JP2010199668A - 固体撮像装置および電子機器 - Google Patents

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Abstract

【課題】レンズの画角によるカラーバランスの崩れを抑制すること。
【解決手段】本発明は、異なる色に対応した複数の画素１０を１つの単位として撮像領域Ｓ内に配置される複数の画素単位１００を備え、画素単位１００内での各画素１０の位置のずれ量が、当該画素単位１００の撮像領域Ｓの中心からの距離および色に応じて異なるよう設けられている固体撮像装置である。また、上記構成に加え、画素単位１００内での各画素１０の受光面積が、当該画素単位１００の撮像領域Ｓの中心からの距離および色に応じて異なるよう設けられているものでもある。
【選択図】図１２

Description

本発明は、固体撮像装置および電子機器に関する。詳しくは、異なる色に対応した複数の画素を１つの画素単位に有し、この画素単位が撮像領域内にマトリクス状に配置されている固体撮像装置および電子機器に関する。
ＣＭＯＳ（Complementary Metal Oxide Semiconductor）イメージセンサに代表される半導体イメージセンサは、画素サイズを縮小し、同一イメージエリア内で画素数を多くする多画素化が要求されている。ここで、特許文献１では、像高、射出瞳距離により定義された出射角と、マイクロレンズから受光部までの膜の厚さによって算出したずらし量で配置されるマイクロレンズ、カラーフィルタ、遮光膜の開口部を有する固体撮像装置が開示されている。また、特許文献２では、色毎に感度設定を変更した固体撮像装置が開示されている。また、特許文献３には、遮光膜の開口面積を色に応じて異ならせた固体撮像装置が開示されている。また、特許文献４には、カラーフィルタをずらして配置することで色シェーディングの発生を防止する固体撮像装置が開示されている。
特開２００１−１６０９７３号公報 特開２００８−７８２５８号公報 特開昭６２−４２４４９号公報 特開２００７−２８８１０７号公報
しかし、多画素化とともに信号量が小さくなり、同じＳ/Ｎ比（信号／ノイズ比）を確保することが難しくなってきいている。特に、レンズの画角が高くなった場合の信号量の劣化が顕著になること、その信号量劣化が色ごとに異なることに起因して、カラーバランスが崩れる原因となっている。
本発明は、レンズの画角によるカラーバランスの崩れを抑制することを目的とする。
本発明は、異なる色に対応した複数の画素を１つの単位として撮像領域内に配置される複数の画素単位を備え、画素単位内での各画素の位置のずれ量が、当該画素単位の撮像領域の中心からの距離および色に応じて異なるよう設けられている固体撮像装置である。
このような本発明では、撮像領域の中心から周辺にかけて画素単位内の画素に設けられる配置のずれ量が当該画素単位の撮像領域の中心からの距離および色ごとに異なっているため、撮像領域の中心から周辺に至るまで画素単位内での色ずれを抑制できるようになる。
また、本発明は、異なる色に対応した複数の画素を１つの単位として撮像領域内にマトリクス状に配置される複数の画素単位と、複数の画素単位に対応して設けられ、画素単位内の各画素に対応した開口を備える遮光部とを備え、画素単位内での各画素の遮光部の開口の位置のずれ量が、当該画素単位の撮像領域の中心からの距離および色に応じて異なるよう設けられている固体撮像装置である。
このような本発明では、撮像領域の中心から周辺にかけて画素単位内の画素の遮光部の開口に設けられる位置ずれ量が当該画素単位の撮像領域の中心からの距離および色ごとに異なっているため、撮像領域の中心から周辺に至るまで画素単位内での色ずれを抑制できるようになる。
また、本発明は、上記固体撮像装置を用いた電子機器であり、固体撮像装置の画素で得た信号を処理する回路がＣＭＯＳ型トランジスタによって構成されているものや、画素として基板における配線層が形成される面とは反対側の面から光を取り込むよう構成されているものであったり、画素で取り込んだ電荷を位相の異なる電位を順次印加することで転送する転送部を備えるものであったりする。
ここで、本発明でいう画素とは、光電変換を行う領域であり、素子分離によって構造上区分けされる領域のほか、出力する電気信号として区分けされる領域も含まれる。また、画素単位は、複数の画素の組みであって構造上区分けされるもののほか、複数の画素から成る組みの繰り返しの境界で便宜的に区分けされるものも含まれる。
本発明によれば、レンズの画角によるカラーバランスの崩れを抑制し、撮像領域の中央から周辺に至るまで混色なく信号を得ることが可能となる。
裏面照射型ＣＯＭＳセンサを説明する模式断面図である。 遮光部を備えた裏面照射型ＣＭＯＳセンサを説明する模式断面図である。 表面照射型ＣＭＯＳセンサを説明する模式断面図である。 ＣＭＯＳセンサの全体構成を説明する図である。 単位画素の回路構成の一例を示す回路図である。 ＣＣＤセンサを説明する模式図である。 撮像領域内のレイアウトについて説明する模式平面図である。 画素単位内でのエネルギープロファイルの例を示す図である。 像高によるエネルギープロファイルの変化を説明する図（その１）である。 像高によるエネルギープロファイルの変化を説明する図（その２）である。 遮光部の開口の平面視を示す模式図である。 第１実施形態を説明する模式図である。 第２実施形態を説明する模式図である。 第３実施形態を説明する模式図である。 第４実施形態を説明する模式図である。 色によるずれ量の相違を説明する図である。 本実施形態の効果を示す図である。 本実施形態に係る電子機器の一例である撮像装置の構成例を示すブロック図である。
以下、本発明を実施するための形態（以下、「実施形態」という。）について説明する。なお、説明は以下の順序で行う。
１．固体撮像装置の構成例（裏面照射型、表面照射型、ＣＭＯＳ型イメージセンサの構成、ＣＣＤセンサ）
２．エネルギープロファイル（画素単位内でのプロファイル、像高による変化）
３．第１実施形態（画素の位置の設定）
４．第２実施形態（画素の受光面積の設定）
５．第３実施形態（遮光部の開口の位置の設定）
６．第４実施形態（遮光部の開口の大きさの設定）
７．電子機器（撮像装置の例）
＜１．固体撮像装置の構成例＞
本実施形態の固体撮像装置の構成例を説明する。
［裏面照射型ＣＭＯＳセンサ］
図１は、裏面照射型ＣＯＭＳセンサを説明する模式断面図である。この固体撮像装置１は、画素１０となる受光領域が設けられるシリコン基板２の一方面にカラーフィルタ６０が設けられ、シリコン基板２の他方面に受光領域で光電変換して得た信号の配線層４０が設けられているものである。これにより、配線層４０が設けられる面とは反対側の面から光を入射して受光領域で光電変換する構成となる。
固体撮像装置１は、シリコン基板２に形成された各色の受光領域が素子分離部２０で分離されており、その上方に反射防止膜２１および層間絶縁膜３０を介してカラーフィルタ６０が形成されている。カラーフィルタ６０は、Ｒ（赤）、Ｇ（緑）、Ｂ（青）の各色に対応した受光領域の配置に合わせて、例えばベイヤー配列となっている。この各色のカラーフィルタ６０の上にマイクロレンズ７０が設けられている。
いわゆる裏面照射型のＣＭＯＳセンサを製造するには、シリコン基板２の表面（図１では下側）に、各色に対応した受光領域を分離する素子分離部２０をＰ型イオン注入で形成する。そして、素子分離部２０の間に各色に対応した受光領域をＮ型およびＰ型不純物イオン注入で形成する。さらに、その上に画素駆動用等のトランジスタＴｒおよび配線層４０を形成する。
トランジスタＴｒには、受光領域で取り込んだ電荷を読み出す読み出し用トランジスタ、フォトダイオードの出力を増幅する増幅用トランジスタ、フォトダイオードを選択する選択用トランジスタ、電荷を排出するリセット用トランジスタ等の各種トランジスタが挙げられる。
この状態で、シリコン基板２の配線層４０を形成した側に支持基板を貼り合わせ、支持基板で支持した状態でシリコン基板２の裏面（図１では上側）をＣＭＰ（Chemical Mechanical Polishing）によって研磨する。この研磨を受光領域が露出するまで行う。
そして、受光領域が露出したシリコン基板２の裏面側に反射防止膜２１（例えば、ＨｆＯ：６４ｎｍ厚）を形成し、層間絶縁膜３０（例えば、ＳｉＯ2:５００ｎｍ）を形成する。
さらに、その上に、受光領域に対応したカラーフィルタ６０（例えば、５００ｎｍ厚）を形成し、カラーフィルタ６０に対応してマイクロレンズ７０（例えば、レンズ厚さ部:３５０ｎｍ厚）を形成する。
これにより、シリコン基板２の裏面（図１では上側）から光を入射し、マイクロレンズ７０で集光して、カラーフィルタ６０を介して各色の光を受光領域で受光する固体撮像装置１が完成する。この構造では、受光領域に対して光の入射側に配線層４０が存在しないため、各受光領域の開口効率を高めることができる。
図２は、遮光部を備えた裏面照射型ＣＭＯＳセンサを説明する模式断面図である。遮光部を備えた裏面照射型ＣＭＯＳセンサの構成は、図１に示す構成と基本的に同じである。すなわち、画素１０となる受光領域が設けられるシリコン基板２の一方面にカラーフィルタ６０が設けられ、シリコン基板２の他方面に受光領域で光電変換して得た信号の配線層４０が設けられている。これにより、配線層４０が設けられる面とは反対側の面から光を入射して受光領域で光電変換する。
この構成において、図２に示すＣＭＯＳセンサでは、反射防止膜２１の上に形成された層間絶縁膜３０に遮光部Ｗが形成される。遮光部Ｗは、各色のカラーフィルタ６０を介して透過する光が対応する画素１０の受光領域以外に侵入しないよう設けられている。遮光部Ｗは、例えばタングステンによって構成され、各色の受光領域に対応した開口部が設けられている。
［表面照射型ＣＭＯＳセンサ］
図３は、表面照射型ＣＭＯＳセンサを説明する模式断面図である。この固体撮像装置１は、シリコン基板２にフォトダイオードである受光領域が形成され、この受光領域に対応してトランジスタＴｒが形成されている。
トランジスタＴｒには、受光領域で取り込んだ電荷を読み出す読み出し用トランジスタ、フォトダイオードの出力を増幅する増幅用トランジスタ、フォトダイオードを選択する選択用トランジスタ、電荷を排出するリセット用トランジスタ等の各種トランジスタが挙げられる。
トランジスタＴｒ上には反射防止膜２１が形成され、さらに、層間絶縁膜を介して複数の配線層４０が形成されている。配線層４０には必要に応じて有機膜による光導波路が埋め込まれていてもよい。
配線層４０の上方には、所定の領域ごとＲＧＢのカラーフィルタ６０が所定の配列順に形成されている。さらに、各色カラーフィルタ６０に対応してマイクロンレンズ７０が形成されている。本実施形態では、１つの受光領域の開口は、２．５μｍ□となっている。
このような固体撮像装置１では、画素部の受光領域が設けられるシリコン基板２の一方面に配線層４０とカラーフィルタ６０とを備える構造となっている。すなわち、受光領域に対して光の入射側にマイクロレンズ７０、カラーフィルタ６０および配線層４０が設けられており、シリコン基板２の配線層４０が設けられた面から光を入射し、受光領域で光電変換する構成である。
この固体撮像装置１では、外光をマクロレンズ７０で集光し、ＲＧＢ各カラーフィルタ６０を介して所定の色に対応した波長の光に分離する。ＲＧＢ各色の光は配線層４０を介してシリコン基板２に設けられた受光領域まで到達する。そして、受光領域で光電変換され、トランジスタＴｒの駆動によってＲＧＢ各色の光量に応じた電気信号を取得することになる。
なお、表面照射型ＣＭＯＳセンサから成る固体撮像装置１では、配線層４０の最上層となる配線を遮光部Ｗと兼用にしている。すなわち、この配線の位置および幅を所定の値に設定することで、各色のカラーフィルタ６０を介して透過する光が対応する画素１０の受光領域以外に侵入しないようにしている。
［ＣＭＯＳ型イメージセンサの構成］
図４は、ＣＭＯＳ型イメージセンサから成る固体撮像装置の全体構成を説明する図である。図４に示すように、ＣＭＯＳ型イメージセンサ５０は、図示せぬ半導体基板（チップ）上に形成された画素アレイ部５１と、当該画素アレイ部５１と同じ半導体基板上に設けられた周辺回路とを有する構成となっている。画素アレイ部５１の周辺回路としては、垂直駆動回路５２、信号処理回路であるカラム回路５３、水平駆動回路５４、出力回路５５およびタイミングジェネレータ（ＴＧ）５６等が用いられる。
画素アレイ部５１には、入射する可視光をその光量に応じた電荷量に光電変換する光電変換素子を含む単位画素（以下、単に「画素」と記述する場合もある。）６が行列状に２次元配置されている。単位画素６の具体的な構成については後述する。
画素アレイ部５１にはさらに、単位画素６の行列状配列に対して画素行ごとに画素駆動線５７が図の左右方向（画素行の画素の配列方向）に沿って形成され、画素列ごとに垂直信号線５８が図の上下方向（画素列の画素の配列方向）に沿って形成されている。図４では、画素駆動線５７について１本として示しているが、１本に限られるものではない。画素駆動線５７の一端は、垂直駆動回路５２の各画素行に対応した出力端に接続されている。
垂直駆動回路５２は、シフトレジスタやアドレスデコーダなどによって構成される。その具体的な構成については図示を省略するが、信号を読み出す画素６０を行単位で順に選択走査を行うための読み出し走査系を有する。また、当該読み出し走査系によって読み出し走査が行われる読み出し行に対して、その読み出し走査よりもシャッタスピードの時間分だけ先行して当該読み出し行の画素６０の光電変換素子から不要な電荷を掃き出す（リセットする）掃き出し走査を行うための掃き出し走査系を有する。
この掃き出し走査系による不要電荷の掃き出し（リセット）により、いわゆる電子シャッタ動作が行われる。ここで、電子シャッタ動作とは、光電変換素子の光電荷を捨て、新たに露光を開始する（光電荷の蓄積を開始する）動作のことを言う。
読み出し走査系による読み出し動作によって読み出される信号は、その直前の読み出し動作または電子シャッタ動作以降に入射した光量に対応するものである。そして、直前の読み出し動作による読み出しタイミングまたは電子シャッタ動作による掃き出しタイミングから、今回の読み出し動作による読み出しタイミングまでの期間が、単位画素２０における光電荷の蓄積時間（露光時間）となる。
垂直駆動回路５２による走査によって選択された画素行の各単位画素６から出力される信号は、垂直信号線５８の各々を通してカラム回路５３に供給される。カラム回路５３は、画素アレイ部５１の画素列ごとに、選択行の各画素６０から出力される信号を画素列ごとに受けて、その信号に対して画素固有の固定パターンノイズを除去するためのＣＤＳ(Correlated Double Sampling：相関二重サンプリング)や信号増幅や、ＡＤ変換などの信号処理を行う。
なお、ここでは、カラム回路５３を画素列に対して１対１の対応関係をもって配置した構成を採る場合を例に挙げて示しているが、この構成に限られるものではない。例えば、複数の画素列（垂直信号線５８）ごとにカラム回路５３を１個ずつ配置し、これらカラム回路５３を複数の画素列間で時分割にて共用する構成などを採ることも可能である。
水平駆動回路５４は、シフトレジスタやアドレスデコーダなどによって構成され、水平走査パルスを順次出力することによってカラム回路５３を順番に選択する。なお、図示を省略するが、カラム回路５３の各出力段には、水平選択スイッチが水平信号線５９との間に接続されて設けられている。水平駆動回路５４から順次出力される水平走査パルスは、カラム回路５３の各出力段に設けられた水平選択スイッチを順番にオンさせる。これら水平選択スイッチは、水平走査パルスに応答して順にオンすることで、画素列ごとにカラム回路５３で処理された画素信号を水平信号線５９に順番に出力させる。
出力回路５５は、カラム回路５３から水平信号線５９を通して順に供給される画素信号に対して種々の信号処理を施して出力する。この出力回路５５での具体的な信号処理としては、例えば、バッファリングだけする場合もあるし、あるいはバッファリングの前に黒レベル調整、列ごとのばらつきの補正、信号増幅、色関係処理などを行うこともある。
タイミングジェネレータ５６は、各種のタイミング信号を生成し、これら各種のタイミング信号を基に垂直駆動回路５２、カラム回路５３および水平駆動回路５４などの駆動制御を行う。
［単位画素の回路構成］
図５は、単位画素の回路構成の一例を示す回路図である。本回路例に係る単位画素６は、受光部である光電変換素子、例えばフォトダイオード６１に加えて、例えば転送トランジスタ６２、リセットトランジスタ６３、増幅トランジスタ６４および選択トランジスタ６５の４つのトランジスタを有する構成となっている。
ここでは、これらトランジスタ６２〜６５として、例えばＮチャネルのＭＯＳトランジスタを用いている。ただし、ここでの転送トランジスタ６２、リセットトランジスタ６３、増幅トランジスタ６４および選択トランジスタ６５の導電型の組み合わせは一例に過ぎず、これらの組み合わせに限られるものではない。
この単位画素６に対して、画素駆動線５７として、例えば、転送線５７１、リセット線５７２および選択線５７３の３本の駆動配線が同一画素行の各画素について共通に設けられている。これら転送線５７１、リセット線５７２および選択線５７３の各一端は、垂直駆動回路５２の各画素行に対応した出力端に、画素行単位で接続されている。
フォトダイオード６１は、アノードが負側電源、例えばグランドに接続されており、受光した光をその光量に応じた電荷量の光電荷（ここでは、光電子）に光電変換する。フォトダイオード６１のカソード電極は、転送トランジスタ６２を介して増幅トランジスタ６４のゲート電極と電気的に接続されている。この増幅トランジスタ６４のゲート電極と電気的に繋がったノードをＦＤ（電荷電圧変換部：フローティングディフュージョン）部６６と呼ぶ。
転送トランジスタ６２は、フォトダイオード６１のカソード電極とＦＤ部６６との間に接続され、高レベル（例えば、Ｖｄｄレベル）がアクティブ（以下、「Ｈｉｇｈアクティブ」と記述する）の転送パルスφＴＲＦが転送線５７１を介してゲート電極に与えられることによってオン状態となる。これにより、フォトダイオード６１で光電変換された光電荷をＦＤ部６６に転送する。
リセットトランジスタ６３は、ドレイン電極が画素電源Ｖｄｄに、ソース電極がＦＤ部６６にそれぞれ接続され、ＨｉｇｈアクティブのリセットパルスφＲＳＴがリセット線５７２を介してゲート電極に与えられることによってオン状態となる。これにより、フォトダイオード６１からＦＤ部６６への信号電荷の転送に先立って、ＦＤ部６６の電荷を画素電源Ｖｄｄに捨てることによって当該ＦＤ部６６をリセットする。
増幅トランジスタ６４は、ゲート電極がＦＤ部６６に、ドレイン電極が画素電源Ｖｄｄにそれぞれ接続され、リセットトランジスタ６３によってリセットした後のＦＤ部６６の電位をリセットレベルとして出力する。さらに、増幅トランジスタ６４は、転送トランジスタ６２によって信号電荷を転送した後のＦＤ部６６の電位を信号レベルとして出力する。
選択トランジスタ６５は、例えば、ドレイン電極が増幅トランジスタ６４のソースに、ソース電極が垂直信号線５８にそれぞれ接続され、Ｈｉｇｈアクティブの選択パルスφＳＥＬが選択線５７３を介してゲートに与えられることによってオン状態となる。これにより、単位画素６を選択状態として増幅トランジスタ６４から出力される信号を垂直信号線５８に中継する。
なお、選択トランジスタ６５については、画素電源Ｖｄｄと増幅トランジスタ６４のドレインとの間に接続した回路構成を採ることも可能である。
また、単位画素６としては、上記構成の４つのトランジスタからなる画素構成のものに限られるものではなく、増幅トランジスタ６４と選択トランジスタ６５とを兼用した３つのトランジスタからなる画素構成のものなどであっても良く、その画素回路の構成は問わない。
［ＣＣＤセンサ］
図６は、ＣＣＤ（Charge Coupled Devices）センサを説明する模式図で、（ａ）は全体平面図、（ｂ）は（ａ）のＡ−Ａ線断面図である。図６（ａ）に示すように、この固体撮像装置１は、撮像領域Ｓにマトリクス状に配列された複数の画素１０と、各画素１０の列に対応したＣＣＤ構造の複数の垂直転送レジスタＶＴとを備えている。また、この固体撮像装置１は、垂直転送レジスタＶＴで転送してきた信号電荷を出力部に転送するＣＣＤ構造の水平転送レジスタ４ＨＴと、水平転送レジスタＨＴの最終段に接続された出力部ＯＰとを備えている。
このような固体撮像装置１では、各画素１０で受けた光に応じて電荷を蓄積し、この電荷を所定のタイミングにより垂直転送レジスタＶＴへ読み出し、垂直転送レジスタＶＴ上の電極から印加した複数相の電圧によって電荷を順次転送していく。さらに、水平転送レジスタＨＴまで達した電荷を出力部ＯＰへ順次転送し、出力部ＯＰから所定の電圧として出力する。
図６（ｂ）に示すように、垂直転送レジスタＶＴには電極Ｄが設けられている。電極Ｄは、図示しないが複数層になっており、隣接する電極Ｄの一部がオーバラップするよう設けられている。この複数の電極Ｄに順次位相の異なる電圧が印加されることで、画素１０に蓄積された電荷を読み出すとともに、垂直方向へ転送していくことになる。画素１０の間に設けられる垂直転送レジスタＶＴの電極Ｄには遮光部Ｗが形成され、不要光の入射を抑制している。
［撮像領域内のレイアウト］
図７は、撮像領域内のレイアウトについて説明する模式平面図である。上記説明したいずれの構成例でも、撮像領域Ｓに複数の画素１０がマトリクス状に配置されている。各画素１０は、カラーフィルタによってカラー画像を得るのに必要な色の光を受光するようになっている。色は、例えば、Ｒ（赤）、Ｇ（緑）、Ｂ（青）の組み合わせや、Ｙ（黄）、Ｃ（シアン）、Ｍ（マゼンタ）、Ｇ（緑）の組み合わせが用いられる。本実施形態では、Ｒ（赤）、Ｇ（緑）、Ｂ（青）の組み合わせを例とする。
撮像領域Ｓの各画素１０は、Ｒ（赤）、Ｇ（緑）、Ｂ（青）のいずれかの色の光を取り込むため、所定の並びで配置されている。対応する色の並びは各種あるが、本実施形態では、Ｒ（赤）、Ｂ（青）、Ｇｒ（第１の緑）、Ｇｂ（第２の緑）を縦横２×２で配置したベイヤー配列を例とする。この配列では、Ｒ（赤）、Ｂ（青）、Ｇｒ（第１の緑）、Ｇｂ（第２の緑）による２×２画素の合計４つの画素１０によって１つの画素単位１００が構成される。なお、Ｇｒ（第１の緑）とＧｂ（第２の緑）とは、異なる画素として割り当てられているが、取り扱う色は同じである。撮像領域Ｓには、複数の画素単位１００がマトリクス状に配列されることになる。
＜２．エネルギープロファイル＞
［画素単位内でのプロファイル］
図８は、画素単位内でのエネルギープロファイルの例を示す図である。この図では、Ｂ、Ｒ、Ｇｒ、Ｇｂの各色（波長）のシリコン基板表面上での照射エネルギーの強さおよび拡がりを示している。この図より、Ｂ（青）色の光が最も照射エネルギーが強く、拡がりが小さくなっている。一方、Ｒ（赤）色の光が最も照射エネルギーが弱く、拡がりが大きくなっている。
［像高による変化］
図９、図１０は、像高によるエネルギープロファイルの変化を説明する図である。図９は、Ｂ（青）画素とＧｂ（緑）画素とのエネルギープロファイル、図１０は、Ｒ（赤）画素とＧｒ（緑）画素とのエネルギープロファイルで、各々（ａ）が像高０割（撮像領域の中央）、（ｂ）が像高１０割（撮像領域の端）の状態を示している。
このエネルギープロファイルは、図２に示す遮光部Ｗが設けられた裏面照射型ＣＭＯＳセンサでの値となっている。具体的には、フォトダイオードである受光領域が形成されているシリコン基板２上の反射防止膜としてＨｆＯ（６４ｎｍ厚）、遮光部Ｗとしてタングステン（１５０ｎｍ厚）、層間絶縁膜３０としてＳｉＯ2（５５０ｎｍ厚）、カラーフィルタ６０（５００ｎｍ厚）、マイクロレンズ７０（７５０ｎｍ厚（レンズ部厚さ３５０ｎｍ）を持つ層構成になっている。
また、遮光部Ｗの開口の平面視は、図１１に示すようになっており、図８に示すエネルギープロファイルに基づき出力バランスを整えるため、ＲＧＢの各色で開口サイズが異なっている。例えば、Ｒ（赤）に対応した開口は８００ｎｍ□、Ｇ（緑：Ｇｒ、Ｇｂ）に対応した開口は７００ｎｍ□、Ｂ（青）に対応した開口は６００ｎｍ□となっている。また、画素の平面視サイズ（受光面積）は０．９μｍ□であり、カラーフィルタの配列はベイヤー配列である。
このような画素構造において、遮光部の直上に作るエネルギープロファイル断面図が図９、図１０となる。ここでは、図９が、波長：４５０ｎｍ（青色）、図１０が、波長：６５０ｎｍ（赤色）の単色光でシミュレーションした結果であり、いずれも平行光が照射されている。
図９（ａ）、図１０（ａ）では像高０割（撮像領域の中央）でのエネルギープロファイルを示している。図１０（ａ）に示すＲ（赤）画素でのエネルギーの拡がりは、図９（ａ）に示すＢ（青）画素でのエネルギーの拡がりより大きくなっている。
また、図９（ｂ）、図１０（ｂ）では像高１０割（撮像領域の端）でのエネルギープロファイルを示している。なお、ここでは、像高１０割で主光線入射角度が２０°のレンズを用いる場合を想定している。Ｒ（赤）、Ｂ（青）のいずれにつても、光エネルギーが画素中央に集中せず、ずれた状態となっている。
例えば、図９（ｂ）に示すプロファイルでは、Ｂ（青）の画素で受光すべき光が隣接するＧｂ（第２の緑色）の画素に入り込んでいる。また、図１０（ｂ）に示すプロファイルでは、Ｒ（赤）の画素で受光すべき光が隣接するＧｒ（第１の緑色）の画素に入り込んでいる。このように像高によってエネルギープロファイルが変化し、中心がずれることで、感度劣化や混色を起こす原因となる。
次に、具体的な実施形態を説明する。なお、本実施形態の固体撮像装置は、上記説明したいずれの構成例であっても適用可能であるが、以下の説明では、裏面照射型ＣＭＯＳセンサを用いた固体撮像装置を例として説明を行う。
＜３．第１実施形態＞
図１２は、第１実施形態を説明する模式図である。第１実施形態に係る固体撮像装置では、撮像領域Ｓの中心からの距離、すなわち像高に応じて、画素単位１００内での各色の画素１０の位置にずれ量が設けられており、このずれ量が色ごとに異なるよう設けられている。
図１２では、像高０割の位置に対応した画素単位１００と、像高０割以外の位置に対応した画素単位１００との拡大図をそれぞれ示している。各画素単位１００において、その画素単位１００内の４つの画素１０は、画素単位１００の中心Ｏを基準とした所定の位置に配置されている。
ここで、像高０割の位置に対応した画素単位１００の４つの画素１０において、画素単位１００の中心Ｏを原点としたｘ，ｙ座標上の各画素１０の中心位置を次の通り示す。
Ｒの画素１０の中心位置…（Ｘｒ，Ｙｒ）
Ｇｒの画素１０の中心位置…（Ｘｇｒ，Ｙｇｒ）
Ｂの画素１０の中心位置…（Ｘｂ，Ｙｂ）
Ｇｂの画素１０の中心位置…（Ｘｇｂ，Ｙｇｂ）
また、像高１０割の位置に対応した画素単位１００の４つの画素１０において、画素単位１００の中心Ｏを原点としたｘ，ｙ座標上の各画素１０の中心位置を次の通り示す。
Ｒの画素１０の中心位置…（Ｘｒ’，Ｙｒ’）
Ｇｒの画素１０の中心位置…（Ｘｇｒ’，Ｙｇｒ’）
Ｂの画素１０の中心位置…（Ｘｂ’，Ｙｂ’）
Ｇｂの画素１０の中心位置…（Ｘｇｂ’，Ｙｇｂ’）
固体撮像装置１では、像高に応じて、画素単位１００内での対応する色の画素１０の位置にずれ量が設けられている。これは、図９、図１０に示すように、像高に応じてエネルギープロファイルの中心位置がずれることに対応したものである。
各色の画素１０について像高に応じた画素単位１００内での位置のずれ量は、次のようになる。
（Ｒ画素のずれ量ΔＲ）
ΔＲ＝√（Ｘｒ’−Ｘｒ）2＋（Ｙｒ’−Ｙｒ）2
（Ｇｒ画素のずれ量ΔＧｒ）
ΔＧｒ＝√（Ｘｇｒ’−Ｘｇｒ）2＋（Ｙｇｒ’−Ｙｇｒ）2
（Ｂ画素のずれ量ΔＢ）
ΔＢ＝√（Ｘｂ’−Ｘｂ）2＋（Ｙｂ’−Ｙｂ）2
（Ｇｂ画素のずれ量ΔＧｂ）
ΔＧｂ＝√（Ｘｇｂ’−Ｘｇｂ）2＋（Ｙｇｂ’−Ｙｇｂ）2
第１実施形態の固体撮像装置では、上記に示すＲ画素のずれ量ΔＲ、Ｇｒ画素のずれ量ΔＧｒ、Ｂ画素のずれ量ΔＢ、Ｇｂ画素のずれ量ΔＧｂが、各色に応じて異なるよう設けられている。つまり、予めＲ（赤）、Ｇ（緑）、Ｂ（青）の各色による像高に応じたエネルギープロファイルの中心位置のずれを求めておき、このずれに対応させて、各色ごと、ΔＲ、ΔＧｒ、ΔＢ、ΔＧｂの値を設定する。
すなわち、Ｒ（赤）における像高に応じたエネルギープロファイルの中心位置のずれに対応してΔＲの値を設定する。また、Ｇ（緑）における像高に応じたエネルギープロファイルの中心位置のずれに対応してΔＧｒ、ΔＧｂの値を設定する。また、Ｂ（青）における像高に応じたエネルギープロファイルの中心位置のずれに対応してΔＢの値を設定する。これにより、撮像領域Ｓの中心から周辺にかけて各画素単位１００での色ずれが抑制されることになる。
ここで、ΔＲ、ΔＧｒ、ΔＢ、ΔＧｂによる各画素１０の移動方向は、像高０割の位置に向かう方向である。また、ΔＲ、ΔＧｒ、ΔＢ、ΔＧｂの値は、像高を変数とした関数で求めたり、テーブルデータで求めたりすることができる。
＜４．第２実施形態＞
図１３は、第２実施形態を説明する模式図である。第２実施形態に係る固体撮像装置では、上記第１実施形態の構成に加え、像高に応じて、画素単位１００内での各色の画素１０の受光面積の大きさに差が設けられており、この大きさの差が色ごとに異なるよう設けられている。
図１３では、像高０割の位置に対応した画素単位１００と、像高０割以外の位置に対応した画素単位１００との拡大図をそれぞれ示している。各画素単位１００において、その画素単位１００内の４つの画素１０は、各々の受光面積で設けられている。
ここで、像高０割の位置に対応した画素単位１００の４つの画素１０において、各画素１０の受光面積を次の通り示す。
Ｒの画素１０の受光面積…Ｑｒ
Ｇｒの画素１０の受光面積…Ｑｇｒ
Ｂの画素１０の受光面積…Ｑｂ
Ｇｂの画素１０の受光面積…Ｑｇｂ
また、像高１０割の位置に対応した画素単位１００の４つの画素１０において、各画素１０の受光面積を次の通り示す。
Ｒの画素１０の受光面積…Ｑｒ’
Ｇｒの画素１０の受光面積…Ｑｇｒ’
Ｂの画素１０の受光面積…Ｑｂ’
Ｇｂの画素１０の受光面積…Ｑｇｂ’
固体撮像装置１では、像高に応じて、画素単位１００内での対応する色の画素１０の受光面積に大きさの差が設けられている。これは、図９、図１０に示すように、像高に応じてエネルギープロファイルの拡がりが変化することに対応したものである。
各色の画素１０について像高に応じた画素単位１００内での受光面積の大きさの差は、次のようになる。
（Ｒ画素の受光面積の大きさの差ΔＱＲ）
ΔＱＲ＝Ｑｒ’−Ｑｒ
（Ｇｒ画素の受光面積の大きさの差ΔＱＧｒ）
ΔＱＧｒ＝Ｑｇｒ’−Ｑｇｒ
（Ｂ画素の受光面積の大きさの差ΔＱＢ）
ΔＱＢ＝Ｑｂ’−Ｑｂ
（Ｇｂ画素の受光面積の大きさの差ΔＱＧｂ）
ΔＱＧｂ＝Ｑｇｂ’−Ｑｇｂ
第２実施形態の固体撮像装置では、上記に示すΔＱＲ、ΔＱＧｒ、ΔＱＢ、ΔＱＧｂの値が、各色に応じて異なるよう設けられている。つまり、予めＲ（赤）、Ｇ（緑）、Ｂ（青）の各色による像高に応じたエネルギープロファイルの拡がりの変化を求めておき、これに対応させて、各色ごと、ΔＱＲ、ΔＱＧｒ、ΔＱＢ、ΔＱＧｂの値を設定する。
すなわち、Ｒ（赤）における像高に応じたエネルギープロファイルの拡がりの変化に対応してΔＱＲの値を設定する。また、Ｇ（緑）における像高に応じたエネルギープロファイルの拡がりの変化に対応してΔＱＧｒ、ΔＱＧｂの値を設定する。また、Ｂ（青）における像高に応じたエネルギープロファイルの拡がりの変化に対応してΔＱＢの値を設定する。これにより、撮像領域Ｓの中心から周辺にかけて各画素単位１００での色ずれが抑制されることになる。
ここで、ΔＱＲ、ΔＱＧｒ、ΔＱＢ、ΔＱＧｂの値は、像高を変数とした関数で求めたり、テーブルデータで求めたりすることができる。
＜５．第３実施形態＞
図１４は、第３実施形態を説明する模式図である。第３実施形態に係る固体撮像装置は、各画素単位１００の対応する画素の遮光部Ｗの開口の位置にずれ量が設けられており、このずれ量が色ごとに異なるよう設けられている。
図１４では、像高０割の位置に対応した画素単位１００と、像高０割以外の位置に対応した画素単位１００との拡大図をそれぞれ示している。各画素単位１００において、その画素単位１００内の４つの画素１０に対応した遮光部Ｗの開口は、画素単位１００の中心Ｏを基準とした所定の位置に配置されている。
ここで、像高０割の位置に対応した画素単位１００の４つの画素１０において、画素単位１００の中心Ｏを原点としたｘ，ｙ座標上の各画素１０の遮光部Ｗの開口の中心位置を次の通り示す。
Ｒの画素１０の遮光部Ｗの開口Ｗｒ…（Ｘｗｒ，Ｙｗｒ）
Ｇｒの画素１０の遮光部Ｗの開口Ｗｇｒ…（Ｘｗｇｒ，Ｙｗｇｒ）
Ｂの画素１０の遮光部Ｗの開口Ｗｂ…（Ｘｗｂ，Ｙｗｂ）
Ｇｂの画素１０の遮光部Ｗの開口Ｗｇｂ…（Ｘｗｇｂ，Ｙｗｇｂ）
また、像高１０割の位置に対応した画素単位１００の４つの画素１０において、画素単位１００の中心Ｏを原点としたｘ，ｙ座標上の各画素１０の遮光部Ｗの開口の中心位置を次の通り示す。
Ｒの画素１０の遮光部Ｗの開口Ｗｒ…（Ｘｗｒ’，Ｙｗｒ’）
Ｇｒの画素１０の遮光部Ｗの開口Ｗｇｒ…（Ｘｗｇｒ’，Ｙｗｇｒ’）
Ｂの画素１０の遮光部Ｗの開口Ｗｂ…（Ｘｗｂ’，Ｙｗｂ’）
Ｇｂの画素１０の遮光部Ｗの開口Ｗｇｂ…（Ｘｗｇｂ’，Ｙｗｇｂ’）
固体撮像装置１では、像高に応じて、画素単位１００内での対応する色の画素１０の遮光部２の開口の位置にずれ量が設けられている。これは、図９、図１０に示すように、像高に応じてエネルギープロファイルの中心位置がずれることに対応したものである。
各色の画素１０について像高に応じた画素単位１００内での位置のずれ量は、次のようになる。
（Ｒ画素の開口Ｗｒのずれ量ΔＷＲ）
ΔＷＲ＝√（Ｘｗｒ’−Ｘｗｒ）2＋（Ｙｗｒ’−Ｙｗｒ）2
（Ｇｒ画素の開口Ｗｇｒのずれ量ΔＷＧｒ）
ΔＷＧｒ＝√（Ｘｗｇｒ’−Ｘｗｇｒ）2＋（Ｙｗｇｒ’−Ｙｗｇｒ）2
（Ｂ画素の開口Ｗｂのずれ量ΔＷＢ）
ΔＷＢ＝√（Ｘｗｂ’−Ｘｗｂ）2＋（Ｙｗｂ’−Ｙｗｂ）2
（Ｇｂ画素の開口Ｗｇｂのずれ量ΔＷＧｂ）
ΔＷＧｂ＝√（Ｘｗｇｂ’−Ｘｗｇｂ）2＋（Ｙｗｇｂ’−Ｙｗｇｂ）2
第３実施形態の固体撮像装置では、上記に示すΔＷＲ、ΔＷＧｒ、ΔＷＢ、ΔＷＧｂが、各色に応じて異なるよう設けられている。つまり、予めＲ（赤）、Ｇ（緑）、Ｂ（青）の各色による像高に応じたエネルギープロファイルの中心位置のずれを求めておき、このずれに対応させて、各色ごと、ΔＷＲ、ΔＷＧｒ、ΔＷＢ、ΔＷＧｂの値を設定する。
すなわち、Ｒ（赤）における像高に応じたエネルギープロファイルの中心位置のずれに対応してΔＷＲの値を設定する。また、Ｇ（緑）における像高に応じたエネルギープロファイルの中心位置のずれに対応してΔＷＧｒ、ΔＷＧｂの値を設定する。また、Ｂ（青）における像高に応じたエネルギープロファイルの中心位置のずれに対応してΔＷＢの値を設定する。これにより、撮像領域Ｓの中心から周辺にかけて各画素単位１００での色ずれが抑制されることになる。
ここで、ΔＷＲ、ΔＷＧｒ、ΔＷＢ、ΔＷＧｂによる各画素１０の移動方向は、像高０割の位置に向かう方向である。また、ΔＷＲ、ΔＷＧｒ、ΔＷＢ、ΔＷＧｂの値は、像高を変数とした関数で求めたり、テーブルデータで求めたりすることができる。
＜６．第４実施形態＞
図１５は、第４実施形態を説明する模式図である。第４実施形態に係る固体撮像装置は、上記第３実施形態の構成に加え、像高に応じて、画素単位１００内での各色の画素１０の遮光部Ｗの開口に大きさに差が設けられており、この大きさの差が色ごとに異なるよう設けられている。
図１５では、像高０割の位置に対応した画素単位１００と、像高０割以外の位置に対応した画素単位１００との拡大図をそれぞれ示している。各画素単位１００において、その画素単位１００内の４つの画素１０の遮光部Ｗの開口は、各々の大きさで設けられている。
ここで、像高０割の位置に対応した画素単位１００の４つの画素１０において、各画素１０の遮光部Ｗの開口の大きさを次の通り示す。
Ｒの画素１０の遮光部Ｗの開口Ｗｒの大きさ…Ｑｗｒ
Ｇｒの画素１０の遮光部Ｗの開口Ｗｇｒの大きさ…Ｑｗｇｒ
Ｂの画素１０の遮光部Ｗの開口Ｗｂの大きさ…Ｑｗｂ
Ｇｂの画素１０の遮光部Ｗの開口Ｗｇｂの大きさ…Ｑｗｇｂ
また、像高１０割の位置に対応した画素単位１００の４つの画素１０において、各画素１０の遮光部Ｗの開口の大きさを次の通り示す。
Ｒの画素１０の遮光部Ｗの開口Ｗｒの大きさ…Ｑｗｒ’
Ｇｒの画素１０の遮光部Ｗの開口Ｗｇｒの大きさ…Ｑｗｇｒ’
Ｂの画素１０の遮光部Ｗの開口Ｗｂの大きさ…Ｑｗｂ’
Ｇｂの画素１０の遮光部Ｗの開口Ｗｇｂの大きさ…Ｑｗｇｂ’
固体撮像装置１では、像高に応じて、画素単位１００内での対応する色の画素１０について、遮光部Ｗの開口の大きさに差が設けられている。これは、図９、図１０に示すように、像高に応じてエネルギープロファイルの拡がりが変化することに対応したものである。
各色の画素１０について像高に応じた画素単位１００内での遮光部Ｗの開口の大きさの差は、次のようになる。
（Ｒ画素の開口Ｗｒの大きさの差ΔＱＷＲ）
ΔＱＷＲ＝Ｑｗｒ’−Ｑｗｒ
（Ｇｒ画素の開口Ｗｇｒの大きさの差ΔＱＷＧｒ）
ΔＱＷＧｒ＝Ｑｗｇｒ’−Ｑｗｇｒ
（Ｂ画素の開口Ｗｂの大きさの差ΔＱＷＢ）
ΔＱＷＢ＝Ｑｗｂ’−Ｑｗｂ
（Ｇｂ画素の開口Ｗｇｂの大きさの差ΔＱＷＧｂ）
ΔＱＷＧｂ＝Ｑｗｇｂ’−Ｑｗｇｂ
第４実施形態の固体撮像装置では、上記に示すΔＱＷＲ、ΔＱＷＧｒ、ΔＱＷＢ、ΔＱＷＧｂの値が、各色に応じて異なるよう設けられている。つまり、予めＲ（赤）、Ｇ（緑）、Ｂ（青）の各色による像高に応じたエネルギープロファイルの拡がりの変化を求めておき、これに対応させて、各色ごと、ΔＱＷＲ、ΔＱＷＧｒ、ΔＱＷＢ、ΔＱＷＧｂの値を設定する。
すなわち、Ｒ（赤）における像高に応じたエネルギープロファイルの拡がりの変化に対応してΔＱＷＲの値を設定する。また、Ｇ（緑）における像高に応じたエネルギープロファイルの拡がりの変化に対応してΔＱＷＧｒ、ΔＱＷＧｂの値を設定する。また、Ｂ（青）における像高に応じたエネルギープロファイルの拡がりの変化に対応してΔＱＷＢの値を設定する。これにより、撮像領域Ｓの中心から周辺にかけて各画素単位１００での色ずれが抑制されることになる。
ここで、ΔＱＷＲ、ΔＱＷＧｒ、ΔＱＷＢ、ΔＱＷＧｂの値は、像高を変数とした関数で求めたり、テーブルデータで求めたりすることができる。
上記説明した第１〜第４の実施形態については、各々独立して適用しても、適宜組み合わせて適用してもよい。すなわち、第１実施形態に示す画素の位置の設定と、第３実施形態に示す画素の遮光部の開口の位置の設定とを組み合わせたり、第１実施形態に示す画素の位置の設定と、第４実施形態に示す画素の遮光部の開口の大きさの設定とを組み合わせたりしてもよい。また、第２実施形態に示す画素の受光面積の設定と、第３実施形態に示す画素の遮光部の開口の位置の設定とを組み合わせてもよい。
図１６は、色によるずれ量の相違を説明する図である。この図では、横軸に像高、縦軸に画素単位内での画素の位置および遮光部の開口の位置のずれ量を示している。ずれ量は、Ｒ（赤）、緑（緑）、Ｂ（青）の順に大きく、像高１０割ではその差が０．１μｍ程度生じている。本実施形態では、このようにＲＧＢ各色に応じて差が生じているずれ量に対応し、各色ごと画素単位内での画素の位置および遮光部の開口の位置のずれ量を設定している。
図１７は、本実施形態の効果を示す図である。図１７（ａ）は本実施形態を適用しない場合の例、（ｂ）は本実施形態（画素の位置設定と遮光部の開口の位置設定）を行った場合の例である。いずれも横軸が像高、縦軸が受光感度を示している。
図１７（ａ）に示す本実施形態を適用しない場合では、像高０割ではＲＧＢ各色の受光感度は揃っているものの、像高が増加するとＲＧＢ各色の受光感度に大きなばらつきが生じ、大きな色シェーディングの原因となっている。一方、図１７（ｂ）に示す本実施形態を適用した場合では、像高０割から像高が増加してもＲＧＢ各色の受光感度に大きなばらつきは発生せず、色シェーディングの発生を抑制できている。
＜７．電子機器＞
図１８は、本実施形態に係る電子機器の一例である撮像装置の構成例を示すブロック図である。図１８に示すように、撮像装置９０は、レンズ群９１を含む光学系、固体撮像装置９２、カメラ信号処理回路であるＤＳＰ回路９３、フレームメモリ９４、表示装置９５、記録装置９６、操作系９７および電源系９８等を有している。これらのうち、ＤＳＰ回路９３、フレームメモリ９４、表示装置９５、記録装置９６、操作系９７および電源系９８がバスライン９９を介して相互に接続された構成となっている。
レンズ群９１は、被写体からの入射光（像光）を取り込んで固体撮像装置９２の撮像面上に結像する。固体撮像装置９２は、レンズ群９１によって撮像面上に結像された入射光の光量を画素単位で電気信号に変換して画素信号として出力する。この固体撮像装置９２として、先述した本実施形態の固体撮像装置が用いられる。
表示装置９５は、液晶表示装置や有機ＥＬ(electro luminescence)表示装置等のパネル型表示装置からなり、固体撮像装置９２で撮像された動画または静止画を表示する。記録装置９６は、固体撮像装置９２で撮像された動画または静止画を、不揮発性メモリやビデオテープ、ＤＶＤ(Digital Versatile Disk)等の記録媒体に記録する。
操作系９７は、ユーザによる操作の下に、本撮像装置が持つ様々な機能について操作指令を発する。電源系９８は、ＤＳＰ回路９３、フレームメモリ９４、表示装置９５、記録装置９６および操作系９７の動作電源となる各種の電源を、これら供給対象に対して適宜供給する。
このような撮像装置９０は、ビデオカメラやデジタルスチルカメラ、さらには携帯電話機等のモバイル機器向けカメラモジュールに適用される。この固体撮像装置９２として先述した本実施形態に係る固体撮像装置を用いることで、色バランスの優れた撮像装置を提供できることになる。
１…固体撮像装置、１０…画素部、２０…素子分離部、Ｂ…青色に対応した受光領域、Ｇｂ…第１の緑色に対応した受光領域、Ｇｒ…第２の緑色に対応した受光領域、Ｒ…赤色に対応した受光領域、Ｗ…遮光部

Claims (12)

  1. 異なる色に対応した複数の画素を１つの単位として撮像領域内に配置される複数の画素単位を備え、
    前記画素単位内での各画素の位置のずれ量が、当該画素単位の前記撮像領域の中心からの距離および色に応じて異なるよう設けられている
    固体撮像装置。
  2. 前記画素単位内での各画素の受光面積が、当該画素単位の前記撮像領域の中心からの距離および色に応じて異なるよう設けられている
    請求項１記載の固体撮像装置。
  3. 前記画素で得た信号を処理する回路がＣＭＯＳ型トランジスタによって構成されている
    請求項１または２記載の固体撮像装置。
  4. 前記画素は、基板における配線層が形成される面とは反対側の面から光を取り込むよう構成されている
    請求項１から３のうちいずれか１項に記載の固体撮像装置。
  5. 前記複数の画素単位の間に、各画素で取り込んだ電荷を位相の異なる電位を順次印加することで転送する転送部が設けられている
    請求項１または２記載の固体撮像装置。
  6. 異なる色に対応した複数の画素を１つの単位として撮像領域内にマトリクス状に配置される複数の画素単位と、
    前記複数の画素単位に対応して設けられ、前記画素単位内の各画素に対応した開口を備える遮光部とを備え、
    前記画素単位内での各画素の前記遮光部の開口の位置のずれ量が、当該画素単位の前記撮像領域の中心からの距離および色に応じて異なるよう設けられている
    固体撮像装置。
  7. 前記画素単位内での各画素の前記遮光部の開口の面積が、当該画素単位の前記撮像領域の中心からの距離および色に応じて異なるよう設けられている
    請求項６記載の固体撮像装置。
  8. 前記画素で得た信号を処理する回路がＣＭＯＳ型トランジスタによって構成されている
    請求項６または７記載の固体撮像装置。
  9. 前記画素は、基板における配線層が形成される面とは反対側の面から光を取り込むよう構成されている
    請求項６から８のうちいずれか１項に記載の固体撮像装置。
  10. 前記複数の画素単位の間に、各画素で取り込んだ電荷を位相の異なる電位を順次印加することで転送する転送部が設けられている
    請求項６または７記載の固体撮像装置。
  11. 受光量に応じた電気信号を出力する固体撮像装置と、
    前記固体撮像装置から出力された電気信号を処理する信号処理装置とを有し、
    前記固体撮像装置が、
    異なる色に対応した複数の画素を１つの単位として撮像領域内に配置される複数の画素単位を備え、
    前記画素単位内での各画素の位置のずれ量が、当該画素単位の前記撮像領域の中心からの距離および色に応じて異なるよう設けられている
    電子機器。
  12. 受光量に応じた電気信号を出力する固体撮像装置と、
    前記固体撮像装置から出力された電気信号を処理する信号処理装置とを有し、
    前記固体撮像装置が、
    異なる色に対応した複数の画素を１つの単位として撮像領域内にマトリクス状に配置される複数の画素単位と、
    前記複数の画素単位に対応して設けられ、前記画素単位内の各画素に対応した開口を備える遮光部とを備え、
    前記画素単位内での各画素の前記遮光部の開口の位置のずれ量が、当該画素単位の前記撮像領域の中心からの距離および色に応じて異なるよう設けられている
    電子機器。
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