KR102410088B1 - 이미지 센서 - Google Patents

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Abstract

본 발명의 실시예에 따른 이미지 센서는 제 1 면 및 제 2 면을 포함하는 기판, 상기 기판 내에 배치되어 화소들을 정의하며, 상기 제 1 면에 노출된 일면과 상기 제 2 면에 노출된 타면을 갖는 제 1 소자 분리막, 상기 기판 내에 배치된 광전 변환 소자, 상기 기판 내에 배치되며, 상기 기판의 상기 제 1 면에 노출된 부유 확산 영역, 및 상기 기판의 상기 제 2 면 상의 상기 화소들 각각에 배치된 그리드 패턴을 포함하되, 상기 그리드 패턴은 상기 제 1 소자 분리막의 상기 타면과 수직으로 중첩되지 않을 수 있다.

Description

이미지 센서{Image Sensor}
본 발명은 이미지 센서에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 감도 특성이 보다 향상된 이미지 센서에 관한 것이다.
이미지 센서는 광학 영상(Optical image)을 전기신호로 변환하는 반도체 소자이다. 상기 이미지 센서는 CCD(charge coupled device)형 및 CMOS(Complementary metal oxide semiconductor)형으로 분류될 수 있다.
반도체 소자가 고집적화됨에 따라 이미지 센서도 고집적화고 있다. 이에 따라 각각의 화소(pixel)의 크기들도 작아지고 있다. 이에 의해 미세 면적에서 낮은 크로스 토크와 높은 감도를 갖는 이미지 센서를 요구하고 있다.
본 발명이 해결하고자 하는 과제는 감도 특성이 보다 향상된 이미지 센서를 제공하는데 있다.
본 발명이 해결하고자 하는 과제는 이상에서 언급한 과제에 제한되지 않으며, 언급되지 않은 또 다른 과제들은 아래의 기재로부터 당업자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.
본 발명의 실시예에 따른 이미지 센서는 제 1 면 및 제 2 면을 포함하는 기판, 상기 기판 내에 배치되어 화소들을 정의하며, 상기 제 1 면에 노출된 일면과 상기 제 2 면에 노출된 타면을 갖는 제 1 소자 분리막, 상기 기판 내에 배치된 광전 변환 소자, 상기 기판 내에 배치되며, 상기 기판의 상기 제 1 면에 노출된 부유 확산 영역, 및 상기 기판의 상기 제 2 면 상의 상기 화소들 각각에 배치된 그리드 패턴을 포함하되, 상기 그리드 패턴은 상기 제 1 소자 분리막의 상기 타면과 수직으로 중첩되지 않을 수 있다.
상기 제 1 소자 분리막의 상기 일면과 상기 타면은 서로 대향될 수 있다.
상기 그리드 패턴은 상기 제 1 소자 분리막과 인접하는 상기 광전 변환 소자의 일부 영역과 수직으로 대향되게 배치될 수 있다.
상기 기판의 상기 제 1 면 상에 배치된 배선 구조체, 상기 기판의 상기 제 2 면 상에 상기 광전 변환 소자와 대응되게 배치되는 컬러 필터, 및 상기 컬러 필터 상에 배치된 마이크로 렌즈를 더 포함할 수 있다.
상기 화소들은 제 1 화소와 제 2 화소를 포함하되, 상기 컬러 필터는 상기 제 1 화소에 배치된 상기 그리드 패턴과 상기 제 2 화소에 배치된 상기 그리드 패턴 사이에 배치되어, 상기 제 1 화소에 배치된 상기 광전 변환 소자와 상기 제 2 화소에 배치된 상기 광전 변환 소자의 상기 일부 영역을 동시에 덮을 수 있다.
상기 마이크로 렌즈는 상기 마이크로 렌즈의 상부면과 하부면을 잇는 제 1 점 및 제 2 점을 포함하되, 상기 제 1 점은 상기 컬러 필터의 일측면과 인접하게 배치되며, 상기 제 2 점은 상기 컬러 필터의 타측면과 인접하게 배치될 수 있다.
상기 마이크로 렌즈는 상기 마이크로 렌즈의 상부면과 하부면을 잇는 제 1 점 및 제 2 점을 포함하되, 상기 제 1 점은 상기 제 1 화소에 배치된 상기 컬러 필터의 상부면 상에 배치되며, 상기 제 2 점은 상기 제 2 화소에 배치된 상기 컬러 필터의 상부면 상에 배치될 수 있다.
상기 화소들은 제 1 화소와 제 2 화소를 포함하고, 상기 컬러 필터는 상기 화소들 각각에 배치된 상기 그리드 패턴의 상부면을 덮되, 상기 제 1 화소에 배치된 상기 컬러 필터와 상기 제 2 화소에 배치된 상기 컬러 필터 사이에 개재된 분리막을 더 포함할 수 있다.
상기 그리드 패턴의 중심부와 상기 기판의 상기 제 2 면 사이의 최단 거리는 상기 그리드 패턴의 중심부와 상기 제 1 소자 분리막의 상기 타면 사이의 최단 거리보다 짧을 수 있다.
상기 화소들은, 제 1 화소, 제 2 화소 및 제 3 화소를 포함하고, 상기 기판은 상기 제 2 화소가 포함된 중앙 영역, 상기 중앙 영역의 일측을 둘러싸고, 상기 제 1 화소를 포함하는 제 1 가장자리 영역, 상기 중앙 영역의 타측을 둘러싸고, 상기 제 3 화소를 포함하는 제 3 가장자리 영역을 포함하되, 상기 제 1 화소에 배치되는 상기 그리드 패턴은 상기 제 1 소자 분리막의 상기 타면과 수직으로 중첩되지 않을 수 있다.
발명의 일 실시예에 따른, 이미지 센서에서, 그리드 패턴은 깊은 소자 분리막과 수직으로 중첩되지 않도록 배치될 수 있다. 따라서, 비스듬히 입사되는 광은 이웃하는 화소 내로 입사하지 않고 해당 화소 내로 입사될 수 있다. 따라서, 이미지 센서의 감도가 향상될 수 있다.
도 1은 본 발명의 일 예에 따른 이미지 센서의 회로도이다.
도 2는 본 발명의 실시예들에 따른 이미지 센서를 나타낸 평면도이다.
도 3은 본 발명의 실시예 1에 따른 이미지 센서를 나타낸 것으로, 도 1의 Ⅰ-Ⅰ' 선 방향으로 자른 단면도들이다.
도 4는 본 발명의 실시예 2에 따른 이미지 센서를 나타낸 것으로, 도 1의 Ⅰ-Ⅰ' 선 방향으로 자른 단면도들이다.
도 5는 본 발명의 실시예 3에 따른 이미지 센서를 나타낸 것으로, 도 1의 Ⅰ-Ⅰ' 선 방향으로 자른 단면도들이다.
도 6은 본 발명의 실시예 4에 따른 이미지 센서를 나타낸 것으로, 도 1의 Ⅰ-Ⅰ' 선 방향으로 자른 단면도들이다.
도 7은 본 발명의 실시예 5에 따른 이미지 센서를 나타낸 것으로, 도 1의 Ⅰ-Ⅰ' 선 방향으로 자른 단면도들이다.
도 8은 본 발명의 실시예 6에 따른 이미지 센서를 나타낸 것으로, 도 1의 Ⅱ-Ⅱ', Ⅲ-Ⅲ' 및 Ⅳ-Ⅵ' 선 방향으로 자른 단면도들이다.
도 9는 본 발명의 실시예들에 따른 이미지 센서를 포함하는 전자장치를 도시한 블록도이다.
도 10 내지 도 14은 본 발명의 실시 예들에 따른 이미지 촬영 장치가 적용된 멀티미디어 장치의 예들을 보여준다.
본 발명의 이점 및 특징, 그리고 그것들을 달성하는 방법은 첨부되는 도면과 함께 상세하게 후술되어 있는 실시예를 참조하면 명확해질 것이다. 그러나 본 발명은 이하에서 개시되는 실시예에 한정되는 것이 아니라 서로 다른 다양한 형태로 구현될 수 있으며, 단지 본 실시예는 본 발명의 개시가 완전하도록 하고, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 발명의 범주를 완전하게 알려주기 위해 제공되는 것이며, 본 발명은 청구항의 범주에 의해 정의될 뿐이다. 명세서 전문에 걸쳐 동일 참조 부호는 동일 구성 요소를 지칭한다.
본 명세서에서 사용된 용어는 실시예들을 설명하기 위한 것이며 본 발명을 제한하고자 하는 것은 아니다. 본 명세서에서, 단수형은 문구에서 특별히 언급하지 않는 한 복수형도 포함한다. 명세서에서 사용되는 '포함한다(comprises)' 및/또는 '포함하는(comprising)'은 언급된 구성요소, 단계, 동작 및/또는 소자는 하나 이상의 다른 구성요소, 단계, 동작 및/또는 소자의 존재 또는 추가를 배제하지 않는다.
또한, 본 명세서에서 기술하는 실시예들은 본 발명의 이상적인 예시도인 단면도 및/또는 평면도들을 참고하여 설명될 것이다. 도면들에 있어서, 막 및 영역들의 두께는 기술적 내용의 효과적인 설명을 위해 과장된 것이다. 따라서, 제조 기술 및/또는 허용 오차 등에 의해 예시도의 형태가 변형될 수 있다. 따라서, 본 발명의 실시예들은 도시된 특정 형태로 제한되는 것이 아니라 제조 공정에 따라 생성되는 형태의 변화도 포함하는 것이다. 예를 들면, 직각으로 도시된 식각 영역은 라운드지거나 소정 곡률을 가지는 형태일 수 있다. 따라서, 도면에서 예시된 영역들은 개략적인 속성을 가지며, 도면에서 예시된 영역들의 모양은 소자의 영역의 특정 형태를 예시하기 위한 것이며 발명의 범주를 제한하기 위한 것이 아니다.
도 1은 본 발명의 일 예에 따른 이미지 센서의 회로도이다. 도 2는 본 발명의 실시예들에 따른 이미지 센서를 나타낸 평면도이다.
도 1 및 도 2를 동시에 참조하면, 이미지 센서의 화소들 각각은 광전 변환 소자(PD), 트랜스퍼 트랜지스터(Tx), 소스 팔로워 트랜지스터(Sx), 리셋 트랜지스터(Rx), 및 선택 트랜지스터(Ax)를 포함할 수 있다. 트랜스퍼 트랜지스터(Tx), 소스 팔로워 트랜지스터(Sx), 리셋 트랜지스터(Rx), 및 선택 트랜지스터(Ax)는 각각 트랜스퍼 게이트(TG), 소스 팔로워 게이트(SG), 리셋 게이트(RG) 및 선택 게이트(AG)을 포함할 수 있다. 광전 변환 소자(PD)는 N형 불순물 영역과 P형 불순물 영역을 포함하는 포토다이오드일 수 있다. 트랜스퍼 트랜지스터(Tx)의 드레인은 부유 확산 영역(FD)으로 이해될 수 있다. 부유 확산 영역(FD)은 리셋 트랜지스터(Rx, reset transistor)의 소오스일 수 있다. 부유 확산 영역(FD)은 소스 팔로워 트랜지스터(Sx, source follower transistor)의 소스 팔로워 게이트(SG)와 전기적으로 연결될 수 있다. 소스 팔로워 트랜지스터(Sx)는 선택 트랜지스터(Ax, selection transistor)에 연결된다. 리셋 트랜지스터(Rx), 소스 팔로워 트랜지스터(Sx) 및 선택 트랜지스터(Ax)는 이웃하는 화소들에 의해 서로 공유될 수 있으며, 이에 의해 집적도가 향상될 수 있다.
이미지 센서의 동작을 도 1을 참조하여 설명하면 다음과 같다. 먼저, 빛이 차단된 상태에서 리셋 트랜지스터(Rx)의 드레인과 소스 팔로워 트랜지스터(Sx)의 드레인에 전원전압(VDD)을 인가하고 리셋 트랜지스터(Rx)를 턴온시켜 부유 확산 영역(FD)에 잔류하는 전하들을 방출시킨다. 그 후, 리셋 트랜지스터(Rx)를 오프(OFF)시키고, 외부로부터의 빛을 광전 변환 소자(PD)에 입사시키면, 광전 변환 소자(PD)에서 전자-정공 쌍이 생성된다. 정공은 P형 불순물 주입 영역쪽으로, 전자는 N형 불순물 주입 영역으로 이동하여 축적된다. 트랜스퍼 트랜지스터(Tx)를 온(ON) 시키면, 이러한 전자와 같은 전하는 부유 확산 영역(FD)으로 전달되어 축적된다. 축적된 전하량에 비례하여 소스 팔로워 트랜지스터(Sx)의 게이트 바이어스가 변하여, 소스 팔로워 트랜지스터(Sx)의 소오스 전위의 변화를 초래하게 된다. 이때 선택 트랜지스터(Ax)를 온(ON) 시키면, 칼럼 라인으로 전하에 의한 신호가 읽히게 된다.
도 2는 본 발명의 실시예에 따른 이미지 센서를 나타낸 평면도이다. 도 3은 본 발명의 실시예 1에 따른 이미지 센서를 나타낸 것으로, 도 2의 Ⅰ-Ⅰ' 선 방향으로 자른 단면도들이다. 도 4는 본 발명의 실시예 2에 따른 이미지 센서를 나타낸 것으로, 도 1의 Ⅰ-Ⅰ' 선 방향으로 자른 단면도들이다.
도 2 및 도 3을 참조하면, 기판(100)은 제 1 면(100a) 및 제 2 면(100b)을 포함할 수 있다. 예를 들어, 제 1 면(100a)은 기판(100)의 전면일 수 있다. 제 2 면(100b)은 기판(100)의 후면일 수 있다. 기판(100)은 예를 들어, 반도체 기판 (예를 들어, 실리콘 기판, 게르마늄 기판, 실리콘-게르마늄 기판, Ⅱ-Ⅵ족 화합물 반도체 기판, 또는 Ⅲ-Ⅴ족 화합물 반도체 기판) 또는 SOI(Silicon on insulator) 기판일 수 있다.
기판(100)은 복수 개의 화소들(PX)을 포함할 수 있다. 화소들(PX)은 제 1 화소(PX1) 및 제 2 화소(PX2)을 포함할 수 있다. 제 1 화소(PX1) 및 제 2 화소(PX2)은 기판(100) 상에 제 1 방향(X)으로 교대로 그리고 반복적으로 배치될 수 있다. 화소들(PX)은 기판(100) 내에 형성된 깊은 소자 분리막(Deep Trench Isolation;DTI)으로 정의될 수 있다. 깊은 소자 분리막(DTI)은 제 1 소자 분리막(103)과 제 2 소자 분리막(105)을 포함할 수 있다. 제 1 소자 분리막(103)은 기판(100)을 관통할 수 있다. 제 1 소자 분리막(103)은 일면(102)과 타면(104)을 포함할 수 있다. 일면(102)과 타면(104)은 서로 대향될 수 있다. 제 1 소자 분리막(103)의 일면(102)은 기판(100)의 제 1 면(100a)과 동일한 레벨 상에 위치할 수 있다. 제 1 소자 분리막(103)의 타면(104)은 기판(100)의 제 2 면(100b)과 동일한 레벨 상에 위치할 수 있다. 제 2 소자 분리막(105)은 기판(100)의 제 2 면(100b)을 덮을 수 있다.
기판(100)의 화소들(PX) 내에 광전 변환 소자(PD)가 배치될 수 있다. 광전 변환 소자(PD)는 기판(100)의 제 1 면(100a)으로부터 멀리 배치될 수 있다. 광전 변환 소자(PD)는 예를 들어, N형의 불순물이 도핑된 영역일 수 있다. 기판(100)의 화소들(PX) 내에 웰 영역(107)이 배치될 수 있다. 웰 영역(107)은 기판(100)의 제 1 면(100a)으로부터 가깝게 배치될 수 있다. 웰 영역(107)은 예를 들어, P형의 불순물이 도핑된 영역일 수 있다.
기판(100) 내에 부유 확산 영역(FD)이 배치될 수 있다. 부유 확산 영역(FD)은 기판(100)의 제 1 면(100a)으로부터 가깝게 배치될 수 있다. 부유 확산 영역(FD)은 웰 영역(107)에 도핑된 불순물과 반대되는 도전형의 불순물을 도핑한 영역일 수 있다. 부유 확산 영역(FD)은 예를 들어, N형의 불순물이 도핑된 영역일 수 있다. 기판(100)의 제 1 면(100a) 상에 트랜스퍼 게이트(TG)가 배치될 수 있다. 트랜스퍼 게이트(TG)는 화소들(PX) 각각에 배치될 수 있다. 트랜스퍼 게이트(TG)는 부유 확산 영역(FD)과 이웃하게 배치될 수 있다.
기판(100)의 제 1 면(100a) 상에 배선 구조체(110)가 배치될 수 있다. 배선 구조체(110)는 복수 개의 층간 절연막들(111)과 배선들(113)을 포함할 수 있다. 기판(100)의 제 1 면(100a)과 접촉하는 제 1 층간 절연막(111a)은 트랜스퍼 게이트(TG)를 덮을 수 있다. 기판(100)의 제 1 면(100a) 상에 제 1 층간 절연막(111a)을 관통하는 관통 비아(115)가 배치될 수 있다. 관통 비아(115)는 부유 확산 영역(FD)과 접촉될 수 있다.
기판(100)의 제 2 면(101b) 상에 제 2 소자 분리막(105)을 덮는 반사 방지막(120)이 배치될 수 있다. 반사 방지막(120)은 제 2 소자 분리막(105)을 완전히 덮을 수 있다. 반사 방지막(120)은 기판(100)의 제 2 면(100b)으로 입사되는 광이 광전 변환 소자(PD)에 원활히 도달될 수 있도록 광의 반사를 방지하는 기능을 가질 수 있다. 제 2 소자 분리막(105)은 반사 방지막(120)과 동일한 기능을 가질 수 있다.
반사 방지막(120) 상에 그리드 패턴(123)이 배치될 수 있다. 상세하게, 그리드 패턴(123)은 기판(100)의 제 2 면(100b) 상의 화소들(PX) 각각에 배치될 수 있다. 그리드 패턴(123)은 제 1 소자 분리막(103)의 타면(104)과 수직으로 중첩되지 않도록 배치될 수 있다. 그리드 패턴(123)은 광전 변환 소자(PD)의 일부 영역(SR)과 수직으로 중첩되게 배치될 수 있다. 광전 변환 소자(PD)의 일부 영역(SR)은 제 1 소자 분리막(103)과 인접하면서 부유 확산 영역(FD)로부터 멀리 이격될 수 있다. 그리드 패턴(123)의 중심부(S)와 기판(100)의 제 2 면(100b) 간의 최단 거리(D1)는 그리드 패턴(123)의 중심부(S)와 제 1 소자 분리막(103)의 타면(104) 간의 최단 거리(D2)보다 짧을 수 있다. 그리드 패턴(123)은 기판(100)의 제 2 면(100b)에 비스듬히 입사되는 광(L)을 반사시켜 해당 화소(PX) 내에 입사시키는 기능을 가질 수 있다.
본 발명의 실시예 2에 따르면, 도 4를 참조하면, 그리드 패턴(123)이 반사 방지막(120) 상에 배치되지 않을 수 있다. 이에 따라, 광(L)은 깊은 소자 분리막(DTI)으로부터 반사되어 해당 화소(PX) 내에 입사될 수 있다.
다시 도 2 및 도 3을 참조하면, 반사 방지막(120) 상에 컬러 필터들(CF)이 배치될 수 있다. 컬러 필터들(CF)은 제 1 컬러 필터(CF1) 및 제 2 컬러 필터(CF2)를 포함할 수 있다. 제 1 컬러 필터(CF1) 및 제 2 컬러 필터(CF2)는 반사 방지막(120) 상에 제 1 방향(X)으로 교대로 그리고 반복적으로 배치될 수 있다. 컬러 필터들(CF)은 서로 인접하는 그리드 패턴들(123) 사이에 배치될 수 있다. 상세하게, 제 1 컬러 필터(CF1)는 제 1 화소(PX1)에 배치된 광전 변환 소자(PD)와 각각 대응되도록 배치될 수 있고, 제 2 컬러 필터(CF2)는 제 2 화소(PX2)에 배치된 광전 변환 소자(PD)와 각각 대응되도록 배치될 수 있다. 보다 상세하게, 제 1 컬러 필터(CF1)는 제 1 화소(PX1)에 배치된 광전 변환 소자(PD)와 제 1 화소(PX1)와 인접하는 제 2 화소(PX2)에 배치된 광전 변환 소자(PD)의 일부 영역(SR)을 동시에 덮도록 배치될 수 있다. 제 2 컬러 필터(CF2)는 제 2 화소(PX2)에 배치된 광전 변환 소자(PD)와 제 2 화소(PX2)와 인접하는 제 1 화소(PX1)에 배치된 광전 변환 소자(PD)의 일부 영역(SR)을 동시에 덮도록 배치될 수 있다.
컬러 필터들(CF) 상에 마이크로 렌즈(125)가 배치될 수 있다. 마이크로 렌즈(125)는 컬러 필터들(CF)과 각각 대응되도록 배치될 수 있다. 상세하게, 마이크로 렌즈(125)는 볼록한 상부면을 가지고 있다. 마이크로 렌즈(125)는 마이크로 렌즈(125)의 상부면과 하부면을 잇는 제 1 점(P1)과 제 2 점(P2)을 포함할 수 있다. 제 1 점(P1)은 컬러 필터들(CF)의 일측면(127a)과 동일선 상에 위치할 수 있고, 제 2 점(P2)은 컬러 필터들(CF)의 타측면(127b)과 동일선 상에 위치할 수 있다. 컬러 필터들(CF)과 마이크로 렌즈(125)는 동일한 폭을 가질 수 있다.
그리드 패턴이 깊은 소자 분리막과 수직으로 정렬되게 배치될 경우, 그리드 패턴에 미처 반사되지 못한 제 1 컬러 필터를 관통한 사광이 이웃하는 제 2 컬러를 감지하는 광전 변환 소자에 입사될 수 있다. 이에 따라, 크로스 토크의 발생으로 인하여 이미지 센서의 감도가 저하되고 될 수 있다.
본 발명의 실시예에 따르면, 제 1 컬러 필터(CF1)를 관통한 비스듬히 입사되는 광(L)이 제 1 컬러 필터(CF1)와 동일한 컬러를 감지하는 제 1 화소(PX1) 내의 광전 변환 소자(PD)에 입사될 수 있도록 그리드 패턴(123)을 제 1 소자 분리막(103)과 수직으로 정렬되지 않도록 배치할 수 있다. 예를 들어, 광(L)이 왼쪽에서 오른쪽으로 비스듬히 입사될 경우, 그리드 패턴(123)은 제 1 소자 분리막(103)보다 왼쪽으로 이동되어 배치될 수 있다. 따라서, 광(L)은 그리드 패턴(123)에 반사되어 해당 광전 변환 소자(PD) 내에 입사될 수 있다. 또한, 제 1 소자 분리막(103) 보다 그리드 패턴(123)이 광(L)이 입사되는 방향에 보다 가깝기 때문에 미처 광(L)이 그리드 패턴(123)에 반사되지 못하더라도 제 1 소자 분리막(103)에 의해 광(L)이 차단되어 해당 광전 변환 소자(PD) 내에 입사될 수 있다. 따라서, 크로스 토크의 발생이 억제되어 이미지 센서의 감도를 향상시킬 수 있다.
도 5는 본 발명의 실시예 3에 따른 이미지 센서를 나타낸 것으로, 도 2의 Ⅰ-Ⅰ' 선 방향으로 자른 단면도들이다. 도 5에 도시된 실시예 3에서, 실시예 1과 실질적으로 동일한 구성요소에 대해서는 동일한 도면부호를 사용하며, 해당 구성 요소에 대한 설명은 생략하기로 한다.
도 5를 참조하면, 반사 방지막(120) 상에 그리드 패턴(123)이 배치될 수 있다. 상세하게, 그리드 패턴(123)은 기판(100)의 제 2 면(100b) 상의 화소들(PX) 각각에 배치될 수 있다. 그리드 패턴(123)은 제 1 소자 분리막(103)의 타면(104)과 수직으로 중첩되지 않도록 배치될 수 있다. 그리드 패턴(123)은 광전 변환 소자(PD)의 일부 영역(SR)과 수직으로 중첩되게 배치될 수 있다. 이에 따라, 그리드 패턴(123)의 중심부(S)와 기판(100)의 제 2 면(100b) 간의 최단 거리(D1)는 그리드 패턴(123)의 중심부(S)와 제 1 소자 분리막(103)의 타면(104) 간의 최단 거리(D2)보다 짧을 수 있다.
반사 방지막(120) 상에 컬러 필터들(CF)이 배치될 수 있다. 컬러 필터들(CF)은 제 1 컬러 필터(CF1) 및 제 2 컬러 필터(CF2)를 포함할 수 있다. 컬러 필터들(CF)은 서로 인접하는 그리드 패턴들(123) 사이에 배치될 수 있다. 상세하게, 제 1 컬러 필터(CF1)는 제 1 화소(PX1)에 배치된 광전 변환 소자(PD)와 각각 대응되도록 배치될 수 있고, 제 2 컬러 필터(CF2)는 제 2 화소(PX2)에 배치된 광전 변환 소자(PD)와 각각 대응되도록 배치될 수 있다. 보다 상세하게, 제 1 컬러 필터(CF1)는 제 1 화소(PX1)에 배치된 광전 변환 소자(PD)와 제 1 화소(PX1)와 이웃하는 제 2 화소(PX2)에 배치된 광전 변환 소자(PD)의 일부 영역(SR)을 동시에 덮도록 배치될 수 있다. 제 2 컬러 필터(CF2)는 제 2 화소(PX2)에 배치된 광전 변환 소자(PD)와 제 2 화소(PX2)와 이웃하는 제 1 화소(PX1)에 배치된 광전 변환 소자(PD)의 일부 영역(SR)을 동시에 덮도록 배치될 수 있다.
컬러 필터들(CF) 상에 마이크로 렌즈(125)가 배치될 수 있다. 마이크로 렌즈(125)는 컬러 필터들(CF) 각각과 대응되지 않게 배치될 수 있다. 예를 들어, 마이크로 렌즈(125)의 제 1 점(P1)은 제 2 컬러 필터(CF2)의 상부면과 접촉될 수 있고, 마이크로 렌즈(125)의 제 2 점(P2)은 제 1 컬러 필터(CF1)의 상부면과 접촉될 수 있다.
도 6은 본 발명의 실시예 4에 따른 이미지 센서를 나타낸 것으로, 도 2의 Ⅰ-Ⅰ' 선 방향으로 자른 단면도들이다. 도 6에 도시된 실시예 4에서, 실시예 1과 실질적으로 동일한 구성요소에 대해서는 동일한 도면부호를 사용하며, 해당 구성 요소에 대한 설명은 생략하기로 한다.
도 6을 참조하면, 반사 방지막(120) 상에 분리부(130)가 배치될 수 있다. 분리부(130)는 제 1 소자 분리막(103) 상에 배치될 수 있다. 즉, 분리부(130)는 제 1 소자 분리막(103)의 타면(104)과 수직으로 중첩되게 배치될 수 있다. 분리부(130)는 화소들(PX) 각각에 배치되는 컬러 필터들(CF)을 물리적으로 분리시키는 기능을 가질 수 있다. 분리부(130)는 예를 들어, 공기로 이루어질 수 있다.
반사 방지막(120) 상에 그리드 패턴(123)이 배치될 수 있다. 그리드 패턴(123)은 기판(100)의 제 2 면(100b) 상에 화소들(PX) 각각에 배치될 수 있다. 그리드 패턴(123)은 분리부(130) 일측에 배치되어, 제 1 소자 분리막(103)의 타면(104)과 수직으로 중첩되지 않게 배치될 수 있다. 그리드 패턴(123)은 광전 변환 소자(PD)의 일부 영역(SR)과 수직으로 중첩되게 배치될 수 있다. 이에 따라, 그리드 패턴(123)의 중심부(S)와 기판(100)의 제 2 면(100b) 간의 최단 거리(D1)는 그리드 패턴(123)의 중심부(S)와 제 1 소자 분리막(103)의 타면(104) 간의 최단 거리(D2)보다 짧을 수 있다.
반사 방지막(120) 상에 컬러 필터들(CF)이 배치될 수 있다. 컬러 필터들 각각은 화소들(PX) 각각에 배치된 그리드 패턴(123)을 덮을 수 있다. 컬러 필터들(CF)은 광전 변환 소자(PD)와 각각 대응되도록 배치될 수 있다. 상세하게, 제 1 컬러 필터(CF1)는 제 1 화소(PX1)에 배치된 광전 변환 소자(PD)와 완전히 중첩되도록 배치될 수 있고, 제 1 컬러 필터(CF1)는 제 2 화소(PX2)에 배치된 광전 변환 소자(PD)의 일부 영역(SR)과 중첩되지 않을 수 있다. 제 2 컬러 필터(CF2)는 제 2 화소(PX2)에 배치된 광전 변환 소자(PD)와 완전히 중첩되도록 배치될 수 있고, 제 2 컬러 필터(CF2)는 제 1 화소(PX1)에 배치된 광전 변환 소자(PD)의 일부 영역(SR)과 중첩되지 않을 수 있다.
컬러 필터들(CF) 상에 마이크로 렌즈(125)가 배치될 수 있다. 마이크로 렌즈(125)는 컬러 필터들(CF) 각각과 대응되게 배치될 수 있다.
도 7은 본 발명의 실시예 5에 따른 이미지 센서를 나타낸 것으로, 도 1의 Ⅰ-Ⅰ' 선 방향으로 자른 단면도들이다. 도 6에 도시된 실시예 4에서, 실시예 1과 실질적으로 동일한 구성요소에 대해서는 동일한 도면부호를 사용하며, 해당 구성 요소에 대한 설명은 생략하기로 한다.
도 7을 참조하면, 기판(100) 내에 형성된 깊은 소자 분리막(DTI)은 화소들(PX)을 정의할 수 있다. 화소들(PX)은 제 1 화소(PX1) 및 제 2 화소(PX2)를 포함할 수 있다. 깊은 소자 분리막(DTI)의 일면(102)은 기판(100) 내에 배치될 수 있다. 깊은 소자 분리막(DTI)의 타면(104)은 기판(100)의 제 1 면(100a)과 동일한 레벨 상에 위치할 수 있다. 이에 따라, 깊은 소자 분리막(DTI)의 타면(104)은 기판(100)의 제 1 면(100a)에 노출될 수 있다. 기판(100)의 화소들(PX) 내에 광전 변환 소자(PD) 및 웰 영역(107)이 배치될 수 있다. 기판(100)의 웰 영역(107) 내에 부유 확산 영역(FD)이 배치될 수 있다.
기판(100)의 제 1 면(100a) 상에 트랜스퍼 게이트(TG)가 배치될 수 있다. 상세하게, 트랜스퍼 게이트(TG)는 화소들(PX) 각각에 배치될 수 있다. 트랜스퍼 게이트(TG)는 부유 확산 영역(FD)과 이웃하게 배치될 수 있다. 기판(100)의 제 1 면(100a) 상에 배선 구조체(110)가 배치될 수 있다. 배선 구조체(110)는 층간 절연막들(111)과 배선들(113)을 포함할 수 있다. 기판(100)의 제 1 면(100a)과 접촉하는 제 1 층간 절연막(111a)은 트랜스퍼 게이트(TG)를 덮을 수 있다. 제 1 층간 절연막(111a)을 관통하는 관통 비아(115)는 부유 확산 영역(FD)과 접촉될 수 있다.
배선 구조체(110) 상에 반사 방지막(120)이 배치될 수 있다. 반사 방지막(120) 상에 그리드 패턴(123)이 배치될 수 있다. 상세하게, 그리드 패턴(123)은 기판(100)의 제 1 면(100a) 상의 화소들(PX) 각각에 배치될 수 있다. 그리드 패턴(123)은 깊은 소자 분리막(DTI)의 타면(104)과 수직으로 중첩되지 않도록 배치될 수 있다. 그리드 패턴(123)은 광전 변환 소자(PD)의 일부 영역(SR)과 수직으로 중첩되게 배치될 수 있다. 이에 따라, 그리드 패턴(123)의 중심부(S)와 기판(100)의 제 1 면(100a) 간의 최단 거리(D1)는 그리드 패턴(123)의 중심부(S)와 깊은 소자 분리막(DTI)의 타면(104) 간의 최단 거리(D2)보다 짧을 수 있다.
반사 방지막(120) 상에 컬러 필터들(CF)이 배치될 수 있다. 컬러 필터들(CF)은 제 1 컬러 필터(CF1) 및 제 2 컬러 필터(CF2)를 포함할 수 있다. 컬러 필터들(CF)은 서로 인접하는 그리드 패턴들(123) 사이에 배치될 수 있다. 상세하게, 제 1 컬러 필터(CF1)는 제 1 화소(PX1)에 배치된 광전 변환 소자(PD)와 각각 대응되도록 배치될 수 있고, 제 2 컬러 필터(CF2)는 제 2 화소(PX2)에 배치된 광전 변환 소자(PD)와 각각 대응되도록 배치될 수 있다. 보다 상세하게, 제 1 컬러 필터(CF1)는 제 1 화소(PX1)에 배치된 광전 변환 소자(PD)와 제 1 화소(PX1)와 인접하는 제 2 화소(PX2)에 배치된 광전 변환 소자(PD)의 일부 영역(SR)을 동시에 덮도록 배치될 수 있다. 제 2 컬러 필터(CF2)는 제 2 화소(PX2)에 배치된 광전 변환 소자(PD)와 제 2 화소(PX2)와 인접하는 제 1 화소(PX1)에 배치된 광전 변환 소자(PD)의 일부 영역(SR)을 동시에 덮도록 배치될 수 있다.
컬러 필터들(CF) 상에 마이크로 렌즈(125)가 배치될 수 있다. 마이크로 렌즈(125)는 컬러 필터들(CF)과 각각 대응되도록 배치될 수 있다. 상세하게, 마이크로 렌즈(125)의 상부면과 하부면을 잇는 제 1 점(P1)과 제 2 점(P2)을 포함할 수 있다. 제 1 점(P1)은 컬러 필터들(CF)의 일측면들(127a)과 동일선 상에 위치할 수 있고, 제 2 점(P2)은 컬러 필터들(CF)의 타측면들(127b)과 동일선 상에 위치할 수 있다.
도 8은 본 발명의 실시예 6에 따른 이미지 센서를 나타낸 것으로, 도 2의 Ⅱ-Ⅱ', Ⅲ-Ⅲ' 및 Ⅳ-Ⅵ'-Ⅰ' 선 방향으로 자른 단면도들이다. 도 8에 도시된 실시예 5에서, 실시예 1과 실질적으로 동일한 구성요소에 대해서는 동일한 도면부호를 사용하며, 해당 구성 요소에 대한 설명은 생략하기로 한다.
도 2 및 도 8을 참조하면, 기판(100)은 복수 개의 화소들(PX)을 포함할 수 있다. 화소들(PX)은 제 1 방향(X)으로 배열되며, 제 1 방향(X)의 수직인 제 2 방향(Y)으로 나열될 수 있다. 기판(100)은 평면적인 관점에서, 중앙 영역(CR), 중앙영역(CR)의 제 1 측(S1) 및 제 1 측(S1)과 인접하는 제 3 측(S3)을 둘러싸는 제 1 가장자리 영역(PR1) 및 중앙영역(CR)의 제 2 측(S2) 및 제 2 측(S2)과 인접하는 제 4 측(S4)을 둘러싸는 제 4 가장자리 영역(PR4)을 포함할 수 있다. 중앙영역(CR)의 제 1 측(S1)과 제 2 측(S2)은 제 1 방향(X)으로 서로 마주볼 수 있고, 제 3 측(S3)과 제 4 측(S4)은 제 2 방향(Y)으로 서로 마주볼 수 있다. 제 1 가장자리 영역(PR1)에 제 1 화소(PX1)가 포함될 수 있고, 중앙영역(CR)에 제 2 화소(PX2)가 포함될 수 있고, 제 2 가장자리 영역(PR2)에 제 3 화소(PX3)가 포함될 수 있다.
제 1 화소들(PX1) 내지 제 3 화소들(PX3)은 기판(100) 내에 형성된 깊은 소자 분리막(DTI)(Deep Trench Isolation;DTI)으로 정의될 수 있다.
기판(100)의 화소들(PX) 내에 광전 변환 소자(PD) 및 웰 영역(107)이 배치될 수 있다. 광전 변환 소자(PD)는 기판(100)의 제 1 면(101a)으로부터 깊게 배치될 수 있다. 웰 영역(107)은 기판(100)의 제 1 면(101a)으로부터 가깝게 배치될 수 있다. 웰 영역(107) 내에 부유 확산 영역(FD)이 배치될 수 있다. 기판(100)의 제 1 면(101a) 상에 트랜스퍼 게이트(TG)가 배치될 수 있다. 트랜스퍼 게이트(TG)는 화소들(PX) 각각에 배치될 수 있다. 트랜스퍼 게이트(TG)는 부유 확산 영역(FD)과 이웃하게 배치될 수 있다.
기판(100)의 제 1 면(101a) 상에 배선 구조체(110)가 배치될 수 있다. 기판(100)의 제 2 면(101b) 상의 제 2 소자 분리막(105)을 덮는 반사 방지막(120)이 배치될 수 있다.
반사 방지막(120) 상에 그리드 패턴(123)이 배치될 수 있다. 제 1 화소(PX1)에 배치된 제 1 그리드 패턴(123a)은 제 1 소자 분리막(103)의 타면(104)과 수직으로 중첩되지 않도록 배치될 수 있다. 보다 상세하게, 제 1 그리드 패턴(123a)은 광전 변환 소자(PD)의 일부 영역(SR)과 수직으로 중첩되게 배치될 수 있다. 광전 변환 소자(PD)의 일부 영역(SR)은 제 1 소자 분리막(103)과 인접하면서 부유 확산 영역(FD)로부터 멀리 이격될 수 있다. 이에 따라, 제 1 그리드 패턴(123a)의 중심부(S)와 기판(100)의 제 2 면(100b) 간의 최단 거리(D1)는 제 1 그리드 패턴(123a)의 중심부(S)와 제 1 소자 분리막(103)의 타면(104) 간의 최단 거리(D2)보다 짧을 수 있다.
제 2 화소(PX2)에 배치된 제 2 그리드 패턴(123b)은 제 1 소자 분리막(103)의 타면(104)과 수직으로 중첩되게 배치될 수 있다. 보다 상세하게, 제 2 그리드 패턴(123b)은 제 1 소자 분리막(103)과 수직으로 대향되게 배치될 수 있다. 이에 따라, 제 2 그리드 패턴(123b)의 중심부(S)와 기판(100)의 제 2 면(100b) 간의 최단 거리(D1) 제 2 그리드 패턴(123b)의 중심부(S)와 제 1 소자 분리막(103)의 타면(104) 간의 최단 거리(D2)보다 길 수 있다.
제 3 화소(PX3)에 배치된 제 3 그리드 패턴(123c)은 제 1 소자 분리막(103)의 타면(104)과 수직으로 중첩되지 않도록 배치될 수 있다. 보다 상세하게, 제 3 그리드 패턴(123c)은 부유 확산 영역(FD)과 수직으로 대향되게 배치될 수 있다. 이에 따라, 제 3 그리드 패턴(123c)의 중심부(S)와 기판(100)의 제 2 면(100b) 간의 최단 거리(D1)는 제 3 그리드 패턴(123c)의 중심부(S)와 제 1 소자 분리막(103)의 타면(104) 간의 최단 거리(D2)보다 짧을 수 있다.
그리드 패턴(123)의 중심부(S)와 제 1 소자 분리막(103)의 타면(104) 간의 최단거리(D2)는 기판(100)의 중앙영역(CR)에 배치된 화소들(PX)에서 제 1 가장자리(CR1)에 배치된 화소들(PX)로 갈수록 점진적으로 길어질 수 있다. 예를 들어, 그리드 패턴(123)의 중심부(S)와 제 1 소자 분리막(103)의 타면(104) 간의 최단거리(D2)는 제 2 화소(PX2)에서 제 1 화소(PX1)로 갈수록 점진적으로 커질 수 있다. 이에 따라, 제 1 화소(PX1)에 배치된 제 1 그리드 패턴(123a)은 제 2 화소(PX2)에 배치된 제 2 그리드 패턴(123b)보다 제 1 방향(X)의 반대인 제 3 방향(Z)으로 더 이동될 수 있다. 그리고, 그리드 패턴(123)의 중심부(S)와 제 1 소자 분리막(103)의 타면(104) 간의 최단거리(D2)는 기판(100)의 중앙영역(CR)에 배치된 화소들(PX)에서 제 2 가장자리(CR2)에 배치된 화소들(PX)로 갈수록 점진적으로 커질 수 있다. 예를 들어, 그리드 패턴(123)의 중심부(S)와 제 1 소자 분리막(103)의 타면(104) 간의 최단거리(D2)는 제 2 화소(PX2)에서 제 3 화소(PX3)로 갈수록 점진적으로 커질 수 있다. 이에 따라, 제 3 화소(PX3)에 배치된 제 3 그리드 패턴(123c)은 제 2 화소(PX2)에 배치된 제 2 그리드 패턴(123b)보다 제 1 방향(X)으로 더 이동될 수 있다.
제 1 화소(PX1)에 입사되는 제 1 광(L1)은 기판(100)의 제 2 면(100b)에 비스듬히 입사되고, 제 2 화소(PX2)에 입사되는 제 2 광(L2)은 기판(100)의 제 2 면(100b)에 수직하게 입사되고, 제 3 화소(PX3)에 입사되는 제 3 광(L3)은 기판(100)의 제 3 면(100c)에 비스듬히 입사될 수 있다. 제 1 광(L1)과 제 3 광(L3)은 입사되는 방향이 반대일 수 있다. 예를 들어, 제 1 광(L1)은 왼쪽에서 오른쪽으로 비스듬히 입사될 수 있고, 제 3 광(L3)은 오늘쪽에서 왼쪽으로 비스듬히 입사될 수 있다.
반사 방지막(120) 상에 컬러 필터들(CF)이 배치될 수 있다. 컬러 필터들(CF)은 서로 인접하는 그리드 패턴들(123) 사이에 배치될 수 있다. 상세하게, 제 1 화소(PX1) 배치된 컬러 필터(CF)는 광전 변환 소자(PD) 및 광전 변환 소자(PD)와 인접하는 다른 광전 변환 소자(PD)의 일부 영역(SR)을 동시에 덮도록 배치될 수 있다. 제 2 화소(PX2)에 배치된 컬러 필터(CF)는 광전 변환 소자(PD)와 서로 대향되게 배치될 수 있다. 제 3 화소(PX3)에 배치된 컬러 필터(CF)는 광전 변환 소자(PD) 및 광전 변환 소자(PD)와 인접하는 다른 광전 변환 소자(PD)의 일부 영역(SR)을 동시에 덮도록 배치될 수 있다.
컬러 필터들(CF) 상에 마이크로 렌즈(125)가 배치될 수 있다. 마이크로 렌즈(125)는 컬러 필터들(CF)과 각각 대응되도록 배치될 수 있다. 상세하게, 마이크로 렌즈(125)의 상부면과 하부면을 잇는 제 1 점(P1)과 제 2 점(P2)을 포함할 수 있다. 제 1 점(P1)은 컬러 필터들(CF)의 일측면(127a)과 동일선 상에 위치할 수 있고, 제 2 점(P2)은 컬러 필터들(CF)의 타측면(127b)과 동일선 상에 위치할 수 있다.
도 9는 본 발명의 실시예들에 따른 이미지 센서를 포함하는 전자장치를 도시한 블록도이다.
전자장치는 디지털 카메라 또는 모바일 장치일 수 있다. 도 9를 참조하면, 전자 장치는 이미지 센서(1000), 프로세서(1100), 메모리(1200), 디스플레이(1300) 및 버스(1400)을 포함한다. 이미지 센서(6000)는 프로세서(1100)의 제어에 응답하여 외부의 영상 정보를 캡쳐(Capture)한다. 프로세서(1100)는 캡쳐된 영상정보를 상기 버스(1400)를 통하여 메모리(1200)에 저장한다. 프로세서(1100)는 메모리(1200)에 저장된 영상정보를 상기 디스플레이(1300)로 출력한다.
도 10 내지 도 14은 본 발명의 실시 예들에 따른 이미지 촬영 장치가 적용된 멀티미디어 장치의 예들을 보여준다.
본 발명의 실시 예들에 따른 이미지 센서는 이미지 촬영 기능을 구비한 다양한 멀티미디어 장치들에 적용될 수 있다. 예를 들어, 본 발명의 실시 예들에 따른 이미지 센서는, 도 10에 도시된 바와 같이 모바일 폰 또는 스마트 폰(2000)에 적용될 수 있고, 도 11에 도시된 바와 같이 태블릿 또는 스마트 태블릿(3000)에 적용될 수 있다. 또한, 도 12에 도시된 바와 같이 노트북 컴퓨터(4000)에 적용될 수 있고, 도 13에 도시된 바와 같이 텔레비전 또는 스마트 텔레비전(5000)에 적용될 수 있다. 본 발명의 실시 예들에 따른 이미지 센서는 도 14에 도시된 바와 같이 디지털 카메라 또는 디지털 캠코더(6000)에 적용될 수 있다.
이상, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시예를 설명하였지만, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자는 본 발명이 그 기술적 사상이나 필수적인 특징을 변경하지 않고서 다른 구체적인 형태로 실시될 수 있다는 것을 이해할 수 있을 것이다. 그러므로 이상에서 기술한 실시예에는 모든 면에서 예시적인 것이며 한정적이 아닌 것으로 이해해야만 한다.
100: 기판 100a: 제 1 면
100b: 제 2 면 102: 일면
103: 제 1 소자 분리막 104: 타면
105: 제 2 소자 분리막 107: 웰 영역
110: 배선 구조체 123: 그리드 패턴
125: 마이크로 렌즈 CF: 컬러 필터
FD: 부유 확산 영역 PD: 광전 변환 소자
SR: 일부 영역 PX1: 제1 화소
PX2: 제 2 화소 TG: 트랜스퍼 게이트

Claims (10)

  1. 제 1 면 및 상기 제 1 면에 대향하는 제 2 면을 포함하는 기판;
    상기 기판 내에 배치되어 화소들을 정의하며, 상기 제 1 면에 노출된 일면과 상기 제 2 면에 노출된 타면을 갖는 제 1 소자 분리막;
    상기 기판 내에 배치된 광전 변환 소자;
    상기 기판 내에 배치되며, 상기 기판의 상기 제 1 면에 인접한 부유 확산 영역;
    상기 기판의 상기 제 2 면을 덮는 반사 방지막;
    상기 반사 방지막 상에서 상기 화소들에 대응하는 컬러 필터들; 및
    상기 반사 방지막 상에서 서로 인접하는 상기 컬러 필터들 사이에 배치되는 그리드 패턴을 포함하되,
    상기 그리드 패턴은 상기 제 1 소자 분리막과 옆으로 어긋나게 배치되고,
    상기 컬러 필터의 중심은 대응하는 상기 광전 변환 소자의 중심과 옆으로 어긋나게 배치되고,
    상기 컬러 필터의 일측벽은 상기 그리드 패턴 상에 배치되는 이미지 센서.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 컬러 필터들 상에 배치된 마이크로 렌즈들을 더 포함하되,
    상기 마이크로 렌즈들 각각의 중심축은 상기 광전 변환 소자의 중심과 옆으로 어긋나게 배치되는 이미지 센서.
  3. 제 1 항에 있어서,
    상기 그리드 패턴은 상기 제 1 소자 분리막과 인접하는 상기 광전 변환 소자의 일부 영역과 수직으로 중첩되게 배치되는 이미지 센서.
  4. 제 3 항에 있어서,
    상기 기판의 상기 제 1 면 상에 배치된 배선 구조체; 및
    상기 컬러 필터들 상에 배치된 마이크로 렌즈들을 더 포함하는 이미지 센서.
  5. 제 1 항에 있어서,
    상기 컬러 필터들 상에 배치된 마이크로 렌즈들을 더 포함하되,
    상기 그리드 패턴의 중심축은 상기 마이크로 렌즈들의 경계와 옆으로 어긋나게 배치되는 이미지 센서.
  6. 제 1 항에 있어서,
    상기 컬러 필터들 상에 배치된 마이크로 렌즈들을 더 포함하되,
    상기 마이크로 렌즈들의 중심축은 상기 컬러 필터들의 중심과 옆으로 어긋나게 배치되는 이미지 센서.
  7. 제 1 항에 있어서,
    상기 컬러 필터들 상에 배치된 마이크로 렌즈들을 더 포함하되,
    상기 컬러 필터들 중 하나의 일측벽은 상기 마이크로 렌즈들의 경계와 옆으로 이격되는 이미지 센서.
  8. 제 1 항에 있어서,
    상기 화소들은 제 1 화소와 제 2 화소를 포함하고,
    상기 컬러 필터는 상기 화소들 각각에 배치된 상기 그리드 패턴의 상부면을 덮되,
    상기 제 1 화소에 배치된 상기 컬러 필터와 상기 제 2 화소에 배치된 상기 컬러 필터 사이에 개재된 분리막을 더 포함하는 이미지 센서.
  9. 제 1 항에 있어서,
    상기 기판은, 중앙 영역, 상기 중앙 영역의 제 1 측 및 상기 제 1 측과 인접하는 제 3 측을 둘러싸는 제 1 가장자리 영역 및 상기 중앙 영역의 제 2 측 및 상기 제 2 측과 인접하는 제 4 측을 둘러싸는 제 2 가장자리 영역을 포함하고,
    상기 화소들은 상기 제 1 가장자리 영역에 배치된 제 1 화소, 상기 중앙 영역에 배치된 제 2 화소 및 상기 제 2 가장자리 영역에 배치된 제 3 화소를 포함하되,
    상기 제 1 화소에 배치되는 상기 그리드 패턴은 상기 제 1 소자 분리막의 상기 타면과 수직으로 중첩되지 않는 이미지 센서.
  10. 제 1 및 제 2 화소들을 포함하는 이미지 센서로서,
    상기 제 1 화소는:
    기판 내의 제 1 포토다이오드;
    상기 기판 내에서 상기 제 1 포토다이오드 일측에 제공되는 제 1 소자 분리막; 및
    상기 기판 상의 제 1 그리드 패턴으로서, 상기 제 1 그리드 패턴의 중심축은 상기 제 1 소자 분리막의 중심축과 제 1 수평 방향으로 제 1 거리만큼 어긋나게 배치되는 것을 포함하고,
    상기 제 2 화소는:
    상기 기판 내의 제 2 포토다이오드;
    상기 기판 내에서 상기 제 2 포토다이오드 일측에 제공되는 제 2 소자 분리막; 및
    상기 기판 상의 제 2 그리드 패턴으로서, 상기 제 2 그리드 패턴의 중심축은 상기 제 2 소자 분리막의 중심축과 제 1 수평 방향으로 상기 제 1 거리보다 작은 제 2 거리만큼 어긋나게 배치되는 것을 포함하되,
    상기 이미지 센서의 중심은 상기 제 1 픽셀보다 상기 제 2 픽셀에 가까운 이미지 센서.
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