JP2011003860A - 固体撮像装置とその製造方法、及び電子機器 - Google Patents
固体撮像装置とその製造方法、及び電子機器 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2011003860A JP2011003860A JP2009148088A JP2009148088A JP2011003860A JP 2011003860 A JP2011003860 A JP 2011003860A JP 2009148088 A JP2009148088 A JP 2009148088A JP 2009148088 A JP2009148088 A JP 2009148088A JP 2011003860 A JP2011003860 A JP 2011003860A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- substrate
- imaging device
- solid
- state imaging
- light
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Images
Landscapes
- Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
Abstract
【解決手段】基板13に形成された複数の画素2を有する固体撮像装置1において、各画素2は、基板13に埋め込まれた遮光部17によって分離されている。この遮光部17は、隣接する受光部PD間に形成され、基板13の裏面側から所望の深さに形成されたトレンチ部19、及びトレンチ部19内に埋め込まれた遮光膜20で構成されている。これにより、斜めに入射した光が受光部PDに入射するのを防ぐことができる。
【選択図】図3
Description
これらの固体撮像装置では、画素毎にフォトダイオードからなる受光部が形成されており、受光部では、受光部に入射した光による光電変換により信号電荷が生成される。CCD型の固体撮像装置では、受光部において生成された信号電荷はCCD構造を有する電荷転送部内を転送され、出力部において画素信号に変換されて出力される。一方、CMOS型の固体撮像装置では、受光部において生成された信号電荷は画素毎に増幅され、増幅された信号が画素信号として信号線により出力される。
1.第1の実施形態:固体撮像装置
1.1 固体撮像装置全体の構成
1.2 要部の構成
1.3 固体撮像装置の製造方法
2.第2の実施形態:固体撮像装置
3.第3の実施形態:電子機器
[1−1 固体撮像装置全体の構成]
図1は、本発明の第1の実施形態に係るCMOS型の固体撮像装置の全体を示す概略構成図である。
本実施形態例の固体撮像装置1は、シリコンからなる基板11上に配列された複数の画素2から構成される画素部3と、垂直駆動回路4と、カラム信号処理回路5と、水平駆動回路6と、出力回路7と、制御回路8等を有して構成される。
図2に、本実施形態例の固体撮像装置1の画素部3における断面構成図を示す。本実施形態例の固体撮像装置1は、裏面照射型のCMOS型固体撮像装置を例としたものである。
受光部PDでは、入射した光の光量に応じた信号電荷が生成され、蓄積される。また、基板の界面で発生する暗電流の原因となる電子は暗電流抑制領域22,23の多数キャリアである正孔に吸収されることにより、暗電流が抑制される。
さらに、素子分離領域24に埋め込まれて形成された遮光部17により、光入射面側において斜めに入射してくる光が隣接する画素2に入射することを防ぐ。すなわち、遮光部17によって画素間の光学的分離がなされる。
図3〜図12に、本実施形態例の固体撮像装置1の製造工程図を示し、本実施形態例の固体撮像装置1の製造方法を説明する。
また、配線層26は、ゲート電極28形成後、例えばシリコン酸化膜からなる層間絶縁膜27の形成と、アルミニウムや銅等で構成される配線25の形成を所望の回数繰り返して行うことにより形成することができる。このとき、図示しないが各配線間を接続するコンタクト部の形成も行われる。
裏面領域30は、画素形成領域12側から順に、ノンドープのシリコン層30a、p型の高濃度不純物層からなるエッチングストッパー層30b、ノンドープのシリコン層30aが積層された構造とされている。このエッチングストッパー層30bは、ノンドープのシリコン層30aの所望の領域にボロンを高濃度にイオン注入することによって形成することができる。その他、ノンドープのシリコン層30aをエピタキシャル成長法によって形成し、その形成過程で、所望の領域にp型の高濃度不純物層を形成する方法を用いてもよい。本実施形態例の裏面領域30は、基板13に接する側のシリコン層30aが、約2μm〜5μm、エッチングストッパー層30bが約1μm、エッチングストッパー層30b上に形成されるシリコン層30aが、約1μmとなるように構成されている。
次に、本発明の第2の実施形態に係る固体撮像装置について説明する。本実施形態例の固体撮像装置は、第1の実施形態の固体撮像装置と同様に裏面照射型の固体撮像装置であり、全体の構成は、図1と同様であるから、重複説明を省略する。
なお、固体撮像装置はワンチップとして形成された形態であってもよいし、画素部と、信号処理部または光学系とがまとめてパッケージングされた撮像機能を有するモジュール状の形態であってもよい。
次に、本発明の第3の実施形態に係る電子機器について説明する。図14は、本発明の第3の実施形態に係る電子機器200の概略構成図である。
本実施形態例の電子機器200は、上述した本発明の第1の実施形態における固体撮像装置1を、静止画撮影が可能なデジタルカメラを例としたものである。
シャッタ装置211は、固体撮像装置1への光照射期間および遮光期間を制御する。
駆動回路212は、固体撮像装置1の転送動作およびシャッタ装置211のシャッタ動作を制御する駆動信号を供給する。駆動回路212から供給される駆動信号(タイミング信号)により、固体撮像装置1の信号転送を行なう。信号処理回路213は、各種の信号処理を行う。信号処理が行われた映像信号は、メモリなどの記憶媒体に記憶され、あるいはモニタに出力される。
2 画素
3 画素部
4 垂直駆動回路
5 カラム信号処理回路
6 水平駆動回路
7 出力回路
8 制御回路
10 水平信号線
12 画素形成領域
13 基板
14 支持基板
15 配線層
16 オンチップレンズ
17 遮光部
18 高誘電率材料膜
19 トレンチ部
20 遮光膜
21 電荷蓄積領域
22 暗電流抑制領域
23 暗電流抑制領域
24 素子分離領域
25 配線
26 配線層
27 層間絶縁膜
28 ゲート電極
29 ゲート絶縁膜
30 裏面領域
30a シリコン層
30b エッチングストッパー層
31 フォトレジスト層
31a 開口部
32 埋め込み膜
Claims (13)
- 複数の受光部が形成された基板であって、前記基板の裏面側が光照射面とされる基板と、
前記基板の表面側に形成された配線層と、
隣接する受光部間に形成され、前記基板の裏面側から所望の深さに形成されたトレンチ部、及び前記トレンチ部内に埋め込まれた遮光膜で構成された遮光部と、
を有する固体撮像装置。 - 前記隣接する受光部間には、所定の不純物領域から構成され、隣接する受光部間を電気的に分離する為の素子分離領域が形成されており、
前記遮光部は、前記素子分離領域内に形成されている
請求項1記載の固体撮像装置。 - 前記遮光部は、前記基板を貫通して形成されている
請求項2記載の固体撮像装置。 - 前記トレンチ部とトレンチ部に埋め込まれた遮光膜との間には、高誘電率材料膜が形成されている
請求項3記載の固体撮像装置。 - 前記遮光膜は、アルミニウム又はタングステンで構成されている
請求項4記載の固体撮像装置。 - 前記高誘電率材料膜は、酸化ハフニウム、五酸化タンタル、又は二酸化ジルコニウムで構成されている
請求項4記載の固体撮像装置。 - 基板の表面領域に複数の受光部及び所望の不純物領域を形成し、裏面領域にエッチングストッパー層を形成する工程、
前記基板の表面側に、層間絶縁膜を介して形成された複数層の配線からなる配線層を形成する工程、
前記基板を前記基板の裏面側から前記エッチングストッパー層までエッチングする工程、
前記基板を貫通して、前記基板の裏面側から所望の深さに達するトレンチ部を形成する工程、
前記基板に形成されたトレンチ部に埋め込み膜を形成し、前記埋め込み膜をストッパーとして、前記基板を薄肉化する工程、
前記埋め込み膜を除去して後、前記トレンチ部に、遮光膜を埋め込む工程、
有する固体撮像装置の製造方法。 - 前記基板の裏面領域は、ノンドープのシリコン層により構成され、前記エッチングストッパー層は、p型の高濃度不純物層によって構成されている
請求項7記載の固体撮像装置の製造方法。 - 前記トレンチ部は前記基板を貫通するように形成する
請求項8記載の固体撮像装置の製造方法。 - 前記トレンチ部とトレンチ部に埋め込まれた遮光膜との間には、高誘電率材料膜が形成されている
請求項9記載の固体撮像装置の製造方法。 - 前記遮光膜は、アルミニウム又はタングステンで構成されている
請求項9記載の固体撮像装置の製造方法。 - 前記高誘電率材料膜は、酸化ハフニウム、五酸化タンタル、又は二酸化ジルコニウムで構成されている
請求項9記載の固体撮像装置の製造方法。 - 光学レンズと、
複数の受光部が形成された基板であって、前記基板の裏面側が光照射面とされる基板と、前記基板の表面側に形成された配線層と、隣接する受光部間に形成され、前記基板の裏面側から所望の深さに形成されたトレンチ部、及び前記トレンチ部内に埋め込まれた遮光膜で構成された遮光部と、から構成され、前記光学レンズに集光された光が入射される固体撮像装置と
前記固体撮像装置から出力される出力信号を処理する信号処理回路と、
を含む電子機器。
Priority Applications (18)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2009148088A JP4816768B2 (ja) | 2009-06-22 | 2009-06-22 | 固体撮像装置とその製造方法、及び電子機器 |
KR1020100005089A KR101776955B1 (ko) | 2009-02-10 | 2010-01-20 | 고체 촬상 장치와 그 제조 방법, 및 전자 기기 |
EP13177771.6A EP2657972A1 (en) | 2009-02-10 | 2010-01-27 | Solid-state imaging device, method of manufacturing the same, and electronic apparatus |
EP10151732.4A EP2216818B1 (en) | 2009-02-10 | 2010-01-27 | Solid-state imaging device, method of manufacturing the same, and electronic apparatus |
TW099102846A TWI401794B (zh) | 2009-02-10 | 2010-02-01 | 固體攝像裝置及其製造方法,以及電子機器 |
CN201310537765.4A CN103545335B (zh) | 2009-02-10 | 2010-02-03 | 固态成像装置及其制造方法以及电子设备 |
CN201010110506.XA CN101800233B (zh) | 2009-02-10 | 2010-02-03 | 固态成像装置及其制造方法以及电子设备 |
CN201310537776.2A CN103531604B (zh) | 2009-02-10 | 2010-02-03 | 固态成像装置及其制造方法以及电子设备 |
US12/699,488 US8928784B2 (en) | 2009-02-10 | 2010-02-03 | Solid-state imaging device, method of manufacturing the same, and electronic apparatus |
US14/563,036 US9647025B2 (en) | 2009-02-10 | 2014-12-08 | Solid-state imaging device, method of manufacturing the same, and electronic apparatus |
US14/942,691 US9570500B2 (en) | 2009-02-10 | 2015-11-16 | Solid-state imaging device, method of manufacturing the same, and electronic apparatus |
KR1020160128967A KR20160121482A (ko) | 2009-02-10 | 2016-10-06 | 고체 촬상 장치와 그 제조 방법, 및 전자 기기 |
US15/394,241 US9799698B2 (en) | 2009-02-10 | 2016-12-29 | Solid-state imaging device having improved light-collection, method of manufacturing the same, and electronic apparatus |
US15/647,093 US10141365B2 (en) | 2009-02-10 | 2017-07-11 | Solid-state imaging device having improved light-collection, method of manufacturing the same, and electronic apparatus |
KR1020170123986A KR20170117905A (ko) | 2009-02-10 | 2017-09-26 | 고체 촬상 장치와 그 제조 방법 및 전자 기기 |
KR1020180045459A KR101893325B1 (ko) | 2009-02-10 | 2018-04-19 | 고체 촬상 장치와 그 제조 방법, 및 전자 기기 |
US16/178,454 US11264423B2 (en) | 2009-02-10 | 2018-11-01 | Solid-state imaging device having improved light-collection, method of manufacturing the same, and electronic apparatus |
US17/564,666 US11735620B2 (en) | 2009-02-10 | 2021-12-29 | Solid-state imaging device having optical black region, method of manufacturing the same, and electronic apparatus |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2009148088A JP4816768B2 (ja) | 2009-06-22 | 2009-06-22 | 固体撮像装置とその製造方法、及び電子機器 |
Related Child Applications (2)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2011153120A Division JP5246304B2 (ja) | 2011-07-11 | 2011-07-11 | 固体撮像装置の製造方法 |
JP2011153119A Division JP5353965B2 (ja) | 2011-07-11 | 2011-07-11 | 固体撮像装置の製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2011003860A true JP2011003860A (ja) | 2011-01-06 |
JP4816768B2 JP4816768B2 (ja) | 2011-11-16 |
Family
ID=43561550
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2009148088A Active JP4816768B2 (ja) | 2009-02-10 | 2009-06-22 | 固体撮像装置とその製造方法、及び電子機器 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP4816768B2 (ja) |
Cited By (41)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2011119620A (ja) * | 2009-12-07 | 2011-06-16 | Canon Inc | 固体撮像装置の製造方法 |
JP2012023207A (ja) * | 2010-07-14 | 2012-02-02 | Toshiba Corp | 裏面照射型固体撮像装置 |
JP2012169530A (ja) * | 2011-02-16 | 2012-09-06 | Sony Corp | 固体撮像装置、および、その製造方法、電子機器 |
WO2012117931A1 (ja) * | 2011-03-02 | 2012-09-07 | ソニー株式会社 | 固体撮像装置、固体撮像装置の製造方法及び電子機器 |
JP2012178457A (ja) * | 2011-02-25 | 2012-09-13 | Sony Corp | 固体撮像装置、および、その製造方法、電子機器 |
WO2012164809A1 (ja) * | 2011-05-31 | 2012-12-06 | パナソニック株式会社 | 固体撮像装置及びその製造方法 |
JP2013065688A (ja) * | 2011-09-16 | 2013-04-11 | Sony Corp | 固体撮像素子および製造方法、並びに電子機器 |
JP2013243324A (ja) * | 2012-05-23 | 2013-12-05 | Sony Corp | 撮像素子、および撮像装置 |
JP2014033107A (ja) * | 2012-08-03 | 2014-02-20 | Sony Corp | 固体撮像装置、固体撮像装置の製造方法及び電子機器 |
JP2014131083A (ja) * | 2014-04-03 | 2014-07-10 | Sony Corp | 固体撮像装置、及び電子機器 |
WO2014156933A1 (ja) * | 2013-03-29 | 2014-10-02 | ソニー株式会社 | 撮像素子および撮像装置 |
US8969988B2 (en) | 2012-07-12 | 2015-03-03 | Sony Corporation | Solid-state imaging device, method of manufacturing solid-state imaging device, and electronic device |
WO2015053047A1 (ja) * | 2013-10-08 | 2015-04-16 | オリンパス株式会社 | 撮像装置 |
US9111833B2 (en) | 2012-10-23 | 2015-08-18 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Method of manufacturing solid-state imaging device and solid-state imaging device |
WO2015174297A1 (ja) * | 2014-05-16 | 2015-11-19 | ソニー株式会社 | 固体撮像装置およびその製造方法、並びに電子機器 |
JP2016092178A (ja) * | 2014-11-04 | 2016-05-23 | 株式会社リコー | 固体撮像素子 |
FR3032557A1 (fr) * | 2015-02-10 | 2016-08-12 | St Microelectronics Sa | Capteur d'images couleur et son procede de fabrication |
WO2016136486A1 (ja) * | 2015-02-27 | 2016-09-01 | ソニー株式会社 | 固体撮像装置及び電子機器 |
US9570500B2 (en) | 2009-02-10 | 2017-02-14 | Sony Corporation | Solid-state imaging device, method of manufacturing the same, and electronic apparatus |
US9584744B2 (en) * | 2015-06-23 | 2017-02-28 | Semiconductor Components Industries, Llc | Image sensors with voltage-biased trench isolation structures |
KR20170104009A (ko) | 2012-01-23 | 2017-09-13 | 소니 주식회사 | 고체 촬상 장치 및 제조 방법 및 전자 기기 |
JPWO2017057278A1 (ja) * | 2015-09-30 | 2018-07-26 | 株式会社ニコン | 撮像素子および撮像装置 |
JPWO2017057277A1 (ja) * | 2015-09-30 | 2018-07-26 | 株式会社ニコン | 撮像素子および撮像装置 |
US10224359B2 (en) | 2012-03-22 | 2019-03-05 | Sionyx, Llc | Pixel isolation elements, devices and associated methods |
US10229951B2 (en) | 2010-04-21 | 2019-03-12 | Sionyx, Llc | Photosensitive imaging devices and associated methods |
US10269861B2 (en) | 2011-06-09 | 2019-04-23 | Sionyx, Llc | Process module for increasing the response of backside illuminated photosensitive imagers and associated methods |
JPWO2018008614A1 (ja) * | 2016-07-06 | 2019-04-25 | ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 | 撮像素子、撮像素子の製造方法、及び、電子機器 |
US10347682B2 (en) | 2013-06-29 | 2019-07-09 | Sionyx, Llc | Shallow trench textured regions and associated methods |
WO2019138923A1 (ja) * | 2018-01-11 | 2019-07-18 | ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 | 固体撮像装置、電子機器 |
US10361083B2 (en) | 2004-09-24 | 2019-07-23 | President And Fellows Of Harvard College | Femtosecond laser-induced formation of submicrometer spikes on a semiconductor substrate |
US10374109B2 (en) | 2001-05-25 | 2019-08-06 | President And Fellows Of Harvard College | Silicon-based visible and near-infrared optoelectric devices |
US10505054B2 (en) | 2010-06-18 | 2019-12-10 | Sionyx, Llc | High speed photosensitive devices and associated methods |
WO2020209126A1 (ja) * | 2019-04-12 | 2020-10-15 | ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 | 固体撮像装置 |
WO2020209107A1 (ja) * | 2019-04-12 | 2020-10-15 | ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 | 固体撮像装置 |
JPWO2019093151A1 (ja) * | 2017-11-09 | 2020-12-10 | ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 | 固体撮像装置、および電子機器 |
JPWO2019220945A1 (ja) * | 2018-05-18 | 2021-06-17 | ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 | 撮像素子、電子機器 |
WO2022019307A1 (ja) * | 2020-07-22 | 2022-01-27 | 国立大学法人静岡大学 | 光電変換素子 |
US11424283B2 (en) | 2019-04-26 | 2022-08-23 | Canon Kabushiki Kaisha | Photoelectric conversion apparatus, imaging system and mobile body |
JP7395650B2 (ja) | 2017-02-17 | 2023-12-11 | ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 | 撮像素子および電子機器 |
US11889177B2 (en) | 2018-08-31 | 2024-01-30 | Sony Semiconductor Solutions Corporation | Electronic device and solid-state imaging device |
JP7451029B2 (ja) | 2017-11-09 | 2024-03-18 | ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 | 固体撮像装置、および電子機器 |
Families Citing this family (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2014022448A (ja) | 2012-07-13 | 2014-02-03 | Toshiba Corp | 固体撮像装置 |
KR102401583B1 (ko) | 2017-03-29 | 2022-05-24 | 삼성전자주식회사 | 이미지 센서 |
KR20200132537A (ko) | 2019-05-17 | 2020-11-25 | 삼성전자주식회사 | 광전 변환 소자, 유기 센서 및 전자 장치 |
US20240088187A1 (en) * | 2022-09-12 | 2024-03-14 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Deep trench isolation structure for high resolution cis pixel |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2004172195A (ja) * | 2002-11-18 | 2004-06-17 | Fujitsu Ltd | 半導体装置および半導体集積回路装置 |
JP2008182185A (ja) * | 2007-01-24 | 2008-08-07 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co Ltd | 裏面照射型半導体装置およびその製造方法 |
JP2009088030A (ja) * | 2007-09-27 | 2009-04-23 | Fujifilm Corp | 裏面照射型撮像素子 |
JP2009088415A (ja) * | 2007-10-02 | 2009-04-23 | Sony Corp | 固体撮像装置及びその製造方法、並びにカメラ |
-
2009
- 2009-06-22 JP JP2009148088A patent/JP4816768B2/ja active Active
Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2004172195A (ja) * | 2002-11-18 | 2004-06-17 | Fujitsu Ltd | 半導体装置および半導体集積回路装置 |
JP2008182185A (ja) * | 2007-01-24 | 2008-08-07 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co Ltd | 裏面照射型半導体装置およびその製造方法 |
JP2009088030A (ja) * | 2007-09-27 | 2009-04-23 | Fujifilm Corp | 裏面照射型撮像素子 |
JP2009088415A (ja) * | 2007-10-02 | 2009-04-23 | Sony Corp | 固体撮像装置及びその製造方法、並びにカメラ |
Cited By (99)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US10374109B2 (en) | 2001-05-25 | 2019-08-06 | President And Fellows Of Harvard College | Silicon-based visible and near-infrared optoelectric devices |
US10741399B2 (en) | 2004-09-24 | 2020-08-11 | President And Fellows Of Harvard College | Femtosecond laser-induced formation of submicrometer spikes on a semiconductor substrate |
US10361083B2 (en) | 2004-09-24 | 2019-07-23 | President And Fellows Of Harvard College | Femtosecond laser-induced formation of submicrometer spikes on a semiconductor substrate |
US9647025B2 (en) | 2009-02-10 | 2017-05-09 | Sony Corporation | Solid-state imaging device, method of manufacturing the same, and electronic apparatus |
US9570500B2 (en) | 2009-02-10 | 2017-02-14 | Sony Corporation | Solid-state imaging device, method of manufacturing the same, and electronic apparatus |
US11735620B2 (en) | 2009-02-10 | 2023-08-22 | Sony Group Corporation | Solid-state imaging device having optical black region, method of manufacturing the same, and electronic apparatus |
JP2011119620A (ja) * | 2009-12-07 | 2011-06-16 | Canon Inc | 固体撮像装置の製造方法 |
US10229951B2 (en) | 2010-04-21 | 2019-03-12 | Sionyx, Llc | Photosensitive imaging devices and associated methods |
US10505054B2 (en) | 2010-06-18 | 2019-12-10 | Sionyx, Llc | High speed photosensitive devices and associated methods |
JP2012023207A (ja) * | 2010-07-14 | 2012-02-02 | Toshiba Corp | 裏面照射型固体撮像装置 |
JP2012169530A (ja) * | 2011-02-16 | 2012-09-06 | Sony Corp | 固体撮像装置、および、その製造方法、電子機器 |
JP2012178457A (ja) * | 2011-02-25 | 2012-09-13 | Sony Corp | 固体撮像装置、および、その製造方法、電子機器 |
CN102683358A (zh) * | 2011-02-25 | 2012-09-19 | 索尼公司 | 固体摄像器件、其制造方法以及电子装置 |
US9577002B2 (en) | 2011-02-25 | 2017-02-21 | Sony Corporation | Solid-state imaging device, manufacturing method thereof, and electronic apparatus |
US10504953B2 (en) | 2011-03-02 | 2019-12-10 | Sony Corporation | Solid-state imaging device, manufacturing method of solid-state imaging device, and electronic device |
JP2020080418A (ja) * | 2011-03-02 | 2020-05-28 | ソニー株式会社 | 固体撮像装置、及び、電子機器 |
US10418404B2 (en) | 2011-03-02 | 2019-09-17 | Sony Corporation | Solid-state imaging device, manufacturing method of solid-state imaging device, and electronic device |
US9595557B2 (en) | 2011-03-02 | 2017-03-14 | Sony Corporation | Solid-state imaging device, manufacturing method of solid-state imaging device, and electronic device |
KR102065291B1 (ko) * | 2011-03-02 | 2020-01-10 | 소니 주식회사 | 고체 촬상 장치, 고체 촬상 장치의 제조 방법 및 전자 기기 |
US9923010B2 (en) | 2011-03-02 | 2018-03-20 | Sony Corporation | Solid-state imaging device, manufacturing method of solid-state imaging device, and electronic device |
US10128291B2 (en) | 2011-03-02 | 2018-11-13 | Sony Corporation | Solid-state imaging device, manufacturing method of solid-state imaging device, and electronic device |
WO2012117931A1 (ja) * | 2011-03-02 | 2012-09-07 | ソニー株式会社 | 固体撮像装置、固体撮像装置の製造方法及び電子機器 |
JP2022046719A (ja) * | 2011-03-02 | 2022-03-23 | ソニーグループ株式会社 | 固体撮像装置、及び、電子機器 |
US9673235B2 (en) | 2011-03-02 | 2017-06-06 | Sony Corporation | Solid-state imaging device, manufacturing method of solid-state imaging device, and electronic device |
JP2013175494A (ja) * | 2011-03-02 | 2013-09-05 | Sony Corp | 固体撮像装置、固体撮像装置の製造方法及び電子機器 |
US9502450B2 (en) | 2011-03-02 | 2016-11-22 | Sony Corporation | Solid-state imaging device, manufacturing method of solid-state imaging device, and electronic device |
JP2017191950A (ja) * | 2011-03-02 | 2017-10-19 | ソニー株式会社 | 固体撮像装置及び電子機器 |
JP6020933B2 (ja) * | 2011-05-31 | 2016-11-02 | パナソニックIpマネジメント株式会社 | 固体撮像装置及びその製造方法 |
WO2012164809A1 (ja) * | 2011-05-31 | 2012-12-06 | パナソニック株式会社 | 固体撮像装置及びその製造方法 |
JPWO2012164809A1 (ja) * | 2011-05-31 | 2014-07-31 | パナソニック株式会社 | 固体撮像装置及びその製造方法 |
US10269861B2 (en) | 2011-06-09 | 2019-04-23 | Sionyx, Llc | Process module for increasing the response of backside illuminated photosensitive imagers and associated methods |
US11716555B2 (en) | 2011-09-16 | 2023-08-01 | Sony Corporation | Light detecting device |
US9659984B2 (en) | 2011-09-16 | 2017-05-23 | Sony Corporation | Solid-state image sensor including a photoelectric conversion element, a charge conversion element, and a light shielding element, method for producing the same solid-state image sensor, and electronic apparatus including the same solid-state image sensor |
JP2013065688A (ja) * | 2011-09-16 | 2013-04-11 | Sony Corp | 固体撮像素子および製造方法、並びに電子機器 |
KR20170104009A (ko) | 2012-01-23 | 2017-09-13 | 소니 주식회사 | 고체 촬상 장치 및 제조 방법 및 전자 기기 |
KR20190116567A (ko) | 2012-01-23 | 2019-10-14 | 소니 주식회사 | 고체 촬상 장치 및 제조 방법 및 전자 기기 |
US10224359B2 (en) | 2012-03-22 | 2019-03-05 | Sionyx, Llc | Pixel isolation elements, devices and associated methods |
JP2013243324A (ja) * | 2012-05-23 | 2013-12-05 | Sony Corp | 撮像素子、および撮像装置 |
KR102115046B1 (ko) * | 2012-05-23 | 2020-05-25 | 소니 주식회사 | 촬상 장치 |
KR20150027044A (ko) * | 2012-05-23 | 2015-03-11 | 소니 주식회사 | 촬상 장치 |
US8969988B2 (en) | 2012-07-12 | 2015-03-03 | Sony Corporation | Solid-state imaging device, method of manufacturing solid-state imaging device, and electronic device |
KR20150037897A (ko) * | 2012-08-03 | 2015-04-08 | 소니 주식회사 | 고체 촬상 장치, 고체 촬상 장치의 제조 방법 및 전자 기기 |
US9748296B2 (en) | 2012-08-03 | 2017-08-29 | Sony Corporation | Solid-state imaging device, method for producing solid-state imaging device and electronic apparatus |
JP2014033107A (ja) * | 2012-08-03 | 2014-02-20 | Sony Corp | 固体撮像装置、固体撮像装置の製造方法及び電子機器 |
US10748949B2 (en) | 2012-08-03 | 2020-08-18 | Sony Corporation | Solid-state imaging device, method for producing solid-state imaging device and electronic apparatus |
KR102237324B1 (ko) * | 2012-08-03 | 2021-04-07 | 소니 주식회사 | 고체 촬상 장치, 고체 촬상 장치의 제조 방법 및 전자 기기 |
KR102126095B1 (ko) * | 2012-08-03 | 2020-06-23 | 소니 주식회사 | 고체 촬상 장치, 고체 촬상 장치의 제조 방법 및 전자 기기 |
KR20200074274A (ko) * | 2012-08-03 | 2020-06-24 | 소니 주식회사 | 고체 촬상 장치, 고체 촬상 장치의 제조 방법 및 전자 기기 |
US9111833B2 (en) | 2012-10-23 | 2015-08-18 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Method of manufacturing solid-state imaging device and solid-state imaging device |
US9543346B2 (en) | 2013-03-29 | 2017-01-10 | Sony Corporation | Imaging element and imaging device |
WO2014156933A1 (ja) * | 2013-03-29 | 2014-10-02 | ソニー株式会社 | 撮像素子および撮像装置 |
US10347682B2 (en) | 2013-06-29 | 2019-07-09 | Sionyx, Llc | Shallow trench textured regions and associated methods |
US11069737B2 (en) | 2013-06-29 | 2021-07-20 | Sionyx, Llc | Shallow trench textured regions and associated methods |
JP2015076702A (ja) * | 2013-10-08 | 2015-04-20 | オリンパス株式会社 | 撮像装置 |
WO2015053047A1 (ja) * | 2013-10-08 | 2015-04-16 | オリンパス株式会社 | 撮像装置 |
US9942491B2 (en) | 2013-10-08 | 2018-04-10 | Olympus Corporation | Imaging device including two substrates |
JP2014131083A (ja) * | 2014-04-03 | 2014-07-10 | Sony Corp | 固体撮像装置、及び電子機器 |
US10325950B2 (en) | 2014-05-16 | 2019-06-18 | Sony Semiconductor Solutions Corporation | Solid-state imaging device, method of manufacturing the same, and electronic device |
WO2015174297A1 (ja) * | 2014-05-16 | 2015-11-19 | ソニー株式会社 | 固体撮像装置およびその製造方法、並びに電子機器 |
US11676984B2 (en) | 2014-05-16 | 2023-06-13 | Sony Semiconductor Solutions Corporation | Solid-state imaging device, method of manufacturing the same, and electronic device |
JP2016092178A (ja) * | 2014-11-04 | 2016-05-23 | 株式会社リコー | 固体撮像素子 |
US9859319B2 (en) | 2015-02-10 | 2018-01-02 | Stmicroelectronics Sa | Color image sensor and method of manufacturing the same |
US10199413B2 (en) | 2015-02-10 | 2019-02-05 | Stmicroelectronics Sa | Methods of manufacturing a color image sensor having an array of pixels with color filters |
FR3032557A1 (fr) * | 2015-02-10 | 2016-08-12 | St Microelectronics Sa | Capteur d'images couleur et son procede de fabrication |
US11217612B2 (en) | 2015-02-27 | 2022-01-04 | Sony Corporation | Solid-state image sensing device and electronic device |
JPWO2016136486A1 (ja) * | 2015-02-27 | 2017-12-07 | ソニー株式会社 | 固体撮像装置及び電子機器 |
CN113437105B (zh) * | 2015-02-27 | 2024-01-19 | 索尼公司 | 固态图像感测装置及电子装置 |
US11637135B2 (en) | 2015-02-27 | 2023-04-25 | Sony Group Corporation | Solid-state image sensing device and electronic device |
US20220093655A1 (en) * | 2015-02-27 | 2022-03-24 | Sony Group Corporation | Solid-state image sensing device and electronic device |
US10515988B2 (en) | 2015-02-27 | 2019-12-24 | Sony Corporation | Solid-state image sensing device and electronic device |
CN113437105A (zh) * | 2015-02-27 | 2021-09-24 | 索尼公司 | 固态成像装置及电子装置 |
WO2016136486A1 (ja) * | 2015-02-27 | 2016-09-01 | ソニー株式会社 | 固体撮像装置及び電子機器 |
US9584744B2 (en) * | 2015-06-23 | 2017-02-28 | Semiconductor Components Industries, Llc | Image sensors with voltage-biased trench isolation structures |
JP2021044571A (ja) * | 2015-09-30 | 2021-03-18 | 株式会社ニコン | 撮像素子 |
KR20230009533A (ko) * | 2015-09-30 | 2023-01-17 | 가부시키가이샤 니콘 | 촬상 소자 및 촬상 장치 |
KR102623653B1 (ko) | 2015-09-30 | 2024-01-10 | 가부시키가이샤 니콘 | 촬상 소자 및 촬상 장치 |
JP7383597B2 (ja) | 2015-09-30 | 2023-11-20 | 株式会社ニコン | 撮像素子および撮像装置 |
KR20200145850A (ko) * | 2015-09-30 | 2020-12-30 | 가부시키가이샤 니콘 | 촬상 소자 및 촬상 장치 |
JPWO2017057277A1 (ja) * | 2015-09-30 | 2018-07-26 | 株式会社ニコン | 撮像素子および撮像装置 |
JP2021044572A (ja) * | 2015-09-30 | 2021-03-18 | 株式会社ニコン | 撮像素子および撮像装置 |
JPWO2017057278A1 (ja) * | 2015-09-30 | 2018-07-26 | 株式会社ニコン | 撮像素子および撮像装置 |
KR102488709B1 (ko) | 2015-09-30 | 2023-01-13 | 가부시키가이샤 니콘 | 촬상 소자 및 촬상 장치 |
JP7125345B2 (ja) | 2016-07-06 | 2022-08-24 | ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 | 撮像素子、撮像素子の製造方法、及び、電子機器 |
JPWO2018008614A1 (ja) * | 2016-07-06 | 2019-04-25 | ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 | 撮像素子、撮像素子の製造方法、及び、電子機器 |
JP7395650B2 (ja) | 2017-02-17 | 2023-12-11 | ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 | 撮像素子および電子機器 |
JP7451029B2 (ja) | 2017-11-09 | 2024-03-18 | ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 | 固体撮像装置、および電子機器 |
JPWO2019093151A1 (ja) * | 2017-11-09 | 2020-12-10 | ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 | 固体撮像装置、および電子機器 |
JP7366751B2 (ja) | 2017-11-09 | 2023-10-23 | ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 | 固体撮像装置、および電子機器 |
US11508768B2 (en) | 2018-01-11 | 2022-11-22 | Sony Semiconductor Solutions Corporation | Solid-state imaging device and electronic apparatus |
KR102652492B1 (ko) * | 2018-01-11 | 2024-03-29 | 소니 세미컨덕터 솔루션즈 가부시키가이샤 | 고체 촬상 장치, 전자 기기 |
KR20200103011A (ko) * | 2018-01-11 | 2020-09-01 | 소니 세미컨덕터 솔루션즈 가부시키가이샤 | 고체 촬상 장치, 전자 기기 |
WO2019138923A1 (ja) * | 2018-01-11 | 2019-07-18 | ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 | 固体撮像装置、電子機器 |
JPWO2019138923A1 (ja) * | 2018-01-11 | 2021-01-14 | ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 | 固体撮像装置、電子機器 |
JPWO2019220945A1 (ja) * | 2018-05-18 | 2021-06-17 | ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 | 撮像素子、電子機器 |
US11889177B2 (en) | 2018-08-31 | 2024-01-30 | Sony Semiconductor Solutions Corporation | Electronic device and solid-state imaging device |
WO2020209126A1 (ja) * | 2019-04-12 | 2020-10-15 | ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 | 固体撮像装置 |
WO2020209107A1 (ja) * | 2019-04-12 | 2020-10-15 | ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 | 固体撮像装置 |
US11424283B2 (en) | 2019-04-26 | 2022-08-23 | Canon Kabushiki Kaisha | Photoelectric conversion apparatus, imaging system and mobile body |
WO2022019307A1 (ja) * | 2020-07-22 | 2022-01-27 | 国立大学法人静岡大学 | 光電変換素子 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP4816768B2 (ja) | 2011-11-16 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP4816768B2 (ja) | 固体撮像装置とその製造方法、及び電子機器 | |
JP4826111B2 (ja) | 固体撮像素子および固体撮像素子の製造方法および画像撮影装置 | |
JP3759435B2 (ja) | X−yアドレス型固体撮像素子 | |
JP5061915B2 (ja) | 固体撮像素子及び撮像装置 | |
JP5353965B2 (ja) | 固体撮像装置の製造方法 | |
JP4599417B2 (ja) | 裏面照射型固体撮像素子 | |
KR20160087427A (ko) | 이미지 센서 및 그 형성 방법 | |
JP2012033583A (ja) | 固体撮像素子及びその製造方法、並びに撮像装置 | |
WO2018173789A1 (ja) | 撮像素子、電子機器 | |
US20120104523A1 (en) | Solid-state imaging device manufacturing method of solid-state imaging device, and electronic apparatus | |
JP2011114292A (ja) | 固体撮像素子及びその製造方法、並びに撮像装置、並びに半導体素子及びその製造方法 | |
JP2011066241A (ja) | 固体撮像装置とその製造方法、及び電子機器 | |
JP2011151421A (ja) | 固体撮像素子および固体撮像素子の製造方法及び画像撮影装置 | |
JP5246304B2 (ja) | 固体撮像装置の製造方法 | |
JP6163511B2 (ja) | 固体撮像装置、及び電子機器 | |
JP5943025B2 (ja) | 固体撮像装置、及び電子機器 | |
JP5519827B2 (ja) | 固体撮像装置及び電子機器 | |
JP5453968B2 (ja) | 固体撮像装置とその製造方法、及び電子機器 | |
JP4987749B2 (ja) | 固体撮像素子の製造方法 | |
JP5282797B2 (ja) | 固体撮像素子および固体撮像素子の製造方法及び画像撮影装置 | |
JP6390759B2 (ja) | 固体撮像装置、及び電子機器 | |
JP4124190B2 (ja) | X−yアドレス型固体撮像素子 | |
JP5534081B2 (ja) | 固体撮像素子の製造方法 | |
JP5316667B2 (ja) | 固体撮像素子の製造方法 | |
JP4987748B2 (ja) | X−yアドレス型固体撮像素子 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20110427 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20110510 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20110711 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20110802 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20110815 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140909 Year of fee payment: 3 |
|
R151 | Written notification of patent or utility model registration |
Ref document number: 4816768 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R151 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140909 Year of fee payment: 3 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |