JP2023132147A - 固体撮像装置 - Google Patents

Abstract

【課題】制御信号線からその周囲に発生する電界強度を緩和することができる固体撮像装置を提供する。【解決手段】固体撮像装置は、基体の光入射側となる第１面側に配設され、光を電荷に変換する光電変換素子を有する画素と、画素に対応する位置において、基体の第１面とは反対側の第２面側に配設され、光電変換素子に一方の主電極が電気的に接続された転送トランジスタと、光電変換素子及び転送トランジスタの周囲を取り囲んで基体の厚さ方向に配設され、電気的、かつ、光学的に分離する画素分離領域と、第２面側において画素分離領域と重複する位置に配設され、転送トランジスタのゲート電極と制御信号線とを電気的に接続する接続部とを備えている。【選択図】図２

Description

本開示は、固体撮像装置に関する。

特許文献１には、撮像素子が開示されている。撮像素子は、ＣＭＯＳ（Complementary Metal Oxide Semiconductor）型イメージセンサを備えている。このイメージセンサでは、基板を貫通する溝を用いて、画素間を電気的、かつ、光学的に分離する分離パターンが形成されている。画素は、分離パターンにより周囲が囲まれた基板内に形成された光電変換領域（フォトダイオード）を備えている。
光電変換領域により光から変換された電荷は、転送トランジスタ及びフローティングディフュージョン領域を通して画素回路に転送される。転送トランジスタのゲート電極には制御信号線が接続されている。この制御信号線を通して入力される制御信号に基づいて、転送トランジスタの動作が制御されている。

ＷＯ２０１９－２２０９４５号公報

上記撮像素子では、制御信号線からその周囲に発生する電界強度を緩和することが望まれている。

本開示の一実施態様に係る固体撮像装置は、基体の光入射側となる第１面側に配設され、光を電荷に変換する光電変換素子を有する画素と、画素に対応する位置において、基体の第１面とは反対側の第２面側に配設され、光電変換素子に一方の主電極が電気的に接続された転送トランジスタと、光電変換素子及び転送トランジスタの周囲を取り囲んで基体の厚さ方向に配設され、電気的、かつ、光学的に分離する画素分離領域と、第２面側において画素分離領域と重複する位置に配設され、転送トランジスタのゲート電極と制御信号線とを電気的に接続する接続部とを備えている。

本開示の第１実施の形態に係る固体撮像装置の画素及び画素回路を示す回路図である。 図１に示される画素及び画素回路を構築するトランジスタの平面構成図である。 図２に示される画素が複数配列された状態の平面構成図である。 図２に示される画素及び転送トランジスタの縦断面構成図（図２に示されるＡ－Ａ切断線において切断して矢印Ｙ方向に見た断面図）である。 図２に示される画素及び転送トランジスタの縦断面構成図（図２に示されるＢ－Ｂ切断線において切断して矢印Ｘ方向に見た断面図）である。 図４及び図５に示される画素及び転送トランジスタの具体的な立体構成を説明する透視斜視図である。 図６に示される画素及び転送トランジスタを矢印Ｚ方向から見た平面構成図である。 図７に示されるＣ－Ｃ切断線において切断して矢印Ｙ方向に見た画素及び転送トランジスタの縦断面構成図である。 図７に示されるＤ－Ｄ切断線において切断して矢印Ｘ方向に見た画素及び転送トランジスタの縦断面構成図である。 第１実施の形態に係る固体撮像装置の製造方法を説明する第１工程断面図（図５及び図９に対応する縦断面構成図）である。 第２工程断面図である。 第３工程断面図である。 第４工程断面図である。 第５工程断面図である。 第６工程断面図である。 第７工程断面図である。 第８工程断面図である。 本開示の第２実施の形態に係る固体撮像装置の製造方法を説明する第１工程断面図（図５及び図９に対応する縦断面構成図）である。 第２工程断面図である。 第３工程断面図である。 第４工程断面図である。 第５工程断面図である。 第６工程断面図である。 第７工程断面図である。 第８工程断面図である。 本開示の第３実施の形態に係る固体撮像装置の画素及び転送トランジスタの具体的な立体構成を説明する図６に対応する透視斜視図である。 図２６に示される画素及び転送トランジスタを矢印Ｚ方向から見た図７に対応する平面構成図である。 図２７に示されるＥ－Ｅ切断線において切断して矢印Ｙ方向に見た画素及び転送トランジスタの図８に対応する縦断面構成図である。 図２７に示されるＦ－Ｆ切断線において切断して矢印Ｘ方向に見た画素及び転送トランジスタの図９に対応する縦断面構成図である。 本開示の第４実施の形態に係る固体撮像装置の画素及び転送トランジスタの具体的な立体構成を説明する図６に対応する透視斜視図である。 図３０に示される画素及び転送トランジスタを矢印Ｚ方向から見た図７に対応する平面構成図である。 図３１に示されるＧ－Ｇ切断線において切断して矢印Ｙ方向に見た画素及び転送トランジスタの図８に対応する縦断面構成図である。 図３１に示されるＨ－Ｈ切断線において切断して矢印Ｘ方向に見た画素及び転送トランジスタの図９に対応する縦断面構成図である。 本開示の第５実施の形態に係る固体撮像装置の画素及び転送トランジスタの具体的な立体構成を説明する図６に対応する透視斜視図である。 図３４に示される画素及び転送トランジスタを矢印Ｚ方向から見た図７に対応する平面構成図である。 図３５に示されるＩ－Ｉ切断線において切断して矢印Ｙ方向に見た画素及び転送トランジスタの図８に対応する縦断面構成図である。 図３５に示されるＪ－Ｊ切断線において切断して矢印Ｘ方向に見た画素及び転送トランジスタの図９に対応する縦断面構成図である。 本開示の第６実施の形態に係る固体撮像装置の画素及び転送トランジスタの具体的な立体構成を説明する図６に対応する透視斜視図である。 図３８に示される画素及び転送トランジスタを矢印Ｚ方向から見た図７に対応する平面構成図である。 図３９に示されるＫ－Ｋ切断線において切断して矢印Ｙ方向に見た画素及び転送トランジスタの図８に対応する縦断面構成図である。 図３９に示されるＬ－Ｌ切断線において切断して矢印Ｘ方向に見た画素及び転送トランジスタの図９に対応する縦断面構成図である。 本開示の第７実施の形態に係る固体撮像装置の画素及び転送トランジスタの具体的な立体構成を説明する図６に対応する透視斜視図である。 図４２に示される画素及び転送トランジスタを矢印Ｚ方向から見た図７に対応する平面構成図である。 図４３に示されるＭ－Ｍ切断線において切断して矢印Ｙ方向に見た画素及び転送トランジスタの図８に対応する縦断面構成図である。 図４３に示されるＮ－Ｎ切断線において切断して矢印Ｘ方向に見た画素及び転送トランジスタの図９に対応する縦断面構成図である。 本開示の第８実施の形態に係る固体撮像装置の画素、転送トランジスタ及び画素回路を構築するトランジスタを矢印Ｚ方向から見た図２及び図３に対応する平面構成図である。 本開示の第９実施の形態に係る固体撮像装置の画素、転送トランジスタ及び光学レンズを矢印Ｚ方向から見た図２及び図３に対応する平面構成図である。 本開示の第１０実施の形態に係る固体撮像装置の画素及び転送トランジスタを矢印Ｚ方向から見た図２及び図３に対応する平面構成図である。 第１０実施の形態に係る固体撮像装置において図４８に示される画素に対応する位置に配設される画素回路を構築するトランジスタを矢印Ｚ方向から見た平面構成図である。 本開示の第１１実施の形態に係る固体撮像装置の転送トランジスタのゲート電極及び制御信号線の接続部の立体構成を説明する斜視図である。 図５０に示される転送トランジスタのゲート電極及び制御信号線の接続部を矢印Ｚ方向から見た平面構成図である。 図５０に示される転送トランジスタのゲート電極及び制御信号線の接続部を矢印Ｙ方向に見た側面構成図である。 図５０に示される転送トランジスタのゲート電極及び制御信号線の接続部を矢印Ｘ方向に見た側面構成図である。 第１１実施の形態の第１変形例に係る固体撮像装置の転送トランジスタのゲート電極及び制御信号線の接続部の立体構成を説明する斜視図である。 図５４に示される転送トランジスタのゲート電極及び制御信号線の接続部を矢印Ｚ方向から見た平面構成図である。 図５４に示される転送トランジスタのゲート電極及び制御信号線の接続部を矢印Ｙ方向に見た側面構成図である。 図５４に示される転送トランジスタのゲート電極及び制御信号線の接続部を矢印Ｘ方向に見た側面構成図である。 第１１実施の形態の第２変形例に係る固体撮像装置の転送トランジスタのゲート電極及び制御信号線の接続部の立体構成を説明する斜視図である。 図５８に示される転送トランジスタのゲート電極及び制御信号線の接続部を矢印Ｚ方向から見た平面構成図である。 図５８に示される転送トランジスタのゲート電極及び制御信号線の接続部を矢印Ｙ方向に見た側面構成図である。 図５８に示される転送トランジスタのゲート電極及び制御信号線の接続部を矢印Ｘ方向に見た側面構成図である。 第１１実施の形態の第３変形例に係る固体撮像装置の転送トランジスタのゲート電極及び制御信号線の接続部の立体構成を説明する斜視図である。 図６２に示される転送トランジスタのゲート電極及び制御信号線の接続部を矢印Ｚ方向から見た平面構成図である。 図６２に示される転送トランジスタのゲート電極及び制御信号線の接続部を矢印Ｙ方向に見た側面構成図である。 図６２に示される転送トランジスタのゲート電極及び制御信号線の接続部を矢印Ｘ方向に見た側面構成図である。 第１１実施の形態の第４変形例に係る固体撮像装置の転送トランジスタのゲート電極及び制御信号線の接続部の立体構成を説明する斜視図である。 図６６に示される転送トランジスタのゲート電極及び制御信号線の接続部を矢印Ｚ方向から見た平面構成図である。 図６６に示される転送トランジスタのゲート電極及び制御信号線の接続部を矢印Ｙ方向に見た側面構成図である。 図６６に示される転送トランジスタのゲート電極及び制御信号線の接続部を矢印Ｘ方向に見た側面構成図である。 第１１実施の形態の第５変形例に係る固体撮像装置の転送トランジスタのゲート電極及び制御信号線の接続部の立体構成を説明する斜視図である。 図７０に示される転送トランジスタのゲート電極及び制御信号線の接続部を矢印Ｚ方向から見た平面構成図である。 図７０に示される転送トランジスタのゲート電極及び制御信号線の接続部を矢印Ｙ方向に見た側面構成図である。 図７０に示される転送トランジスタのゲート電極及び制御信号線の接続部を矢印Ｘ方向に見た側面構成図である。 第１１実施の形態の第６変形例に係る固体撮像装置の転送トランジスタのゲート電極及び制御信号線の接続部の立体構成を説明する斜視図である。 図７４に示される転送トランジスタのゲート電極及び制御信号線の接続部を矢印Ｚ方向から見た平面構成図である。 図７４に示される転送トランジスタのゲート電極及び制御信号線の接続部を矢印Ｙ方向に見た側面構成図である。 図７４に示される転送トランジスタのゲート電極及び制御信号線の接続部を矢印Ｘ方向に見た側面構成図である。 第１１実施の形態の第７変形例に係る固体撮像装置の転送トランジスタのゲート電極及び制御信号線の接続部の立体構成を説明する斜視図である。 図７８に示される転送トランジスタのゲート電極及び制御信号線の接続部を矢印Ｚ方向から見た平面構成図である。 図７８に示される転送トランジスタのゲート電極及び制御信号線の接続部を矢印Ｙ方向に見た側面構成図である。 図７８に示される転送トランジスタのゲート電極及び制御信号線の接続部を矢印Ｘ方向に見た側面構成図である。 第１１実施の形態の第８変形例に係る固体撮像装置の転送トランジスタのゲート電極及び制御信号線の接続部の立体構成を説明する斜視図である。 図８２に示される転送トランジスタのゲート電極及び制御信号線の接続部を矢印Ｚ方向から見た平面構成図である。 図８２に示される転送トランジスタのゲート電極及び制御信号線の接続部を矢印Ｙ方向に見た側面構成図である。 図８２に示される転送トランジスタのゲート電極及び制御信号線の接続部を矢印Ｘ方向に見た側面構成図である。 第１１実施の形態の第９変形例に係る固体撮像装置の転送トランジスタのゲート電極及び制御信号線の接続部の立体構成を説明する斜視図である。 図８６に示される転送トランジスタのゲート電極及び制御信号線の接続部を矢印Ｚ方向から見た平面構成図である。 図８６に示される転送トランジスタのゲート電極及び制御信号線の接続部を矢印Ｙ方向に見た側面構成図である。 図８６に示される転送トランジスタのゲート電極及び制御信号線の接続部を矢印Ｘ方向に見た側面構成図である。 本開示の実施の形態に係る第１応用例であって、車両制御システムの概略的な構成の一例を示すブロック図である。 車外情報検出部及び撮像部の設置位置の一例を示す説明図である。

以下、本開示の実施の形態について図面を参照して詳細に説明する。なお、説明は以下の順序で行う。
１．第１実施の形態
第１実施の形態は、固体撮像装置に、本技術を適用した例を説明する。第１実施の形態は、固体撮像装置の画素及び画素回路の回路構成、平面構成、縦断面構成及び固体撮像装置の製造方法について詳細に説明する。
２．第２実施の形態
第２実施の形態は、第１実施の形態に係る固体撮像装置において、画素分離領域の構成を変えた例を説明する。第２実施の形態は、固体撮像装置の製造方法を主体として説明する。
３．第３実施の形態
第３実施の形態は、第１実施の形態に係る固体撮像装置において、転送トランジスタ、制御信号線及びフローティングディフュージョン領域の配置形態を変えた例を説明する。
４．第４実施の形態
第４実施の形態は、第３実施の形態に係る固体撮像装置において、転送トランジスタの形状を変えた第１例を説明する。
５．第５実施の形態
第５実施の形態は、第３実施の形態に係る固体撮像装置において、転送トランジスタの形状を変えた第２例を説明する。
６．第６実施の形態
第６実施の形態は、第３実施の形態に係る固体撮像装置において、転送トランジスタの形状を変えた第３例を説明する。
７．第７実施の形態
第７実施の形態は、第３実施の形態に係る固体撮像装置において、転送トランジスタの形状を変えた第４例を説明する。
８．第８実施の形態
第８実施の形態は、第１実施の形態に係る固体撮像装置の第１応用例を説明する。第１応用例は、１段画素構造を有する固体撮像装置において、１つの画素回路が４つの画素により共有される例である。
９．第９実施の形態
第９実施の形態は、第１実施の形態に係る固体撮像装置の第２応用例を説明する。第２応用例は、１段画素構造を有する固体撮像装置において、２つの画素が共有される例である。
１０．第１０実施の形態
第１０実施の形態は、第１実施の形態に係る固体撮像装置の第３応用例を説明する。第３応用例は、２段画素構造を有する固体撮像装置において、１つの画素回路が４つの画素により共有される例である。
１１．第１１実施の形態
第１１実施の形態は、第３実施の形態に係る固体撮像装置において、転送トランジスタの形状を変えた第５例を説明する。ここでは、更に転送トランジスタの形状を変えた第１変形例～第９変形例を説明する。
１２．移動体への応用例
移動体制御システムの一例である車両制御システムに本技術を適用した例を説明する。
１３．その他の実施の形態

＜１．第１実施の形態＞
図１～図１７を用いて、本開示の第１実施の形態に係る固体撮像装置１及びその製造方法を説明する。

ここで、図中、適宜、示される矢印Ｘ方向は、便宜的に平面上に載置された固体撮像装置１の１つの平面方向を示している。矢印Ｙ方向は、矢印Ｘ方向に対して直交する他の１つの平面方向を示している。また、矢印Ｚ方向は、矢印Ｘ方向及び矢印Ｙ方向に対して直交する上方向を示している。つまり、矢印Ｘ方向、矢印Ｙ方向、矢印Ｚ方向は、丁度、三次元座標系のＸ軸方向、Ｙ軸方向、Ｚ軸方向に各々一致している。
なお、これらの各方向は、説明の理解を助けるために示されており、本技術の方向を限定するものではない。

［固体撮像装置１の構成］
（１）固体撮像装置１の画素１０及び画素回路２０の回路構成
図１は、固体撮像装置１を構築する画素１０及び画素回路２０の回路構成の一例を示している。

１つの画素１０は、光電変換素子（フォトダイオード）１１と、転送トランジスタ１２との直列回路により構成されている。ここでは、４つの画素１０が単位画素ＢＰとして構成されている。なお、単位画素ＢＰは、１つ、２つ、３つ又は５つ以上の画素１０により構築されてもよい。

光電変換素子１１は、固体撮像装置１の外部から入射された光を電荷（電気信号）に変換する。

転送トランジスタ１２は、ゲート電極と一対の主電極とを備えている。一対の主電極のうち、一方の主電極は光電変換素子１１に電気的に接続されている。他方の主電極は、フローティングディフュージョン領域（以下、単に「ＦＤ領域」という。）２５に電気的に接続され、このＦＤ領域２５を通して画素回路２０に接続されている。ゲート電極は、ここでは図示省略の制御信号線（水平信号線）に接続されている。ゲート電極には、制御信号線から制御信号ＴＧが入力される。制御信号ＴＧは、転送トランジスタ１２の導通動作又は非導通動作を制御し、光電変換素子１１から転送トランジスタ１２を介在させたＦＤ領域２５への電荷の転送を制御する。

画素回路２０は、ここでは、単位画素ＢＰ毎に配設されている。つまり、４つの画素１０に対して１つの画素回路２０が配設されている。画素回路２０は、画素１０において光から変換された電荷の信号処理を行う。
第１実施の形態において、画素回路２０は、第１トランジスタ～第４トランジスタの４つのトランジスタを備えて構築されている。

ここでは、第１トランジスタは、ゲート電極及び一対の主電極を有する増幅トランジスタ２１である。第２トランジスタは、ゲート電極及び一対の主電極を有する選択トランジスタ２２である。第３トランジスタは、ゲート電極及び一対の主電極を有するフローティングディフュージョン変換ゲイン切替えトランジスタ（以下、単に「ＦＤ変換ゲイン切替えトランジスタ」という。）２３である。そして、第４トランジスタは、ゲート電極及び一対の主電極を有するリセットトランジスタ２４である。

増幅トランジスタ２１のゲート電極は、ＦＤ領域２５に接続されている。増幅トランジスタ２１の一方の主電極は電源電圧端子ＶＤＤに接続され、他方の主電極は選択トランジスタ２２の一方の主電極に接続されている。
選択トランジスタ２２のゲート電極は、選択信号線ＳＥＬに接続されている。選択トランジスタ２２の他方の主電極は、垂直信号線ＶＳＬ及び電流源負荷ＬＣに接続されている。電流源負荷ＬＣは基準電圧端子ＧＮＤに接続されている。
ＦＤ変換ゲイン切替えトランジスタ２３のゲート電極は、フローティングディフュージョン制御信号線ＦＤＧに接続されている。ＦＤ変換ゲイン切替えトランジスタ２３の一方の主電極はＦＤ領域２５に接続され、他方の主電極はリセットトランジスタ２４の一方の主電極に接続されている。
リセットトランジスタ２４のゲート電極は、リセット信号線ＲＳＴに接続されている。リセットトランジスタ２４の他方の主電極は、電源電圧端子ＶＤＤに接続されている。

固体撮像装置１では、画素回路２０は、更に図示省略の画像処理回路に接続されている。画像処理回路は、例えば、アナログデジタルコンバータ（ＡＤＣ）とデジタルシグナルプロセッサ（ＤＳＰ）とを備えている。
画素１０により光から変換された電荷は、アナログ信号である。このアナログ信号は、画素回路２０において増幅処理される。ＡＤＣは、画素回路２０から出力されるアナログ信号をデジタル信号に変換する。ＤＳＰは、デジタル信号の機能処理を行う。つまり、画像処理回路では、画像作成の信号処理が行われる。

（２）画素１０及び画素回路２０を構築するトランジスタ２００の基本レイアウト構成
図２は、画素１０及び画素回路２０を構築するトランジスタ２００の基本構成の一例を表している。
矢印Ｚ方向から見て（以下、単に「平面視において」という。）、１つの画素１０及び画素回路２０を構築するトランジスタ２００は、画素分離領域１６に周囲を取り囲まれた領域内に配設されている。画素分離領域１６は、他の領域に対して、画素１０を電気的、かつ、光学的に分離している。
ここで、平面視とは、本技術に係る「第２面２Ｂ（図４参照）」側から見てという意味において使用されている。矢印Ｚ方向とは反対側は光入射面として構成されている。光入射面は、本技術に係る「第１面２Ａ（図４参照）」である。光入射面側には、画素１０を構築する光電変換素子１１が配設されている。

画素分離領域１６は、一定の幅寸法を持って矢印Ｘ方向へ延設され、一定の離間寸法を持って矢印Ｙ方向に複数配列されている。さらに、画素分離領域１６は、同様に、一定の幅寸法を持って矢印Ｙ方向へ延設され、一定の離間寸法を持って矢印Ｘ方向に複数配列されている。つまり、画素分離領域１６は平面視において格子形状に配設され、画素分離領域１６に区画された領域内に画素１０及びトランジスタ２００が配設されている。
ここで、矢印Ｘ方向は、本技術に係る「第１方向」である。また、矢印Ｙ方向は、第１方向に対して交差する、本技術に係る「第２方向」である。

特に限定されるものではないが、第１実施の形態では、平面視において、画素分離領域１６により正方形状に区画された領域内に、画素１０及びトランジスタ２００が配設されている。ここでは、画素分離領域１６により区画された１つの領域内に、１つの画素１０が配設されている。そして、画素分離領域１６により区画された１つの領域内に、画素回路２０を構築する１つのトランジスタ２００が配設されている。
なお、画素分離領域１６等の縦断面構造は、後に説明する。

トランジスタ２００は、第１トランジスタ、第２トランジスタ、第３トランジスタ又は第４トランジスタである。すなわち、トランジスタ２００は、増幅トランジスタ２１、選択トランジスタ２２、ＦＤ変換ゲイン切替えトランジスタ２３、リセットトランジスタ２４のいずれかである。

トランジスタ２００は、素子分離領域２６により周囲を取り囲まれ、他の領域に対して少なくとも電気的に分離されている。トランジスタ２００は、チャネル形成領域２０１と、ゲート絶縁膜２０２と、ゲート電極２０３と、一対の主電極２０４とを備えている。主電極２０４は、第１導電型としてのｎ型半導体領域により形成され、ソース電極又はドレイン電極として使用されている。
ここで、トランジスタ２００は、ｎチャネル絶縁ゲート電界効果トランジスタ（ＩＧＦＥＴ：Insulated Gate Field Effect Transistor）である。ＩＧＦＥＴには、金属体－酸化膜－半導体電界効果トランジスタ（ＭＯＳＦＥＴ：Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor）及び金属体－絶縁体－半導体電界効果トランジスタ（ＭＩＳＦＥＴ：Metal Insulator Semiconductor Field Effect Transistor）が含まれている。

第１実施の形態では、トランジスタ２００は、画素１０に対応する領域において、画素分離領域１６の延設方向に対して斜め方向に配置されている。すなわち、トランジスタ２００は、矢印Ｘ方向又は矢印Ｙ方向に対して、斜め方向に配置されている。

詳しく説明すると、トランジスタ２００は、画素分離領域１６により区画された領域（平面視において正方形状の領域）において、仮想線として示してある左上側から右下側への対角線Ｄ１－Ｄ１に、ゲート長Ｌｇ方向を一致させて配置されている。ゲート長Ｌｇは、ゲート電極２０３の一対の主電極２０４間の実効的な長さである。また、ゲート幅Ｗｇは、ゲート長Ｌｇ方向に対して直交する方向であって、仮想線として示してある左下側から右上側への対角線Ｄ２－Ｄ２に一致する方向の長さである。
ここで、矢印Ｘ方向へ延設される画素分離領域１６と対角線Ｄ１－Ｄ１とがなす最小の角度α１は、４５度である。最大の角度は、１３５度になる。矢印Ｙ方向へ延設される画素分離領域１６と対角線Ｄ１－Ｄ１とがなす最小の角度α２は、当然のことながら、４５度である。角度α１が４５度に設定されると、トランジスタ２００において、ゲート長Ｌｇ寸法並びにゲート幅Ｗｇ寸法を最大値にすることができる。

なお、角度α１は、３０度以上９０度未満の角度において適宜設定可能である。表現を代えれば、トランジスタ２００が斜めに配置されると、斜めに配置されない場合に比し、トランジスタ２００のゲート長Ｌｇ及びゲート幅Ｗｇを増やすことができる。

一方、画素分離領域１６により区画された領域において、トランジスタ２００よりも右上側の対角線Ｄ２－Ｄ２に沿った領域には、転送トランジスタ１２及びＦＤ領域２５が配設されている。

転送トランジスタ１２は、矢印Ｘ方向に延設される画素分離領域１６と矢印Ｙ方向に延設される画素分離領域１６との交差部の近傍であって、矢印Ｘ方向に延設される画素分離領域１６に沿った位置に配設されている。転送トランジスタ１２は、矢印Ｚ方向をゲート長Ｌｇ方向として延設される垂直ゲート電極（ゲート電極）２０５を有する縦型トランジスタとして構成されている。転送トランジスタ１２は、ここではｎチャネル導電型ＩＧＦＥＴにより構成されている。

ＦＤ領域２５は、矢印Ｘ方向へ延設される画素分離領域１６と矢印Ｙ方向へ延設される画素分離領域１６との交差部の近傍であって、矢印Ｙ方向に延設される画素分離領域１６に沿った位置に配設されている。ＦＤ領域２５は、ｎ型半導体領域により形成されている。ＦＤ領域２５は、トランジスタ２００に対して素子分離領域２６を介在させて配置されている。

また、画素分離領域１６により区画された領域において、トランジスタ２００よりも左下側の対角線Ｄ２－Ｄ２に沿った領域には、基体接続部２７が配設されている。基体接続部２７は、矢印Ｙ方向へ延設される画素分離領域１６の中間部に配設されている。基体接続部２７は、第２導電型としてのｐ型半導体領域により形成されている。基体接続部２７は、ウエルコンタクト領域であり、基準電圧端子ＧＮＤに接続されている。つまり、基体接続部２７は、基準電圧をｐ型ウエル領域に供給する。

なお、図２中、黒丸により示された部分は、トランジスタ２００の光電変換素子１１とは反対側の上層に配設される配線７（図１７参照）との接続領域（コンタクト領域）である。配線７には、例えば銅（Ｃｕ）配線が使用されている。

（３）画素１０のレイアウト構成
図３は、複数の画素１０を配列したレイアウト構成の一例を表している。
画素１０は、矢印Ｘ方向に一定の間隔において複数配列され、更に矢印Ｙ方向に一定の間隔において複数配列されている。つまり、平面視において、複数の画素１０は行列状に配列されている。

矢印Ｘ方向に配列された複数の画素１０間には、矢印Ｘ方向を幅方向とし、矢印Ｙ方向に延設される画素分離領域１６が延設されている。矢印Ｙ方向に配列された複数の画素１０間には、矢印Ｙ方向を幅方向とし、矢印Ｘ方向に延設される画素分離領域１６が延設されている。

（４）共有接続部３２及び３３の基本レイアウト構成
複数の画素１０間には、共有接続（Shared Contact 又は Side Contact）部３２及び共有接続部３３が配設されている。

図２及び図３に示されるように、共有接続部３２は、ここでは、画素１０のＦＤ領域２５と、矢印Ｘ方向に隣接する他の画素１０のＦＤ領域２５との間に配設されている。詳しく説明すると、共有接続部３２は、矢印Ｘ方向に隣接する、合計２つの画素１０のＦＤ領域２５にわたって形成され、合計２つのＦＤ領域２５に電気的にダイレクトに接続されている。
また、共有接続部３２は、矢印Ｘ方向及び矢印Ｙ方向に隣接する、合計４つの画素１０のＦＤ領域２５にわたって形成され、合計４つのＦＤ領域２５に電気的に接続されてもよい（図４６参照）。つまり、共有接続部３２は、複数の画素１０のＦＤ領域２５にわたって形成されている。

共有接続部３３は、ここでは、画素１０の基体接続部２７と、矢印Ｘ方向に隣接する他の画素１０の基体接続部２７との間に配設されている。共有接続部３３は、共有接続部３２と同様に、矢印Ｘ方向に隣接する、合計２つの画素１０の基体接続部２７にわたって形成され、合計２つの基体接続部２７に電気的にダイレクトに接続されている。
また、共有接続部３３は、矢印Ｘ方向及び矢印Ｙ方向に隣接する、合計４つの画素１０の基体接続部２７にわたって形成され、合計４つの基体接続部２７に電気的に接続されてもよい（図４６参照）。

（５）画素１０の縦断面構成
図４は、図２に示される画素１０をＡ－Ａ切断線において切断したときの具体的な断面構成の一例を示している。図５は、図２に示される画素１０をＢ－Ｂ切断線において切断したときの具体的な断面構成の一例を表している。

図４及び図５に示されるように、画素１０の光電変換素子１１は、基体２の第１面２Ａ側に配設されている。ここで、基体２には、例えば半導体基板が使用されている。さらに詳しく説明すると、ｐ型半導体領域（又はｐ型ウエル領域）２Ｐを有する単結晶珪素基板が使用されている。光電変換素子１１は、ｐ型半導体領域２Ｐと符号省略のｎ型半導体領域とのｐｎ接合部に形成されている。

画素１０の周囲を取り囲む画素分離領域１６は、第１溝１６１と、第１埋設部材１６２とを備えている。
第１溝１６１は、基体２の第２面２Ｂ側の上面から第１面２Ａ側の下面へ、基体２の厚さ方向に貫通する深い溝として形成されている。
第１埋設部材１６２は、第１溝１６１内に埋め込まれている。ここで、第１埋設部材１６２は、第１溝１６１内壁に沿って設けられた絶縁体及び第１溝１６１内に絶縁体を介在して埋め込まれた埋設部材により形成されている。絶縁体には、例えば酸化珪素膜、窒化珪素膜等が使用されている。埋込部材には、例えば多結晶珪素膜が使用されている。
つまり、画素分離領域１６は、トレンチアイソレーション構造により構成されている。
また、ここでの詳細な図示並びに説明は省略するが、光電変換素子１１に対応する領域において、基体２内部の光電変換素子１１と画素分離領域１６との間にはピニング領域が配設されている。

さらに、図５に示されるように、画素分離領域１６は、素子分離領域２６を含んで構成されている。素子分離領域２６は、前述の通り、例えばトランジスタ２００とＦＤ領域２５との間、トランジスタ２００と基体接続部２７との間等を電気的に分離する。素子分離領域２６は、第２溝２６１と、第２埋設部材２６２とを備えている。
第２溝２６１は、基体２の上面から下面側へ向かって厚さ方向に形成されている溝である。第２溝２６１は光電変換素子１１に達しない程度の溝であり、第２溝２６１の深さは第１溝１６１の深さよりも浅い。また、ここでは、第２溝２６１の溝幅は、第１溝１６１の溝幅よりも広い。
第２埋設部材２６２は、第２溝２６１内に埋め込まれている。第２埋設部材２６２は、例えば、第１埋設部材１６２の絶縁体と同様の絶縁材料により形成されている。
素子分離領域２６は、トレンチアイソレーション構造により構成されている。

ここで、図４に示されるように、共有接続部３２は、画素分離領域１６の第２面２Ｂ側の一部を取り除いた領域に配設されている。詳しく説明すると、画素分離領域１６を構築する素子分離領域２６の一部が取り除かれた領域に、画素分離領域１６を跨がって共有接続部３２が配設されている。
共有接続部３２は、ゲート電極材料、具体的には例えば多結晶珪素膜により形成されている。多結晶珪素膜には、抵抗値を低減するｎ型不純物が導入されている。
また、共有接続部３３は、基本的には共有接続部３２と同様の構成により形成されているが、多結晶珪素膜には、ｐ型不純物が導入されている。

図４及び図５に示されるように、転送トランジスタ１２は、垂直ゲート電極２０５を備えている。第１実施の形態では、垂直ゲート電極２０５は、平面視において、矢印Ｘ方向の長さよりも矢印Ｙ方向の長さが長い長方形状の矩形状に形成されている。垂直ゲート電極２０５は、基体２の厚さ方向をゲート長Ｌｇ方向として延設されている。つまり、垂直ゲート電極２０５は、直方体形状に形成されている。
なお、垂直ゲート電極２０５の角部分は、面取り形状や曲面形状（Ｒ形状）に形成されてもよい。このような形状を備えることにより、角部分の電界集中を緩和することができる。

垂直ゲート電極２０５の第１面２Ａ側の一端部は、光電変換素子１１のｎ型半導体領域に達して形成されている。光電変換素子１１のｎ型半導体領域は、転送トランジスタ１２の一方の主電極である。
一方、垂直ゲート電極２０５の第２面２Ｂ側の他端部は、ＦＤ領域２５に接続されている。ＦＤ領域２５は、転送トランジスタ１２の他方の主電極である。ここでは、垂直ゲート電極２０５の他端部は、基体２の第２面２Ｂよりも第１面２Ａ側に配設されている。詳しく説明すると、垂直ゲート電極２０５の第２面２Ｂ側の第３面（上面）２０５Ｕは、ＦＤ領域２５の第１面２Ａ側の第４面（下面）２５Ｂに対して、同一の位置、又は第１面２Ａ側の位置に形成されている。
ここで、ＦＤ領域２５は、平面視において、矩形状に形成されている。そして、前述の通り、垂直ゲート電極２０５は、矩形状に形成されているので、ＦＤ領域２５の１辺に対応する側面に沿って配設されている。

垂直ゲート電極２０５の他端部は、基体２の第２面２Ｂに対して掘り下げた断面形状に形成されている。この掘り下げられた部位には、絶縁体としての層間絶縁膜６が埋設されている。層間絶縁膜６は、後述するが、トランジスタ２００とトランジスタ２００の上層に配設される配線７（図１７参照）との間に形成され、層間絶縁膜６の一部が掘り下げられた部位に埋設されている。層間絶縁膜６は、例えば酸化珪素膜により形成されている。

転送トランジスタ１２のゲート絶縁膜は、図示並びに符号を省略するが、垂直ゲート電極２０５とｐ型半導体領域２Ｐとの間に配設されている。ゲート絶縁膜に接するｐ型半導体領域２Ｐの部位はチャネル形成領域として使用されている。

そして、図２及び図５に示されるように、転送トランジスタ１２の垂直ゲート電極２０５の他端部には、制御信号線（図１７に示される「配線７」参照）と垂直ゲート電極２０５との間を電気的に接続する、制御信号線の接続部１２１が電気的に接続されている。接続部１２１には、制御信号線から転送トランジスタ１２への制御信号ＴＧが入力される。

（６）接続部１２１の具体的な構成
図６は、図４及び図５に示される画素１０、転送トランジスタ１２、接続部１２１及びＦＤ領域２５の立体構成の一例を表している。図７は、図６に示される画素１０等を矢印Ｚ方向から見た平面構成の一例を表している。図８は、図７に示されるＣ－Ｃ切断線において切断して矢印Ｙ方向に見た画素１０等の縦断面構成の一例を表している。図９は、図７に示されるＤ－Ｄ切断線において切断して矢印Ｘ方向に見た画素１０等の縦断面構成の一例を表している。

図６～図９に示されるように、接続部１２１は、基体２の第２面２Ｂ側において画素分離領域１６と重複する位置に配設されている。詳しく説明すると、第１実施の形態において、接続部１２１及びそれに接続される制御信号線（配線７）は、転送トランジスタ１２の垂直ゲート電極２０５に近接した位置において、矢印Ｘ方向に延設される画素分離領域１６と重複する画素分離領域１６上に配設されている。以下、接続部１２１を主体に説明し、制御信号線の説明は省略する。

ここでは、接続部１２１の矢印Ｙ方向の幅寸法は、矢印Ｘ方向に延設される画素分離領域１６の幅寸法に対して、少なくとも転送トランジスタ１２側に大きく形成されている。つまり、接続部１２１の一部は、平面視において、垂直ゲート電極２０５に重複する位置まで延設されている。この延設された位置において、接続部１２１は、垂直ゲート電極２０５に電気的に接続されている。このため、接続部１２１は、基体２のｐ型半導体領域２Ｐの表面に実質的に接することなく、垂直ゲート電極２０５に電気的に接続されている。

ここでは、ＦＤ領域２５は、矢印Ｙ方向に延設される画素分離領域１６の近傍の位置に配設され、この矢印Ｙ方向に延設される画素分離領域１６をわたって配設された共有接続部３２を通して、他のＦＤ領域２５に接続されている。
また、ＦＤ領域２５の角部分は、垂直ゲート電極２０５の角部分と同様に、面取り形状や曲面形状に形成されてもよい。

［固体撮像装置１の製造方法］
図１０～図１７は、固体撮像装置１の一例の製造方法を工程毎に示している。ここでは、画素分離領域１６、素子分離領域２６、転送トランジスタ１２及び接続部１２１の製造方法について詳細に説明する。

画素１０間となる領域において、基体２に画素分離領域１６が形成される（図１０参照）。引き続き、図１０に示されるように、画素１０間となる領域及び素子間となる領域に素子分離領域２６が形成される。
画素分離領域１６は、第１溝１６１を形成し、第１溝１６１内に第１埋設部材１６２を埋設して形成される。第１溝１６１の形成には、反応性イオンエッチング（ＲＩＥ：Reactive Ion Etching）等の異方性エッチングが使用される。第１埋設部材１６２は、例えば化学的気相析出（ＣＶＤ：Chemical Vaper Deposition）法を用いた多結晶珪素膜等により形成される。素子分離領域２６は、第２溝２６１を形成し、第２溝２６１内に第２埋設部材を埋設して形成される。第２溝２６１は、第１溝１６１と同様に、異方性エッチングを用いて形成される。第２埋設部材２６２は、ＣＶＤ法を用いた酸化珪素膜等により形成される。

基体２の第２面２Ｂ上にマスク８０１、マスク８０２、マスク８０３が順次形成される（図１１参照）。マスク８０１には、例えば熱酸化珪素膜が使用される。マスク８０２には、マスク８０１に対してエッチング選択比を確保可能な、例えば窒化珪素膜が使用される。マスク８０３には、例えばフォトリソグラフィ技術により形成されたレジスト膜が使用される。
図１１に示されるように、転送トランジスタ１２の形成領域において、マスク８０１～マスク８０３を用いて、基体２の第２面２Ｂから第１面２Ａ側に掘り下げられた溝２０５Ｈが形成される。溝２０５Ｈの形成には、例えば異方性エッチングが使用される。
この後、マスク８０３が除去される。

図１２に示されるように、溝２０５Ｈの内壁及び底面に沿って、基体２の表面上にゲート絶縁膜２０５Ｇが形成される。ゲート絶縁膜２０５Ｇは、例えばＣＶＤ法を用いた酸化珪素膜により形成される。引き続き、図１３に示されるように、溝２０５Ｈの内壁及び底面に沿って、基体２の表面部分にピニング領域２０Ｐが形成される。

図１４に示されるように、溝２０５Ｈ内を埋設して、更に基体２の第２面２Ｂ側にゲート電極層２０５Ａが形成される。ゲート電極層２０５Ａは、例えばＣＶＤ法を用いた多結晶珪素膜により形成される。多結晶珪素膜には、成膜中又は成膜後に、抵抗値を低減するｎ型不純物が導入される。

図１５に示されるように、接続部１２１の形成領域にマスク８０４が形成され、マスク８０４を用いてゲート電極層２０５Ａがパターンニングされる。マスク８０４には、例えばフォトリソグラフィ技術により形成されたレジスト膜が使用される。
このパターンニングにより、ゲート電極層２０５Ａから画素分離領域１６に重複して配設される接続部１２１が形成される。さらに、溝２０５Ｈ内にはゲート電極層２０５Ａが埋設された状態となり、このゲート電極層２０５Ａから転送トランジスタ１２の垂直ゲート電極２０５が形成される。
この後、マスク８０４が除去される。

図１６に示されるように、転送トランジスタ１２の垂直ゲート電極２０５の形成領域が開口されたマスク８０５が形成され、マスク８０５を用いて垂直ゲート電極２０５の第２面２Ｂ側の他端部が除去される。つまり、垂直ゲート電極２０５の一部が掘り下げられる。この垂直ゲート電極２０５の掘り下げられた底面は、第３面２０５Ｕとされる。第３面２０５Ｕは、後に形成されるＦＤ領域２５の第４面２５Ｂ（図８及び図９参照）に対して、同一の位置、又は第１面２Ａ側の位置に形成される。

図示省略の共有接続部３２及び共有接続部３３（図２～図４参照）が形成された後、層間絶縁膜６が形成される（図１７参照）。層間絶縁膜６は、例えばＣＶＤ法を用いた酸化珪素膜又は窒化珪素膜により形成される。層間絶縁膜６が形成されると、垂直ゲート電極２０５の折り下げられた部位が層間絶縁膜６により埋設される。
図１７に示されるように、層間絶縁膜６に接続孔６Ｈが形成され、引き続き、層間絶縁膜６上に接続孔６Ｈを通して接続部１２１等に電気的に接続される配線７が形成される。

これら一連の工程が終了すると、第１実施の形態に係る固体撮像装置１が完成し、製造方法が終了する。

［作用効果］
第１実施の形態に係る固体撮像装置１は、図１～図９に示されるように、画素１０と、転送トランジスタ１２と、画素分離領域１６（及び素子分離領域２６）とを備える。画素１０は、基体２の光入射側となる第１面２Ａ側に配設され、光を電荷に変換する光電変換素子１１を有する。転送トランジスタ１２は、画素１０に対応する位置において、基体２の第１面２Ａとは反対側の第２面２Ｂ側に配設され、光電変換素子１１に一方の主電極２０４を電気的に接続する。画素分離領域１６は、光電変換素子１１及び転送トランジスタ１２の周囲を取り囲んで基体２の厚さ方向に配設され、電気的、かつ、光学的に分離する。
ここで、図２、図３、図５～図７及び図９に示されるように、固体撮像装置１は、更に接続部１２１を備える。接続部１２１は、基体２の第２面２Ｂ側において画素分離領域１６と重複する位置に配設される。接続部１２１には、制御信号線（配線７）が電気的に接続される。さらに、接続部１２１は、転送トランジスタ１２の垂直ゲート電極（ゲート電極）２０５に電気的に接続される。
このため、接続部１２１から基体２の第２面２Ｂ側への電界の広がりを効果的に抑制又は防止することができる。また、同様に、制御信号線（配線７）から基体２の第２面２Ｂ側への電界の広がりを効果的に抑制又は防止することができる。特に、転送トランジスタ１２とＦＤ領域２５との間の領域において、接続部１２１からの電界のｐ型半導体領域２Ｐの表面部分での広がりを効果的に抑制又は防止することができる。これにより、接続部１２１からの電界強度を緩和することができるので、ＦＤ白点特性を改善することができる。

また、固体撮像装置１では、図２、図３及び図６～図９に示されるように、画素分離領域１６は、矢印Ｘ方向に延設される画素分離領域（第１画素分離領域）１６と、矢印Ｘ方向に対して交差する矢印Ｙ方向に延設される画素分離領域（第２画素分離領域）１６とを備える。そして、第１実施の形態では、接続部１２１は、矢印Ｘ方向に延設される画素分離領域１６に重複する位置に配設される。一方、ＦＤ領域２５は、矢印Ｘ方向に延設される画素分離領域１６と矢印Ｙ方向に延設される画素分離領域１６との交差部、又は矢印Ｙ方向に延設される画素分離領域１６に近接する位置に配設される。
このため、互いに異なる方向に延設される画素分離領域１６に重複させて、又は近接させて接続部１２１とＦＤ領域２５とが配設されるので、接続部１２１が配置された位置に対して、ＦＤ領域２５は十分離間された位置に配置される。これにより、接続部１２１からＦＤ領域２５への電界強度を緩和することができる。

また、固体撮像装置１では、図４及び図８に示されるように、転送トランジスタ１２の垂直ゲート電極２０５の第２面２Ｂ側の第３面２０５Ｕは、ＦＤ領域２５の第１面２Ａ側の第４面２５Ｂに対して、基体２の厚さ方向において同一の位置、又は第４面２５Ｂよりも第１面２Ａ側の位置に形成される。
このため、光電変換素子１１から転送トランジスタ１２を通してＦＤ領域２５へ流れる電荷の経路を、接続部１２１からＦＤ領域２５側へ離間させることができる。これにより、接続部１２１が配置された位置に対して、電荷の経路は十分離間された位置に形成されるので、接続部１２１から電荷の経路への電界強度を緩和することができる。

また、固体撮像装置１では、図４、図５、図６、図８及び図９に示されるように、転送トランジスタ１２の垂直ゲート電極２０５の第３面２０５Ｕに、第２面２Ｂ側に向かって、絶縁体としての層間絶縁膜６が配設される。この層間絶縁膜６は、第３面２０５Ｕに対応する位置に、基体２の第２面２Ｂから第１面２Ａ側へ向かって形成された溝２０５Ｈ（図１６及び図１７参照。）内に埋設される。
このため、光電変換素子１１から転送トランジスタ１２を通してＦＤ領域２５へ流れる電荷の経路が、接続部１２１に対して電気的に分離される。これにより、接続部１２１から電荷の経路への電界強度を緩和することができる。

さらに、固体撮像装置１では、図１６及び図１７に示されるように、転送トランジスタ１２の垂直ゲート電極２０５の第３面２０５Ｕに配設された層間絶縁膜６は、基体２の第２面２Ｂに配設される層間絶縁膜６に対して、同一の層、かつ、同一の絶縁材料により形成される。
このため、トランジスタ２００と配線７とを電気的に分離する層間絶縁膜６を利用して第３面２０５Ｕに層間絶縁膜６が配設されるので、電界強度を緩和する構造を簡易に構築することができる。
加えて、固体撮像装置１の製造方法では、絶縁体の形成工程が削減されるので、全体の製造工程数を削減することができる。

＜２．第２実施の形態＞
図１８～図２５を用いて、本開示の第２実施の形態に係る固体撮像装置１及び固体撮像装置１の製造方法を説明する。なお、第２実施の形態並びにそれ以降の実施の形態又変形例において、第１実施の形態に係る固体撮像装置１の構成要素と同一の構成要素、又は実質的に同一の構成要素には同一の符号を付し、重複する説明は省略する。

［固体撮像装置１の製造方法］
図１８～図２５は、固体撮像装置１の一例の製造方法を工程毎に示している。ここでは、第１実施の形態に係る固体撮像装置１の製造方法と同様に、画素分離領域１６、素子分離領域２６、転送トランジスタ１２及び接続部１２１の製造方法について詳細に説明する。

第１実施の形態に係る固体撮像装置１の製造方法（以下、単に「第１製造方法」という。）と同様に、画素１０間となる領域において、基体２に画素分離領域１６が形成される（図１８参照）。引き続き、図１８に示されるように、画素１０間となる領域及び素子間となる領域に素子分離領域２６が形成される。ここで、画素分離領域１６とこの画素分離領域１６に重複して配設される素子分離領域２６とは、同一、又は実質的に同一の幅寸法により形成される。それ以外の構成要素は、第１製造方法と同一である。

基体２の第２面２Ｂ上にマスク８０１、マスク８０２、マスク８０３が順次形成される（図１９参照）。
図１９に示されるように、転送トランジスタ１２の形成領域において、マスク８０１～マスク８０３を用いて、基体２の第２面２Ｂから第１面２Ａ側に掘り下げられた溝２０５Ｈが形成される。
この後、マスク８０３が除去される。

図２０に示されるように、溝２０５Ｈの内壁及び底面に沿って、基体２の表面上にゲート絶縁膜２０５Ｇが形成される。引き続き、図２１に示されるように、溝２０５Ｈの内壁及び底面に沿って、基体２の表面部分にピニング領域２０Ｐが形成される。

図２２に示されるように、溝２０５Ｈ内を埋設して、更に基体２の第２面２Ｂ側にゲート電極層２０５Ａが形成される。
図２３に示されるように、接続部１２１の形成領域にマスク８０４が形成され、マスク８０４を用いてゲート電極層２０５Ａがパターンニングされる。このパターンニングにより、ゲート電極層２０５Ａから画素分離領域１６に重複して配設される接続部１２１が形成される。さらに、溝２０５Ｈ内にはゲート電極層２０５Ａが埋設された状態となり、このゲート電極層２０５Ａから転送トランジスタ１２の垂直ゲート電極２０５が形成される。
この後、マスク８０４が除去される。

図２４に示されるように、転送トランジスタ１２の垂直ゲート電極２０５の形成領域が開口されたマスク８０５が形成され、マスク８０５を用いて垂直ゲート電極２０５の第２面２Ｂ側の他端部が除去される。つまり、垂直ゲート電極２０５の一部が掘り下げられる。この垂直ゲート電極２０５の掘り下げられた底面は、第３面２０５Ｕとされる。
図２５に示されるように、層間絶縁膜６、接続孔６Ｈ、配線７のそれぞれが形成される。配線７は、ここでは制御信号線である。

これら一連の工程が終了すると、第１実施の形態に係る固体撮像装置１が完成し、製造方法が終了する。

上記構成要素以外の構成要素は、第１実施の形態に係る固体撮像装置１の構成要素並びに第１製造方法の構成要素と同一又は実質的に同一である。

［作用効果］
第２実施の形態に係る固体撮像装置１及び固体撮像装置１の製造方法によれば、第１実施の形態に係る固体撮像装置１及び第１製造方法により得られる作用効果と同様の作用効果を得ることができる。

＜３．第３実施の形態＞
図２６～図２９を用いて、本開示の第３実施の形態に係る固体撮像装置１を説明する。
図２６は、第３実施の形態に係る固体撮像装置１の画素１０、転送トランジスタ１２、接続部１２１及びＦＤ領域２５の立体構成の一例を表している。図２７は、図２６に示される画素１０等を矢印Ｚ方向から見た平面構成の一例を表している。図２８は、図２７に示されるＥ－Ｅ切断線において切断して矢印Ｙ方向に見た画素１０等の縦断面構成の一例を表している。図２９は、図２７に示されるＦ－Ｆ切断線において切断して矢印Ｘ方向に見た画素１０等の縦断面構成の一例を表している。

図２６～図２９に示されるように、第３実施の形態に固体撮像装置１では、第１実施の形態に係る固体撮像装置１と同様に、接続部１２１は、基体２の第２面２Ｂ側において矢印Ｘ方向に延設される画素分離領域１６と重複する位置に配設されている。

一方、ＦＤ領域２５は、矢印Ｙ方向に延設される画素分離領域１６に沿って、矢印Ｙ方向とは反対側へ移動した位置に配設されている。つまり、第１実施の形態に係る固体撮像装置１に対して、ＦＤ領域２５は接続部１２１から離間されている。

上記構成要素以外の構成要素は、第１実施の形態に係る固体撮像装置１の構成要素と同一又は実質的に同一である。

［作用効果］
第３実施の形態に係る固体撮像装置１によれば、第１実施の形態に係る固体撮像装置１により得られる作用効果と同様の作用効果を得ることができる。

また、固体撮像装置１では、図２７～図２９に示されるように、接続部１２１から離間されてＦＤ領域２５が配設される。
このため、光電変換素子１１から転送トランジスタ１２を通してＦＤ領域２５へ流れる電荷の経路を、接続部１２１からＦＤ領域２５側へ離間させることができる。これにより、接続部１２１が配置された位置に対して、電荷の経路は十分離間された位置に形成されるので、接続部１２１から電荷の経路への電界強度を更に緩和することができる。

＜４．第４実施の形態＞
図３０～図３３を用いて、本開示の第４実施の形態に係る固体撮像装置１を説明する。
図３０は、第４実施の形態に係る固体撮像装置１の画素１０、転送トランジスタ１２、接続部１２１及びＦＤ領域２５の立体構成の一例を表している。図３１は、図３０に示される画素１０等を矢印Ｚ方向から見た平面構成の一例を表している。図３２は、図３１に示されるＧ－Ｇ切断線において切断して矢印Ｙ方向に見た画素１０等の縦断面構成の一例を表している。図３３は、図３１に示されるＨ－Ｈ切断線において切断して矢印Ｘ方向に見た画素１０等の縦断面構成の一例を表している。

図３０～図３３に示されるように、第４実施の形態に固体撮像装置１では、第１実施の形態に係る固体撮像装置１と同様に、接続部１２１は、基体２の第２面２Ｂ側において矢印Ｘ方向に延設される画素分離領域１６と重複する位置に配設されている。

一方、ＦＤ領域２５は、第３実施の形態に係る固体撮像装置１と同様に、矢印Ｙ方向に延設される画素分離領域１６に沿って、矢印Ｙ方向とは反対側へ移動した位置に配設されている。ＦＤ領域２５の移動量は更に増加されている。

転送トランジスタ１２の垂直ゲート電極２０５は、接続部１２１との接続部位から矢印Ｘ方向に延設され、延設された端部において矢印Ｙ方向とは反対方向に屈曲し、更に矢印Ｙ方向とは反対側に延設されている。垂直ゲート電極２０５の矢印Ｙ方向とは反対側に延設されている部位は、ＦＤ領域２５に沿い、かつ、対向している。つまり、垂直ゲート電極２０５は、平面視において、Ｌ字形状に形成されている。この結果、垂直ゲート電極２０５は、接続部１２１とＦＤ領域２５との間の位置に配置されている。

上記構成要素以外の構成要素は、第３実施の形態に係る固体撮像装置１の構成要素と同一又は実質的に同一である。

［作用効果］
第４実施の形態に係る固体撮像装置１によれば、第３実施の形態に係る固体撮像装置１により得られる作用効果と同様の作用効果を得ることができる。

また、固体撮像装置１では、図３０～図３３に示されるように、転送トランジスタ１２の垂直ゲート電極２０５が、接続部１２１とＦＤ領域２５との間に配設される。このような構成では、接続部１２１とＦＤ領域２５との離間距離は、垂直ゲート電極２０５とＦＤ領域２５との離間距離よりも大きい。
このため、光電変換素子１１から転送トランジスタ１２を通してＦＤ領域２５へ流れる電荷の経路を、接続部１２１からＦＤ領域２５側へ大きく離間させることができる。これにより、接続部１２１が配置された位置に対して、電荷の経路は十分離間された位置に形成されるので、接続部１２１から電荷の経路への電界強度を更に緩和することができる。

＜５．第５実施の形態＞
図３４～図３７を用いて、本開示の第５実施の形態に係る固体撮像装置１を説明する。
図３４は、第５実施の形態に係る固体撮像装置１の画素１０、転送トランジスタ１２、接続部１２１及びＦＤ領域２５の立体構成の一例を表している。図３５は、図３４に示される画素１０等を矢印Ｚ方向から見た平面構成の一例を表している。図３６は、図３５に示されるＩ－Ｉ切断線において切断して矢印Ｙ方向に見た画素１０等の縦断面構成の一例を表している。図３７は、図３５に示されるＪ－Ｊ切断線において切断して矢印Ｘ方向に見た画素１０等の縦断面構成の一例を表している。

図３４～図３７に示されるように、第５実施の形態に固体撮像装置１では、第１実施の形態に係る固体撮像装置１と同様に、接続部１２１は、基体２の第２面２Ｂ側において矢印Ｘ方向に延設される画素分離領域１６と重複する位置に配設されている。

一方、ＦＤ領域２５は、第４実施の形態に係る固体撮像装置１と同様に、矢印Ｙ方向に延設される画素分離領域１６に沿って、矢印Ｙ方向とは反対側へ移動した位置に配設されている。ＦＤ領域２５の移動量は更に増加されている。

転送トランジスタ１２の垂直ゲート電極２０５は、第４実施の形態に係る固体撮像装置１と同様に、接続部１２１との接続部位から矢印Ｘ方向に延設され、延設された端部において矢印Ｙ方向とは反対方向に屈曲し、更に矢印Ｙ方向とは反対側に延設されている。垂直ゲート電極２０５の矢印Ｙ方向とは反対側に延設されている部位の幅寸法は、矢印Ｘ方向に延設されている部位の幅寸法よりも大きい。このため、垂直ゲート電極２０５は、平面視において、矢印Ｘ方向に延設される画素分離領域１６と矢印Ｙ方向に延設される画素分離領域１６との交差部分に沿って配設されている。

また、垂直ゲート電極２０５は、矢印Ｙ方向において、ＦＤ領域２５に対向する配置とされている。

上記構成要素以外の構成要素は、第４実施の形態に係る固体撮像装置１の構成要素と同一又は実質的に同一である。

［作用効果］
第５実施の形態に係る固体撮像装置１によれば、第４実施の形態に係る固体撮像装置１により得られる作用効果と同様の作用効果を得ることができる。

また、固体撮像装置１では、図３４～図３７に示されるように、転送トランジスタ１２の垂直ゲート電極２０５が、画素分離領域１６の交差部分に沿って配設される。このため、転送トランジスタ１２のゲート絶縁膜２０５Ｇに沿って形成されるピニング領域２０Ｐ（図１３～図１７等参照。）が、画素分離領域１６の第１溝１６１に沿って配設される図示省略のピニング領域と共有される。これにより、特に基体２の第２面２Ｂ側において、固体撮像装置１のピニング領域の構造を簡易に実現することができる。また、固体撮像装置１において、飽和電荷量（Ｑｓ）を向上させることができる。

＜６．第６実施の形態＞
図３８～図４１を用いて、本開示の第６実施の形態に係る固体撮像装置１を説明する。
図３８は、第６実施の形態に係る固体撮像装置１の画素１０、転送トランジスタ１２、接続部１２１及びＦＤ領域２５の立体構成の一例を表している。図３９は、図３８に示される画素１０等を矢印Ｚ方向から見た平面構成の一例を表している。図４０は、図３９に示されるＫ－Ｋ切断線において切断して矢印Ｙ方向に見た画素１０等の縦断面構成の一例を表している。図４１は、図３９に示されるＬ－Ｌ切断線において切断して矢印Ｘ方向に見た画素１０等の縦断面構成の一例を表している。

図３８～図４１に示されるように、第６実施の形態に固体撮像装置１では、第１実施の形態に係る固体撮像装置１と同様に、接続部１２１は、基体２の第２面２Ｂ側において矢印Ｘ方向に延設される画素分離領域１６と重複する位置に配設されている。

一方、ＦＤ領域２５は、第５実施の形態に係る固体撮像装置１と同様に、矢印Ｙ方向に延設される画素分離領域１６に沿って、矢印Ｙ方向とは反対側へ移動した位置に配設されている。

転送トランジスタ１２の垂直ゲート電極２０５は、第５実施の形態に係る固体撮像装置１と同様に、平面視において、矢印Ｘ方向に延設される画素分離領域１６と矢印Ｙ方向に延設される画素分離領域１６との交差部分に沿って配設されている。
さらに、垂直ゲート電極２０５の矢印Ｙ方向とは反対側に延設されている端部は、ＦＤ領域２５の矢印Ｙ方向及び矢印Ｘ方向に延びる２つの辺に沿ってＬ字形状に切り欠いた形状に形成されている。このような構成により、転送トランジスタ１２のゲート幅Ｗｇ寸法を増加させることができる。

上記構成要素以外の構成要素は、第５実施の形態に係る固体撮像装置１の構成要素と同一又は実質的に同一である。

［作用効果］
第６実施の形態に係る固体撮像装置１によれば、第５実施の形態に係る固体撮像装置１により得られる作用効果と同様の作用効果を得ることができる。

また、固体撮像装置１では、図３８～図４１に示されるように、転送トランジスタ１２の垂直ゲート電極２０５が、ＦＤ領域２５の２辺に沿って配設されている。このため、転送トランジスタ１２のゲート幅Ｗｇ寸法を増加させることができるので、転送トランジスタ１２の電荷の転送効率を向上させることができる。

＜７．第７実施の形態＞
図４２～図４５を用いて、本開示の第７実施の形態に係る固体撮像装置１を説明する。
図４２は、第７実施の形態に係る固体撮像装置１の画素１０、転送トランジスタ１２、接続部１２１及びＦＤ領域２５の立体構成の一例を表している。図４３は、図４２に示される画素１０等を矢印Ｚ方向から見た平面構成の一例を表している。図４４は、図４３に示されるＭ－Ｍ切断線において切断して矢印Ｙ方向に見た画素１０等の縦断面構成の一例を表している。図４５は、図４３に示されるＮ－Ｎ切断線において切断して矢印Ｘ方向に見た画素１０等の縦断面構成の一例を表している。

図４２～図４５に示されるように、第７実施の形態に固体撮像装置１では、第１実施の形態に係る固体撮像装置１と同様に、接続部１２１は、基体２の第２面２Ｂ側において矢印Ｘ方向に延設される画素分離領域１６と重複する位置に配設されている。

一方、ＦＤ領域２５は、第５実施の形態に係る固体撮像装置１と同様に、矢印Ｙ方向に延設される画素分離領域１６に沿って、矢印Ｙ方向とは反対側へ移動した位置に配設されている。

転送トランジスタ１２の垂直ゲート電極２０５は、第６実施の形態に係る固体撮像装置１と同様に、平面視において、矢印Ｘ方向に延設される画素分離領域１６と矢印Ｙ方向に延設される画素分離領域１６との交差部分に沿って配設されている。
さらに、垂直ゲート電極２０５の矢印Ｙ方向とは反対側に延設されている端部は、ＦＤ領域２５の矢印Ｙ方向、矢印Ｘ方向及び矢印Ｘ方向とは反対側に延びる３つの辺に沿ってＣ字形状に切り欠いた形状に形成されている。このような構成により、転送トランジスタ１２のゲート幅Ｗｇ寸法を更に増加させることができる。

上記構成要素以外の構成要素は、第５実施の形態に係る固体撮像装置１の構成要素と同一又は実質的に同一である。

［作用効果］
第７実施の形態に係る固体撮像装置１によれば、第６実施の形態に係る固体撮像装置１により得られる作用効果と同様の作用効果を得ることができる。

また、固体撮像装置１では、図４２～図４５に示されるように、転送トランジスタ１２の垂直ゲート電極２０５が、ＦＤ領域２５の３辺に沿って配設されている。このため、転送トランジスタ１２のゲート幅Ｗｇ寸法を更に増加させることができるので、転送トランジスタ１２の電荷の転送効率をより一層向上させることができる。

＜８．第８実施の形態＞
図４６を用いて、本開示の第８実施の形態に係る固体撮像装置１を説明する。
図４６は、複数の画素１０を配列したレイアウト構成の一例を表している。

第８実施の形態に係る固体撮像装置１は、第１実施の形態に係る固体撮像装置１の応用例である。固体撮像装置１は、矢印Ｘ方向に隣接して配列された２つの画素１０と矢印Ｙ方向に隣接して配列された２つの画素１０とを含む合計４つの画素１０に対して１つの画素回路２０を配設している。つまり、４つの画素１０が単位画素ＢＰとされ、単位画素ＢＰ毎に画素回路２０が配設されている。

単位画素ＢＰの１つの画素１０に対応する位置において、基体２の第２面２Ｂ（図４及び図５参照）側には、増幅トランジスタ２１が配設されている。また、他の１つの画素１０に対応する位置において、基体２には、選択トランジスタ２２が配設されている。また、他の１つの画素１０に対応する位置において、基体２には、ＦＤ変換ゲイン切替えトランジスタ２３が配設されている。そして、他の１つの画素１０に対応する位置において、基体２には、リセットトランジスタ２４が配設されている。

これらの増幅トランジスタ２１等のトランジスタ２００のゲート長Ｌｇ方向は斜め方向とされている（図２参照）。
そして、矢印Ｘ方向に隣接して配列された画素１０のそれぞれのトランジスタ２００は、画素１０間の画素分離領域１６を中心として線対称形状に形成されている。同様に、矢印Ｙ方向に隣接して配列された画素１０のそれぞれのトランジスタ２００は、画素１０間の画素分離領域１６を中心として線対称形状に形成されている。

第８実施の形態では、単位画素ＢＰのそれぞれの画素１０のＦＤ領域２５が単位画素ＢＰの中央部分に集約されている。そして、この集約された合計４つのＦＤ領域２５は、共有接続部３２により相互に電気的に接続されている。
一方、単位画素ＢＰのそれぞれの画素１０の基体接続部２７が単位画素ＢＰの各角部分配設されている。そして、この基体接続部２７は、単位画素ＢＰに対して矢印Ｘ方向又は矢印Ｙ方向に隣接する他の単位画素ＢＰの基体接続部２７に共有接続部３３を通して電気的に接続されている。

上記構成要素以外の構成要素は、第１実施の形態に係る固体撮像装置１の構成要素と同一又は実質的に同一である。

［作用効果］
第８実施の形態に係る固体撮像装置１によれば、第１実施の形態に係る固体撮像装置１により得られる作用効果と同様の作用効果を得ることができる。

＜９．第９実施の形態＞
図４７を用いて、本開示の第９実施の形態に係る固体撮像装置１を説明する。
図４７は、複数の画素１０を配列したレイアウト構成の一例を表している。

［固体撮像装置１の構成］
（１）固体撮像装置１の画素１０のレイアウト構成
第９実施の形態に係る固体撮像装置１では、第１実施の形態に係る固体撮像装置１と同様に、ＦＤ領域２５が共有された矢印Ｘ方向に隣接して配列される２つの画素１０は、単位画素ＢＰを構成している。さらに、単位画素ＢＰに対して、矢印Ｙ方向に隣接し、矢印Ｘ方向に隣接する２つの画素１０は、同様に単位画素ＢＰを構成している。ここで、単位画素ＢＰに対して、矢印Ｙ方向に隣接する単位画素ＢＰは、矢印Ｘ方向に１つの画素１０分、ずれた位置に配置されている。

（２）画素１０及びカラーフィルタ４のレイアウト構成
画素１０には、カラーフィルタ４が配置されている。カラーフィルタ４は、縦断面による説明は省略するが、基体２の第１面２Ａ側に配置されている（図４及び図５参照）。
第９実施の形態では、カラーフィルタ４は、赤色フィルタ４１と、緑色フィルタ（赤側）４２と、緑色フィルタ（青側）４３と、青色フィルタ４４とを備えている。

カラーフィルタ４では、矢印Ｘ方向において、赤色フィルタ４１、緑色フィルタ４２のそれぞれが交互に配列されている。そして、赤色フィルタ４１に隣接して、矢印Ｙ方向の反対側には緑色フィルタ４３が配列されている。さらに、緑色フィルタ４３に隣接して、矢印Ｘ方向には青色フィルタ４４が配列されている。緑色フィルタ４３、青色フィルタ４４のそれぞれは、矢印Ｘ方向に交互に配列されている。

（３）赤色フィルタ４１及び青色フィルタ４４の平面レイアウト構成
第９実施の形態では、合計８つの画素１０が１つの単位画素ＢＰＲとして構築され、この単位画素ＢＰＲに赤色フィルタ４１が配置されている。
詳しく説明すると、単位画素ＢＰＲは、４組の単位画素ＢＰを有する。つまり、単位画素ＢＰＲは、１組の単位画素ＢＰと、矢印Ｙ方向に隣接し、かつ、矢印Ｘ方向に隣接して配列される２組の単位画素ＢＰと、更に矢印Ｙ方向に隣接する１組の単位画素ＢＰとを備えている。

また、合計８つの画素１０が１つの単位画素ＢＰＢとして構築され、この単位画素ＢＰＢに青色フィルタ４４が配置されている。
単位画素ＢＰＲと同様に、単位画素ＢＰＢは、４組の単位画素ＢＰを有する。つまり、単位画素ＢＰＢは、１組の単位画素ＢＰと、矢印Ｙ方向に隣接し、かつ、矢印Ｘ方向に隣接して配列される２組の単位画素ＢＰと、更に矢印Ｙ方向に隣接する１組の単位画素ＢＰとを備えている。

（４）緑色フィルタ４２及び緑色フィルタ４３の平面レイアウト構成
第９実施の形態では、合計１０の画素１０が１つの単位画素ＢＰＧｒとして構築され、この単位画素ＢＰＧｒに緑色フィルタ４２が配置されている。

詳しく説明すると、単位画素ＢＰＧｒは、５組の単位画素ＢＰを有する。つまり、単位画素ＢＰＧｒは、矢印Ｘ方向に隣接して配列される２組の単位画素ＢＰと、矢印Ｙ方向に隣接する１組の単位画素ＢＰと、矢印Ｙ方向に隣接し、かつ、矢印Ｘ方向に隣接して配列される２組の単位画素ＢＰとを備えている。

また、合計１０の画素１０が１つの単位画素ＢＰＧｂとして構築され、この単位画素ＢＰＧｂに緑色フィルタ４３が配置されている。
単位画素ＢＰＧｒと同様に、単位画素ＢＰＧｂは、５組の単位画素ＢＰを有する。つまり、単位画素ＢＰＧｂは、矢印Ｘ方向に隣接して配列される２組の単位画素ＢＰと、矢印Ｙ方向に隣接する１組の単位画素ＢＰと、矢印Ｙ方向に隣接し、かつ、矢印Ｘ方向に隣接して配列される２組の単位画素ＢＰとを備えている。

（５）光学レンズ５のレイアウト構成
第９実施の形態では、光学レンズ５は、基体２の第１面２Ａ側にカラーフィルタ４を介在して配設されている。光学レンズ５は、単位画素ＢＰ毎に配設されている。つまり、光学レンズ５は、矢印Ｘ方向に２つの画素１０分の長さを有し、矢印Ｙ方向に１つの画素１０分の長さを有する。つまり、光学レンズ５は、平面視においてアスペクト比が異なる楕円形状に形成されている。
ここでは、光学レンズ５は、矢印Ｚ方向とは反対側に突出する湾曲集光面を備えている。

上記構成要素以外の構成要素は、第１実施の形態に係る固体撮像装置１の構成要素と同一又は実質的に同一である。

［作用効果］
第９実施の形態に係る固体撮像装置１によれば、第１実施の形態に係る固体撮像装置１により得られる作用効果と同様の作用効果を得ることができる。

＜１０．第１０実施の形態＞
図４８及び図４９を用いて、本開示の第１０実施の形態に係る固体撮像装置１を説明する。
図４８は、複数の画素１０を配列したレイアウト構成の一例を表している。図４９は、画素１０に対応した位置に積層された画素回路２０を構築するトランジスタ２００のレイアウト構成の一例を表している。

第１０実施の形態に係る固体撮像装置１は、２段画素構造を採用している。詳しく説明すると、図４８に示されるように、基体２が１段目とされ、基体２には画素分離領域１６に周囲が取り囲まれた画素１０が配設されている。画素１０には、図示省略の光電変換素子１１及び転送トランジスタ１２が配設されている。

基体２の第２面２Ｂ側には第２基体２０Ｓが積層されている。この第２基体２０Ｓには、画素１０に対応する位置に、画素回路２０を構築するトランジスタ２００が配設されている。すなわち、第２基体２０Ｓに、増幅トランジスタ２１、選択トランジスタ２２、ＦＤ変換ゲイン切替えトランジスタ２３及びリセットトランジスタ２４が配設されている。
ここでは、増幅トランジスタ２１等のトランジスタ２００は、矢印Ｙ方向（又は矢印Ｘ方向）にゲート長Ｌｇ方向を一致させて配置されている。

上記構成要素以外の構成要素は、第８実施の形態に係る固体撮像装置１の構成要素と同一又は実質的に同一である。

［作用効果］
第１０実施の形態に係る固体撮像装置１によれば、第８実施の形態に係る固体撮像装置１により得られる作用効果と同様の作用効果を得ることができる。

＜１１．第１１実施の形態＞
図５０～図５３を用いて、本開示の第１１実施の形態に係る固体撮像装置１を説明する。
図５０は、第１１実施の形態に係る固体撮像装置１の転送トランジスタ１２及び接続部１２１の立体構成の一例を表している。図５１は、図５０に示される転送トランジスタ１２等を矢印Ｚ方向から見た平面構成の一例を表している。図５２は、図５０に示される転送トランジスタ１２等を矢印Ｙ方向に見た側面構成の一例を表している。図５３は、図５０に示される転送トランジスタ１２等を矢印Ｘ方向に見た側面構成の一例を表している。

図５０～図５３に示されるように、第１１実施の形態に係る固体撮像装置１では、転送トランジスタ１２の垂直ゲート電極２０５の矢印Ｙ方向の寸法が、第１実施の形態に係る固体撮像装置１の同一の構成要素の寸法よりも小さい。すなわち、転送トランジスタ１２のゲート幅Ｗｇ寸法が小さく形成されている。

上記構成要素以外の構成要素は、第１実施の形態に係る固体撮像装置１の構成要素と同一又は実質的に同一である。

［作用効果］
第１１実施の形態に係る固体撮像装置１によれば、第１実施の形態に係る固体撮像装置１により得られる作用効果と同様の作用効果を得ることができる。

また、固体撮像装置１では、転送トランジスタ１２のゲート幅Ｗｇが小さくされているので、飽和電荷量（Ｑｓ）を向上させることができる。

［第１変形例］
図５４～図５７を用いて、第１１実施の形態の第１変形例に係る固体撮像装置１を説明する。
図５４は、第１１実施の形態の第１変形例に係る固体撮像装置１の転送トランジスタ１２及び接続部１２１の立体構成の一例を表している。図５５は、図５４に示される転送トランジスタ１２等を矢印Ｚ方向から見た平面構成の一例を表している。図５６は、図５４に示される転送トランジスタ１２等を矢印Ｙ方向に見た側面構成の一例を表している。図５７は、図５４に示される転送トランジスタ１２等を矢印Ｘ方向に見た側面構成の一例を表している。

図５４～図５７に示されるように、第１１実施の形態の第１変形例に係る固体撮像装置１では、接続部１２１の矢印Ｘ方向の幅寸法内において、転送トランジスタ１２の垂直ゲート電極２０５が矢印Ｘ方向側に配設されている。すなわち、垂直ゲート電極２０５は、ＦＤ領域２５に近づけて配置されている。

上記構成要素以外の構成要素は、第１実施の形態に係る固体撮像装置１の構成要素と同一又は実質的に同一である。

［作用効果］
第１１実施の形態の第１変形例に係る固体撮像装置１によれば、第１実施の形態に係る固体撮像装置１により得られる作用効果と同様の作用効果を得ることができる。

また、固体撮像装置１では、転送トランジスタ１２の垂直ゲート電極２０５がＦＤ領域２５に近づけて配置される。このため、接続部１２１が配置された位置に対して、ＦＤ領域２５は十分離間された位置に配置されるので、接続部１２１からＦＤ領域２５への電界強度を緩和することができる。

［第２変形例］
図５８～図６１を用いて、第１１実施の形態の第２変形例に係る固体撮像装置１を説明する。
図５８は、第１１実施の形態の第２変形例に係る固体撮像装置１の転送トランジスタ１２及び接続部１２１の立体構成の一例を表している。図５９は、図５８に示される転送トランジスタ１２等を矢印Ｚ方向から見た平面構成の一例を表している。図６０は、図５８に示される転送トランジスタ１２等を矢印Ｙ方向に見た側面構成の一例を表している。図６１は、図５８に示される転送トランジスタ１２等を矢印Ｘ方向に見た側面構成の一例を表している。

図５８～図６１に示されるように、第１１実施の形態の第２変形例に係る固体撮像装置１では、接続部１２１の一部が矢印Ｘ方向に延設され、この延設された部位に転送トランジスタ１２の垂直ゲート電極２０５が接続されている。すなわち、垂直ゲート電極２０５は、ＦＤ領域２５に近づけて配置されている。

上記構成要素以外の構成要素は、第１１実施の形態の第１変形例に係る固体撮像装置１の構成要素と同一又は実質的に同一である。

［作用効果］
第１１実施の形態の第２変形例に係る固体撮像装置１によれば、第１１実施の形態の第１変形例に係る固体撮像装置１により得られる作用効果と同様の作用効果を得ることができる。

［第３変形例］
図６２～図６５を用いて、第１１実施の形態の第３変形例に係る固体撮像装置１を説明する。
図６２は、第１１実施の形態の第３変形例に係る固体撮像装置１の転送トランジスタ１２及び接続部１２１の立体構成の一例を表している。図６３は、図６２に示される転送トランジスタ１２等を矢印Ｚ方向から見た平面構成の一例を表している。図６４は、図６２に示される転送トランジスタ１２等を矢印Ｙ方向に見た側面構成の一例を表している。図６５は、図６２に示される転送トランジスタ１２等を矢印Ｘ方向に見た側面構成の一例を表している。

図６２～図６５に示されるように、第１１実施の形態の第３変形例に係る固体撮像装置１では、転送トランジスタ１２の垂直ゲート電極２０５が電気的に並列に接続された複数本に分岐されている。ここでは、垂直ゲート電極２０５は、矢印Ｚ方向とは反対側に延設され、矢印Ｙ方向に離間された２本に分岐されている。すなわち、転送トランジスタ１２では、実質的にゲート幅Ｗｇ寸法が拡張されている。

上記構成要素以外の構成要素は、第１１実施の形態の第１変形例に係る固体撮像装置１の構成要素と同一又は実質的に同一である。

［作用効果］
第１１実施の形態の第３変形例に係る固体撮像装置１によれば、第１１実施の形態の第１変形例に係る固体撮像装置１により得られる作用効果と同様の作用効果を得ることができる。

また、固体撮像装置１では、転送トランジスタ１２のゲート幅Ｗｇ寸法を増加させることができるので、転送トランジスタ１２の電荷の転送効率を向上させることができる。

［第４変形例］
図６６～図６９を用いて、第１１実施の形態の第４変形例に係る固体撮像装置１を説明する。
図６６は、第１１実施の形態の第４変形例に係る固体撮像装置１の転送トランジスタ１２及び接続部１２１の立体構成の一例を表している。図６７は、図６６に示される転送トランジスタ１２等を矢印Ｚ方向から見た平面構成の一例を表している。図６８は、図６６に示される転送トランジスタ１２等を矢印Ｙ方向に見た側面構成の一例を表している。図６９は、図６６に示される転送トランジスタ１２等を矢印Ｘ方向に見た側面構成の一例を表している。

図６６～図６９に示されるように、第１１実施の形態の第４変形例に係る固体撮像装置１では、転送トランジスタ１２の垂直ゲート電極２０５は、接続部１２１との接続部位から矢印Ｙ方向とは反対側に延設され、延設された部位から屈曲して矢印Ｘ方向へ延設されている。垂直ゲート電極２０５は、丁度、ＦＤ領域２５の２つの辺に沿って形成されている。垂直ゲート電極２０５は、平面視において、Ｌ字形状に形成されている。すなわち、転送トランジスタ１２では、実質的にゲート幅Ｗｇ寸法が拡張されている。

上記構成要素以外の構成要素は、第１１実施の形態の第１変形例に係る固体撮像装置１の構成要素と同一又は実質的に同一である。

［作用効果］
第１１実施の形態の第４変形例に係る固体撮像装置１によれば、第１１実施の形態の第３変形例に係る固体撮像装置１により得られる作用効果と同様の作用効果を得ることができる。

［第５変形例］
図７０～図７３を用いて、第１１実施の形態の第５変形例に係る固体撮像装置１を説明する。
図７０は、第１１実施の形態の第５変形例に係る固体撮像装置１の転送トランジスタ１２及び接続部１２１の立体構成の一例を表している。図７１は、図７０に示される転送トランジスタ１２等を矢印Ｚ方向から見た平面構成の一例を表している。図７２は、図７０に示される転送トランジスタ１２等を矢印Ｙ方向に見た側面構成の一例を表している。図７３は、図７０に示される転送トランジスタ１２等を矢印Ｘ方向に見た側面構成の一例を表している。

図７０～図７３に示されるように、第１１実施の形態の第５変形例に係る固体撮像装置１では、転送トランジスタ１２の垂直ゲート電極２０５は、接続部１２１との接続部位から矢印Ｙ方向とは反対側に延設され、湾曲しながら矢印Ｘ方向へ延設されている。垂直ゲート電極２０５は、ＦＤ領域２５の２つの辺に沿って形成されている。垂直ゲート電極２０５は、平面視において、Ｃ字形状に形成されている。すなわち、転送トランジスタ１２では、実質的にゲート幅Ｗｇ寸法が拡張されている。

上記構成要素以外の構成要素は、第１１実施の形態の第１変形例に係る固体撮像装置１の構成要素と同一又は実質的に同一である。

［作用効果］
第１１実施の形態の第５変形例に係る固体撮像装置１によれば、第１１実施の形態の第３変形例に係る固体撮像装置１により得られる作用効果と同様の作用効果を得ることができる。

［第６変形例］
図７４～図７７を用いて、第１１実施の形態の第６変形例に係る固体撮像装置１を説明する。
図７４は、第１１実施の形態の第６変形例に係る固体撮像装置１の転送トランジスタ１２及び接続部１２１の立体構成の一例を表している。図７５は、図７４に示される転送トランジスタ１２等を矢印Ｚ方向から見た平面構成の一例を表している。図７６は、図７４に示される転送トランジスタ１２等を矢印Ｙ方向に見た側面構成の一例を表している。図７７は、図７４に示される転送トランジスタ１２等を矢印Ｘ方向に見た側面構成の一例を表している。

図７４～図７７に示されるように、第１１実施の形態の第６変形例に係る固体撮像装置１では、転送トランジスタ１２の垂直ゲート電極２０５は、接続部１２１との接続部位から矢印Ｙ方向とは反対側及び矢印Ｘ方向に向かって斜め方向に延設されている。ここでは、垂直ゲート電極２０５は、矢印Ｙ方向又は矢印Ｘ方向に対して４５度の傾きを持って延設されている。垂直ゲート電極２０５は、ＦＤ領域２５の２つの辺に沿って形成されることになる。すなわち、転送トランジスタ１２では、実質的にゲート幅Ｗｇ寸法が拡張されている。

上記構成要素以外の構成要素は、第１１実施の形態の第１変形例に係る固体撮像装置１の構成要素と同一又は実質的に同一である。

［作用効果］
第１１実施の形態の第６変形例に係る固体撮像装置１によれば、第１１実施の形態の第３変形例に係る固体撮像装置１により得られる作用効果と同様の作用効果を得ることができる。

［第７変形例］
図７８～図８１を用いて、第１１実施の形態の第７変形例に係る固体撮像装置１を説明する。
図７８は、第１１実施の形態の第７変形例に係る固体撮像装置１の転送トランジスタ１２及び接続部１２１の立体構成の一例を表している。図７９は、図７８に示される転送トランジスタ１２等を矢印Ｚ方向から見た平面構成の一例を表している。図８０は、図７８に示される転送トランジスタ１２等を矢印Ｙ方向に見た側面構成の一例を表している。図８１は、図７８に示される転送トランジスタ１２等を矢印Ｘ方向に見た側面構成の一例を表している。

図７８～図８１に示されるように、第１１実施の形態の第７変形例に係る固体撮像装置１では、転送トランジスタ１２は、２つの垂直ゲート電極２０５を備えている。一方の垂直ゲート電極２０５は、矢印Ｘ方向に延設される画素分離領域１６に重複された位置に配設される接続部１２１に電気的に接続され、この接続部位から矢印Ｙ方向とは反対側に延設されている。他方の垂直ゲート電極２０５は、矢印Ｙ方向に延設される画素分離領域１６に重複された位置に配設される接続部１２１に電気的に接続され、この接続部位から矢印Ｘ方向とは反対側に延設されている。２つの垂直ゲート電極２０５は、電気的に並列に接続されている。

２つの垂直ゲート電極２０５は、ＦＤ領域２５の２つの辺に沿ってそれぞれ形成されることになる。すなわち、転送トランジスタ１２では、実質的にゲート幅Ｗｇ寸法が拡張されている。

上記構成要素以外の構成要素は、第１１実施の形態の第１変形例に係る固体撮像装置１の構成要素と同一又は実質的に同一である。

［作用効果］
第１１実施の形態の第７変形例に係る固体撮像装置１によれば、第１１実施の形態の第３変形例に係る固体撮像装置１により得られる作用効果と同様の作用効果を得ることができる。

［第８変形例］
図８２～図８５を用いて、第１１実施の形態の第８変形例に係る固体撮像装置１を説明する。
図８２は、第１１実施の形態の第８変形例に係る固体撮像装置１の転送トランジスタ１２及び接続部１２１の立体構成の一例を表している。図８３は、図８２に示される転送トランジスタ１２等を矢印Ｚ方向から見た平面構成の一例を表している。図８４は、図８２に示される転送トランジスタ１２等を矢印Ｙ方向に見た側面構成の一例を表している。図８５は、図８２に示される転送トランジスタ１２等を矢印Ｘ方向に見た側面構成の一例を表している。

図８２～図８５に示されるように、第１１実施の形態の第８変形例に係る固体撮像装置１では、第７変形例に係る固体撮像装置１と同様に、転送トランジスタ１２は、２つの垂直ゲート電極２０５を備えている。一方の垂直ゲート電極２０５は、矢印Ｘ方向に延設される画素分離領域１６に重複された位置に配設される接続部１２１に電気的に接続され、この接続部位から矢印Ｙ方向とは反対側に延設されている。他方の垂直ゲート電極２０５は、矢印Ｙ方向に延設される画素分離領域１６に重複された位置に配設される接続部１２１に電気的に接続され、この接続部位から矢印Ｘ方向とは反対側に延設されている。２つの垂直ゲート電極２０５は、電気的に並列に接続されている。さらに、２つの垂直ゲート電極２０５の間は、若干、離れている。

２つの垂直ゲート電極２０５は、ＦＤ領域２５の２つの辺に沿ってそれぞれ形成されることになる。さらに、２つの垂直ゲート電極２０５の間は、若干、離れているので、電荷の転送経路として使用される。すなわち、転送トランジスタ１２では、実質的にゲート幅Ｗｇ寸法が更に拡張されている。

上記構成要素以外の構成要素は、第１１実施の形態の第７変形例に係る固体撮像装置１の構成要素と同一又は実質的に同一である。

［作用効果］
第１１実施の形態の第８変形例に係る固体撮像装置１によれば、第１１実施の形態の第７変形例に係る固体撮像装置１により得られる作用効果と同様の作用効果を得ることができる。

［第９変形例］
図８６～図８９を用いて、第１１実施の形態の第９変形例に係る固体撮像装置１を説明する。
図８６は、第１１実施の形態の第９変形例に係る固体撮像装置１の転送トランジスタ１２及び接続部１２１の立体構成の一例を表している。図８７は、図８６に示される転送トランジスタ１２等を矢印Ｚ方向から見た平面構成の一例を表している。図８８は、図８６に示される転送トランジスタ１２等を矢印Ｙ方向に見た側面構成の一例を表している。図８９は、図８６に示される転送トランジスタ１２等を矢印Ｘ方向に見た側面構成の一例を表している。

図８６～図８９に示されるように、第１１実施の形態の第９変形例に係る固体撮像装置１は、第１１実施の形態の第１変形例に係る固体撮像装置１の応用例である。すなちわ、転送トランジスタ１２の垂直ゲート電極２０５は、矢印Ｙ方向に延設され、延設方向中間部において矢印Ｘ方向に突出している。この垂直ゲート電極２０５の突出された部位は、ＦＤ領域２５に近づけて配置されている。垂直ゲート電極２０５は、平面視において、Ｔ字形状に形成されている。

上記構成要素以外の構成要素は、第１１実施の形態の第１変形例に係る固体撮像装置１の構成要素と同一又は実質的に同一である。

［作用効果］
第１１実施の形態の第９変形例に係る固体撮像装置１によれば、第１１実施の形態の第１変形例に係る固体撮像装置１により得られる作用効果と同様の作用効果を得ることができる。

＜１２．移動体への応用例＞
本開示に係る技術（本技術）は、様々な製品へ応用することができる。例えば、本開示に係る技術は、自動車、電気自動車、ハイブリッド電気自動車、自動二輪車、自転車、パーソナルモビリティ、飛行機、ドローン、船舶、ロボット等のいずれかの種類の移動体に搭載される装置として実現されてもよい。

図９０は、本開示に係る技術が適用され得る移動体制御システムの一例である車両制御システムの概略的な構成例を示すブロック図である。

車両制御システム１２０００は、通信ネットワーク１２００１を介して接続された複数の電子制御ユニットを備える。図９０に示した例では、車両制御システム１２０００は、駆動系制御ユニット１２０１０、ボディ系制御ユニット１２０２０、車外情報検出ユニット１２０３０、車内情報検出ユニット１２０４０、及び統合制御ユニット１２０５０を備える。また、統合制御ユニット１２０５０の機能構成として、マイクロコンピュータ１２０５１、音声画像出力部１２０５２、及び車載ネットワークＩ／Ｆ（Interface）１２０５３が図示されている。

駆動系制御ユニット１２０１０は、各種プログラムにしたがって車両の駆動系に関連する装置の動作を制御する。例えば、駆動系制御ユニット１２０１０は、内燃機関又は駆動用モータ等の車両の駆動力を発生させるための駆動力発生装置、駆動力を車輪に伝達するための駆動力伝達機構、車両の舵角を調節するステアリング機構、及び、車両の制動力を発生させる制動装置等の制御装置として機能する。

ボディ系制御ユニット１２０２０は、各種プログラムにしたがって車体に装備された各種装置の動作を制御する。例えば、ボディ系制御ユニット１２０２０は、キーレスエントリシステム、スマートキーシステム、パワーウィンドウ装置、あるいは、ヘッドランプ、バックランプ、ブレーキランプ、ウィンカー又はフォグランプ等の各種ランプの制御装置として機能する。この場合、ボディ系制御ユニット１２０２０には、鍵を代替する携帯機から発信される電波又は各種スイッチの信号が入力され得る。ボディ系制御ユニット１２０２０は、これらの電波又は信号の入力を受け付け、車両のドアロック装置、パワーウィンドウ装置、ランプ等を制御する。

車外情報検出ユニット１２０３０は、車両制御システム１２０００を搭載した車両の外部の情報を検出する。例えば、車外情報検出ユニット１２０３０には、撮像部１２０３１が接続される。車外情報検出ユニット１２０３０は、撮像部１２０３１に車外の画像を撮像させるとともに、撮像された画像を受信する。車外情報検出ユニット１２０３０は、受信した画像に基づいて、人、車、障害物、標識又は路面上の文字等の物体検出処理又は距離検出処理を行ってもよい。

撮像部１２０３１は、光を受光し、その光の受光量に応じた電気信号を出力する光センサである。撮像部１２０３１は、電気信号を画像として出力することもできるし、測距の情報として出力することもできる。また、撮像部１２０３１が受光する光は、可視光であっても良いし、赤外線等の非可視光であっても良い。

車内情報検出ユニット１２０４０は、車内の情報を検出する。車内情報検出ユニット１２０４０には、例えば、運転者の状態を検出する運転者状態検出部１２０４１が接続される。運転者状態検出部１２０４１は、例えば運転者を撮像するカメラを含み、車内情報検出ユニット１２０４０は、運転者状態検出部１２０４１から入力される検出情報に基づいて、運転者の疲労度合い又は集中度合いを算出してもよいし、運転者が居眠りをしていないかを判別してもよい。

マイクロコンピュータ１２０５１は、車外情報検出ユニット１２０３０又は車内情報検出ユニット１２０４０で取得される車内外の情報に基づいて、駆動力発生装置、ステアリング機構又は制動装置の制御目標値を演算し、駆動系制御ユニット１２０１０に対して制御指令を出力することができる。例えば、マイクロコンピュータ１２０５１は、車両の衝突回避あるいは衝撃緩和、車間距離に基づく追従走行、車速維持走行、車両の衝突警告、又は車両のレーン逸脱警告等を含むＡＤＡＳ（Advanced Driver Assistance System）の機能実現を目的とした協調制御を行うことができる。

また、マイクロコンピュータ１２０５１は、車外情報検出ユニット１２０３０又は車内情報検出ユニット１２０４０で取得される車両の周囲の情報に基づいて駆動力発生装置、ステアリング機構又は制動装置等を制御することにより、運転者の操作に拠らずに自律的に走行する自動運転等を目的とした協調制御を行うことができる。

また、マイクロコンピュータ１２０５１は、車外情報検出ユニット１２０３０で取得される車外の情報に基づいて、ボディ系制御ユニット１２０３０に対して制御指令を出力することができる。例えば、マイクロコンピュータ１２０５１は、車外情報検出ユニット１２０３０で検知した先行車又は対向車の位置に応じてヘッドランプを制御し、ハイビームをロービームに切り替える等の防眩を図ることを目的とした協調制御を行うことができる。

音声画像出力部１２０５２は、車両の搭乗者又は車外に対して、視覚的又は聴覚的に情報を通知することが可能な出力装置へ音声及び画像のうちの少なくとも一方の出力信号を送信する。図１２の例では、出力装置として、オーディオスピーカ１２０６１、表示部１２０６２及びインストルメントパネル１２０６３が例示されている。表示部１２０６２は、例えば、オンボードディスプレイ及びヘッドアップディスプレイの少なくとも一つを含んでいてもよい。

図９１は、撮像部１２０３１の設置位置の例を示す図である。

図９１では、撮像部１２０３１として、撮像部１２１０１、１２１０２、１２１０３、１２１０４、１２１０５を有する。

撮像部１２１０１、１２１０２、１２１０３、１２１０４、１２１０５は、例えば、車両１２１００のフロントノーズ、サイドミラー、リアバンパ、バックドア及び車室内のフロントガラスの上部等の位置に設けられる。フロントノーズに備えられる撮像部１２１０１及び車室内のフロントガラスの上部に備えられる撮像部１２１０５は、主として車両１２１００の前方の画像を取得する。サイドミラーに備えられる撮像部１２１０２、１２１０３は、主として車両１２１００の側方の画像を取得する。リアバンパ又はバックドアに備えられる撮像部１２１０４は、主として車両１２１００の後方の画像を取得する。車室内のフロントガラスの上部に備えられる撮像部１２１０５は、主として先行車両又は、歩行者、障害物、信号機、交通標識又は車線等の検出に用いられる。

なお、図９１には、撮像部１２１０１ないし１２１０４の撮影範囲の一例が示されている。撮像範囲１２１１１は、フロントノーズに設けられた撮像部１２１０１の撮像範囲を示し、撮像範囲１２１１２，１２１１３は、それぞれサイドミラーに設けられた撮像部１２１０２，１２１０３の撮像範囲を示し、撮像範囲１２１１４は、リアバンパ又はバックドアに設けられた撮像部１２１０４の撮像範囲を示す。例えば、撮像部１２１０１ないし１２１０４で撮像された画像データが重ね合わせられることにより、車両１２１００を上方から見た俯瞰画像が得られる。

撮像部１２１０１ないし１２１０４の少なくとも１つは、距離情報を取得する機能を有していてもよい。例えば、撮像部１２１０１ないし１２１０４の少なくとも１つは、複数の撮像素子からなるステレオカメラであってもよいし、位相差検出用の画素を有する撮像素子であってもよい。

例えば、マイクロコンピュータ１２０５１は、撮像部１２１０１ないし１２１０４から得られた距離情報を基に、撮像範囲１２１１１ないし１２１１４内における各立体物までの距離と、この距離の時間的変化（車両１２１００に対する相対速度）を求めることにより、特に車両１２１００の進行路上にある最も近い立体物で、車両１２１００と略同じ方向に所定の速度（例えば、０km/h以上）で走行する立体物を先行車として抽出することができる。さらに、マイクロコンピュータ１２０５１は、先行車の手前に予め確保すべき車間距離を設定し、自動ブレーキ制御（追従停止制御も含む）や自動加速制御（追従発進制御も含む）等を行うことができる。このように運転者の操作に拠らずに自律的に走行する自動運転等を目的とした協調制御を行うことができる。

例えば、マイクロコンピュータ１２０５１は、撮像部１２１０１ないし１２１０４から得られた距離情報を元に、立体物に関する立体物データを、２輪車、普通車両、大型車両、歩行者、電柱等その他の立体物に分類して抽出し、障害物の自動回避に用いることができる。例えば、マイクロコンピュータ１２０５１は、車両１２１００の周辺の障害物を、車両１２１００のドライバが視認可能な障害物と視認困難な障害物とに識別する。そして、マイクロコンピュータ１２０５１は、各障害物との衝突の危険度を示す衝突リスクを判断し、衝突リスクが設定値以上で衝突可能性がある状況であるときには、オーディオスピーカ１２０６１や表示部１２０６２を介してドライバに警報を出力することや、駆動系制御ユニット１２０１０を介して強制減速や回避操舵を行うことで、衝突回避のための運転支援を行うことができる。

撮像部１２１０１ないし１２１０４の少なくとも１つは、赤外線を検出する赤外線カメラであってもよい。例えば、マイクロコンピュータ１２０５１は、撮像部１２１０１ないし１２１０４の撮像画像中に歩行者が存在するか否かを判定することで歩行者を認識することができる。かかる歩行者の認識は、例えば赤外線カメラとしての撮像部１２１０１ないし１２１０４の撮像画像における特徴点を抽出する手順と、物体の輪郭を示す一連の特徴点にパターンマッチング処理を行って歩行者か否かを判別する手順によって行われる。マイクロコンピュータ１２０５１が、撮像部１２１０１ないし１２１０４の撮像画像中に歩行者が存在すると判定し、歩行者を認識すると、音声画像出力部１２０５２は、当該認識された歩行者に強調のための方形輪郭線を重畳表示するように、表示部１２０６２を制御する。また、音声画像出力部１２０５２は、歩行者を示すアイコン等を所望の位置に表示するように表示部１２０６２を制御してもよい。

以上、本開示に係る技術が適用され得る車両制御システムの一例について説明した。本開示に係る技術は、以上説明した構成のうち、撮像部１２０３１に適用され得る。撮像部１２０３１に本開示に係る技術を適用することにより、より簡易な構成の撮像部１２０３１を実現できる。

＜１３．その他の実施の形態＞
本技術は、上記実施の形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲内において、種々変更可能である。
例えば、上記第１実施の形態から第１１実施の形態に係る固体撮像装置のうち、２以上の実施の形態に係る固体撮像装置を組み合わせてもよい。
また、本技術では、例えば第９実施の形態に係る固体撮像装置において、単位画素を構築する画素の組数や単位画素の配列レイアウトは適宜変更可能である。

また、本技術は、イメージング用途に限らず、センシング用途等に使用される受光装置、光電変換装置、光検出装置等に広く適用可能である。さらに、固体撮像装置は、可視光の入射光に限らず、赤外光、紫外光、電磁波等の入射光であってもよい。また、本技術は、光電変換素子の光入射側の上方に、任意にバンドパスフィルタ等を設け、所望の入射光を受光する構成であってもよい。

本開示では、固体撮像装置において、画素と、転送トランジスタと、画素分離領域とを備える。画素は、基体の光入射側となる第１面側に配設され、光を電荷に変換する光電変換素子を有する。転送トランジスタは、画素に対応する位置において、基体の第１面とは反対側の第２面側に配設され、光電変換素子に一方の主電極を電気的に接続する。画素分離領域は、光電変換素子及び転送トランジスタの周囲を取り囲んで基体の厚さ方向に配設され、電気的、かつ、光学的に分離する。
ここで、固体撮像装置は、更に接続部を備える。接続部は、基体の第２面側において画素分離領域と重複する位置に配設される。この接続部は、転送トランジスタのゲート電極と制御信号線とを電気的に接続する。
このため、接続部から基体の第２面側への電界の広がりを効果的に抑制又は防止することができるので、接続部からの電界強度を緩和することができる。

＜本技術の構成＞
本技術は、以下の構成を備えている。以下の構成の本技術によれば、固体撮像装置において、制御信号線からその周囲に発生する電界強度を緩和することができる。
（１）
基体の光入射側となる第１面側に配設され、光を電荷に変換する光電変換素子を有する画素と、
前記画素に対応する位置において、前記基体の前記第１面とは反対側の第２面側に配設され、前記光電変換素子に一方の主電極が電気的に接続された転送トランジスタと、
前記光電変換素子及び前記転送トランジスタの周囲を取り囲んで前記基体の厚さ方向に配設され、電気的、かつ、光学的に分離する画素分離領域と、
前記第２面側において前記画素分離領域と重複する位置に配設され、前記転送トランジスタのゲート電極と制御信号線とを電気的に接続する接続部と
を備えている固体撮像装置。
（２）
前記画素分離領域に周囲が取り囲まれた領域内において、前記転送トランジスタの他方の主電極に電気的に接続されるフローティングディフュージョン領域が配設されている
前記（１）に記載の固体撮像装置。
（３）
前記画素分離領域は、第１方向に延設される第１画素分離領域と、第１方向に対して交差する第２方向に延設される第２画素分離領域とを備え、
前記接続部は、前記第１画素分離領域及び前記第２画素分離領域のいずれか一方に重複する位置に配設され、
前記フローティングディフュージョン領域は、前記第１画素分離領域と前記第２画素分離領域との交差部、又は前記第１画素分離領域及び前記第２画素分離領域のいずれか他方に近接する位置に配設されている
前記（２）に記載の固体撮像装置。
（４）
前記フローティングディフュージョン領域の側面に沿って、前記ゲート電極が配設されている
前記（２）又は前記（３）に記載の固体撮像装置。
（５）
前記フローティングディフュージョン領域は、前記第２面側から見て矩形状に形成され、
前記ゲート電極は、前記フローティングディフュージョン領域の矩形状の１辺以上の側面に沿って配設されている
前記（４）に記載の固体撮像装置。
（６）
前記ゲート電極は、１以上の本数において、前記基体の厚さ方向に延設されている
前記（１）から前記（５）のいずれか１つに記載の固体撮像装置。
（７）
前記ゲート電極は、前記接続部と前記フローティングディフュージョン領域との間に配設されている
前記（２）から前記（５）のいずれか１つに記載の固体撮像装置。
（８）
前記接続部と前記フローティングディフュージョン領域との離間距離は、前記ゲート電極と前記フローティングディフュージョン領域との離間距離よりも大きい
前記（２）から前記（５）、前記（７）のいずれか１つに記載の固体撮像装置。
（９）
前記ゲート電極の前記第２面側の第３面は、前記フローティングディフュージョン領域の前記第１面側の第４面に対して、前記基体の厚さ方向において同一の位置、又は前記第４面よりも前記第１面側の位置に形成されている
前記（２）から前記（５）、前記（７）、前記（８）のいずれか１つに記載の固体撮像装置。
（１０）
前記ゲート電極の前記第３面に、前記第２面側に向かって、絶縁体が配設されている
前記（９）に記載の固体撮像装置。
（１１）
前記絶縁体は、前記第３面に対応する位置に、前記基体の前記第２面から前記第１面側へ向かって形成された溝内に埋設されている
前記（１０）に記載の固体撮像装置。
（１２）
前記絶縁体は、前記基体の前記第２面に配設される層間絶縁膜に対して、同一の層、かつ、同一の絶縁材料により形成されている
前記（１０）又は前記（１１）に記載の固体撮像装置。
（１３）
前記画素は、前記画素分離領域を介在させて、第１方向及び第２方向に複数配列され、
第１方向又は第２方向に隣接して配列された前記画素のそれぞれの前記フローティングディフュージョン領域は、共有接続部を介在させて、相互に電気的に接続されている
前記（３）に記載の固体撮像装置。

１…固体撮像装置、１０…画素、１１…光電変換素子、１２…転送トランジスタ、１２１…接続部（制御信号線の接続部）、１６…画素分離領域、１６１…第１溝、１６２…第１埋設部材、２…基体、２Ａ…第１面（光入射面）、２Ｂ…第２面、２０Ｓ…第２基体、２０…画素回路、２１…増幅トランジスタ（第１トランジスタ）、２２…選択トランジスタ（第２トランジスタ）、２３…ＦＤ変換ゲイン切替えトランジスタ（第３トランジスタ）、２４…リセットトランジスタ（第４トランジスタ）、２５…ＦＤ領域、２５Ｂ…第４面、２０５…垂直ゲート電極、２０５Ｕ…第３面、２６…素子分離領域、２６１…第２溝、２６２…第２埋設部材、２７…基体接続部、３２、３３…共有接続部、６…層間絶縁膜、６Ｈ…接続孔、７…配線。

Claims (13)

1. 基体の光入射側となる第１面側に配設され、光を電荷に変換する光電変換素子を有する画素と、
   前記画素に対応する位置において、前記基体の前記第１面とは反対側の第２面側に配設され、前記光電変換素子に一方の主電極が電気的に接続された転送トランジスタと、
   前記光電変換素子及び前記転送トランジスタの周囲を取り囲んで前記基体の厚さ方向に配設され、電気的、かつ、光学的に分離する画素分離領域と、
   前記第２面側において前記画素分離領域と重複する位置に配設され、前記転送トランジスタのゲート電極と制御信号線とを電気的に接続する接続部と
   を備えている固体撮像装置。
2. 前記画素分離領域に周囲が取り囲まれた領域内において、前記転送トランジスタの他方の主電極に電気的に接続されるフローティングディフュージョン領域が配設されている
   請求項１に記載の固体撮像装置。
3. 前記画素分離領域は、第１方向に延設される第１画素分離領域と、第１方向に対して交差する第２方向に延設される第２画素分離領域とを備え、
   前記接続部は、前記第１画素分離領域及び前記第２画素分離領域のいずれか一方に重複する位置に配設され、
   前記フローティングディフュージョン領域は、前記第１画素分離領域と前記第２画素分離領域との交差部、又は前記第１画素分離領域及び前記第２画素分離領域のいずれか他方に近接する位置に配設されている
   請求項２に記載の固体撮像装置。
4. 前記フローティングディフュージョン領域の側面に沿って、前記ゲート電極が配設されている
   請求項２に記載の固体撮像装置。
5. 前記フローティングディフュージョン領域は、前記第２面側から見て矩形状に形成され、
   前記ゲート電極は、前記フローティングディフュージョン領域の矩形状の１辺以上の側面に沿って配設されている
   請求項４に記載の固体撮像装置。
6. 前記ゲート電極は、１以上の本数において、前記基体の厚さ方向に延設されている
   請求項１に記載の固体撮像装置。
7. 前記ゲート電極は、前記接続部と前記フローティングディフュージョン領域との間に配設されている
   請求項２に記載の固体撮像装置。
8. 前記接続部と前記フローティングディフュージョン領域との離間距離は、前記ゲート電極と前記フローティングディフュージョン領域との離間距離よりも大きい
   請求項２に記載の固体撮像装置。
9. 前記ゲート電極の前記第２面側の第３面は、前記フローティングディフュージョン領域の前記第１面側の第４面に対して、前記基体の厚さ方向において同一の位置、又は前記第４面よりも前記第１面側の位置に形成されている
   請求項２に記載の固体撮像装置。
10. 前記ゲート電極の前記第３面に、前記第２面側に向かって、絶縁体が配設されている
    請求項９に記載の固体撮像装置。
11. 前記絶縁体は、前記第３面に対応する位置に、前記基体の前記第２面から前記第１面側へ向かって形成された溝内に埋設されている
    請求項１０に記載の固体撮像装置。
12. 前記絶縁体は、前記基体の前記第２面に配設される層間絶縁膜に対して、同一の層、かつ、同一の絶縁材料により形成されている
    請求項１０に記載の固体撮像装置。
13. 前記画素は、前記画素分離領域を介在させて、第１方向及び第２方向に複数配列され、
    第１方向又は第２方向に隣接して配列された前記画素のそれぞれの前記フローティングディフュージョン領域は、共有接続部を介在させて、相互に電気的に接続されている
    請求項３に記載の固体撮像装置。
    
    

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