KR20100077564A

KR20100077564A - 이미지센서 및 그 제조방법

Info

Publication number: KR20100077564A
Application number: KR1020080135533A
Authority: KR
Inventors: 정승만
Original assignee: 주식회사 동부하이텍
Priority date: 2008-12-29
Filing date: 2008-12-29
Publication date: 2010-07-08

Abstract

실시예는 이미지센서 및 그 제조방법에 관한 것이다.

실시예에 따른 이미지센서는 제1 기판에 형성된 리드아웃 회로(Readout Circuitry); 상기 제1 기판에 상기 리드아웃 회로와 전기적으로 연결되어 형성된 전기접합영역; 상기 전기접합영역 상에 형성된 배선; 상기 배선 상에 형성된 이미지감지부(Image Sensing Device); 및 상기 이미지감지부에 대한 픽셀간 분리영역 상에 형성된 광차단층;을 포함하는 특징으로 한다.

이미지센서, 포토다이오드, 크로스토크

Description

이미지센서 및 그 제조방법{Image Sensor and Method for Manufacturing thereof}

실시예는 이미지센서 및 그 제조방법에 관한 것이다.

이미지센서(Image sensor)는 광학적 영상(optical image)을 전기적 신호로 변환시키는 반도체소자로서, 전하결합소자(Charge Coupled Device: CCD) 이미지센서와 씨모스 이미지센서(CMOS Image Sensor: CIS)로 구분된다.

종래의 기술에서는 기판에 포토다이오드(Photodiode)를 이온주입 방식으로 형성시킨다. 그런데, 칩사이즈(Chip Size) 증가 없이 픽셀(Pixel) 수 증가를 위한 목적으로 포토다이오드의 사이즈가 점점 감소함에 따라 수광부 면적 축소로 이미지 특성(Image Quality)이 감소하는 경향을 보이고 있다.

또한, 수광부 면적 축소만큼의 적층높이(Stack Height)의 감소가 이루어지지 못하여 에어리 디스크(Airy Disk)라 불리는 빛의 회절현상으로 수광부에 입사되는 포톤(Photon)의 수 역시 감소하는 경향을 보이고 있다.

이를 극복하기 위한 대안 중 하나로 포토다이오드를 비정질 실리콘(amorphous Si)으로 증착하거나, 웨이퍼 대 웨이퍼 본딩(Wafer-to-Wafer Bonding) 등의 방법으로 리드아웃 서킷(Readout Circuitry)은 실리콘 기판(Si Substrate)에 형성시키고, 포토다이오드는 리드아웃 서킷 상부에 형성시키는 시도(이하 "3차원 이미지센서"라고 칭함)가 이루어지고 있다. 포토다이오드와 리드아웃 서킷은 배선(Metal Line)을 통해 연결된다.

한편, 종래기술에 의하면 3차원 이미지센서에서도 고해상도 이미지센서의 개발에 따라 수광부의 크기가 작아지고 상대적인 수광부의 높이가 높아지게 된다. 이에 따라 수광부에 들어간 빛이 모두 광전자로 바뀌기 않고 인접 수광부로 들어가게 되어 크로스토크(cross talk) 현상이 발생하게 되는 문제가 있다.

또한, 종래기술에 의하면 리드아웃 회로의 트랜스퍼트랜지스터 양단의 소스 및 드레인 모두 고농도 N형으로 도핑(Doping)되어 있으므로 전하공유(Charge Sharing)현상이 발생하게 되는 문제가 있다. 전하공유(Charge Sharing)현상이 발생하면 출력이미지의 감도를 낮추게 되며, 이미지 오류를 발생시킬 수도 있다.

또한, 종래기술에 의하면 포토다이오드와 리드아웃 서킷 사이에 포토차지(Photo Charge)가 원활히 이동하지 못해 암전류가 발생하거나, 새츄레이션(Saturation) 및 감도의 하락이 발생하고 있다.

실시예는 필팩터를 높이면서 크로스토크 현상이 발생하지 않는 이미지센서 및 그 제조방법을 제공하고자 한다.

또한, 실시예는 필팩터를 높이면서 전하공유(Charge Sharing)현상이 발생하지 않을 수 있는 이미지센서 및 그 제조방법을 제공하고자 한다.

또한, 실시예는 포토다이오드와 리드아웃서킷 사이에 포토차지(Photo Charge)의 원활한 이동통로를 만들어 줌으로써 암전류소스를 최소화하고, 새츄레이션(Saturation) 및 감도의 하락을 방지할 수 있는 이미지센서 및 그 제조방법을 제공하고자 한다.

또한, 실시예에 따른 이미지센서의 제조방법은 제1 기판에 리드아웃 회로(Readout Circuitry)를 형성하는 단계; 상기 제1 기판에 상기 리드아웃 회로와 전기적으로 연결되는 전기접합영역을 형성하는 단계; 상기 전기접합영역 상에 배선을 형성하는 단계; 상기 배선 상에 이미지감지부(Image Sensing Device)를 형성하 는 단계; 상기 이미지감지부에 대한 픽셀간 분리영역을 형성하는 단계; 상기 픽셀간 분리영역 상에 광차단층을 형성하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 한다.

실시예에 따른 이미지센서 및 그 제조방법에 의하면 이미지감지부 사이에 광차단층을 형성함으로써 픽셀간의 크로스토크를 방지할 수 있다.

또한, 실시예에 의하면 트랜스퍼 트랜지스터(Tx) 양단의 소스/드레인 간에 전압차(Potential Difference)가 있도록 소자 설계하여 포토차지(Photo Charge)의 완전한 덤핑(Fully Dumping)이 가능해질 수 있다.

또한, 실시예에 의하면 포토다이오드와 리드아웃서킷 사이에 전하 연결영역을 형성하여 포토차지(Photo Charge)의 원할한 이동통로를 만들어 줌으로써 암전류소스를 최소화하고, 새츄레이션(Saturation) 및 감도의 하락을 방지할 수 있다.

이하, 실시예에 따른 이미지센서 및 그 제조방법을 첨부된 도면을 참조하여 상세히 설명한다.

실시예의 설명에 있어서, 각 층의 "상/아래(on/under)"에 형성되는 것으로 기재되는 경우에 있어, 상/아래는 직접(directly)와 또는 다른 층을 개재하여(indirectly) 형성되는 것을 모두 포함한다.

본 발명은 씨모스 이미지센서에 한정되는 것이 아니며, 포토다이오드가 필요한 이미지센서에 적용이 가능하다.

(제1 실시예)

도 1은 제1 실시예에 따른 이미지센서의 단면도이다.

제1 실시예에 따른 이미지센서는 제1 기판(100) 상에 형성된 배선(150), 상기 배선(150) 상에 형성된 이미지감지부(210), 상기 이미지감지부(210)에 대한 픽셀간 분리영역(220) 상에 형성된 광차단층(230)을 포함할 수 있다.

또한, 제1 실시예는 제1 기판(100)에 형성된 리드아웃 회로(Readout Circuitry)(120); 상기 제1 기판(100)에 상기 리드아웃 회로(120)와 전기적으로 연결되어 형성된 전기접합영역(140); 및 상기 전기접합영역(140) 상에 형성된 배선(150); 상기 배선(150) 상에 형성된 이미지감지부(Image Sensing Device)(210); 및 상기 이미지감지부(210)에 대한 픽셀간 분리영역(220) 상에 형성된 광차단층(230);을 포함할 수 있다.

상기 이미지감지부(210)는 포토다이오드일 수 있으나 이에 한정되는 것이 아니고 포토게이트, 포토다이오드와 포토게이트의 결합형태 등이 될 수 있다. 한편, 실시예는 포토다이오드가 결정형 반도체층에 형성된 예를 들고 있으나 이에 한정되는 것이 아니며 비정질 반도체층에 형성된 것을 포함한다.

도 1에서 이미지감지부(210) 중 어느 하나에 대한 리드아웃 회로(Readout Circuitry)(120), 전기접합영역(140) 및 배선(150)을 도시하였으며, 나머지 이미지감지부(210) 들도 같은 방식으로 배선(150), 리드아웃 회로(120), 전기접합영역(140)과 연결될 수 있다.

도 1의 도면 부호 중 미설명 도면 부호는 이하 제조방법에서 설명하기로 한다.

이하, 도 2 내지 도 4를 참조하여 1 실시예에 따른 이미지센서의 제조방법을 설명한다. 도 2는 도 1에서 배선(150)이 형성된 제1 기판(100)에 대한 상세도이다.

이하, 도 2에 대해서 상술하기로 한다.

우선, 도 2와 같이 배선(150)과 리드아웃 회로(Circuitry)(120)가 형성된 제1 기판(100)을 준비한다. 예를 들어, 제2 도전형 제1 기판(100)에 소자분리막(110)을 형성하여 액티브영역을 정의하고, 상기 액티브영역에 트랜지스터를 포함하는 리드아웃 회로(120)를 형성한다. 예를 들어, 리드아웃 회로(120)는 트랜스퍼트랜지스터(Tx)(121), 리셋트랜지스터(Rx)(123), 드라이브트랜지스터(Dx)(125), 실렉트랜지스터(Sx)(127)를 포함하여 형성할 수 있다. 이후, 플로팅디퓨젼영역(FD)(131), 상기 각 트랜지스터에 대한 소스/드레인영역(133, 135, 137)을 포함하는 이온주입영역(130)을 형성할 수 있다. 또한, 실시예에 의하면 노이즈 제거 회로(미도시)를 추가하여 감도를 향상시킬 수 있다.

상기 제1 기판(100)에 리드아웃 회로(120)를 형성하는 단계는 상기 제1 기판(100)에 전기접합영역(140)을 형성하는 단계 및 상기 전기접합영역(140) 상부에 상기 배선(150)과 연결되는 제1 도전형 연결영역(147)을 형성하는 단계를 포함할 수 있다.

예를 들어, 상기 전기접합영역(140)은 PN 졍션(junction)(140) 일 수 있으나 이에 한정되는 것은 아니다. 예를 들어, 상기 전기접합영역(140)은 제2 도전형 웰(141) 또는 제2 도전형 에피층 상에 형성된 제1 도전형 이온주입층(143), 상기 제1 도전형 이온주입층(143) 상에 형성된 제2 도전형 이온주입층(145)을 포함할 수 있다. 예를 들어, 상기 PN 졍션(junction)(140)은 도 2와 같이 P0(145)/N-(143)/P-(141) Junction 일 수 있으나 이에 한정되는 것은 아니다. 상기 제1 기판(100)은 제2 도전형으로 도전되어 있을 수 있으나 이에 한정되는 것은 아니다.

실시예에 의하면 트랜스퍼 트랜지스터(Tx) 양단의 소스/드레인 간에 전압차(Potential Difference)가 있도록 소자 설계하여 포토차지(Photo Charge)의 완전한 덤핑(Fully Dumping)이 가능해질 수 있다. 이에 따라, 포토다이오드에서 발생한 포토차지(Photo Charge)가 플로팅디퓨젼 영역으로 덤핑됨에 따라 출력이미지 감도를 높일 수 있다.

즉, 실시예는 도 2와 같이 리드아웃 회로(120)가 형성된 제1 기판(100)에 전기접합영역(140)을 형성시킴으로써 트랜스퍼 트랜지스터(Tx)(121) 양단의 소스/드레인 간에 전압차가 있도록 하여 포토차지의 완전한 덤핑이 가능해질 수 있다.

이하, 실시예의 포토차지의 덤핑구조에 대해서 구체적으로 설명한다.

실시예에서 N+ 졍션인 플로팅디퓨젼(FD)(131) 노드(Node)와 달리, 전기접합영역(140)인 P/N/P 졍션(140)은 인가전압이 모두 전달되지 않고 일정 전압에서 핀치오프(Pinch-off) 된다. 이 전압을 피닝볼티지(Pinning Voltage)이라 부르며 피닝볼티지(Pinning Voltage)는 P0(145) 및 N-(143) 도핑(Doping) 농도에 의존한다.

구체적으로, 포토다이오드(210)에서 생성된 전자는 PNP 졍션(140)으로 이동하게 되며 트랜스퍼 트랜지스터(Tx)(121) 온(On)시, FD(131) 노드로 전달되어 전압으로 변환된다.

P0/N-/P- 졍션(140)의 최대 전압값은 피닝볼티지가 되고 FD(131) Node 최대 전압값은 Vdd-Rx Vth이 되므로, Tx(131) 양단간 전위차로 인해 차지쉐어링(Charge Sharing) 없이 칩(Chip) 상부의 포토다이오드(210)에서 발생한 전자가 FD(131) Node로 완전히 덤핑(Dumping) 될 수 있다.

즉, 실시예에서 제1 기판(100)인 실리콘 서브(Si-Sub)에 N+/P-well Junction이 아닌 P0/N-/P-well Junction을 형성시킨 이유는 4-Tr APS Reset 동작시 P0/N-/P-well Junction에서 N-(143)에 + 전압이 인가되고 P0(145) 및 P-well(141)에는 Ground 전압이 인가되므로 일정전압 이상에서는 P0/N-/P-well Double Junction이 BJT 구조에서와 같이 Pinch-Off가 발생하게 된다. 이를 Pinning Voltage라고 부른다. 따라서 Tx(121) 양단의 Source/Drain에 전압차가 발생하게 되어 Tx On/Off 동작 시 포토차지가 N-well에서 Tx를 통해 FD로 완전히 덤핑되어 Charge Sharing 현상을 방지할 수 있다.

따라서 종래기술과 같이 단순히 포토다이오드가 N+ Junction으로 연결된 경우와 달리, 실시예에 의하면 새츄레이션(Saturation) 저하 및 감도 하락 등의 문제를 피할 수 있다.

다음으로, 실시예에 의하면 포토다이오드와 리드아웃서킷 사이에 제1 도전형 연결영역(147)을 형성하여 포토차지(Photo Charge)의 원할한 이동통로를 만들어 줌으로써 암전류소스를 최소화하고, 새츄레이션(Saturation) 저하 및 감도의 하락을 방지할 수 있다.

이를 위해, 제1 실시예는 P0/N-/P- 졍션(140)의 표면에 오미컨택(Ohmic Contact)을 위한 제1 도전형 연결영역(147)으로서 n+ 도핑영역을 형성할 수 있다. 상기 N+ 영역(147)은 상기 P0(145)를 관통하여 N-(143)에 접촉하도록 형성할 수 있다.

한편, 이러한 제1 도전형 연결영역(147)이 리키지 소스(Leakage Source)가 되는 것을 최소화하기 위해 제1 도전형 연결영역(147)의 폭을 최소화할 수 있다. 이를 위해, 실시예는 제1 메탈컨택(151a) 에치(Etch) 후 플러그 임플란트(Plug Implant)를 진행할 수 있으나 이에 한정되는 것은 아니다. 예를 들어, 다른 예로 이온주입패턴(미도시)을 형성하고 이를 이온주입마스크로 하여 제1 도전형 연결영역(147)을 형성할 수도 있다.

즉, 제1 실시예와 같이 컨택(Contact) 형성 부에만 국부적으로 N+ Doping을 한 이유는 다크시그널(Dark Signal)을 최소화하면서 오믹컨택(Ohmic Contact) 형성을 원활히 해 주기 위함이다. 종래기술과 같이, Tx Source 부 전체를 N+ Doping 할 경우 기판표면 댕글링본드(Si Surface Dangling Bond)에 의해 Dark Signal이 증가할 수 있다.

그 다음으로, 상기 제1 기판(100) 상에 층간절연층(160)을 형성하고, 배선(150)을 형성할 수 있다. 상기 배선(150)은 제1 메탈컨택(151a), 제1 메탈(151), 제2 메탈(152), 제3 메탈(153) 및 제4 메탈컨택(154a)을 포함할 수 있으나 이에 한정되는 것은 아니다.

다음으로, 도 3과 같이 제2 기판(200) 상에 결정형 반도체층(crystalline semiconductor layer)(미도시)을 형성한다. 제1 실시예는 상기 포토다이오드(210)가 결정형 반도체층(crystalline semiconductor layer)에 형성된 예이다. 이로써, 제1 실시예에 의하면 이미지감지부가 리드아웃 회로의 상측에 위치하는 3차원 이미지센서를 채용하여 필팩터를 높이면서, 이미지감지부를 결정형 반도체층 내에 형성함으로써 이미지감지부 내의 디펙트를 방지할 수 있다.

예를 들어, 상기 제2 기판(200) 상에 에패택시얼에 의해 결정형 반도체층을 형성한다. 이후, 제2 기판(200)과 결정형 반도체층의 경계영역에 수소이온을 주입하여 수소이온 주입층(207a)을 형성한다. 상기 수소이온의 주입은 포토다이오드(210) 형성을 위한 이온주입 후에 진행될 수도 있다.

다음으로, 상기 결정형 반도체층에 이온주입에 의해 포토다이오드(210)를 형성한다. 예를 들어, 상기 결정형 반도체층 하부에 제2 도전형 전도층(216)을 형성한다. 예를 들어, 상기 결정형 반도체층 하부에 마스크 없이 블랭킷으로 제2 기판(200) 전면에 이온주입하여 고농도 P형 전도층(216)을 형성할 수 있다. 예를 들어, 상기 제2 도전형 전도층(216)은 약 0.5 ㎛ 이내의 졍션뎁스(junction depth)로 형성될 수 있다.

이후, 상기 제2 도전형 전도층(216) 상에 제1 도전형 전도층(214)을 형성한다. 예를 들어, 상기 2 도전형 전도층(216)의 상에 마스크 없이 블랭킷으로 제2 기판(200) 전면에 이온주입하여 저농도 N형 전도층(214)을 형성할 수 있다. 예를 들어, 상기 저농도 제1 도전형 전도층(214)은 약 1.0~2.0 ㎛의 졍션뎁스(junction depth)로 형성될 수 있다.

실시예에 의하면 상기 제1 도전형 전도층(214)의 두께가 상기 제2 도전형 전도층(216)의 두께보다 두껍게 형성됨으로써 차지 스토링 커패시티를 증가시킬 수 있다. 즉, N-층(214)을 더 두껍게 형성하여 면적을 확장시킴으로써 광전자를 함유할 수 있는 커패시티(capacity)를 향상시킬 수 있다.

이후, 제1 실시예는 상기 제1 도전형 전도층(214) 상에 고농도 제1 도전형 전도층(212)을 형성하는 단계를 더 포함할 수 있다. 예를 들어, 상기 고농도 제1 도전형 전도층(212)은 약 0.05~0.2 ㎛의 졍션뎁스(junction depth)로 형성될 수 있다. 예를 들어, 상기 1 도전형 전도층(214)의 상에 마스크 없이 블랭킷으로 제2 기판(200) 전면에 이온주입하여 고농도 N+형 전도층(212)을 더 형성함으로써 오믹컨택에 기여할 수 있다.

그 다음으로, 도 4와 같이 상기 포토다이오드(210)와 상기 배선(150)이 대응하도록 상기 제1 기판(100)과 상기 제2 기판(200)을 본딩(bonding)한다. 이때, 상기 제1 기판(100)과 제2 기판(200)을 본딩하기 전에 플라즈마에 의한 액티베이션에 의해 본딩되는 면의 표면에너지를 높임으로써 본딩을 진행할 수 있다. 한편, 본딩력을 향상시키기 위해 본딩계면에 절연층, 금속층 등을 개재하여 본딩을 진행할 수 있다.

이후, 상기 제2 기판(200)에 열처리를 통해 수소이온 주입층(207a)이 수소기체층(미도시)으로 변하게 할 수 있다. 이후, 수소기체층을 기준으로 포토다이오드(210)을 남기고 제2 기판(200)의 일부를 블레이드 등을 이용하여 제거하여 포토다이오드(210)가 노출되도록 할 수 있다.

이후, 상기 포토다이오드(210) 사이에 픽셀간 분리영역(220)을 형성할 수 있다. 예를 들어, 픽셀별로 분리하는 식각공정을 진행하여 픽셀간 절연층으로 픽셀간 분리영역(220)을 형성할 수 있다. 한편, 상기 픽셀간 분리영역(220)은 이미지감지부(210)의 상측에도 형성될 수 있으나 이에 한정되는 것은 아니다.

또한, 실시예는 상기 픽셀간 분리영역(220) 상에 광차단층(230)을 형성할 수 있다. 예를 들어, 상기 광차단층(230)은 금속층을 이용하여 형성할 수 있다. 예를 들어, 상기 광차단층(230)은 Al, Ti, TiN, W 중 어느 하나 이상으로 형성될 수 있으나 이에 한정되지 않는다.

상기 광차단층(230)은 상기 픽셀간 분리영역(220) 중 픽셀 경계 부분의 일부를 노출하는 감광막패턴(미도시)를 형성하고, 상기 감광막패턴을 식각마스크로 하여 트렌치(미도시)를 형성하고, 상기 트렌치에 금속층을 형성 한후 상기 감광막패턴을 애슁 등에 의해 제거함으로써 형성할 수 있다.

이때, 상기 트렌치의 폭을 이미지감지부(210)의 픽셀 경계의 폭 보다는 넓게 형성함으로써 상기 광차단층(230)의 수평폭이 픽셀경계에 해당하는 픽셀간 분리영역(220)의 수평폭 보다 넓게 형성하여 크로스토크로 작용할 수 있는 빛을 미연에 차단할 수 있다. 즉, 상기 광차단층(230)의 수평폭은 상기 이미지감지부(210) 사이의 거리 보다 넓게 형성될 수 있다.

실시예에 따른 이미지센서 및 그 제조방법에 의하면 이미지감지부 사이 상측에 광차단층을 형성함으로써 픽셀간의 크로스토크를 방지할 수 있다.

또한, 실시예는 상기 픽셀간 분리영역(220) 내에 상기 광차단층(230)을 형성함으로써 상기 픽셀간 분리영역(220)에 의해 상기 광차단층(230)이 전기적으로 절연되어 이미지감지부 사이를 전기적으로 절연시킬 수 있다.

다음으로, 상기 이미지감지부(210) 상측에 컬러필터(250), 평탄화층(240), 마이크로렌즈(260) 공정을 진행할 수 있다.

(제2 실시예)

도 5는 제2 실시예에 따른 이미지센서의 단면도로서, 배선(150)이 형성된 제1 기판(100)에 대한 상세도이다.

제2 실시예는 상기 제1 실시예의 기술적인 특징을 채용할 수 있다. 이하, 제1 실시예와 차별되는 점을 위주로 설명한다.

제2 실시예는 제1 실시예와 달리 전기접합영역(140)의 일측에 제1 도전형 연결영역(148)이 형성된 예이다.

실시예에 의하면 P0/N-/P- Junction(140)에 Ohmic Contact을 위한 N+ 연결영역(148)을 형성할 수 있는데, 이때 N+ 연결영역(148) 및 M1C Contact(151a) 형성공정에서 리키지소스(Leakage Source)가 발생할 수 있다. 왜냐하면, P0/N-/P- Junction(140)에 Reverse Bias가 인가된 채로 동작하므로 기판 표면(Si Surface)에 전기장(EF)이 발생할 수 있다. 이러한 전기장 내부에서 Contact 형성 공정 중에 발생하는 결정결함은 리키지소스가 된다.

또한, N+ 연결영역(148)을 P0/N-/P- Junction(140) 표면에 형성시킬 경우 N+/P0 Junction(148/145)에 의한 E-Field가 추가되므로 이 역시 Leakage Source가 될 수 있다.

따라서, 제2 실시예는 P0 층으로 도핑(Doping)되지 않고 N+ 연결영역(148)으로 이루어진 Active 영역에 제1 컨택플러그(151a)를 형성하고, 이를 N- Junction(143)과 연결시키는 Layout을 제시한다.

제2 실시예에 의하면 Si 표면의 E-Field가 발생하지 않게 되고 이는 3차원 집적(3-D Integrated) CIS의 암전류(Dark Current) 감소에 기여할 수 있다.

본 발명은 기재된 실시예 및 도면에 의해 한정되는 것이 아니고, 청구항의 권리범위에 속하는 범위 안에서 다양한 다른 실시예가 가능하다.

도 1은 제1 실시예에 따른 이미지센서의 단면도.

도 2 내지 도 4는 제1 실시예에 따른 이미지센서의 제조방법의 공정단면도.

도 5은 제2 실시예에 따른 이미지센서의 단면도.

Claims

제1 기판에 형성된 리드아웃 회로(Readout Circuitry);

상기 제1 기판에 상기 리드아웃 회로와 전기적으로 연결되어 형성된 전기접합영역;

상기 전기접합영역 상에 형성된 배선;

상기 배선 상에 형성된 이미지감지부(Image Sensing Device); 및

상기 이미지감지부에 대한 픽셀간 분리영역 상에 형성된 광차단층;을 포함하는 것을 특징으로 하는 이미지센서.
제1 항에 있어서,

상기 광차단층은

상기 이미지감지부의 픽셀간 분리영역의 수평폭 보다 넓게 형성되는 것을 특징으로 하는 이미지센서.
제1 항에 있어서,

상기 광차단층은

금속층을 이용하여 형성된 것을 특징으로 하는 이미지센서.
제3 항에 있어서,

상기 광차단층은

Al, Ti, TiN, W 중 어느 하나 이상으로 형성되는 것을 특징으로 하는 이미지센서.
제1 항에 있어서,

상기 광차단층은 상기 픽셀간 분리영역 내에 형성되는 것을 특징으로 하는 이미지센서.
제1 항에 있어서,

상기 리드아웃회로는 트랜지스터를 포함하고,

상기 트랜지스터 양측의 소스 및 드레인의 포텐셜 디퍼런스(Potential Difference)가 있는 것을 특징으로 하는 이미지센서.
제6 항에 있어서,

상기 트랜지스터는 트랜스퍼 트랜지스터이며,

상기 트랜지스터에 대한 소스의 이온주입농도가 상기 트랜지스터에 대한 드레인이 플로팅디퓨젼 영역의 이온주입농도 보다 낮은 것을 특징으로 하는 이미지센서.
제1 항에 있어서,

상기 전기접합영역과 상기 배선 사이에 형성된 제1 도전형 연결영역을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 이미지센서.
제8 항에 있어서,

상기 제1 도전형 연결영역은

상기 전기접합영역 상부에 상기 배선과 전기적으로 연결되어 형성되는 것을 특징으로 하는 이미지센서.
제8 항에 있어서,

상기 제1 도전형 연결영역은

상기 전기접합영역 일측에 상기 배선과 전기적으로 연결되어 형성되는 것을 특징으로 하는 이미지센서.
제1 기판에 리드아웃 회로(Readout Circuitry)를 형성하는 단계;

상기 제1 기판에 상기 리드아웃 회로와 전기적으로 연결되는 전기접합영역을 형성하는 단계;

상기 전기접합영역 상에 배선을 형성하는 단계;

상기 배선 상에 이미지감지부(Image Sensing Device)를 형성하는 단계;

상기 이미지감지부에 대한 픽셀간 분리영역을 형성하는 단계;

상기 픽셀간 분리영역 상에 광차단층을 형성하는 단계;를 포함하는 것을 특 징으로 하는 이미지센서의 제조방법.
제11 항에 있어서,

상기 광차단층을 형성하는 단계는

상기 이미지감지부의 픽셀간 분리영역의 수평폭 보다 넓게 형성되는 것을 특징으로 하는 이미지센서의 제조방법.
제11 항에 있어서,

상기 광차단층을 형성하는 단계는

금속층을 이용하여 광차단층을 형성하는 것을 특징으로 하는 이미지센서의 제조방법.
제13 항에 있어서,

상기 광차단층은

Al, Ti, TiN, W 중 어느 하나 이상으로 형성되는 것을 특징으로 하는 이미지센서의 제조방법.
제11 항에 있어서,

상기 광차단층은 상기 픽셀간 분리영역 내에 형성되는 것을 특징으로 하는 이미지센서의 제조방법.
제11 항에 있어서,

상기 리드아웃회로는 트랜지스터를 포함하고,

상기 트랜지스터 양측의 소스 및 드레인의 전압차(Potential Difference)가 있는 것을 특징으로 하는 이미지센서의 제조방법.
제16 항에 있어서,

상기 트랜지스터는 트랜스퍼 트랜지스터이며,

상기 트랜지스터에 대한 소스의 이온주입농도가 상기 트랜지스터에 대한 플로팅디퓨젼 영역의 이온주입농도 보다 낮은 것을 특징으로 하는 이미지센서의 제조방법.
제11 항에 있어서,

상기 전기접합영역과 상기 배선 사이에 제1 도전형 연결영역을 형성하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 이미지센서의 제조방법.
제18 항에 있어서,

상기 제1 도전형 연결영역은

상기 전기접합영역 상부에 상기 배선과 전기적으로 연결되어 형성하는 것을 특징으로 하는 이미지센서의 제조방법.
제18 항에 있어서,

상기 제1 도전형 연결영역은

상기 전기접합영역 일측에 상기 배선과 전기적으로 연결되어 형성하는 것을 특징으로 하는 이미지센서의 제조방법.