TWI707481B - 影像感測器及其製造方法 - Google Patents

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Abstract

一種影像感測器及其製造方法。影像感測器包括具有主動面與背面的基底、第一與第二隔離結構、光二極體、記憶節點、電晶體、反光層以及微透鏡。第一隔離結構設置於主動面處的基底中以界定出主動區。光二極體與記憶節點設置於主動區中的基底中且彼此間隔開。電晶體設置於光二極體與記憶節點之間且分別與兩者電性連接。第二隔離結構設置於背面處的基底中且與第一隔離結構連接。反光層具有位於主動面上的第一部分、位於第一與第二隔離結構中的第二部分以及位於背面上的第三部分，其中第二部分連接第一與第三部分，且第三部分不與光二極體的整體重疊。微透鏡設置於反光層上。

Description

影像感測器及其製造方法
本發明是有關於一種影像感測器及其製造方法。
隨著數位相機、電子掃描機等產品不斷地開發與成長，市場上對影像感測元件的需求持續增加。目前常用的影像感測元件包含有電荷耦合感測元件(charge coupled device，CCD)以及互補式金屬氧化物半導體影像感測器(complementary metal-oxide-semiconductor image sensor，CMOS image sensor，CIS)兩大類，其中CMOS影像感測器因具有低操作電壓、低功率消耗與高操作效率、可根據需要而進行隨機存取等優點，且同時具有可整合於目前的半導體技術以大量製造的優勢，因此應用範圍非常廣泛。
為了避免高速移動的物體的影像產生變形，目前發展出一種全域快門(global shutter，GS)影像感測器，其主要包括電晶體、光二極體(photodiode，PD)以及用以儲存電訊號的記憶節 點(memory node，MN)。
然而，當來自於外部的光進入影像感測器時，部分的光會進入記憶節點區域而使得記憶節點具有寄生光敏度(parasitic light sensitivity，PLS)。此外，相鄰的光二極體之間也會容易因彼此之間的光干擾而導致電訊號受到影響。如此一來，影響了影像感測器的效能。
本發明提供一種影像感測器，其中光二極體與記憶節點的周圍被反光層圍繞且上方與下方被反光層覆蓋。
本發明提供一種影像感測器的製造方法，其用以製造上述的影像感測器。
本發明的影像感測器包括基底、第一與第二隔離結構、光二極體、記憶節點、電晶體、反光層以及微透鏡。所述基底具有彼此相對的主動面與背面。所述第一隔離結構設置於所述主動面處的所述基底中，以界定出主動區。所述光二極體與所述記憶節點設置於所述主動區中的所述基底中，且彼此間隔開。所述電晶體設置於所述光二極體與所述記憶節點之間，且分別與兩者電性連接。所述第二隔離結構設置於所述背面處的所述基底中，且與所述第一隔離結構連接。反光層具有位於所述主動面上的第一部分、位於所述第一隔離結構與所述第二隔離結構中的第二部分以及位於所述背面上的第三部分，其中所述第二部分連接所述第 一部分與所述第三部分，且所述第三部分不與所述光二極體的整體重疊。所述微透鏡設置於所述反光層上。
在本發明的影像感測器的一實施例中，所述反光層例如為金屬層。
在本發明的影像感測器的一實施例中，更包括設置於所述反光層與所述背面之間的介電層。
在本發明的影像感測器的一實施例中，更包括設置於所述反光層與所述微透鏡之間的彩色濾光層以及設置於所述彩色濾光層與所述反光層之間的介電層。
在本發明的影像感測器的一實施例中，更包括設置於所述主動面上的內連線結構。所述內連線結構包括覆蓋所述電晶體與所述反光層的所述第一部分的介電層以及設置於所述介電層中且與所述電晶體電性連接的線路結構。
本發明的影像感測器的製造方法包括以下步驟：提供基底，所述基底具有彼此相對的主動面與背面，其中隔離結構形成於所述主動面處的所述基底中以界定出主動區，光二極體與記憶節點形成於所述主動區中的所述基底中且彼此間隔開，電晶體形成於所述光二極體與所述記憶節點之間且分別與所述光二極體以及所述記憶節點電性連接；於所述隔離結構中形成第一溝槽；形成第一反光材料層，以覆蓋所述主動面與所述電晶體且填滿所述第一溝槽；於所述背面處的所述基底中形成第二溝槽，其中所述第二溝槽至少暴露出所述隔離結構的底部；於所述第二溝槽中與 所述背面上形成第二反光材料層，其中所述第二反光材料層不與所述光二極體的整體重疊；於所述背面上形成微透鏡。
在本發明的影像感測器的製造方法的一實施例中，所述第一溝槽的形成方法包括以下步驟：於所述主動面上形成圖案化罩幕層，其中所述圖案化罩幕層覆蓋所述主動面與所述電晶體，且暴露出部分所述隔離結構的頂面；以所述圖案化罩幕層為罩幕，進行蝕刻製程，移除部分所述隔離結構；移除所述圖案化罩幕層。
在本發明的影像感測器的製造方法的一實施例中，在形成所述第一反光材料層之後以及在形成所述第二溝槽之前，更包括於所述主動面上形成內連線結構。所述內連線結構包括覆蓋所述電晶體與所述第一反光材料層的介電層以及形成於所述介電層中且與所述電晶體電性連接的線路結構。
在本發明的影像感測器的製造方法的一實施例中，在形成所述第一反光材料層之後以及在形成所述第二溝槽之前，更包括自所述背面處減小所述基板的厚度。
在本發明的影像感測器的製造方法的一實施例中，自所述背面處減小所述基板的厚度的方法例如是對所述背面進行化學機械研磨製程。
在本發明的影像感測器的製造方法的一實施例中，所述第二溝槽的形成方法包括以下步驟：於所述背面上形成第一圖案化罩幕層，其中所述第一圖案化罩幕層的暴露區域對應所述隔離 結構的位置；以所述第一圖案化罩幕層為罩幕，進行蝕刻製程，移除部分所述基底，以形成第三溝槽，其中所述第三溝槽至少暴露出所述隔離結構的底面；移除所述第一圖案化罩幕層；於所述背面上形成介電層，其中所述介電層填滿所述第三溝槽；於所述介電層上形成第二圖案化罩幕層，其中所述第二圖案化罩幕層的暴露區域對應所述隔離結構中的所述第一反光材料層的位置，且所述第二圖案化罩幕層的暴露區域的面積小於所述第一圖案化罩幕層的暴露區域的面積；以所述第二圖案化罩幕層為罩幕，進行蝕刻製程，移除部分所述介電層與部分所述隔離結構，以至少暴露出所述隔離結構中的所述第一反光材料層的底面；移除所述第二圖案化罩幕層。
在本發明的影像感測器的製造方法的一實施例中，所述第二反光材料層的形成方法包括以下步驟：於所述第二溝槽中與所述背面上形成反光材料，其中所述反光材料填滿所述第二溝槽；將所述反光材料圖案化，以形成開口，其中所述開口對應所述光二極體的位置且不與所述光二極體的整體重疊。
在本發明的影像感測器的製造方法的一實施例中，在形成所述第二反光材料層之後以及在形成所述微透鏡之前，更包括以下步驟：於所述第二反光材料層上形成介電層；於所述介電層上形成彩色濾光層。
在本發明的影像感測器的製造方法的一實施例中，所述第一反光材料層例如為金屬層。
在本發明的影像感測器的製造方法的一實施例中，所述第二反光材料層例如為金屬層。
基於上述，在本發明的影像感測器中，光二極體與記憶節點的周圍被反光層圍繞且上方與下方被反光層覆蓋而僅保留光二極體的入光區域。因此當影像感測器曝光時，可確保記憶節點具有較佳的寄生光敏抵抗力(immunity)。此外，進入光二極體但未被吸收的雜散光(stray light)可藉由光二極體周圍的反光層反射並再次進入到光二極體內而被吸收，因此可有效地提高光二極體對於所吸收的入射光的量子效率(quantum efficiency)。另外，由於光二極體與記憶節點的周圍被反光層圍繞且上方與下方被反光層覆蓋，因此可有效降低鄰近區域之間的光干擾(light crosstalk)效應，進而提高影像的品質。
為讓本發明的上述特徵和優點能更明顯易懂，下文特舉實施例，並配合所附圖式作詳細說明如下。
10:影像感測器
100:基底
100a:主動面
100b:背面
102:隔離結構
104:主動區
106:光二極體
106a、106b、108a、108b:摻雜區
108:記憶節點
110:電晶體
110a:閘介電層
110b:閘極
110c:間隙壁
112:接觸窗蝕刻終止層
114、120、124:溝槽
116、126:反光材料層
118:內連線結構
118a、122、128:介電層
118b:接觸窗插塞
118c:線路圖案
118d:介層窗插塞
126a:開口
130:彩色濾光層
132:微透鏡
圖1A至圖1F為依照本發明實施例的影像感測器的製造流程剖面示意圖。
下文列舉實施例並配合所附圖式來進行詳細地說明，但所提供的實施例並非用以限制本發明所涵蓋的範圍。此外，圖式 僅以說明為目的，並未依照原尺寸作圖。為了方便理解，下述說明中相同的元件將以相同的符號標示來說明。
此外，關於文中所使用「包含」、「包括」、「具有」等等用語，均為開放性的用語，也就是指「包括但不限於」。
另外，文中所提到的方向性用語，例如「上」、「下」等，僅是用以參考圖式的方向，並非用來限制本發明。
圖1A至圖1F為依照本發明實施例的影像感測器的製造流程剖面示意圖。
首先，請參照圖1A，提供基底100。基底100例如是矽基底。基底100具有彼此相對的主動面100a與背面100b。主動面100a為形成有各種半導體元件的表面。在本實施例中，隔離結構102形成於主動面100a處的基底100中以界定出主動區104，光二極體106與記憶節點108形成於主動區104中的基底100中且彼此間隔開，而電晶體110設置於光二極體106與記憶節點108之間且分別與光二極體106以及記憶節點108電性連接。在本實施例中，光二極體106與記憶節點108位於基板100中的深度大於隔離結構102位於基板100中的深度，但本發明不限於此。
在本實施例中，隔離結構102例如為淺溝渠隔離結構(shallow trench isolation，STI)，其具有略高於主動面100a的頂面，但本發明不限於此。此外，在本實施例中，光二極體106由摻雜區106a與摻雜區106b構成。摻雜區106a與摻雜區106b具有彼此相反的導電類型。舉例來說，摻雜區106a為p型摻雜區， 而摻雜區106b則為n型摻雜區，但本發明不限於此。在其他實施例中，摻雜區106a可以是n型摻雜區，而摻雜區106b可以是p型摻雜區。另外，在本實施例中，記憶節點108由摻雜區108a與摻雜區108b構成。摻雜區108a與摻雜區108b具有彼此相反的導電類型。舉例來說，摻雜區108a為p型摻雜區，而摻雜區108b則為n型摻雜區，但本發明不限於此。在其他實施例中，摻雜區108a可以是n型摻雜區，而摻雜區108b可以是p型摻雜區。此外，在本實施例中，電晶體110包括閘介電層110a、閘極110b與間隙壁110c。隔離結構102、光二極體106、記憶節點108與電晶體110的形成方法為本領域技術人員所熟知，於此不在另行說明。
在本實施例中，當光二極體106曝光時，電荷會累積於光二極體106，而電晶體110則將電荷傳送至記憶節點108來蓄積電荷。因此，電晶體110通常稱為轉移電晶體。此外，基底100的主動面100a處還可形成有其他熟知的半導體元件(例如重置電晶體、電容器等)，而為了對本發明清楚說明的目的，圖1A中並未繪示出這些熟知的半導體元件。
接著，請參照圖1B，視情況可於於主動面100a上形成接觸窗蝕刻終止層(contact etch stop layer，CESL)112。接觸窗蝕刻終止層112例如為氮化物層。接觸窗蝕刻終止層112覆蓋主動面100a、隔離結構102以及電晶體110。然後，於隔離結構102中形成溝槽114。在本實施例中，溝槽114的形成方法例如是先於接觸窗蝕刻終止層112上形成圖案化罩幕層(未繪示)。圖案化罩 幕層例如是圖案化光阻層。圖案化罩幕層暴露出隔離結構102的頂面上的部分接觸窗蝕刻終止層112。接著，以圖案化罩幕層為罩幕，進行非等向性蝕刻製程，以移除暴露出來的接觸窗蝕刻終止層112以及位於下方的部分隔離結構102。在本實施例中，溝槽114的深度小於隔離結構102的厚度，但本發明不限於此。在其他實施例中，以上述非等向性蝕刻製程所形成的溝槽亦可貫穿隔離結構102，亦即所形成的溝槽的深度可等於隔離結構102的厚度。在形成溝槽114之後，形成反光材料層116，以覆蓋主動面100a與電晶體110且填滿溝槽114。在本實施例中，反光材料層116例如是金屬層。
在另一實施例中，在形成溝槽114時，若溝槽114貫穿隔離結構102，則所形成的反光材料層116會貫穿隔離結構102而與基底100接觸。
然後，請參照圖1C，於主動面100a上形成內連線結構118。內連線結構118包括形成於反光材料層116上的介電層118a以及形成於介電層118a中且與電晶體110電性連接的線路結構，其中線路結構包括接觸窗插塞(contact plug)118b、線路圖案118c以及介層窗插塞(via plug)118d。觸窗插塞118b連接電晶體110與線路圖案118c，而介層窗插塞118d則連接各層的線路圖案118c。在本實施例中，繪示出二層線路圖案118c，但本發明不限於此。在其他實施例中，內連線結構118可包括更多層或更少層的線路圖案 118c。內連線結構118的結構與形成方法為本領域技術人員所熟知，於此不在另行說明。
接著，請參照圖1D，自所述背面100b處減小基板100的厚度。在本實施例中，對背面100b進行化學機械研磨製程，移除部分基底100，以減小基板100的厚度。重要的是，在減小基板100的厚度之後，位於基板100中的隔離結構102、光二極體106與記憶節點108並不會被暴露出來。然後，於背面100b處的基底100中形成暴露出隔離結構102的底部的溝槽120。在本實施例中，溝槽120的形成方法例如是先於背面100b上形成圖案化罩幕層(未繪示)。圖案化罩幕層例如是圖案化光阻層。圖案化罩幕層的暴露區域對應隔離結構102的位置。在本實施例中，圖案化罩幕層的暴露區域大於隔離結構102的底面的面積，但本發明不限於此。接著，以圖案化罩幕層為罩幕，進行非等向性蝕刻製程，移除部分基底100，以暴露出隔離結構102的底面。在本實施例中，在進行非等向性蝕刻製程之後，除了暴露出隔離結構102的底面之外，還暴露出隔離結構102的側壁，但本發明不限於此。在其他實施例中，進行非等向性蝕刻製程之後，可僅暴露出隔離結構102的底面，亦即以隔離結構102的底面作為非等向性蝕刻製程的終止點。之後，移除圖案化罩幕層。
此外，在反光材料層116貫穿隔離結構102而與基底100接觸的實施例中，所形成的溝槽120除了暴露出隔離結構102的底部之外，還會暴露出反光材料層116的底部。
在形成溝槽120之後，於基底100的背面100b上形成介電層122。介電層122填滿溝槽120。介電層122例如是氧化物層。在本實施例中，介電層122的形成方法例如是先於背面100b上形成一層介電材料，並使介電材料填滿溝槽120，然後再對介電材料進行平坦化製程。在本實施例中，位於基底100中的介電層122可與隔離結構102共同形成圍繞主動區104的隔離結構。
然後，請參照圖1E，於背面100b處的基底100中形成溝槽124。溝槽124暴露出隔離結構102中的反光材料層116的底部。在本實施例中，溝槽124的形成方法例如是先於介電層122上形成圖案化罩幕層(未繪示)。圖案化罩幕層例如是圖案化光阻層。圖案化罩幕層的暴露區域對應隔離結構102中的反光材料層116的位置，其中用於形成溝槽124的圖案化罩幕層的暴露區域的面積小於用於形成溝槽120的圖案化罩幕層的暴露區域的面積。接著，以圖案化罩幕層為罩幕，進行非等向性蝕刻製程，移除部分介電層122與部分隔離結構102，以暴露出隔離結構102中的反光材料層116的底面。在本實施例中，在進行非等向性蝕刻製程之後，僅暴露出隔離結構102中的反光材料層116的底面，但本發明不限於此。在其他實施例中，在進行非等向性蝕刻製程之後，除了暴露出隔離結構102中的反光材料層116的底面之外，還暴露出反光材料層116的側壁。之後，移除圖案化罩幕層。
此外，在反光材料層116貫穿隔離結構102而與基底100接觸的實施例中，上述的非等向性蝕刻製程可僅移除部分介電層 122，亦即以反光材料層116的底面作為非等向性蝕刻製程的終止點。
在形成溝槽124之後，於溝槽124中與背面100b上形成反光材料層126，其中反光材料層126不與光二極體106的整體重疊。在本實施例中，反光材料層126例如是金屬層。在本實施例中，形成反光材料層126的方法例如是先於介電層122上形成一層反光材料，且使得反光材料填滿溝槽124。然後，將反光材料圖案化，以形成具有開口126a的反光材料層126，其中開口126a對應光二極體106的位置且不與光二極體106的整體重疊。在本實施例中，開口126a暴露出部分光二極體106，但本發明不限於此。在其他實施例中，開口126a也可暴露出整個光二極體106。
之後，請參照圖1F，於反光材料層126上形成介電層128，且介電層128填滿開口126a。接著，於介電層128上形成彩色濾光層130。之後，於彩色濾光層130上形成微透鏡132，以完成本實施例的影像感測器10的製造。
以下將以影像感測器10為例來對本發明的影像感測器進行說明。
在影像感測器10中，位於基底100中的介電層102可視為隔離結構，其與隔離結構102共同形成圍繞主動區104的隔離結構。此外，位於隔離結構102中的反光材料層116與位於介電層122中的反光材料層126連接。因此，在本實施例中，在主動區104的周圍設置有圍繞其的反光材料層。也就是說，在光二極體106與記 憶節點108的周圍圍繞有反光層(反光材料層116與反光材料層126)。因此，在基板100中相鄰的主動區之間可藉由位於隔離結構中的反光層而分隔開。
此外，在影像感測器10中，基底100的主動面100a上設置有反光材料層116，且基底100的背面100b上設置有反光材料層126，而基底100的背面100b上的反光材料層126具有對應光二極體106的位置的開口126a。也就是說，光二極體106與記憶節點108除了周圍被反光層圍繞之外，上方與下方也被反光層所覆蓋，而僅保留光二極體106的入光區域(開口126a)。
如此一來，當影像感測器10曝光時，光僅會由對應光二極體106的位置的開口126a進入光二極體106，而記憶節點108則不會曝光。因此，可有效地降低記憶節點108的寄生光敏度。此外，部分未進入光二極體106的光可藉由光二極體106周圍的反光層而反射進入光二極體106，使得影像感測器10可具有更高的光利用率。
另外，由於主動區104可藉由位於隔離結構102中的反光層而與鄰近的其他主動區分隔開，因此可確保主動區104中的光二極體106不會受到鄰近的光干擾而導致電訊號受到影響，因而提高了影像感測器10的效能。
雖然本發明已以實施例揭露如上，然其並非用以限定本發明，任何所屬技術領域中具有通常知識者，在不脫離本發明的精神和範圍內，當可作些許的更動與潤飾，故本發明的保護範圍 當視後附的申請專利範圍所界定者為準。
10：影像感測器 100：基底 100b：背面 102：隔離結構 106：光二極體 108：記憶節點 110：電晶體 112：接觸窗蝕刻終止層 116、126：反光材料層 118：內連線結構 122、128：介電層 126a：開口 130：彩色濾光層 132：微透鏡

Claims (15)

  1. 一種影像感測器，包括：基底，具有彼此相對的主動面與背面；第一隔離結構，設置於所述主動面處的所述基底中，以界定出主動區；光二極體，設置於所述主動區中的所述基底中；記憶節點，設置於所述主動區中的所述基底中，且與所述光二極體間隔開；電晶體，設置於所述光二極體與所述記憶節點之間，且分別與所述光二極體以及所述記憶節點電性連接；第二隔離結構，設置於所述背面處的所述基底中，且與所述第一隔離結構連接，其中所述第一隔離結構的部分側壁接觸到所述第二隔離結構；反光層，具有位於所述主動面上的第一部分、位於所述第一隔離結構與所述第二隔離結構中的第二部分以及位於所述背面上的第三部分，其中所述第二部分連接所述第一部分與所述第三部分，且所述第三部分不與所述光二極體的整體重疊，其中所述第一部分完全覆蓋所述光二極體與所述記憶節點於所述主動面的部分；以及微透鏡，設置於所述反光層上。
  2. 如申請專利範圍第1項所述的影像感測器，其中所述反光層包括金屬層。
  3. 如申請專利範圍第1項所述的影像感測器，更包括介電層，設置於所述反光層與所述背面之間。
  4. 如申請專利範圍第1項所述的影像感測器，更包括：彩色濾光層，設置於所述反光層與所述微透鏡之間；以及介電層，設置於所述彩色濾光層與所述反光層之間。
  5. 如申請專利範圍第1項所述的影像感測器，更包括內連線結構，設置於所述主動面上，其中所述內連線結構包括：介電層，覆蓋所述電晶體與所述反光層的所述第一部分；以及線路結構，設置於所述介電層中，且與所述電晶體電性連接。
  6. 一種影像感測器的製造方法，包括：提供基底，所述基底具有彼此相對的主動面與背面，其中隔離結構形成於所述主動面處的所述基底中以界定出主動區，光二極體與記憶節點形成於所述主動區中的所述基底中且彼此間隔開，電晶體形成於所述光二極體與所述記憶節點之間且分別與所述光二極體以及所述記憶節點電性連接；於所述隔離結構中形成第一溝槽；形成第一反光材料層，以覆蓋所述主動面與所述電晶體且填滿所述第一溝槽；介電層，覆蓋所述電晶體與所述第一反光材料層，其中所述隔離結構的部分側壁接觸到所述介電層； 於所述背面處的所述基底中形成第二溝槽，其中所述第二溝槽暴露出所述隔離結構中的所述第一反光材料層的底部；於所述第二溝槽中與所述背面上形成第二反光材料層，其中所述第二反光材料層不與所述光二極體的整體重疊；以及於所述背面上形成微透鏡，其中所述第一反光材料層完全覆蓋所述光二極體與所述記憶節點於所述主動面的部分，且所述第二溝槽不與所述電晶體的整體重疊。
  7. 如申請專利範圍第6項所述的影像感測器的製造方法，其中所述第一溝槽的形成方法包括：於所述主動面上形成圖案化罩幕層，其中所述圖案化罩幕層覆蓋所述主動面與所述電晶體，且暴露出部分所述隔離結構的頂面；以所述圖案化罩幕層為罩幕，進行蝕刻製程，移除部分所述隔離結構；以及移除所述圖案化罩幕層。
  8. 如申請專利範圍第6項所述的影像感測器的製造方法，其中在形成所述第一反光材料層之後以及在形成所述第二溝槽之前，更包括於所述主動面上形成內連線結構，其中所述內連線結構包括：所述介電層；以及線路結構，形成於所述介電層中，且與所述電晶體電性連接。
  9. 如申請專利範圍第6項所述的影像感測器的製造方法，其中在形成所述第一反光材料層之後以及在形成所述第二溝槽之前，更包括自所述背面處減小所述基底的厚度。
  10. 如申請專利範圍第9項所述的影像感測器的製造方法，其中自所述背面處減小所述基板的厚度的方法包括對所述背面進行化學機械研磨製程。
  11. 如申請專利範圍第6項所述的影像感測器的製造方法，所述第二溝槽的形成方法包括：於所述背面上形成第一圖案化罩幕層，其中所述第一圖案化罩幕層的暴露區域對應所述隔離結構的位置；以所述第一圖案化罩幕層為罩幕，進行蝕刻製程，移除部分所述基底，以形成第三溝槽，其中所述第三溝槽至少暴露出所述隔離結構的底面；移除所述第一圖案化罩幕層；於所述背面上形成介電層，其中所述介電層填滿所述第三溝槽；於所述介電層上形成第二圖案化罩幕層，其中所述第二圖案化罩幕層的暴露區域對應所述隔離結構中的所述第一反光材料層的位置，且所述第二圖案化罩幕層的暴露區域的面積小於所述第一圖案化罩幕層的暴露區域的面積； 以所述第二圖案化罩幕層為罩幕，進行蝕刻製程，移除部分所述介電層與部分所述隔離結構，以至少暴露出所述隔離結構中的所述第一反光材料層的底面；以及移除所述第二圖案化罩幕層。
  12. 如申請專利範圍第6項所述的影像感測器的製造方法，其中所述第二反光材料層的形成方法包括：於所述第二溝槽中與所述背面上形成反光材料，其中所述反光材料填滿所述第二溝槽；以及將所述反光材料圖案化，以形成開口，其中所述開口對應所述光二極體的位置且不與所述光二極體的整體重疊。
  13. 如申請專利範圍第6項所述的影像感測器的製造方法，其中在形成所述第二反光材料層之後以及在形成所述微透鏡之前，更包括：於所述第二反光材料層上形成介電層；以及於所述介電層上形成彩色濾光層。
  14. 如申請專利範圍第6項所述的影像感測器的製造方法，其中所述第一反光材料層包括金屬層。
  15. 如申請專利範圍第6項所述的影像感測器的製造方法，其中所述第二反光材料層包括金屬層。
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