JP5223883B2 - 固体撮像素子 - Google Patents
固体撮像素子 Download PDFInfo
- Publication number
- JP5223883B2 JP5223883B2 JP2010113720A JP2010113720A JP5223883B2 JP 5223883 B2 JP5223883 B2 JP 5223883B2 JP 2010113720 A JP2010113720 A JP 2010113720A JP 2010113720 A JP2010113720 A JP 2010113720A JP 5223883 B2 JP5223883 B2 JP 5223883B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- solid
- photoelectric conversion
- imaging device
- opening
- state imaging
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Images
Landscapes
- Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
- Transforming Light Signals Into Electric Signals (AREA)
- Color Television Image Signal Generators (AREA)
Description
この裏面照射型のCMOS固体撮像素子1は、第1導電型例えばp型のシリコン半導体基板2の表面に各画素を区画するための素子分離領域3を形成し、各区画領域に光電変換部となるフォトダイオード4、フォトダイオードの信号電荷を読み出すための複数のMOSトランジスタTr、例えば読出しトランジスタ、リセットトランジスタ、アンプトランジスタ及び垂直選択トランジスタの4つのMOSトランジスタが形成されて単位画素セル5が形成される。この単位画素セル5が多数個、2次元マトリクッス状に配列される。フォトダイオード4は、各赤色、緑色及び青色に対応したフォトダイオード4R、4G及び4Bが順次配列されるように形成される。
本実施の形態に係る裏面照射型のCMOS固体撮像素子31は、第1導電型例えばp型のシリコン半導体基板、いわゆる単結晶シリコンウェハ32の表面(一方の主面)に各画素を区画するための素子分離領域33を形成し、各区画領域に光電変換部となるフォトダイオード34、フォトダイオード34の信号電荷を読み出すための複数のMOSトランジスタTr、例えば読出しトランジスタ、リセットトランジスタ、アンプトランジスタ及び垂直選択トランジスタの4つのMOSトランジスタが形成されて単位画素セル35が形成される。この単位画素セル35が多数個、2次元マトリクッス状に配列される。フォトダイオード34は、各赤色、緑色及び青色に対応したフォトダイオード34R、34G及び34Bが順次配列されるように形成される。
先ず、図2に示すように、第1導電型、例えばp型の単結晶シリコンウェハ32を用意する。このp型の単結晶シリコンウェハ32の表面(一方の主面)に、例えば選択酸化(LOCOS)層、トレンチ分離等による画素分離のための素子分離領域33を形成する。また、ウェハ表面に光電変換部の電荷蓄積領域となる第2導電型の例えばn+ 半導体領域36aを形成し、第2導電型の例えばn+ ソース/ドレイン領域38とゲート絶縁膜とゲート電極39によるMOSトランジスタTrを形成する。n+ 半導体領域36aの基板表面側には、アキュミュレーション層となるp+半導体領域46を形成する。さらに、層間絶縁膜300を介して接続プラグ41、多層配線40を形成し、最上層の層間絶縁膜40上にだい1のパシベーション膜42を形成する。
その後、図8に示すように、平坦化されたウェハ裏面上に例えばプラズマシリコン窒化膜などの第2のパシベーション膜44を形成し、さらにカラーフィルタ47R、47G、47G、オンチップレンズ48を形成して目的の裏面照射型のCMOS固体撮像素子31を得る。
開口部52の形成工程では、非開口領域53における入射される可視光がフォトダイオード34まで到達しない距離を確保するような深さDの開口部を形成することにより、非開口領域53からのフォトダイオード34への光入射を阻止することができる。
このエッチバック処理によれば、開口部52の底面の反射膜45のみ除去し、他の開口部52の内壁面及び非開口領域53の上面には反射膜45が残る。従って、非開口領域53に入射される光線はこの反射膜45で反射され、フォトダイオード側へ入射を確実に阻止することができる。このように、非開口領域上にも反射膜45を残す構成としたとき、非開口領域53の厚さFは前述の条件を満たすことはない。
Claims (7)
- 第1導電型の半導体基板に形成された光電変換部と、前記光電変換部の信号電荷を読み出す手段からなる複数の画素と、
前記半導体基板の裏面から光照射する光照射面と、
前記画素間を除く前記光電変換部上において、前記半導体基板の前記光照射面側から前記光電変換部が露出する深さまで設けられ、裏面側の開口が底面よりも広く、内壁面に傾斜を有する開口部と、
前記光照射面の表面側全面に設けられた、前記基板よりも高濃度の第1導電型のアキュミュレーション層と、
前記アキュミュレーション層上を覆う絶縁膜と、
前記開口部の内壁面の傾斜面に沿って設けられた遮光膜と、
前記絶縁膜及び前記遮光膜を覆って前記開口部を埋め込む透明絶縁膜と、を有し、
前記画素間の前記光照射面上の前記絶縁膜と、前記開口部を埋め込む前記透明絶縁膜とが、前記半導体基板の裏面側で平坦化されている
固体撮像素子。 - 前記光電変換部の信号電荷を読み出す手段が前記半導体基板の表面側に形成された請求項1記載の固体撮像素子。
- 前記半導体基板の裏面側に形成したカラーフィルタを有する請求項1又は2記載の固体撮像素子。
- 前記遮光膜が、入射光を反射して前記光電変換部へ導く機能を合わせ持つ請求項1乃至3のいずれかに記載の固体撮像素子。
- 前記光電変換部の前記導体基板の厚みが、前記隣接する画素間の前記半導体基板の厚みより薄く、前記光電変換部の前記半導体基板の裏面側に前記隣接する画素間の前記半導体基板の裏面まで透明絶縁膜が埋め込まれた請求項1乃至4のいずれかに記載の固体撮像素子。
- 前記光電変換部の信号電荷を読み出す手段として画素トランジスタを有するCMOS固体撮像素子である請求項1乃至5のいずれかに記載の固体撮像素子。
- CCD固体撮像素子である請求項1乃至5のいずれかに記載の固体撮像素子。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2010113720A JP5223883B2 (ja) | 2010-05-17 | 2010-05-17 | 固体撮像素子 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2010113720A JP5223883B2 (ja) | 2010-05-17 | 2010-05-17 | 固体撮像素子 |
Related Parent Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2004265767A Division JP4765285B2 (ja) | 2004-09-13 | 2004-09-13 | 固体撮像素子及びその製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2010226126A JP2010226126A (ja) | 2010-10-07 |
JP5223883B2 true JP5223883B2 (ja) | 2013-06-26 |
Family
ID=43042910
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2010113720A Expired - Fee Related JP5223883B2 (ja) | 2010-05-17 | 2010-05-17 | 固体撮像素子 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP5223883B2 (ja) |
Families Citing this family (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR101133154B1 (ko) * | 2011-02-03 | 2012-04-06 | 디지털옵틱스 코포레이션 이스트 | 상이한 파장을 균일하게 수광하기 위한 차등 높이 실리콘을 포함하는 이면 조사 센서 패키지 |
KR101095945B1 (ko) | 2011-02-03 | 2011-12-19 | 테쎄라 노쓰 아메리카, 아이엔씨. | 상이한 파장을 균일하게 수광하기 위한 흡광 재료를 포함하는 이면 조사 센서 패키지 |
KR102063795B1 (ko) * | 2017-10-12 | 2020-01-09 | 전자부품연구원 | 실리콘 나노와이어를 이용한 이미지 센서 및 그 제조방법 |
Family Cites Families (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5288930U (ja) * | 1975-12-26 | 1977-07-02 | ||
JPH07307485A (ja) * | 1994-05-10 | 1995-11-21 | Canon Inc | 光電変換装置 |
JP4496636B2 (ja) * | 2000-11-10 | 2010-07-07 | 株式会社デンソー | 光集積回路およびその製造方法 |
JP2002319669A (ja) * | 2001-04-23 | 2002-10-31 | Hamamatsu Photonics Kk | 裏面入射型ホトダイオード及びホトダイオードアレイ |
JP3722367B2 (ja) * | 2002-03-19 | 2005-11-30 | ソニー株式会社 | 固体撮像素子の製造方法 |
DE10392637B4 (de) * | 2002-05-10 | 2014-09-04 | Hamamatsu Photonics K.K. | Hintergrundbeleuchtetes Photodioden-Array und Verfahren zum Herstellen desselben |
JP4165129B2 (ja) * | 2002-06-21 | 2008-10-15 | 三菱電機株式会社 | 裏面入射型固体撮像素子 |
-
2010
- 2010-05-17 JP JP2010113720A patent/JP5223883B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2010226126A (ja) | 2010-10-07 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US11735620B2 (en) | Solid-state imaging device having optical black region, method of manufacturing the same, and electronic apparatus | |
US9287423B2 (en) | Solid-state imaging device and method of manufacturing the solid-state imaging device | |
US8835981B2 (en) | Solid-state image sensor | |
JP4765285B2 (ja) | 固体撮像素子及びその製造方法 | |
JP5218502B2 (ja) | 固体撮像装置の製造方法 | |
US20110156186A1 (en) | Solid-state imaging device | |
TWI548071B (zh) | 顏色最佳化影像感測器 | |
US20060006438A1 (en) | Solid state imaging device and production method therefor | |
JP2012169530A (ja) | 固体撮像装置、および、その製造方法、電子機器 | |
JP2006261372A (ja) | 固体撮像素子および固体撮像素子の製造方法および画像撮影装置 | |
JP2011086709A (ja) | 固体撮像装置及びその製造方法 | |
JP2008010544A (ja) | 固体撮像素子 | |
JP4691939B2 (ja) | 裏面照射型固体撮像素子の製造方法 | |
JP2011198966A (ja) | 固体撮像装置及びその製造方法 | |
JP2008182142A (ja) | 固体撮像装置およびその製造方法、および撮像装置 | |
JP4285432B2 (ja) | 固体撮像素子及びその製造方法 | |
JP5223883B2 (ja) | 固体撮像素子 | |
JPH10189936A (ja) | 固体撮像素子及びその製造方法 | |
JP2012099743A (ja) | 固体撮像装置及びその製造方法 | |
JP2004228407A (ja) | 固体撮像素子および固体撮像素子の製造方法 | |
WO2023021758A1 (ja) | 光検出装置及び電子機器 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20120906 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20120918 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20121112 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20130212 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20130225 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20160322 Year of fee payment: 3 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |