JP6020933B2 - 固体撮像装置及びその製造方法 - Google Patents
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Description
本発明の第1の実施形態に係る固体撮像装置について図1〜図4を参照しながら説明する。なお、本発明は、以下の実施形態に限定されるものではない。また、本発明の効果を奏する範囲を逸脱しない範囲で適宜変更することは可能である。さらに、各実施形態を他の実施形態と組み合わせることも可能である。
本発明の第2の実施形態に係る固体撮像装置について図5を参照しながら説明する。本実施形態において、第1の実施形態と同一の構成については、その説明を簡略化又は省略し、第1の実施形態と異なる構成についてのみ詳細に説明する。
次に、本発明の第3の実施形態に係る固体撮像装置について図6を参照しながら説明する。本実施形態において、第1の実施形態と同一の構成については、その説明を簡略化又は省略し、第1の実施形態と異なる構成についてのみ詳細に説明する。
本発明の第3の実施形態の第1変形例に係る固体撮像装置について図7を参照しながら説明する。本変形例において、第1の実施形態及び第3の実施形態と同一の構成については、その説明を簡略化又は省略し、第1の実施形態及び第3の実施形態と異なる構成についてのみ詳細に説明する。
本発明の第3の実施形態の第2変形例に係る固体撮像装置について図8を参照しながら説明する。本変形例において、第1の実施形態及び第3の実施形態と同一の構成については、その説明を簡略化又は省略し、第1の実施形態及び第3の実施形態と異なる構成についてのみ詳細に説明する。
本発明の第3の実施形態の第3変形例に係る固体撮像装置について図9を参照しながら説明する。本変形例において、第1の実施形態及び第3の実施形態と同一の構成については、その説明を簡略化又は省略し、第1の実施形態及び第3の実施形態と異なる構成についてのみ詳細に説明する。
本発明の第4の実施形態に係る固体撮像装置について図10を参照しながら説明する。本実施形態において、第1の実施形態と同一の構成については、その説明を簡略化又は省略し、第1の実施形態と異なる構成についてのみ詳細に説明する。
本発明の第5の実施形態に係る固体撮像装置について図14を参照しながら説明する。本実施形態において、第1の実施形態と同一の構成については、その説明を簡略化又は省略し、第1の実施形態と異なる構成についてのみ詳細に説明する。
11 画素部
12 画素アレイ領域
13 垂直シフトレジスタ
14 水平シフトレジスタ
15 出力回路
16 出力端子
17 フォトダイオード(光電変換部)
18 フローティングディフュージョン部
19 転送トランジスタ
20 増幅トランジスタ
21 リセットトランジスタ
22 選択トランジスタ
23 出力信号線
30 半導体基板
31、31a〜31c 絶縁体層
32 半導体層
33 シリコン層
34 フォトダイオード
34a (緑色の画素の)フォトダイオード
34b (青色の画素の)フォトダイオード
35 分離部
36 トランジスタ
36a 拡散領域
36b STI分離領域
36c ゲート電極
37 絶縁膜
38 多層配線
40 撮像領域
41 オプティカルブラック領域
42a、42b 溝部
43a、43c (緑色の)画素
43b (赤色の)画素
44 カラーフィルタ
44a 緑色光を透過するフィルタ
44b 青色光を透過するフィルタ
Claims (13)
- 基板と、
前記基板の上に形成された絶縁体層と、
前記絶縁体層の上に形成された半導体層と、
前記半導体層の上に形成されたシリコン層とを備え、
前記シリコン層は、それぞれが、光を信号電荷に変換する光電変換部と、前記信号電荷を読み出す回路とを含む複数の画素部を有し、
前記絶縁体層の屈折率は、前記半導体層の屈折率よりも小さく、
前記絶縁体層と前記半導体層との界面の局所的な平坦度であるSFQRは、0.1μm以下である固体撮像装置。 - 請求項1において、
前記絶縁体層は、不純物を有するシリコン酸化膜、シリコン窒化膜及び金属酸化膜のいずれかを含む固体撮像装置。 - 請求項1又は2において、
前記絶縁体層は、p型不純物を含み、
前記絶縁体層におけるp型不純物の濃度は、1×1010ions/cm2以上である固体撮像装置。 - 請求項1〜3のいずれか1項において、
前記半導体層は、不純物を有するシリコンからなり、
前記半導体層における不純物の濃度は、1×1017ions/cm3以上である固体撮像装置。 - 基板と、
前記基板の上に形成された絶縁体層と、
前記絶縁体層の上に形成された半導体層と、
前記半導体層の上に形成されたシリコン層とを備え、
前記シリコン層は、それぞれが、光を信号電荷に変換する光電変換部と、前記信号電荷を読み出す回路とを含む複数の画素部を有し、
前記絶縁体層の屈折率は、前記半導体層の屈折率よりも小さく、
前記シリコン層は、光が入射する撮像領域と、光が入射しないように遮光されたオプティカルブラック領域とを含み、
前記撮像領域と前記オプティカルブラック領域との間に、前記シリコン層、半導体層及び絶縁体層を貫通し、前記基板を露出する溝部が形成されている固体撮像装置。 - 基板と、
前記基板の上に形成された絶縁体層と、
前記絶縁体層の上に形成された半導体層と、
前記半導体層の上に形成されたシリコン層とを備え、
前記シリコン層は、それぞれが、光を信号電荷に変換する光電変換部と、前記信号電荷を読み出す回路とを含む複数の画素部を有し、
前記絶縁体層の屈折率は、前記半導体層の屈折率よりも小さく、
互いに隣接する前記光電変換部同士の間に、前記シリコン層、半導体層及び絶縁体層を貫通し、前記基板を露出する溝部が形成されている固体撮像装置。 - 請求項6において、
前記溝部には、ポリシリコン膜が埋め込まれ、
前記半導体層は、前記ポリシリコン膜を介して接地電位に固定されている固体撮像装置。 - 請求項6において、
前記基板は、n型半導体基板であり、電源電位に固定されている固体撮像装置。 - 請求項6〜8のいずれか1項において、
前記溝部の幅は、前記半導体層側から前記基板側に向かって大きくなっている固体撮像装置。 - 基板と、
前記基板の上に形成された絶縁体層と、
前記絶縁体層の上に形成された半導体層と、
前記半導体層の上に形成されたシリコン層とを備え、
前記シリコン層は、それぞれが、光を信号電荷に変換する光電変換部と、前記信号電荷を読み出す回路とを含む複数の画素部を有し、
前記絶縁体層の屈折率は、前記半導体層の屈折率よりも小さく、
前記各画素部における前記絶縁体層の厚さは、それぞれ異なる固体撮像装置。 - 基板と、
前記基板の上に形成された絶縁体層と、
前記絶縁体層の上に形成された半導体層と、
前記半導体層の上に形成されたシリコン層とを備え、
前記シリコン層は、それぞれが、光を信号電荷に変換する光電変換部と、前記信号電荷を読み出す回路とを含む複数の画素部を有し、
前記絶縁体層の屈折率は、前記半導体層の屈折率よりも小さく、
前記複数の光電変換部は、第1の光電変換部及び該第1の光電変換部に隣接する第2の光電変換部を含み、
前記第1の光電変換部及び第2の光電変換部の上にそれぞれ形成された第1のカラーフィルタ及び第2のカラーフィルタをさらに備え、
前記第1のカラーフィルタは、前記第2のカラーフィルタよりも波長が大きい光を透過し、
前記第1の光電変換部は、前記第2の光電変換部の下に入り込むように形成されている固体撮像装置。 - 請求項11において、
前記第1のカラーフィルタは、緑色光を透過し、
前記第2のカラーフィルタは、青色光を透過する固体撮像装置。 - 基板の上に絶縁体層を形成する工程と、
前記絶縁体層の上に半導体層を形成する工程と、
前記半導体層の上にシリコン層を形成する工程と、
前記シリコン層に、光を信号電荷に変換する複数の光電変換部、及び前記信号電荷を読み出す複数の回路を形成する工程とを備え、
前記絶縁体層の屈折率は、前記半導体層の屈折率よりも小さく、
前記シリコン層、半導体層及び絶縁体層を貫通し、前記基板を露出する溝部を形成する工程をさらに備えている固体撮像装置の製造方法。
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