JP2021153161A - 固体撮像装置、及び、固体撮像装置の製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】固体撮像装置の特性を向上させるようにする。【解決手段】半導体基板の画素ごとに光電変換を行う光電変換領域が形成され、前記半導体基板の深さ方向と直交する方向において前記光電変換領域に重なる位置に、前記光電変換領域に隣接するウェル領域に所定の電位を供給するウェルコンタクトが配置される。そして、前記ウェル領域に対して前記ウェルコンタクトの配線部材が接触する部分に、前記ウェル領域よりも不純物濃度が高いコンタクト領域が形成される。本技術は、例えば、裏面照射型CMOSイメージセンサに適用できる。【選択図】図４

Description

本技術は、固体撮像装置、及び、固体撮像装置の製造方法に関し、特に、固体撮像装置の特性を向上させるようにした固体撮像装置、及び、固体撮像装置の製造方法に関する。

特許文献１では、固体撮像素子であるCMOSイメージセンサにおいて、基板表面部に配置される画素トランジスタのジャンクションリークを低減する構造が開示されている。

特開２０１５−１６２６０３号公報

固体撮像装置の特性を向上させ、画質を向上させることが一般的に望まれている。

本技術はこのような状況に鑑みてなされたものであり、固体撮像装置の特性を向上させるようにする。

本技術の第１の側面である固体撮像装置は、半導体基板の画素ごとに形成された光電変換を行う光電変換領域と、前記半導体基板の深さ方向と直交する方向において前記光電変換領域に重なる位置に配置され、前記光電変換領域に隣接するウェル領域に所定の電位を供給するウェルコンタクトと、前記ウェル領域に対して前記ウェルコンタクトの配線部材が接触する部分に形成されるコンタクト領域であって、前記ウェル領域よりも不純物濃度が高いコンタクト領域と、を有する固体撮像装置である。

本技術の第１の側面である固体撮像装置においては、半導体基板の画素ごとに光電変換を行う光電変換領域が形成され、前記半導体基板の深さ方向と直交する方向において前記光電変換領域に重なる位置に、前記光電変換領域に隣接するウェル領域に所定の電位を供給するウェルコンタクトが配置される。そして、前記ウェル領域に対して前記ウェルコンタクトの配線部材が接触する部分に、前記ウェル領域よりも不純物濃度が高いコンタクト領域が形成される。

本技術の第２の側面である固体撮像装置の製造方法は、半導体基板の画素ごとに形成された光電変換を行う光電変換領域と、前記半導体基板の深さ方向と直交する方向において前記光電変換領域に重なる位置に配置され、前記光電変換領域に隣接するウェル領域に所定の電位を供給するウェルコンタクトと、前記ウェル領域に対して前記ウェルコンタクトの配線部材が接触する部分に形成されたコンタクト領域であって、前記ウェル領域よりも不純物濃度が高いコンタクト領域と、を有する固体撮像装置の前記コンタクト領域は、固相拡散、液相拡散、気相拡散、プラズマドーピング、又は、エピタキシャル成長により形成された固体撮像装置の製造方法である。

本技術の第２の側面である固体撮像装置の製造方法においては、半導体基板の画素ごとに形成された光電変換を行う光電変換領域と、前記半導体基板の深さ方向と直交する方向において前記光電変換領域に重なる位置に配置され、前記光電変換領域に隣接するウェル領域に所定の電位を供給するウェルコンタクトと、前記ウェル領域に対して前記ウェルコンタクトの配線部材が接触する部分に形成されたコンタクト領域であって、前記ウェル領域よりも不純物濃度が高いコンタクト領域と、を有する固体撮像装置の前記コンタクト領域は、固相拡散、液相拡散、気相拡散、プラズマドーピング、又は、エピタキシャル成長により形成される。

本技術を適用した固体撮像装置の概略構成を例示した図である。 画素の等価回路を例示した図である。 画素アレイ部の画素の表面側に形成されている画素トランジスタ等の配置を例示した図である。 固体撮像装置の第１の実施の形態における画素の垂直方向断面図である。 固体撮像装置の第２の実施の形態における画素の垂直方向断面図である。 固体撮像装置の第３の実施の形態における画素の垂直方向断面図である。 固体撮像装置の第４の実施の形態における画素の垂直方向断面図である。 固体撮像装置の第５の実施の形態における画素の垂直方向断面図である。 固体撮像装置の第６の実施の形態における画素の垂直方向断面図である。 固体撮像装置の第７の実施の形態における画素の垂直方向断面図である。 本技術を適用した電子機器としての、撮像装置の構成例を示すブロック図である。 固体撮像装置１を用いたイメージセンサの使用例を示す図である。

以下、図面を参照しながら本技術の実施の形態について説明する。

＜＜固体撮像装置の概略構成例＞＞
図１は、本技術を適用した固体撮像装置の概略構成を例示した図である。

図１の固体撮像装置１は、半導体として例えばシリコン（Si）を用いた半導体基板１２に、画素２が２次元アレイ状に配列された画素アレイ部３と、その周辺の周辺回路部とを有して構成される。周辺回路部には、垂直駆動回路４、カラム信号処理回路５、水平駆動回路６、出力回路７、制御回路８などが含まれる。

画素２は、光電変換素子としてのフォトダイオードと、複数の画素トランジスタ等を有する。複数の画素トランジスタは、例えば、転送トランジスタ、選択トランジスタ、リセットトランジスタ、及び、増幅トランジスタの４つのMOSトランジスタで構成される。ただし、画素トランジスタとして、転送トランジスタを有していない場合や他の用途の画素トランジスタを有している場合であってもよい。

制御回路８は、入力クロックと、動作モードなどを指令するデータを受け取り、また固体撮像装置１の内部情報などのデータを出力する。すなわち、制御回路８は、垂直同期信号、水平同期信号及びマスタクロックに基づいて、垂直駆動回路４、カラム信号処理回路５及び水平駆動回路６などの動作の基準となるクロック信号や制御信号を生成する。そして、制御回路８は、生成したクロック信号や制御信号を、垂直駆動回路４、カラム信号処理回路５及び水平駆動回路６等に出力する。

垂直駆動回路４は、例えばシフトレジスタによって構成され、所定の画素駆動配線１０を選択し、選択された画素駆動配線１０に画素２を駆動するためのパルスを供給し、行単位で画素２を駆動する。すなわち、垂直駆動回路４は、画素アレイ部３の各画素２を行単位で順次垂直方向に選択走査し、各画素２の光電変換部において受光量に応じて生成された信号電荷に基づく画素信号を、垂直信号線９を通してカラム信号処理回路５に供給させる。

カラム信号処理回路５は、画素２の列ごとに配置されており、１行分の画素２から出力される信号を画素列ごとにノイズ除去などの信号処理を行う。例えば、カラム信号処理回路５は、画素固有の固定パターンノイズを除去するためのCDS(Correlated Double Sampling：相関二重サンプリング)及びAD変換等の信号処理を行う。

水平駆動回路６は、例えばシフトレジスタによって構成され、水平走査パルスを順次出力することによって、カラム信号処理回路５の各々を順番に選択し、カラム信号処理回路５の各々から画素信号を水平信号線１１に出力させる。

出力回路７は、カラム信号処理回路５の各々から水平信号線１１を通して順次に供給される信号に対し、信号処理を行って出力する。出力回路７は、例えば、バファリングだけする場合もあるし、黒レベル調整、列ばらつき補正、各種デジタル信号処理などが行われる場合もある。入出力端子１３は、外部と信号のやりとりをする。

以上のように構成される固体撮像装置１は、CDS処理とAD変換処理を行うカラム信号処理回路５が画素列ごとに配置されたカラムAD方式と呼ばれるCMOSイメージセンサである。

また、固体撮像装置１は、画素トランジスタが形成される半導体基板１２の表面側と反対側の裏面側から光が入射される裏面照射型のMOS型固体撮像装置である。

＜＜画素２の回路構成例＞＞
図２は、画素２の等価回路を例示した図である。

図３は、画素アレイ部３の画素２の表面側に形成されている画素トランジスタ等の配置を例示した図である。

画素２は、光電変換素子としてのPD（フォトダイオード）２１、転送トランジスタ２４、FD(フローティングディフュージョン)２５、リセットトランジスタ２６、増幅トランジスタ２７、及び、選択トランジスタ２８を有する。

PD２１は、受光量に応じた電荷（信号電荷）を生成し、蓄積する光電変換部（光電変換領域）である。PD２１のアノード端子が接地されているとともに、カソード端子が転送トランジスタ２４を介してFD２５に接続されている。

転送トランジスタ２４は、転送信号TRによりオンされたとき、PD２１で生成された電荷を読み出し、FD２５に転送する。

FD２５は、PD２１から読み出された電荷を保持する電荷保持部である。リセットトランジスタ２６は、リセット信号RSTによりオンされたとき、FD２５に保持されている電荷が定電圧源Vddに排出されることで、FD２５の電位をリセットする。

増幅トランジスタ２７は、FD２５の電位に応じた画素信号を出力する。すなわち、増幅トランジスタ２７は定電流源としての負荷MOS（不図示）とソースフォロワ回路を構成し、FD２５に保持されている電荷に応じたレベルを示す画素信号が、増幅トランジスタ２７から選択トランジスタ２８を介してカラム信号処理回路５（図１）に出力される。

選択トランジスタ２８は、選択信号SELにより画素２が選択されたときオンされ、画素２の画素信号を、垂直信号線９を介してカラム信号処理回路５に出力する。転送信号TR、リセット信号RST、及び、選択信号SELは、垂直駆動回路４によって制御され、画素駆動配線１０（図１）を介して供給される。

図３のウェルコンタクト３１は、画素２に所定の電位を与える。所定の電位とは、例えば、グランド電位であるがこれに限らない。

なお、画素２の回路構成としては、図２に示した構成に限定されるものではない。

＜＜画素２の構造例＞＞
＜第１の実施の形態＞
図４は、固体撮像装置１の第１の実施の形態における１画素分の画素２の垂直方向断面図である。

図４において、画素２は、Si基板５０を有する。Si基板５０とは、画素２の構成要素のうちシリコンウェハから切り出された部分を意味する。Si基板５０の内部には、画素２ごとのPD（フォトダイオード）５１が形成される。PD５１は、Si基板５０の裏面側から照射された光に対して光電変換を行う光電変換領域であり、例えば、ｎ型領域である。

PD５１の周囲には、PD５１を取り囲むように画素間遮光壁であるDTI(Deep Trench Isolation)５４が形成される。

DTI５４は、Si基板５０を深さ方向（図中上下方向であり、基板表面から裏面への垂直方向）に貫く形状で形成される。DTI５４は、例えば、充填剤７１と側壁膜７２とから形成される。充填剤７１は、例えばポリシリコン又はドーピングポリシリコンにより形成される。側壁膜７２は、例えばシリコン酸化膜（二酸化シリコン（SiO2））又はシリコン窒化膜（窒化シリコン（Si3N4））により形成される。

PD５１の側面側のDTI５４の内周側に沿った領域には、PD５１を取り囲むように、p型拡散層５５が形成される。p型拡散層５５は、p型不純物が例えば固相拡散されたp型領域である。

PD５１内の領域のp型拡散層５５の内周側に沿った領域には、n型拡散層５６が形成される。n型拡散層５６は、n型不純物が例えば固相拡散されたn型領域であり、PD５１よりもn型不純物の濃度が高い。

p型拡散層５５とn型拡散層５６との領域では、強電界領域が形成されるため、PD５１において発生した電荷がPD５１の領域内に保持される。

DTI５４の裏面側（図面下側）であって、PD５１の光入射側（図中下側であり、裏面側）には、p型領域５２が形成される。p型領域５２のさらに下層には、平坦化膜８１が形成される。p型領域５２によれば、Si基板５０の裏面であるSi界面の付近にPD５１（及びn型拡散層５６）が存在しないため、Si界面付近におけるピニングの弱体化が抑止される。したがって、Si界面付近で発生した電荷がPD５１に流れ込んでDark特性が悪化してしまうことが抑止される。

平坦化膜８１において、互いに隣接するPD５１の間には、遮光膜８２が形成される。遮光膜８２は、例えば、タングステン（Ｗ）等の金属材により形成される。この遮光膜８２により、隣接する画素２への光の漏れ込みが抑止される。

平坦化膜８１の下面には、入射光をPD５１に集光させるOCL（オンチップレンズ）８３が形成される。OCL８３は、無機材料で形成され、無機材料としては、例えば、SiN、SiO、又は、SiOxNy（ただし、０＜x≦１、０＜y≦１である）が用いられる。

Si基板５０の表面側（図面上側）には、p型のウェル領域（P-well）５３が形成される。ウェル領域５３には、画素トランジスタ等を分離する素子分離領域（STI(Shallow Trench Isolation)）５７が形成される。素子分離領域５７には、シリコン酸化膜等の絶縁膜が埋め込まれる。

Si基板５０の表面側には、シリコン酸化膜９１が形成される。シリコン酸化膜９１の上層には、絶縁膜９２が形成される。絶縁膜９２は、例えば、シリコン窒化膜やシリコン酸化膜等である。

Si基板５０の表面側においてPD５１の上側には、画素２（ウェル領域５３）に所定の電位を供給するウェルコンタクト３１が形成される。PD５１の上側とは、PD５１の領域に対してSi基板５０の表面側となる位置であり、かつ、Si基板５０の深さ方向（図面上下方向）と直交する方向（図面左右方向）において、PD５１の領域に重なる位置であることを意味する。言い換えると、PD５１の上側とは、PD５１の領域に対してSi基板５０の表面側となる位置であり、かつ、PD５１の領域内の任意位置を通る深さ方向の直線が通る位置である。なお、n型拡散層５６もPD５１の領域の一部であるとする。また、ウェルコンタクト３１は例えば画素２ごとに形成せれるが、これに限らない。

ウェルコンタクト３１は、コンタクト部材１０１とコンタクト領域１０２とを有する。

コンタクト部材１０１は、ウェル領域５３と所定の電位の供給源とを接続する配線部材である。コンタクト部材１０１は、例えば、高濃度の不純物がドーピングされたポリシリコン（ドーピングポリシリコン）、又は、アルミニウム等の金属により形成される。コンタクト部材１０１の一端は、ウェル領域５３のコンタクト領域１０２に接触する。コンタクト部材１０１の他端は、例えばグランド電位又は所定の電位の供給源に接続される。

コンタクト領域１０２は、ウェル領域５３のコンタクト部材１０１が接触する部分に形成される。コンタクト領域１０２は、p型不純物が添加されたp型領域（p+領域）であり、ウェル領域５３よりもp型不純物の濃度が高い。

コンタクト領域１０２によれば、コンタクト部材１０１とコンタクト領域１０２との接触部分における接触抵抗が、コンタクト部材１０１をウェル領域５３に直接接触させた場合の接触抵抗よりも低減される。したがって、画素２の電位が安定して一定に維持され、画素２の電位変動による画質の劣化が抑止される。

Si基板５０の表面側においてPD５１の上側には、転送トランジスタ２４が形成される。転送トランジスタ２４は、Si基板５０の深さ方向に延びる２つの凸状部位を含む転送ゲートＴＧを有する。転送ゲートＴＧの２本の凸状部位は、ウェル領域５３の上面からPD５１の上部領域の一部まで及ぶ２つの縦型トランジスタトレンチ５８、５９に配置される。また、ウェル領域５３の表面及び縦型トランジスタトレンチ５８、５９の内面にはシリコン酸化膜９１が形成される。このシリコン酸化膜９１により、転送ゲートＴＧとウェル領域５３及びPD５１との間が絶縁される。

Si基板５０の表面側において縦型トランジスタトレンチ５８の側部のウェル領域５３には、FD２５が形成される。FD２５は、n型不純物が拡散されたn型領域である不純物拡散層である。

Si基板５０の表面側においてPD５１の上側には、画素トランジスタ９４が形成される。画素トランジスタ９４は、縦型トランジスタである転送トランジスタ２４を除く任意の画素トランジスタである。例えば、画素トランジスタ９４は、リセットトランジスタ２６、増幅トランジスタ２７、及び、選択トランジスタ２８のうちの任意の画素トランジスタである。なお、PD５１の上側に、画素トランジスタ９４が複数形成されていてもよいし、画素トランジスタ９４が１つも形成されていなくてもよい。

画素トランジスタ９４は、ドーピングポリシリコンにより形成されたゲート１２１を有する。ゲート１２１は、ウェル領域５３に対してシリコン酸化膜９１を介した位置に形成される。ウェル領域５３においてゲート１２１に対向する領域の一方の側部には、画素トランジスタ９４のソース領域１２２が形成される。他方の側部には、画素トランジスタ９４のドレイン領域１２３が形成される。ソース領域１２２及びドレイン領域１２３は、n型不純物が拡散されたn型領域である。

ここで、ウェルコンタクト３１のコンタクト領域１０２は、ウェル領域５３に対してドーパント原子であるp型不純物として、例えば、ボロン（Ｂ：ホウ素）がウェル領域５３よりも高濃度で添加された領域である。コンタクト領域１０２の形成方法として、イオン注入以外の方法、例えば、熱拡散（固相拡散、液相拡散、又は、気相拡散）、プラズマドーピング、又は、エピタキシャル成長が用いられる。

コンタクト領域１０２をイオン注入により形成した場合、コンタクト領域１０２の下側に配置されているPD５１の上部領域に格子欠陥が生じる可能性がある。PD５１の領域に格子欠陥が生じた場合には、暗電流や白点が発生して画質の劣化が生じる可能性がある。このような不具合は、コンタクト領域１０２をイオン注入以外の方法で形成することにより未然に防止される。なお、コンタクト領域１０２には、イオン注入の方法では添加されない同一のドーパント原子の同位体が含まれる。例えば、コンタクト領域１０２に添加されるドーパント原子がホウ素原子（Ｂ）の場合には、コンタクト領域１０２には、質量数１０のホウ素原子及び質量数１１のホウ素原子が含まれる。

コンタクト領域１０２を熱拡散の方法で形成する場合、画素２が形成される過程において、コンタクト領域１０２の上方が開口されたレジストパターンがSi基板５０の表面側に形成される。次いで、エッチングによりSi基板５０の上面に形成されている絶縁層等にコンタクト領域１０２まで貫通する穴が形成される。そして、コンタクト領域１０２の上方の穴にボロンなどのp型不純物を含む固体（固相拡散の場合）、液体（液相拡散の場合）、又は、気体（気相拡散の場合）が堆積される。その後、熱拡散によりp型不純物を含む固体、液体、又は、気体からp型不純物がコンタクト領域１０２に拡散される。

コンタクト領域１０２をプラズマドーピングの方法で形成する場合、熱拡散の方法と同様に、Si基板５０の上面に形成されている絶縁層等にコンタクト領域１０２まで貫通する穴が形成される。そして、コンタクト領域１０２の上面がボロンなどのp型不純物を含むプラズマに晒され、Si基板５０にバイアス電圧が印加される。これにより、p型不純物がコンタクト領域１０２に添加される。

コンタクト領域１０２をエピタキシャル成長の方法で形成する場合、熱拡散の方法と同様に、Si基板５０の上面に形成されている絶縁層等にコンタクト領域１０２まで貫通する穴が形成される。また、ウェル領域５３のうち、コンタクト領域１０２となる部分がエッチングにより除去される。そして、p型不純物を含むコンタクト領域１０２が結晶成長により形成される。

また、図４の画素２において、PD５１の上側に形成されるFD２５、並びに、画素トランジスタ９４のソース領域１２２及びドレイン領域１２３は、ウェル領域５３に対してドーパント原子であるn型不純物として、例えば、リン（Ｐ）が添加されたn型領域である。FD２５、ソース領域１２２、及び、ドレイン領域１２３を形成する方法として、イオン注入以外の方法、例えば、固相拡散、液相拡散、気相拡散、プラズマドーピング、又は、エピタキシャル成長が用いられてもよい。

FD２５、ソース領域１２２、及び、ドレイン領域１２３をイオン注入の方法で形成した場合、FD２５、ソース領域１２２、及び、ドレイン領域１２３がPD５１の上側に配置されていることから、PD５１の上部領域に格子欠陥が生じ、画質の劣化が生じる可能性がある。このような不具合は、コンタクト領域１０２と同様にFD２５、ソース領域１２２、及び、ドレイン領域１２３をイオン注入以外の方法で形成することにより未然に防止される。

尚、FD２５、コンタクト領域１０２、ソース領域１２２、及び、ドレイン領域１２３のうち、いずれか１又は複数の領域（例えば、コンタクト領域１０２）がイオン注入以外の方法で形成され、それ以外の領域がイオン注入の方法で形成されてもよい。

＜第２の実施の形態＞
図５は、固体撮像装置１の第２の実施の形態における１画素分の画素２の垂直方向断面図である。なお、図中、図４の画素２と対応する部分については、同一の符号を付してあり、その説明は省略する。

図５の画素２は、図４の画素２の構成要素の全てを有する点で、図４の場合と共通する。但し、図５の画素２は、画素トランジスタ９４において、ウェル領域５３と異なる種類又は濃度の不純物が添加されたチャンネル領域１２４を新たに有する点で、図４の場合と相違する。

チャンネル領域１２４は、n型不純物又はp型不純物が添加されたn型領域又はp型領域である。チャンネル領域１２４に添加されるn型不純物又はp型不純物の濃度、及び、領域の大きさ等が調整されることにより、画素トランジスタ９４をオンする閾値電圧Ｖｔ等の特性が調整される。なお、チャンネル領域１２４がp型領域である場合に、チャンネル領域１２４は、例えば、ウェル領域５３とp型不純物の濃度が異なる領域として形成される。

チャンネル領域１２４を形成する方法としては、FD２５、コンタクト領域１０２、ソース領域１２２、及び、ドレイン領域１２３と同様に、イオン注入以外の方法、例えば、固相拡散、液相拡散、気相拡散、プラズマドーピング、又は、エピタキシャル成長が用いられてもよい。

図５の画素２によれば、図４の場合と同様に、ウェルコンタクト３１のコンタクト部材１０１と接触するコンタクト領域１０２のp型不純物の濃度がウェル領域５３よりも高い。そのため、コンタクト部材１０１とコンタクト領域１０２との接触部分における接触抵抗が、コンタクト部材１０１をウェル領域５３に直接接触させた場合の接触抵抗よりも低減される。したがって、画素２の電位が安定して一定に維持され、画素２の電位変動による画質の劣化が抑止される。

また、PD５１の上側に配置される、FD２５、コンタクト領域１０２、ソース領域１２２、ドレイン領域１２３、及び、チャンネル領域１２４がイオン注入以外の方法、例えば、固相拡散、液相拡散、気相拡散、プラズマドーピング、又は、エピタキシャル成長で形成されることにより、PD５１の上部領域に格子欠陥が生じ、画質が劣化するという不具合が未然に防止される。ただし、FD２５、コンタクト領域１０２、ソース領域１２２、ドレイン領域１２３、及び、チャンネル領域１２４のうち、いずれか１又は複数の領域（例えば、コンタクト領域１０２）がイオン注入以外の方法で形成され、それ以外の領域がイオン注入の方法で形成されてもよい。

＜第３の実施の形態＞
図６は、固体撮像装置１の第３の実施の形態における１画素分の画素２の垂直方向断面図である。なお、図中、図４の画素２と対応する部分については、同一の符号を付してあり、その説明は省略する。

図６の画素２は、転送トランジスタ２４、FD２５、ウェルコンタクト３１、Si基板５０、PD５１、p型領域５２、ウェル領域５３、DTI５４、p型拡散層５５、n型拡散層５６、STI５７、平坦化膜８１、遮光膜８２、OCL８３、シリコン酸化膜９１、絶縁膜９２、及び、MOSキャパシタ９６を有する。したがって、図６の画素２は、転送トランジスタ２４、FD２５、ウェルコンタクト３１、Si基板５０、PD５１、p型領域５２、ウェル領域５３、DTI５４、p型拡散層５５、n型拡散層５６、STI５７、平坦化膜８１、遮光膜８２、OCL８３、シリコン酸化膜９１、及び、絶縁膜９２を有する点で、図４の場合と共通する。ただし、図６の画素２は、画素トランジスタ９４を有していない点、及び、MOSキャパシタ９６を新たに有する点で、図４の場合と相違する。

図６のMOSキャパシタ９６は、PD５１の上側に形成され、例えば、FD２５に電気的に接続される。FD２５にMOSキャパシタ９６が接続されることにより、FD２５の容量が増加し、光電変換効率が下げられる。ただし、MOSキャパシタ９６は、FD２５の容量の増加（拡大）を図るものに限らない。

MOSキャパシタ９６は、電極１３１、拡散層１３２、１３３を有する。電極１３１は、例えば、ドーピングポリシリコンにより形成される。拡散層１３２、１３３は、電極１３１に対してシリコン酸化膜９１を介して対向するウェル領域５３の側部に形成される。拡散層１３２、１３３は、n型不純物が添加されたn型領域である。なお、ウェル領域５３の電極１３１に対向する領域と、拡散層１３２、１３３とを含む領域をキャパシタ領域というものとする。

キャパシタ領域における拡散層１３２、１３３のn型不純物の濃度、及び、領域の大きさ等が調整されることにより、MOSキャパシタ９６の容量が調整される。

拡散層１３２、１３３を形成する方法としては、FD２５、及び、コンタクト領域１０２と同様に、イオン注入以外の方法、例えば、固相拡散、液相拡散、気相拡散、プラズマドーピング、又は、エピタキシャル成長が用いられてもよい。

図６の画素２によれば、図４の場合と同様に、ウェルコンタクト３１のコンタクト部材１０１と接触するコンタクト領域１０２のp型不純物の濃度がウェル領域５３よりも高い。そのため、コンタクト部材１０１とコンタクト領域１０２との接触部分における接触抵抗が、コンタクト部材１０１をウェル領域５３に直接接触させた場合の接触抵抗よりも低減される。したがって、画素２の電位が安定して一定に維持され、画素２の電位変動による画質の劣化が抑止される。

また、PD５１の上側に配置される、FD２５、コンタクト領域１０２、及び、拡散層１３２、１３３がイオン注入以外の方法、例えば、固相拡散、液相拡散、気相拡散、プラズマドーピング、又は、エピタキシャル成長で形成されることにより、PD５１の上部領域に格子欠陥が生じ、画質が劣化するという不具合が未然に防止される。ただし、FD２５、コンタクト領域１０２、及び、拡散層１３２、１３３のうち、いずれか１又は複数の領域（例えば、コンタクト領域１０２）がイオン注入以外の方法で形成され、それ以外の領域がイオン注入の方法で形成されてもよい。

＜第４の実施の形態＞
図７は、固体撮像装置１の第４の実施の形態における１画素分の画素２の垂直方向断面図である。なお、図中、図４の画素２と対応する部分については、同一の符号を付してあり、その説明は省略する。

図７の画素２は、ウェルコンタクト３１、Si基板５０、PD５１、p型領域５２、ウェル領域５３、DTI５４、p型拡散層５５、n型拡散層５６、STI５７、平坦化膜８１、遮光膜８２、OCL８３、シリコン酸化膜９１、絶縁膜９２、画素トランジスタ９４、及び、p型拡散層１４１を有する。したがって、図７の画素２は、ウェルコンタクト３１、Si基板５０、PD５１、p型領域５２、ウェル領域５３、DTI５４、p型拡散層５５、n型拡散層５６、STI５７、平坦化膜８１、遮光膜８２、OCL８３、シリコン酸化膜９１、絶縁膜９２、及び、画素トランジスタ９４を有する点で、図４の場合と共通する。ただし、図７の画素２は、FD２５と転送トランジスタ２４とを有していない点、及び、p型拡散層１４１を新たに有する点で、図４の場合と相違する。

図７のPD５１は、その領域の一部にSi基板５０の表面近傍まで突出した凸部５１Ａを有する。凸部５１Ａの上部には、p型拡散層１４１が形成される。p型拡散層１４１は、p型不純物が添加されたp型領域である。

p型拡散層１４１を形成する方法としては、コンタクト領域１０２、ソース領域１２２、及び、ドレイン領域１２３と同様に、イオン注入以外の方法、例えば、固相拡散、液相拡散、気相拡散、プラズマドーピング、又は、エピタキシャル成長が用いられてもよい。

図７の画素２によれば、図４の場合と同様に、ウェルコンタクト３１のコンタクト部材１０１と接触するコンタクト領域１０２のp型不純物の濃度がウェル領域５３よりも高い。そのため、コンタクト部材１０１とコンタクト領域１０２との接触部分における接触抵抗が、コンタクト部材１０１をウェル領域５３に直接接触させた場合の接触抵抗よりも低減される。したがって、画素２の電位が安定して一定に維持され、画素２の電位変動による画質の劣化が抑止される。

また、PD５１の上側に配置される、コンタクト領域１０２、ソース領域１２２、ドレイン領域１２３、及び、p型拡散層１４１がイオン注入以外の方法、例えば、固相拡散、液相拡散、気相拡散、プラズマドーピング、又は、エピタキシャル成長で形成されることにより、PD５１の上部領域に格子欠陥が生じ、画質が劣化するという不具合が未然に防止される。ただし、コンタクト領域１０２、ソース領域１２２、ドレイン領域１２３、及び、p型拡散層１４１のうち、いずれか１又は複数の領域（例えば、コンタクト領域１０２）がイオン注入以外の方法で形成され、それ以外の領域がイオン注入の方法で形成されてもよい。

＜第５の実施の形態＞
図８は、固体撮像装置１の第５の実施の形態における１画素分の画素２の垂直方向断面図である。なお、図中、図４の画素２と対応する部分については、同一の符号を付してあり、その説明は省略する。

図８の画素２は、転送トランジスタ２４、FD２５、ウェルコンタクト３１、Si基板５０、PD５１、p型領域５２、ウェル領域５３、STI５７、平坦化膜８１、遮光膜８２、OCL８３、シリコン酸化膜９１、絶縁膜９２、及び、画素トランジスタ９４を有する。したがって、図８の画素２は、転送トランジスタ２４、FD２５、ウェルコンタクト３１、Si基板５０、PD５１、p型領域５２、ウェル領域５３、STI５７、平坦化膜８１、遮光膜８２、OCL８３、シリコン酸化膜９１、絶縁膜９２、及び、画素トランジスタ９４を有する点で、図４の場合と共通する。ただし、図８の画素２は、DTI５４、p型拡散層５５、及び、n型拡散層５６を有していない点で、図４の場合と相違する。

図８の画素２によれば、図４の場合と同様に、ウェルコンタクト３１のコンタクト部材１０１と接触するコンタクト領域１０２のp型不純物の濃度がウェル領域５３よりも高い。そのため、コンタクト部材１０１とコンタクト領域１０２との接触部分における接触抵抗が、コンタクト部材１０１をウェル領域５３に直接接触させた場合の接触抵抗よりも低減される。したがって、画素２の電位が安定して一定に維持され、画素２の電位変動による画質の劣化が抑止される。

また、PD５１の上側に配置される、FD２５、コンタクト領域１０２、ソース領域１２２、及び、ドレイン領域１２３がイオン注入以外の方法、例えば、固相拡散、液相拡散、気相拡散、プラズマドーピング、又は、エピタキシャル成長で形成されることにより、PD５１の上部領域に格子欠陥が生じ、画質が劣化するという不具合が未然に防止される。ただし、FD２５、コンタクト領域１０２、ソース領域１２２、及び、ドレイン領域１２３のうち、いずれか１又は複数の領域（例えば、コンタクト領域１０２）がイオン注入以外の方法で形成され、それ以外の領域がイオン注入の方法で形成されてもよい。

＜第６の実施の形態＞
図９は、固体撮像装置１の第６の実施の形態における１画素分の画素２の垂直方向断面図である。なお、図中、図４の画素２と対応する部分については、同一の符号を付してあり、その説明は省略する。

図９の画素２は、転送トランジスタ２４、FD２５、ウェルコンタクト３１、Si基板５０、PD５１、p型領域５２、ウェル領域５３、STI５７、平坦化膜８１、遮光膜８２、OCL８３、シリコン酸化膜９１、絶縁膜９２、画素トランジスタ９４、及び、p型拡散層１４１を有する。したがって、図９の画素２は、転送トランジスタ２４、FD２５、ウェルコンタクト３１、Si基板５０、PD５１、p型領域５２、ウェル領域５３、STI５７、平坦化膜８１、遮光膜８２、OCL８３、シリコン酸化膜９１、絶縁膜９２、及び、画素トランジスタ９４を有する点で、図４の場合と共通する。ただし、図９の画素２は、DTI５４、p型拡散層５５、及び、n型拡散層５６を有していない点、及び、p型拡散層１４１を新たに有する点で、図４の場合と相違する。また、図９の転送トランジスタ２４の転送ゲートＴＧは、２つの凸状部位を有していない点で図４の場合と相違する。

図９のPD５１は、その領域の一部にSi基板５０の表面近傍まで突出した凸部５１Ａを有する。凸部５１Ａの上部には、p型拡散層１４１が形成される。p型拡散層１４１は、p型不純物が添加されたp型領域である。

p型拡散層１４１を形成する方法としては、イオン注入以外の方法、例えば、固相拡散、液相拡散、気相拡散、プラズマドーピング、又は、エピタキシャル成長が用いられてもよい。

図９の画素２によれば、図４の場合と同様に、ウェルコンタクト３１のコンタクト部材１０１と接触するコンタクト領域１０２のp型不純物の濃度がウェル領域５３よりも高い。そのため、コンタクト部材１０１とコンタクト領域１０２との接触部分における接触抵抗が、コンタクト部材１０１をウェル領域５３に直接接触させた場合の接触抵抗よりも低減される。したがって、画素２の電位が安定して一定に維持され、画素２の電位変動による画質の劣化が抑止される。

また、PD５１の上側に配置される、FD２５、コンタクト領域１０２、ソース領域１２２、ドレイン領域１２３、及び、p型拡散層１４１がイオン注入以外の方法、例えば、固相拡散、液相拡散、気相拡散、プラズマドーピング、又は、エピタキシャル成長で形成されることにより、PD５１の上部領域に格子欠陥が生じ、画質が劣化するという不具合が未然に防止される。ただし、FD２５、コンタクト領域１０２、ソース領域１２２、ドレイン領域１２３、及び、p型拡散層１４１のうち、いずれか１又は複数の領域（例えば、コンタクト領域１０２）がイオン注入以外の方法で形成され、それ以外の領域がイオン注入の方法で形成されてもよい。

＜第７の実施の形態＞
図１０は、固体撮像装置１の第７の実施の形態における１画素分の画素２の垂直方向断面図である。なお、図中、図４の画素２と対応する部分については、同一の符号を付してあり、その説明は省略する。

図１０の画素２は、転送トランジスタ２４、FD２５、ウェルコンタクト３１、Si基板５０、PD５１、p型領域５２、ウェル領域５３、STI５７、平坦化膜８１、遮光膜８２、OCL８３、シリコン酸化膜９１、絶縁膜９２、画素トランジスタ９４、及び、p型拡散層１４１を有する。したがって、図１０の画素２は、転送トランジスタ２４、FD２５、ウェルコンタクト３１、Si基板５０、PD５１、p型領域５２、ウェル領域５３、STI５７、平坦化膜８１、遮光膜８２、OCL８３、シリコン酸化膜９１、絶縁膜９２、及び、画素トランジスタ９４を有する点で、図４の場合と共通する。ただし、図１０の画素２は、DTI５４、p型拡散層５５、及び、n型拡散層５６を有していない点、及び、p型拡散層１４１を新たに有する点で、図４の場合と相違する。また、図１０の転送トランジスタ２４の転送ゲートＴＧは、１つの凸状部位のみを有している点で図４の場合と相違する。

図１０のPD５１は、その領域の一部にSi基板５０の表面近傍まで突出した凸部５１Ａを有する。凸部５１Ａの上部には、p型拡散層１４１が形成される。p型拡散層１４１は、p型不純物が添加されたp型領域である。

p型拡散層１４１を形成する方法としては、イオン注入以外の方法、例えば、固相拡散、液相拡散、気相拡散、プラズマドーピング、又は、エピタキシャル成長が用いられてもよい。

図１０の画素２によれば、図４の場合と同様に、ウェルコンタクト３１のコンタクト部材１０１と接触するコンタクト領域１０２のp型不純物の濃度がウェル領域５３よりも高い。そのため、コンタクト部材１０１とコンタクト領域１０２との接触部分における接触抵抗が、コンタクト部材１０１をウェル領域５３に直接接触させた場合の接触抵抗よりも低減される。したがって、画素２の電位が安定して一定に維持され、画素２の電位変動による画質の劣化が抑止される。

また、PD５１の上側に配置される、FD２５、コンタクト領域１０２、ソース領域１２２、ドレイン領域１２３、及び、p型拡散層１４１がイオン注入以外の方法、例えば、固相拡散、液相拡散、気相拡散、プラズマドーピング、又は、エピタキシャル成長で形成されることにより、PD５１の上部領域に格子欠陥が生じ、画質が劣化するという不具合が未然に防止される。ただし、FD２５、コンタクト領域１０２、ソース領域１２２、ドレイン領域１２３、及び、p型拡散層１４１のうち、いずれか１又は複数の領域（例えば、コンタクト領域１０２）がイオン注入以外の方法で形成され、それ以外の領域がイオン注入の方法で形成されてもよい。

＜電子機器への適用例＞
本技術は、固体撮像装置への適用に限られるものではない。即ち、本技術は、デジタルスチルカメラやビデオカメラ等の撮像装置や、撮像機能を有する携帯端末装置や、画像読取部に固体撮像装置を用いる複写機など、画像取込部（光電変換部）に固体撮像装置を用いる電子機器全般に対して適用可能である。固体撮像装置は、ワンチップとして形成された形態であってもよいし、撮像部と信号処理部又は光学系とがまとめてパッケージングされた撮像機能を有するモジュール状の形態であってもよい。

図１１は、本技術を適用した電子機器としての、撮像装置の構成例を示すブロック図である。

図１１の撮像装置３００は、レンズ群などからなる光学部３０１、図１の固体撮像装置１の構成が採用される固体撮像装置（撮像デバイス）３０２、及び、カメラ信号処理回路であるDSP(Digital Signal Processor)回路３０３を備える。また、撮像装置３００は、フレームメモリ３０４、表示部３０５、記録部３０６、操作部３０７、及び、電源部３０８も備える。DSP回路３０３、フレームメモリ３０４、表示部３０５、記録部３０６、操作部３０７、及び、電源部３０８は、バスライン３０９を介して相互に接続されている。

光学部３０１は、被写体からの入射光（像光）を取り込んで固体撮像装置３０２の撮像面上に結像する。固体撮像装置３０２は、光学部３０１によって撮像面上に結像された入射光の光量を画素単位で電気信号に変換して画素信号として出力する。この固体撮像装置３０２として、図１の固体撮像装置１、即ち、縦２画素×横２画素の４画素を同色の光を受光する同色単位として複数の色のカラーフィルタを配列するとともに、共有画素構造を有し、共有単位内の所定の１画素に共有画素トランジスタを集中配置させた固体撮像装置を用いることができる。

表示部３０５は、例えば、LCD(Liquid Crystal Display)や有機EL(Electro Luminescence)ディスプレイ等の薄型ディスプレイで構成され、固体撮像装置３０２で撮像された動画又は静止画を表示する。記録部３０６は、固体撮像装置３０２で撮像された動画又は静止画を、ハードディスクや半導体メモリ等の記録媒体に記録する。

操作部３０７は、ユーザによる操作の下に、撮像装置３００が持つ様々な機能について操作指令を発する。電源部３０８は、DSP回路３０３、フレームメモリ３０４、表示部３０５、記録部３０６、及び、操作部３０７の動作電源となる各種の電源を、これら供給対象に対して適宜供給する。

上述したように、固体撮像装置３０２として、上述した実施の形態を適用した固体撮像装置１を用いることで、フォトダイオード（PD）の面積を拡大させ、高感度を実現することができる。従って、ビデオカメラやデジタルスチルカメラ、さらには携帯電話機等のモバイル機器向けカメラモジュールなどの撮像装置３００においても、撮像画像の高画質化を図ることができる。

＜イメージセンサの使用例＞
図１２は、上述の固体撮像装置１を用いたイメージセンサの使用例を示す図である。

上述の固体撮像装置１を用いたイメージセンサは、例えば、以下のように、可視光や、赤外光、紫外光、X線等の光をセンシングする様々なケースに使用することができる。

・ディジタルカメラや、カメラ機能付きの携帯機器等の、鑑賞の用に供される画像を撮影する装置
・自動停止等の安全運転や、運転者の状態の認識等のために、自動車の前方や後方、周囲、車内等を撮影する車載用センサ、走行車両や道路を監視する監視カメラ、車両間等の測距を行う測距センサ等の、交通の用に供される装置
・ユーザのジェスチャを撮影して、そのジェスチャに従った機器操作を行うために、TVや、冷蔵庫、エアーコンディショナ等の家電に供される装置
・内視鏡や、赤外光の受光による血管撮影を行う装置等の、医療やヘルスケアの用に供される装置
・防犯用途の監視カメラや、人物認証用途のカメラ等の、セキュリティの用に供される装置
・肌を撮影する肌測定器や、頭皮を撮影するマイクロスコープ等の、美容の用に供される装置
・スポーツ用途等向けのアクションカメラやウェアラブルカメラ等の、スポーツの用に供される装置
・畑や作物の状態を監視するためのカメラ等の、農業の用に供される装置

本技術は以下のような構成も取ることができる。
（１）
半導体基板の画素ごとに形成された光電変換を行う光電変換領域と、
前記半導体基板の深さ方向と直交する方向において前記光電変換領域に重なる位置に配置され、前記光電変換領域に隣接するウェル領域に所定の電位を供給するウェルコンタクトと、
前記ウェル領域に対して前記ウェルコンタクトの配線部材が接触する部分に形成されるコンタクト領域であって、前記ウェル領域よりも不純物濃度が高いコンタクト領域と、
を有する
固体撮像装置。
（２）
前記コンタクト領域は、固相拡散、液相拡散、気相拡散、プラズマドーピング、又は、エピタキシャル成長により形成された
（１）に記載の固体撮像装置。
（３）
前記半導体基板は、
前記画素の間を遮光する画素間遮光壁
を有し、
前記ウェルコンタクトは、
前記画素ごとに配置される
（１）又は（２）に記載の固体撮像装置。
（４）
前記半導体基板には、前記半導体基板の深さ方向と直交する方向において前記光電変換領域に重なる位置に、フローティングディフュージョン、画素トランジスタ、及び、MOSキャパシタのうちの少なくともいずれか１つが形成された
（１）乃至（３）のいずれかに記載の固体撮像装置。
（５）
前記フローティングディフュージョンは、不純物拡散層を含み、
前記フローティングディフュージョンの前記不純物拡散層は、固相拡散、液相拡散、気相拡散、プラズマドーピング、又は、エピタキシャル成長により形成された
（４）に記載の固体撮像装置。
（６）
前記光電変換領域から前記フローティングディフュージョンに電荷を転送する転送ゲートであって、前記半導体基板の表面から前記半導体基板の深さ方向に延びる転送ゲートが配置された
（５）に記載の固体撮像装置。
（７）
前記画素トランジスタは、不純物が添加されたソース領域及びドレイン領域を有し、
前記ソース領域及びドレイン領域の各々は、固相拡散、気相拡散、プラズマドーピング、又は、エピタキシャル成長により形成された
（４）乃至（６）のいずれかに記載の固体撮像装置。
（８）
前記画素トランジスタは、不純物が添加されたチャンネル領域を有し、
前記チャンネル領域は、固相拡散、液相拡散、気相拡散、プラズマドーピング、又は、エピタキシャル成長により形成された
（４）乃至（７）のいずれかに記載の固体撮像装置。
（９）
前記画素トランジスタは、転送トランジスタ、増幅トランジスタ、選択トランジスタ、及び、リセットトランジスタのうちの少なくとも１つである
（４）乃至（８）のいずれかに記載の固体撮像装置。
（１０）
前記MOSキャパシタは、不純物が添加されたキャパシタ領域を有し、
前記キャパシタ領域は、固相拡散、液相拡散、気相拡散、プラズマドーピング、又は、エピタキシャル成長により形成された
（４）乃至（９）のいずれかに記載の固体撮像装置。
（１１）
前記光電変換領域は、n型領域であり、
前記ウェル領域は、p型領域であり、
前記コンタクト領域は、p型領域である
（１）乃至（１０）のいずれかに記載の固体撮像装置。
（１２）
隣接する前記画素の間に前記半導体基板を深さ方向に貫いて形成され、前記画素の間を遮光する画素間遮光壁と、
前記画素間遮光壁に隣接して形成されたp型領域と、
前記画素間遮光壁に隣接する前記p型領域に隣接して形成されたn型領域と
を有する
（１１）に記載の固体撮像装置。
（１３）
前記光電変換領域は、前記半導体基板の裏面側から照射された光を光電変換し、
前記ウェルコンタクトは、前記半導体基板の表面側に配置された
（１）乃至（１２）のいずれかに記載の固体撮像装置。
（１４）
前記ウェル領域は、p型領域であり、
前記フローティングディフュージョンの前記不純物拡散層は、n型領域である
（５）又は（６）に記載の固体撮像装置。
（１５）
前記ウェル領域は、p型領域であり、
前記画素トランジスタのソース領域及びドレイン領域は、n型領域である
（７）に記載の固体撮像装置。
（１６）
前記ウェル領域は、p型領域であり、
前記チャンネル領域は、n型領域又は前記ウェル領域と不純物濃度が異なるp型領域である
（８）に記載の固体撮像装置。
（１７）
前記コンタクト領域は、不純物として質量数１０のホウ素原子及び質量数１１のホウ素原子を含む
（１１）又は（１２）に記載の固体撮像装置。
（１８）
半導体基板の画素ごとに形成された光電変換を行う光電変換領域と、
前記半導体基板の深さ方向と直交する方向において前記光電変換領域に重なる位置に配置され、前記光電変換領域に隣接するウェル領域に所定の電位を供給するウェルコンタクトと、
前記ウェル領域に対して前記ウェルコンタクトの配線部材が接触する部分に形成されたコンタクト領域であって、前記ウェル領域よりも不純物濃度が高いコンタクト領域と、
を有する
固体撮像装置の
前記コンタクト領域は、固相拡散、液相拡散、気相拡散、プラズマドーピング、又は、エピタキシャル成長により形成された
固体撮像装置の製造方法。

１ 固体撮像素子， ２４ 転送トランジスタ， ２５ FD（フローティングディフュージョン）， ２６ リセットトランジスタI， ２７ 増幅トランジスタ， ２８ 選択トランジスタ， ３１ ウェルコンタクト， ５０ Si基板， ５１ PD（フォトダイオード）， ５２，５５ p型領域， ５３ ウェル領域， ５６ n型領域， ５７ 素子分離領域， ９４ 画素トランジスタ， ９６ MOSキャパシタ， １０１ コンタクト部材， １０２ コンタクト領域， １２１ ゲート， １２２ ソース領域， １２３ ドレイン領域， １２４ チャンネル領域

Claims (18)

1. 半導体基板の画素ごとに形成された光電変換を行う光電変換領域と、
   前記半導体基板の深さ方向と直交する方向において前記光電変換領域に重なる位置に配置され、前記光電変換領域に隣接するウェル領域に所定の電位を供給するウェルコンタクトと、
   前記ウェル領域に対して前記ウェルコンタクトの配線部材が接触する部分に形成されるコンタクト領域であって、前記ウェル領域よりも不純物濃度が高いコンタクト領域と、
   を有する
   固体撮像装置。
2. 前記コンタクト領域は、固相拡散、液相拡散、気相拡散、プラズマドーピング、又は、エピタキシャル成長により形成された
   請求項１に記載の固体撮像装置。
3. 前記半導体基板は、
   前記画素の間を遮光する画素間遮光壁
   を有し、
   前記ウェルコンタクトは、
   前記画素ごとに配置される
   請求項１に記載の固体撮像装置。
4. 前記半導体基板には、前記半導体基板の深さ方向と直交する方向において前記光電変換領域に重なる位置に、フローティングディフュージョン、画素トランジスタ、及び、MOSキャパシタのうちの少なくともいずれか１つが形成された
   請求項１の記載の固体撮像装置。
5. 前記フローティングディフュージョンは、不純物拡散層を含み、
   前記フローティングディフュージョンの前記不純物拡散層は、固相拡散、液相拡散、気相拡散、プラズマドーピング、又は、エピタキシャル成長により形成された
   請求項４に記載の固体撮像装置。
6. 前記光電変換領域から前記フローティングディフュージョンに電荷を転送する転送ゲートであって、前記半導体基板の表面から前記半導体基板の深さ方向に延びる転送ゲートが配置された
   請求項５に記載の固体撮像装置。
7. 前記画素トランジスタは、不純物が添加されたソース領域及びドレイン領域を有し、
   前記ソース領域及びドレイン領域の各々は、固相拡散、気相拡散、プラズマドーピング、又は、エピタキシャル成長により形成された
   請求項４に記載の固体撮像装置。
8. 前記画素トランジスタは、不純物が添加されたチャンネル領域を有し、
   前記チャンネル領域は、固相拡散、液相拡散、気相拡散、プラズマドーピング、又は、エピタキシャル成長により形成された
   請求項４に記載の固体撮像装置。
9. 前記画素トランジスタは、転送トランジスタ、増幅トランジスタ、選択トランジスタ、及び、リセットトランジスタのうちの少なくとも１つである
   請求項４に記載の固体撮像装置。
10. 前記MOSキャパシタは、不純物が添加されたキャパシタ領域を有し、
    前記キャパシタ領域は、固相拡散、液相拡散、気相拡散、プラズマドーピング、又は、エピタキシャル成長により形成された
    請求項４に記載の固体撮像装置。
11. 前記光電変換領域は、n型領域であり、
    前記ウェル領域は、p型領域であり、
    前記コンタクト領域は、p型領域である
    請求項１に記載の固体撮像装置。
12. 隣接する前記画素の間に前記半導体基板を深さ方向に貫いて形成され、前記画素の間を遮光する画素間遮光壁と、
    前記画素間遮光壁に隣接して形成されたp型領域と、
    前記画素間遮光壁に隣接する前記p型領域に隣接して形成されたn型領域と
    を有する
    請求項１１に記載の固体撮像装置。
13. 前記光電変換領域は、前記半導体基板の裏面側から照射された光を光電変換し、
    前記ウェルコンタクトは、前記半導体基板の表面側に配置された
    請求項１に記載の固体撮像装置。
14. 前記ウェル領域は、p型領域であり、
    前記フローティングディフュージョンの前記不純物拡散層は、n型領域である
    請求項５に記載の固体撮像装置。
15. 前記ウェル領域は、p型領域であり、
    前記画素トランジスタのソース領域及びドレイン領域は、n型領域である
    請求項７に記載の固体撮像装置。
16. 前記ウェル領域は、p型領域であり、
    前記チャンネル領域は、n型領域又は前記ウェル領域と不純物濃度が異なるp型領域である
    請求項８に記載の固体撮像装置。
17. 前記コンタクト領域は、不純物として質量数１０のホウ素原子及び質量数１１のホウ素原子を含む
    請求項１１に記載の固体撮像装置。
18. 半導体基板の画素ごとに形成された光電変換を行う光電変換領域と、
    前記半導体基板の深さ方向と直交する方向において前記光電変換領域に重なる位置に配置され、前記光電変換領域に隣接するウェル領域に所定の電位を供給するウェルコンタクトと、
    前記ウェル領域に対して前記ウェルコンタクトの配線部材が接触する部分に形成されたコンタクト領域であって、前記ウェル領域よりも不純物濃度が高いコンタクト領域と、
    を有する
    固体撮像装置の
    前記コンタクト領域は、固相拡散、液相拡散、気相拡散、プラズマドーピング、又は、エピタキシャル成長により形成された
    固体撮像装置の製造方法。

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