * | 2007-11-30 | 2013-09-18 | ソニー株式会社 | 固体撮像装置及びカメラ |
KR101776955B1 (ko) * | 2009-02-10 | 2017-09-08 | 소니 주식회사 | 고체 촬상 장치와 그 제조 방법, 및 전자 기기 |
JP5118715B2 (ja) * | 2010-03-11 | 2013-01-16 | 株式会社東芝 | 固体撮像装置 |
JP2013038118A (ja) * | 2011-08-04 | 2013-02-21 | Sony Corp | 固体撮像素子および電子機器 |
JP5999402B2 (ja) * | 2011-08-12 | 2016-09-28 | ソニー株式会社 | 固体撮像素子および製造方法、並びに電子機器 |
KR102009192B1 (ko) * | 2013-02-05 | 2019-08-09 | 삼성전자주식회사 | 이미지 센서의 단위 픽셀 및 이를 포함하는 이미지 센서 |
JP6119432B2 (ja) * | 2013-05-31 | 2017-04-26 | ソニー株式会社 | 固体撮像素子、電子機器、および製造方法 |
JP2015012127A (ja) * | 2013-06-28 | 2015-01-19 | ソニー株式会社 | 固体撮像素子および電子機器 |
KR102134636B1 (ko) * | 2014-07-14 | 2020-07-16 | 삼성전자주식회사 | 이미지 센서의 단위 픽셀 및 이를 포함하는 이미지 센서 |
KR102410088B1 (ko) * | 2014-12-11 | 2022-06-20 | 삼성전자주식회사 | 이미지 센서 |
KR102384890B1 (ko) * | 2015-01-13 | 2022-04-11 | 삼성전자주식회사 | 이미지 센서 및 그 형성 방법 |
JP6800839B2 (ja) * | 2015-03-09 | 2020-12-16 | ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 | 撮像素子及びその製造方法、並びに電子機器 |
WO2017061295A1 (ja) * | 2015-10-09 | 2017-04-13 | ソニー株式会社 | 固体撮像素子および製造方法、並びに電子機器 |
US9620548B1 (en) * | 2015-10-30 | 2017-04-11 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Image sensor with wide contact |
KR20180077393A (ko) * | 2016-12-28 | 2018-07-09 | 삼성전자주식회사 | 광센서 |
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Patent Citations (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2010186818A (ja) * | 2009-02-10 | 2010-08-26 | Sony Corp | 固体撮像装置とその製造方法、及び電子機器 |
JP2011003860A (ja) * | 2009-06-22 | 2011-01-06 | Sony Corp | 固体撮像装置とその製造方法、及び電子機器 |
JP2011014808A (ja) * | 2009-07-06 | 2011-01-20 | Sony Corp | 固体撮像装置、固体撮像装置の製造方法及び電子機器 |
US20130307040A1 (en) * | 2012-05-18 | 2013-11-21 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Image sensors and methods of fabricating the same |
JP2014096490A (ja) * | 2012-11-09 | 2014-05-22 | Sony Corp | 撮像素子、製造方法 |
JP2015046477A (ja) * | 2013-08-28 | 2015-03-12 | ソニー株式会社 | 固体撮像装置および製造方法、並びに、電子機器 |
JP2015177323A (ja) * | 2014-03-14 | 2015-10-05 | ソニー株式会社 | 固体撮像素子およびその駆動方法、並びに電子機器 |
JP2015233122A (ja) * | 2014-05-16 | 2015-12-24 | ソニー株式会社 | 固体撮像素子および固体撮像素子の製造方法、並びに電子機器 |
WO2017187957A1 (ja) * | 2016-04-25 | 2017-11-02 | ソニー株式会社 | 固体撮像素子およびその製造方法、並びに電子機器 |
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