JPWO2016136486A1 - 固体撮像装置及び電子機器 - Google Patents
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Abstract
Description
1.第1の実施の形態(固体撮像装置を第1半導体基板と第2半導体基板を貼り合わせて製造する場合)
2.第2の実施の形態(ストッパ膜を削除する場合)
3.第3の実施の形態(受光面側から形成する遮光膜を追加する場合)
4.第4の実施の形態(配線層に遮光膜を設ける場合)
5.第5の実施の形態(垂直遮光部を削除する場合)
6.第6の実施の形態(断面の構造を変更する場合)
7.第7の実施の形態(各素子をメサ型構造にする場合)
8.第8の実施の形態(OFGを垂直ゲート構造にする場合)
9.第9の実施の形態(画素ADC処理部を画素アレイ部に設ける場合)
10.第10の実施の形態(遮光膜の周囲を信号電荷とは逆の導電層で覆う場合)
11.第11の実施の形態(異なる製造方法で遮光膜を生成する場合)
12.第12の実施の形態(PDに遮光膜の開口部から上に延びるプラグ部を設ける場合)
13.第13の実施の形態(PDのプラグ部の先端に蓋部を設ける場合)
14.第14の実施の形態(PDのプラグ部を垂直遮光部に近づける場合)
15.第15の実施の形態(斜め光が入射する位置に電荷排出部を設ける場合)
16.第16の実施の形態(隣接する画素間で電荷排出部を共有する場合)
17.第17の実施の形態(隣接する画素間でFDを共有する場合)
18.第18の実施の形態(ダミー開口部を設ける場合)
19.変形例
20.固体撮像装置の使用例
まず、図1乃至図51を参照して、本技術の第1の実施の形態について説明する。
図1は、本技術の第1の実施の形態に係る固体撮像装置101aの機能の構成例を示すブロック図である。
次に、図2を参照して、図1の画素アレイ部111に形成される画素の回路構成の例について説明する。図2は、画素アレイ部111の1つの画素の回路構成の例を示している。
次に、図10乃至図51を参照して、固体撮像装置101aの製造方法の例について説明する。なお、図10乃至図51において、図3と対応する部分には、同じ符号を付してある。ただし、図を分かりやすくするために、説明と関係ない部分の符号の図示は適宜省略している。
次に、図52を参照して、本技術の第2の実施の形態について説明する。
次に、図53を参照して、本技術の第3の実施の形態について説明する。
次に、図54を参照して、本技術の第4の実施の形態について説明する。
次に、図55を参照して、本技術の第5の実施の形態について説明する。
次に、図56及び図57を参照して、本技術の第6の実施の形態について説明する。
図56は、本技術の第6の実施の形態に係る固体撮像装置101fの構成例を模式的に示す断面図である。なお、図中、図3と対応する部分には、同じ符号を付してあり、その説明は適宜省略する。
次に、図57のポテンシャル図を参照して、固体撮像装置101fの駆動例について説明する。
次に、図58乃至図63を参照して、本技術の第7の実施の形態について説明する。
次に、図64乃至図67を参照して、本技術の第8の実施の形態について説明する。
図64は、本技術の第8の実施の形態に係る固体撮像装置101h(図65)の1つの画素の回路構成の例を示している。なお、図中、図2と対応する部分には、同じ符号を付してある。
次に、図67のポテンシャル図を参照して、固体撮像装置101hの駆動例について説明する。
次に、図68乃至図72を参照して、本技術の第9の実施の形態について説明する。第9の実施の形態は、第1の実施の形態と比較して、周辺回路の配置が異なる。
次に、図73乃至図83を参照して、本技術の第10の実施の形態について説明する。なお、第10の実施の形態は、第1の実施の形態と比較して、画素の断面の構成及び製造方法が主に異なる。
図73は、本技術の第10の実施の形態に係る固体撮像装置101jの断面を模式的に示している。図中、図3と対応する部分には、同じ符号を付している。
次に、図76乃至図83を参照して、固体撮像装置101jの製造方法について説明する。なお、図76乃至図83において、図73と対応する部分には同じ符号を付してある。ただし、図を分かりやすくするために、説明と関係ない部分の符号の図示は適宜省略する。
次に、図84乃至図129を参照して、本技術の第11の実施の形態について説明する。
図84は、本技術の第11の実施の形態に係る固体撮像装置101kの断面を模式的に示している。図84には、固体撮像装置101kの1つの画素を含む部分の断面が示されているが、他の画素も基本的に同じ構成を有している。また、図84において、下側が固体撮像装置101kの受光面となる。
次に、図85乃至図129を参照して、固体撮像装置101kの製造方法について説明する。
最初に、図85乃至図98を参照して、固体撮像装置101kの第1の製造方法について説明する。
次に、図104乃至図120を参照して、固体撮像装置101kの第2の製造方法について説明する。なお、図104乃至図120において、図85乃至図98と対応する部分には、同じ符号を付してある。
次に、図122乃至図128を参照して、固体撮像装置101kの第3の製造方法について説明する。第3の製造方法では、SON(Silicon On Nothing)技術が用いられる。
次に、図130乃至図139を参照して、本技術の第12の実施の形態について説明する。
図130は、本技術の第12の実施の形態に係る固体撮像装置101lの断面を模式的に示している。図130には、固体撮像装置101lの2つの画素を含む部分の断面が示されているが、他の画素も基本的に同じ構成を有している。
次に、図131乃至図139を参照して、固体撮像装置101lの製造方法について説明する。
次に、図140を参照して、本技術の第13の実施の形態について説明する。
図140は、本技術の第13の実施の形態に係る固体撮像装置101mの断面を模式的に示している。なお、図中、図130と対応する部分には、同じ符号を付してあり、その説明は適宜省略する。
次に、図141を参照して、本技術の第14の実施の形態について説明する。
図141は、本技術の第14の実施の形態に係る固体撮像装置101nの断面を模式的に示している。なお、図中、図130と対応する部分には、同じ符号を付してあり、その説明は適宜省略する。
次に、図142及び図143を参照して、本技術の第15の実施の形態について説明する。
図142は、本技術の第15の実施の形態に係る固体撮像装置101oの断面を模式的に示している。図143は、固体撮像装置101oの半導体基板1001の素子形成面の構成例を模式的に示す平面図である。なお、図中、図141と対応する部分には、同じ符号を付してあり、その説明は適宜省略する。
次に、図144を参照して、本技術の第16の実施の形態について説明する。
図144は、本技術の第16の実施の形態に係る固体撮像装置101pの断面を模式的に示している。なお、図中、図142と対応する部分には、同じ符号を付してあり、その説明は適宜省略する。
次に、図145を参照して、本技術の第17の実施の形態について説明する。
図145は、本技術の第17の実施の形態に係る固体撮像装置101qの素子形成面の構成例を模式的に示す平面図である。なお、図中、図144と対応する部分には、同じ符号を付してあり、その説明は適宜省略する。
次に、図146を参照して、本技術の第18の実施の形態について説明する。
図146は、本技術の第18の実施の形態に係る固体撮像装置101rの素子形成面の構成例を模式的に示す平面図である。なお、図中、図145と対応する部分には、同じ符号を付してあり、その説明は適宜省略する。
本技術の第11の実施の形態の第2の製造方法で、遮光膜の断面をテーパ状とする例を示したが、この製造方法を用いて、遮光膜以外の膜をテーパ状にすることも可能である。
図147は、上述の固体撮像装置の使用例を示す図である。
・自動停止等の安全運転や、運転者の状態の認識等のために、自動車の前方や後方、周囲、車内等を撮影する車載用センサ、走行車両や道路を監視する監視カメラ、車両間等の測距を行う測距センサ等の、交通の用に供される装置
・ユーザのジェスチャを撮影して、そのジェスチャに従った機器操作を行うために、TVや、冷蔵庫、エアーコンディショナ等の家電に供される装置
・内視鏡や、赤外光の受光による血管撮影を行う装置等の、医療やヘルスケアの用に供される装置
・防犯用途の監視カメラや、人物認証用途のカメラ等の、セキュリティの用に供される装置
・肌を撮影する肌測定器や、頭皮を撮影するマイクロスコープ等の、美容の用に供され装置
・スポーツ用途等向けのアクションカメラやウェアラブルカメラ等の、スポーツの用に供される装置
・畑や作物の状態を監視するためのカメラ等の、農業の用に供される装置
図148は、本技術を適用した電子機器の一例である撮像装置(カメラ装置)1701の構成例を示すブロック図である。
光電変換部と、
前記光電変換部から転送された電荷を保持する電荷保持部と、
前記光電変換部から前記電荷保持部に電荷を転送する第1の転送トランジスタと、
第1の遮光部及び第2の遮光部を備える遮光部と
を備え、
前記第1の遮光部は、前記光電変換部の受光面である第1の面と反対側の第2の面と、前記電荷保持部との間に配置され、前記第2の面を覆うとともに、第1の開口部が形成されており、
前記第2の遮光部は、前記光電変換部の側面を囲んでいる
固体撮像装置。
(2)
前記第1の遮光部の断面が、前記第2の遮光部との接続部分から前記第1の開口部に向けて細くなるテーパ状である
前記(1)に記載の固体撮像装置。
(3)
前記第1の転送トランジスタが形成されている面である素子形成面より前記第1の遮光部から離れた位置において、前記電荷保持部の前記第1の遮光部と対向する面と反対側の面を少なくとも覆う第3の遮光部を
さらに備える前記(1)又は(2)に記載の固体撮像装置。
(4)
前記第1の転送トランジスタのゲート電極は、前記第1の遮光部に対して平行な第1の電極部、及び、前記第1の遮光部に対して垂直で、前記第1の遮光部より前記電荷保持部側から、前記第1の開口部を介して前記光電変換部まで延びる第2の電極部を備える
前記(1)乃至(3)のいずれかに記載の固体撮像装置。
(5)
前記第1の遮光部に接続され、少なくとも一部が前記第1の遮光部より前記電荷保持部側、かつ、前記第2の面と平行な方向において前記第2の遮光部と異なる位置に配置されている第4の遮光部を
さらに備える前記(4)に記載の固体撮像装置。
(6)
前記光電変換部は、第1の半導体基板に形成され、
前記電荷保持部は、第2の半導体基板に形成され、
前記第1の転送トランジスタは、前記第1の半導体基板及び前記第2の半導体基板にまたがって形成され、
前記第1の半導体基板と前記第2の半導体基板との接合界面が、前記第1の転送トランジスタのチャネル内に形成されている
前記(4)に記載の固体撮像装置。
(7)
前記接合界面が、前記転送トランジスタのソース端よりドレイン端に近い位置に形成されている
前記(6)に記載の固体撮像装置。
(8)
前記第2の遮光部は、前記光電変換部の前記第2の面側から形成され、
前記光電変換部の前記第1の面側から形成され、前記第2の遮光部と接続される第5の遮光部を
さらに備える前記(6)又は(7)に記載の固体撮像装置。
(9)
前記光電変換部、前記電荷保持部、及び、前記第1の転送トランジスタが、単結晶のシリコンにより形成される
前記(1)乃至(5)のいずれかに記載の固体撮像装置。
(10)
前記光電変換部は、前記第2の面から前記第1の開口部を介して前記第1の遮光部より前記電荷保持部側に延びる突起部を備える
前記(1)乃至(3)のいずれかに記載の固体撮像装置。
(11)
前記突起部が、前記第1の遮光部より前記電荷保持部側において、前記第2の面と平行な方向に広がっている
前記(10)に記載の固体撮像装置。
(12)
前記光電変換部に蓄積された電荷を排出する電荷排出部を
さらに備え、
前記電荷排出部は、所定の入射角の光が前記第1の開口部を通過した場合に入射する位置に配置されている
前記(10)に記載の固体撮像装置。
(13)
前記電荷排出部は、隣接する第1の画素と第2の画素の間に配置され、前記第1の画素と前記第2の画素で共用されている
前記(12)に記載の固体撮像装置。
(14)
前記第1の画素及び前記第2の画素において、前記電荷排出部の近傍に前記第1の開口部がそれぞれ配置されており、
前記第1の画素において、前記第2の画素の前記第1の開口部に対応する位置に前記第1の開口部と略同じ大きさの第2の開口部が形成され、
前記第2の画素において、前記第1の画素の前記第1の開口部に対応する位置に前記第1の開口部と略同じ大きさの第3の開口部が形成されている
前記(13)に記載の固体撮像装置。
(15)
前記第1の遮光部を形成するための犠牲膜がSiGeからなり、
除去されずに残された前記犠牲膜からなるアライメントマークを
さらに備える前記(1)に記載の固体撮像装置。
(16)
前記第1の遮光部の断面が前記第1の開口部において丸みを帯びている
前記(1)に記載の固体撮像装置。
(17)
電荷電圧変換部と、
前記電荷保持部に保持されている電荷を前記電荷電圧変換部に転送する第2の転送トランジスタと
をさらに備え、
前記第1の遮光部は、前記光電変換部の前記第2の面と前記電荷保持部及び前記電荷電圧変換部との間に配置されている
前記(1)乃至(16)のいずれかに記載の固体撮像装置。
(18)
光電変換部と、
前記光電変換部から転送された電荷を保持する電荷保持部と、
前記光電変換部から前記電荷保持部に電荷を転送する第1の転送トランジスタと、
第1の遮光部及び第2の遮光部を備える遮光部と
を含み、
前記第1の遮光部は、前記光電変換部の受光面である第1の面と反対側の第2の面と前記電荷保持部との間に配置され、前記第2の面を覆うとともに、第1の開口部が形成されており、
前記第2の遮光部は、前記光電変換部の側面を囲んでいる
固体撮像装置を
備える電子機器。
(19)
光電変換部と、
前記光電変換部から転送された電荷を保持する電荷保持部と、
前記光電変部から前記電荷保持部に電荷を転送する転送トランジスタと、
開口部が形成されている第1の遮光部、及び、第2の遮光部を備える遮光部と
を備え、
前記第1の遮光部は、前記光電変換部の受光面と平行で、かつ、前記光電変換部と前記電荷保持部との間に配置され、前記開口部を除いて前記光電変換部を覆い、
前記第2の遮光部は、前記光電変換部の側面を囲んでいる
固体撮像装置。
Claims (19)
- 光電変換部と、
前記光電変換部から転送された電荷を保持する電荷保持部と、
前記光電変換部から前記電荷保持部に電荷を転送する第1の転送トランジスタと、
第1の遮光部及び第2の遮光部を備える遮光部と
を備え、
前記第1の遮光部は、前記光電変換部の受光面である第1の面と反対側の第2の面と、前記電荷保持部との間に配置され、前記第2の面を覆うとともに、第1の開口部が形成されており、
前記第2の遮光部は、前記光電変換部の側面を囲んでいる
固体撮像装置。 - 前記第1の遮光部の断面が、前記第2の遮光部との接続部分から前記第1の開口部に向けて細くなるテーパ状である
請求項1に記載の固体撮像装置。 - 前記第1の転送トランジスタが形成されている面である素子形成面より前記第1の遮光部から離れた位置において、前記電荷保持部の前記第1の遮光部と対向する面と反対側の面を少なくとも覆う第3の遮光部を
さらに備える請求項1に記載の固体撮像装置。 - 前記第1の転送トランジスタのゲート電極は、前記第1の遮光部に対して平行な第1の電極部、及び、前記第1の遮光部に対して垂直で、前記第1の遮光部より前記電荷保持部側から、前記第1の開口部を介して前記光電変換部まで延びる第2の電極部を備える
請求項1に記載の固体撮像装置。 - 前記第1の遮光部に接続され、少なくとも一部が前記第1の遮光部より前記電荷保持部側、かつ、前記第2の面と平行な方向において前記第2の遮光部と異なる位置に配置されている第4の遮光部を
さらに備える請求項4に記載の固体撮像装置。 - 前記光電変換部は、第1の半導体基板に形成され、
前記電荷保持部は、第2の半導体基板に形成され、
前記第1の転送トランジスタは、前記第1の半導体基板及び前記第2の半導体基板にまたがって形成され、
前記第1の半導体基板と前記第2の半導体基板との接合界面が、前記第1の転送トランジスタのチャネル内に形成されている
請求項4に記載の固体撮像装置。 - 前記接合界面が、前記転送トランジスタのソース端よりドレイン端に近い位置に形成されている
請求項6に記載の固体撮像装置。 - 前記第2の遮光部は、前記光電変換部の前記第2の面側から形成され、
前記光電変換部の前記第1の面側から形成され、前記第2の遮光部と接続される第5の遮光部を
さらに備える請求項6に記載の固体撮像装置。 - 前記光電変換部、前記電荷保持部、及び、前記第1の転送トランジスタが、単結晶のシリコンにより形成される
請求項1に記載の固体撮像装置。 - 前記光電変換部は、前記第2の面から前記第1の開口部を介して前記第1の遮光部より前記電荷保持部側に延びる突起部を備える
請求項1に記載の固体撮像装置。 - 前記突起部が、前記第1の遮光部より前記電荷保持部側において、前記第2の面と平行な方向に広がっている
請求項10に記載の固体撮像装置。 - 前記光電変換部に蓄積された電荷を排出する電荷排出部を
さらに備え、
前記電荷排出部は、所定の入射角の光が前記第1の開口部を通過した場合に入射する位置に配置されている
請求項10に記載の固体撮像装置。 - 前記電荷排出部は、隣接する第1の画素と第2の画素の間に配置され、前記第1の画素と前記第2の画素で共用されている
請求項12に記載の固体撮像装置。 - 前記第1の画素及び前記第2の画素において、前記電荷排出部の近傍に前記第1の開口部がそれぞれ配置されており、
前記第1の画素において、前記第2の画素の前記第1の開口部に対応する位置に前記第1の開口部と略同じ大きさの第2の開口部が形成され、
前記第2の画素において、前記第1の画素の前記第1の開口部に対応する位置に前記第1の開口部と略同じ大きさの第3の開口部が形成されている
請求項13に記載の固体撮像装置。 - 前記第1の遮光部を形成するための犠牲膜がSiGeからなり、
除去されずに残された前記犠牲膜からなるアライメントマークを
さらに備える請求項1に記載の固体撮像装置。 - 前記第1の遮光部の断面が前記第1の開口部において丸みを帯びている
請求項1に記載の固体撮像装置。 - 電荷電圧変換部と、
前記電荷保持部に保持されている電荷を前記電荷電圧変換部に転送する第2の転送トランジスタと
をさらに備え、
前記第1の遮光部は、前記光電変換部の前記第2の面と前記電荷保持部及び前記電荷電圧変換部との間に配置されている
請求項1に記載の固体撮像装置。 - 光電変換部と、
前記光電変換部から転送された電荷を保持する電荷保持部と、
前記光電変部から前記電荷保持部に電荷を転送する第1の転送トランジスタと、
第1の遮光部及び第2の遮光部を備える遮光部と
を含み、
前記第1の遮光部は、前記光電変換部の受光面である第1の面と反対側の第2の面と前記電荷保持部との間に配置され、前記第2の面を覆うとともに、第1の開口部が形成されており、
前記第2の遮光部は、前記光電変換部の側面を囲んでいる
固体撮像装置を
備える電子機器。 - 光電変換部と、
前記光電変換部から転送された電荷を保持する電荷保持部と、
前記光電変部から前記電荷保持部に電荷を転送する転送トランジスタと、
開口部が形成されている第1の遮光部、及び、第2の遮光部を備える遮光部と
を備え、
前記第1の遮光部は、前記光電変換部の受光面と平行で、かつ、前記光電変換部と前記電荷保持部との間に配置され、前記開口部を除いて前記光電変換部を覆い、
前記第2の遮光部は、前記光電変換部の側面を囲んでいる
固体撮像装置。
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JP2018148039A (ja) * | 2017-03-06 | 2018-09-20 | ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 | 固体撮像装置および固体撮像装置の製造方法 |
CN109155325A (zh) * | 2017-03-22 | 2019-01-04 | 索尼半导体解决方案公司 | 摄像装置和信号处理装置 |
JP2018198272A (ja) * | 2017-05-24 | 2018-12-13 | ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 | 固体撮像素子および電子機器 |
JP6957226B2 (ja) * | 2017-06-20 | 2021-11-02 | キヤノン株式会社 | 光電変換装置および機器 |
KR20240031429A (ko) | 2018-02-01 | 2024-03-07 | 소니 세미컨덕터 솔루션즈 가부시키가이샤 | 고체 촬상 장치 및 그 제조 방법, 및 전자 기기 |
JP7102159B2 (ja) * | 2018-02-09 | 2022-07-19 | キヤノン株式会社 | 光電変換装置、撮像システム、および、移動体 |
JP2019165136A (ja) * | 2018-03-20 | 2019-09-26 | ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 | 固体撮像装置およびその製造方法、並びに電子機器 |
JP2019169668A (ja) | 2018-03-26 | 2019-10-03 | ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 | 撮像装置および撮像装置の製造方法 |
JP2019176089A (ja) | 2018-03-29 | 2019-10-10 | ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 | 固体撮像装置、および電子機器 |
JP2019216379A (ja) * | 2018-06-14 | 2019-12-19 | ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 | 固体撮像素子、撮像装置、および、固体撮像素子の制御方法 |
WO2019240207A1 (ja) | 2018-06-15 | 2019-12-19 | ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 | 撮像装置およびその製造方法、電子機器 |
JP7362198B2 (ja) * | 2018-07-18 | 2023-10-17 | ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 | 受光素子、測距モジュール、および、電子機器 |
JP2020027903A (ja) * | 2018-08-15 | 2020-02-20 | ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 | 固体撮像素子および電子機器 |
US10917596B2 (en) | 2018-08-29 | 2021-02-09 | Himax Imaging Limited | Pixel circuit for generating output signals in response to incident radiation |
JP2020035916A (ja) * | 2018-08-30 | 2020-03-05 | ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 | 撮像装置および電子機器 |
JP2020047616A (ja) | 2018-09-14 | 2020-03-26 | ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 | 固体撮像装置および電子機器 |
JP6929266B2 (ja) | 2018-12-17 | 2021-09-01 | キヤノン株式会社 | 光電変換装置、光電変換システム、移動体 |
CN113169197A (zh) * | 2018-12-26 | 2021-07-23 | 索尼半导体解决方案公司 | 光电转换元件、固态成像装置和电子设备 |
WO2020137370A1 (ja) * | 2018-12-27 | 2020-07-02 | ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 | 固体撮像装置および電子機器 |
TWI707481B (zh) * | 2019-03-08 | 2020-10-11 | 力晶積成電子製造股份有限公司 | 影像感測器及其製造方法 |
JPWO2020195825A1 (ja) | 2019-03-25 | 2020-10-01 | ||
JPWO2020195824A1 (ja) | 2019-03-28 | 2020-10-01 | ||
KR102657686B1 (ko) * | 2019-05-13 | 2024-04-15 | 주식회사 디비하이텍 | 이미지 센서 및 제조방법 |
KR20200131423A (ko) * | 2019-05-14 | 2020-11-24 | 주식회사 디비하이텍 | 포토다이오드 및 이를 포함하는 엑스레이 센서 |
JP2021005654A (ja) * | 2019-06-26 | 2021-01-14 | ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 | 撮像装置及び電子機器 |
JP2021040048A (ja) * | 2019-09-03 | 2021-03-11 | ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 | 撮像装置 |
US10964741B1 (en) * | 2019-09-18 | 2021-03-30 | Omnivision Technologies, Inc. | Backside illuminated sensor pixel structure |
CN114556575A (zh) | 2019-11-13 | 2022-05-27 | 索尼半导体解决方案公司 | 固体摄像装置及固体摄像装置制造方法 |
TW202137529A (zh) * | 2019-11-18 | 2021-10-01 | 日商索尼半導體解決方案公司 | 固體攝像裝置及電子機器 |
US11791367B2 (en) * | 2019-12-02 | 2023-10-17 | Wuhan Xinxin Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Semiconductor device and method of fabricating the same |
TW202133410A (zh) * | 2019-12-02 | 2021-09-01 | 日商索尼半導體解決方案公司 | 攝像裝置及其製造方法以及電子機器 |
US20220399391A1 (en) * | 2019-12-03 | 2022-12-15 | Sony Semiconductor Solutions Corporation | Imaging apparatus, manufacturing method thereof, and electronic equipment |
CN114731380A (zh) | 2019-12-10 | 2022-07-08 | 索尼半导体解决方案公司 | 成像装置和电子设备 |
US20230013149A1 (en) | 2019-12-12 | 2023-01-19 | Sony Semiconductor Solutions Corporation | Solid-state image pickup device and electronic apparatus |
TW202127649A (zh) | 2019-12-13 | 2021-07-16 | 日商索尼半導體解決方案公司 | 攝像裝置及電子機器 |
JP2021132086A (ja) * | 2020-02-19 | 2021-09-09 | ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 | 撮像装置及び電子機器 |
US11626444B2 (en) * | 2020-02-27 | 2023-04-11 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Image sensors with dummy pixel structures |
DE102020123708A1 (de) * | 2020-02-27 | 2021-09-02 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co. Ltd. | Bildsensoren mit dummy-pixel-strukturen |
WO2021235101A1 (ja) * | 2020-05-20 | 2021-11-25 | ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 | 固体撮像装置 |
WO2022104660A1 (en) * | 2020-11-19 | 2022-05-27 | Huawei Technologies Co., Ltd. | Solid state imaging device with high signal-to-noise ratio |
US11670648B2 (en) * | 2020-12-10 | 2023-06-06 | Omnivision Technologies Inc. | Flicker-mitigating pixel-array substrate |
US11710752B2 (en) | 2020-12-10 | 2023-07-25 | Omnivision Technologies, Inc. | Flicker-mitigating pixel-array substrate |
JP2022131910A (ja) * | 2021-02-26 | 2022-09-07 | ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 | 撮像装置および電子機器 |
JP2023067549A (ja) * | 2021-11-01 | 2023-05-16 | ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 | 撮像装置および電子機器 |
JP2023072513A (ja) * | 2021-11-12 | 2023-05-24 | ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 | 光検出装置及び電子機器 |
WO2023249116A1 (ja) * | 2022-06-24 | 2023-12-28 | ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 | 撮像素子及び電子機器 |
Citations (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2011003860A (ja) * | 2009-06-22 | 2011-01-06 | Sony Corp | 固体撮像装置とその製造方法、及び電子機器 |
JP2011040926A (ja) * | 2009-08-10 | 2011-02-24 | Sony Corp | 固体撮像装置、固体撮像装置の駆動方法および電子機器 |
JP2012248679A (ja) * | 2011-05-27 | 2012-12-13 | Canon Inc | 固体撮像装置、それを用いた撮像システム及び固体撮像装置の製造方法 |
JP2013098446A (ja) * | 2011-11-04 | 2013-05-20 | Sony Corp | 固体撮像素子、固体撮像素子の製造方法、及び、電子機器 |
JP2013145917A (ja) * | 2013-04-08 | 2013-07-25 | Canon Inc | 固体撮像装置及び撮像システム |
JP2013254805A (ja) * | 2012-06-06 | 2013-12-19 | Sony Corp | 固体撮像素子及びその制御方法、並びに電子機器 |
JP2014096490A (ja) * | 2012-11-09 | 2014-05-22 | Sony Corp | 撮像素子、製造方法 |
US20150035028A1 (en) * | 2013-08-05 | 2015-02-05 | Apple Inc. | Image Sensor with Buried Light Shield and Vertical Gate |
Family Cites Families (21)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS62274659A (ja) * | 1986-05-22 | 1987-11-28 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体装置 |
US5461419A (en) * | 1992-10-16 | 1995-10-24 | Casio Computer Co., Ltd. | Photoelectric conversion system |
JP2002033477A (ja) * | 2000-07-13 | 2002-01-31 | Nec Corp | 半導体装置およびその製造方法 |
JP4117540B2 (ja) * | 2002-10-17 | 2008-07-16 | ソニー株式会社 | 固体撮像素子の制御方法 |
JP4245008B2 (ja) * | 2006-05-10 | 2009-03-25 | セイコーエプソン株式会社 | 電気光学装置用基板及び電気光学装置、並びに電子機器 |
US8654592B2 (en) * | 2007-06-12 | 2014-02-18 | Micron Technology, Inc. | Memory devices with isolation structures |
JP5396809B2 (ja) * | 2008-10-17 | 2014-01-22 | ソニー株式会社 | 固体撮像装置、カメラ、および、固体撮像装置の製造方法 |
KR101776955B1 (ko) | 2009-02-10 | 2017-09-08 | 소니 주식회사 | 고체 촬상 장치와 그 제조 방법, 및 전자 기기 |
JP5476745B2 (ja) * | 2009-03-05 | 2014-04-23 | ソニー株式会社 | 固体撮像装置とその製造方法、及び電子機器 |
US8227884B2 (en) * | 2009-11-04 | 2012-07-24 | Omnivision Technologies, Inc. | Photodetector array having array of discrete electron repulsive elements |
JP2011233589A (ja) * | 2010-04-23 | 2011-11-17 | Sony Corp | 固体撮像デバイス及び電子機器 |
JP5794068B2 (ja) * | 2011-09-16 | 2015-10-14 | ソニー株式会社 | 固体撮像素子および製造方法、並びに電子機器 |
US9490373B2 (en) * | 2012-02-02 | 2016-11-08 | Sony Corporation | Solid-state imaging device and electronic apparatus with improved storage portion |
JP6021466B2 (ja) * | 2012-06-26 | 2016-11-09 | ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 | 固体撮像素子、駆動方法、および電子装置 |
JP2014011304A (ja) * | 2012-06-29 | 2014-01-20 | Toshiba Corp | 固体撮像装置 |
JP2014060519A (ja) * | 2012-09-14 | 2014-04-03 | Sony Corp | 固体撮像素子及びその制御方法、並びに電子機器 |
JP2015012126A (ja) * | 2013-06-28 | 2015-01-19 | ソニー株式会社 | 固体撮像素子および駆動方法、並びに電子機器 |
JP2015041677A (ja) * | 2013-08-21 | 2015-03-02 | ルネサスエレクトロニクス株式会社 | 半導体装置およびその製造方法 |
JP2015065270A (ja) * | 2013-09-25 | 2015-04-09 | ソニー株式会社 | 固体撮像装置およびその製造方法、並びに電子機器 |
JP2016051746A (ja) * | 2014-08-29 | 2016-04-11 | ソニー株式会社 | 固体撮像装置、および電子装置 |
TWI820114B (zh) * | 2018-04-20 | 2023-11-01 | 日商索尼股份有限公司 | 攝像元件、積層型攝像元件及固體攝像裝置 |
-
2016
- 2016-02-12 CN CN202110694549.5A patent/CN113437103A/zh active Pending
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-
2019
- 2019-11-14 US US16/683,379 patent/US11217612B2/en active Active
-
2021
- 2021-12-03 US US17/542,186 patent/US11637135B2/en active Active
-
2023
- 2023-04-03 US US18/194,739 patent/US20230307469A1/en active Pending
Patent Citations (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2011003860A (ja) * | 2009-06-22 | 2011-01-06 | Sony Corp | 固体撮像装置とその製造方法、及び電子機器 |
JP2011040926A (ja) * | 2009-08-10 | 2011-02-24 | Sony Corp | 固体撮像装置、固体撮像装置の駆動方法および電子機器 |
JP2012248679A (ja) * | 2011-05-27 | 2012-12-13 | Canon Inc | 固体撮像装置、それを用いた撮像システム及び固体撮像装置の製造方法 |
JP2013098446A (ja) * | 2011-11-04 | 2013-05-20 | Sony Corp | 固体撮像素子、固体撮像素子の製造方法、及び、電子機器 |
JP2013254805A (ja) * | 2012-06-06 | 2013-12-19 | Sony Corp | 固体撮像素子及びその制御方法、並びに電子機器 |
JP2014096490A (ja) * | 2012-11-09 | 2014-05-22 | Sony Corp | 撮像素子、製造方法 |
JP2013145917A (ja) * | 2013-04-08 | 2013-07-25 | Canon Inc | 固体撮像装置及び撮像システム |
US20150035028A1 (en) * | 2013-08-05 | 2015-02-05 | Apple Inc. | Image Sensor with Buried Light Shield and Vertical Gate |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN113437102A (zh) | 2021-09-24 |
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CN113471233B (zh) | 2022-04-15 |
WO2016136486A1 (ja) | 2016-09-01 |
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CN107431075A (zh) | 2017-12-01 |
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