JP2006191007A - Ｃｍｏｓイメージセンサおよびその製造方法 - Google Patents
Ｃｍｏｓイメージセンサおよびその製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2006191007A JP2006191007A JP2005353853A JP2005353853A JP2006191007A JP 2006191007 A JP2006191007 A JP 2006191007A JP 2005353853 A JP2005353853 A JP 2005353853A JP 2005353853 A JP2005353853 A JP 2005353853A JP 2006191007 A JP2006191007 A JP 2006191007A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- metal wiring
- forming
- image sensor
- cmos image
- insulating film
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 26
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 64
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 64
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims abstract description 17
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 16
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 42
- BOTDANWDWHJENH-UHFFFAOYSA-N Tetraethyl orthosilicate Chemical compound CCO[Si](OCC)(OCC)OCC BOTDANWDWHJENH-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 18
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 11
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 11
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims description 11
- 238000002955 isolation Methods 0.000 claims description 6
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 claims description 6
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims description 3
- 239000012535 impurity Substances 0.000 claims description 3
- 238000000151 deposition Methods 0.000 claims description 2
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 claims description 2
- 230000007423 decrease Effects 0.000 abstract description 2
- 206010034960 Photophobia Diseases 0.000 abstract 1
- 208000013469 light sensitivity Diseases 0.000 abstract 1
- 239000003292 glue Substances 0.000 description 10
- 238000000623 plasma-assisted chemical vapour deposition Methods 0.000 description 9
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 8
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 7
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 6
- 238000004518 low pressure chemical vapour deposition Methods 0.000 description 6
- 206010034972 Photosensitivity reaction Diseases 0.000 description 5
- NRTOMJZYCJJWKI-UHFFFAOYSA-N Titanium nitride Chemical compound [Ti]#N NRTOMJZYCJJWKI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 5
- 230000036211 photosensitivity Effects 0.000 description 5
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000005380 borophosphosilicate glass Substances 0.000 description 4
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 4
- 238000001020 plasma etching Methods 0.000 description 4
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 4
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 3
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 2
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 2
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- 239000003086 colorant Substances 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 2
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 2
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 description 2
- 125000006850 spacer group Chemical group 0.000 description 2
- WQJQOUPTWCFRMM-UHFFFAOYSA-N tungsten disilicide Chemical compound [Si]#[W]#[Si] WQJQOUPTWCFRMM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910021342 tungsten silicide Inorganic materials 0.000 description 2
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical compound [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002800 charge carrier Substances 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 1
- 238000001459 lithography Methods 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14643—Photodiode arrays; MOS imagers
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14601—Structural or functional details thereof
- H01L27/1462—Coatings
- H01L27/14621—Colour filter arrangements
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14601—Structural or functional details thereof
- H01L27/14625—Optical elements or arrangements associated with the device
- H01L27/14627—Microlenses
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14601—Structural or functional details thereof
- H01L27/14636—Interconnect structures
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14643—Photodiode arrays; MOS imagers
- H01L27/14645—Colour imagers
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14683—Processes or apparatus peculiar to the manufacture or treatment of these devices or parts thereof
- H01L27/14689—MOS based technologies
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/08—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof in which radiation controls flow of current through the device, e.g. photoresistors
- H01L31/10—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof in which radiation controls flow of current through the device, e.g. photoresistors characterised by potential barriers, e.g. phototransistors
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
- Transforming Light Signals Into Electric Signals (AREA)
Abstract
【課題】光感知素子をカラーフィルタの直下部に形成することで、光量の損失を防止し、光感度を向上させると共に、トランジスタを形成した後、その上に光感知素子を形成させることで、高集積回路の実現が可能となるＣＭＯＳイメージセンサおよびその製造方法を提供する。
【解決手段】本発明に係るＣＭＯＳイメージセンサは、半導体基板上に形成される複数のトランジスタと、前記複数のトランジスタを電気的に連結するために前記複数のトランジスタ上に形成される金属配線と、前記トランジスタと電気的に連結され、前記金属配線上に形成される複数の光感知素子とを含む。
【選択図】図３Ｄ
【解決手段】本発明に係るＣＭＯＳイメージセンサは、半導体基板上に形成される複数のトランジスタと、前記複数のトランジスタを電気的に連結するために前記複数のトランジスタ上に形成される金属配線と、前記トランジスタと電気的に連結され、前記金属配線上に形成される複数の光感知素子とを含む。
【選択図】図３Ｄ
Description
本発明はＣＭＯＳイメージセンサおよびその製造方法に係り、特に光感知素子をカラーフィルタの下部に形成して、光感応度の改善および高集積化を容易にするＣＭＯＳイメージセンサおよびその製造方法に関する。
一般的にイメージセンサは、光学映像を電気信号に変換させる半導体素子として、電荷結合素子（ＣＣＤ：Charge coupled device）と、ＣＭＯＳイメージセンサとがある。
電荷結合素子は、個別ＭＯＳキャパシタが互いに非常に近接した位置にあり電荷キャリアがキャパシタに格納されて移送される。
電荷結合素子は、個別ＭＯＳキャパシタが互いに非常に近接した位置にあり電荷キャリアがキャパシタに格納されて移送される。
ＣＭＯＳイメージセンサは、制御回路および信号処理回路を周辺回路に用いるＣＭＯＳ技術を用いて、画素数だけＭＯＳトランジスタを形成し、これを用いて順次出力を検出するスイッチング方式を採用する。
そして、被写体の情報を電気的な信号に変換するＣＭＯＳイメージセンサは、フォトダイオードが入っているシグナル処理チップなどで構成されており、一つのチップに増幅器、アナログ/デジタル変換機、内部電圧発生器、タイミングゼネレーター、そしてデジタルロジックなどが結合されるが、これは空間と電力、そして費用の節減の面で優れている。
また、ＣＭＯＳイメージセンサーは、電荷結合素子より安価のシリコンウェハーのエッチング工程を通して製造されるため、電荷結合素子に比べて大量生産が可能で集積度においても優れている。
また、ＣＭＯＳイメージセンサーは、電荷結合素子より安価のシリコンウェハーのエッチング工程を通して製造されるため、電荷結合素子に比べて大量生産が可能で集積度においても優れている。
ＣＭＯＳイメージセンサは、光を感知する光感知部分と、感知された光を電気的な信号に処理してデータ化するロジック回路の部分とで構成されている。光感度を高めるために、全体のイメージセンサ素子で光感知部分の面積の占める比率を大きくするための努力が行われているが、根本的にロジック回路の部分を除去することができないため、制限された面積においてこのような努力には限界がある。
光感度を高めるために、光感知部分以外の領域に入射する光の経路を変えて光感知部分に集める集光技術が登場したが、このような技術が言わばマイクロレンズ形成技術である。
また、カラー映像を作り出すためのイメージセンサは、外部からの光を受けて光電荷を生成および蓄積する光感知部分の上部にカラーフィルタが配列されている。
また、カラー映像を作り出すためのイメージセンサは、外部からの光を受けて光電荷を生成および蓄積する光感知部分の上部にカラーフィルタが配列されている。
カラーフィルタアレイは、赤、緑、青の三つの色からなるか、或いはイエロー、マジェンタ、およびシアンの三つの色からなる。
以下、添付の図面を参考にして従来技術のＣＭＯＳイメージセンサについて詳細に説明する。
図１Ａないし図１Ｆは、従来技術のＣＭＯＳイメージセンサの製造方法の工程断面図である。
図１Ａに示したように、半導体基板１００に選択的にホウ素のようなＰ型イオンを注入して、Ｐウェル１０１を形成し、素子分離のために半導体基板１００を選択的にエッチングしてトレンチを形成し、絶縁膜を充填させたフィールド酸化膜１０２を形成する。
図１Ａに示したように、半導体基板１００に選択的にホウ素のようなＰ型イオンを注入して、Ｐウェル１０１を形成し、素子分離のために半導体基板１００を選択的にエッチングしてトレンチを形成し、絶縁膜を充填させたフィールド酸化膜１０２を形成する。
半導体基板１００上にゲート酸化膜（図示せず）を形成し、前記ゲート酸化膜上にポリシリコン膜１０３とタングステンシリサイド膜１０４とからなるゲート電極１０５を形成する。
次いで、半導体基板１００の光感知素子領域に選択的に低濃度のＮ型拡散領域１０６とＰ型拡散領域１０７を形成して、光感知素子を形成する。
トランジスタのソースおよびドレインをＬＤＤ（lightly doped drain）構造に作るために、ゲート電極１０５の両側の半導体基板１００に低濃度のＮ型ＬＤＤ領域１０８を形成し、減圧化学的気相成長（ＬＰＣＶＤ：以下、減圧ＣＶＤ）法などを用いてＴＥＯＳ酸化膜または窒化膜を蒸着した後、異方性エッチングしてゲート電極１０５の側壁にスペーサー１０９を形成し、高濃度のＮ型拡散領域１１０を形成する。
図１Ｂに示したように、減圧ＣＶＤ法でＴＥＯＳ酸化膜（図示せず）を１０００Å程度の厚さで蒸着し、ＴＥＯＳ酸化膜上に常圧ＣＶＤ法でＢＰＳＧ膜（図示せず）を蒸着する。
そして、ＢＰＳＧ膜をフローさせ、第１金属配線絶縁膜１１１を形成し、第１金属配線絶縁膜１１１を選択的にエッチングして、高濃度のＮ型拡散領域１１０が露出されるコンタクトホール１１２を形成した後、チタニウム（Ｔｉ）膜で第１グルー層１１３を形成し、第１グルー層１１３上に配線用として第１アルミニウム１１４と、第１アルミニウム１１４上に非反射第１チタニウム窒化膜１１５を積層し、選択的にエッチングして第１金属配線１１６を形成する。ここで、コンタクトホール１１２はプラズマエッチング工程を行って形成する。
図１Ｃに示したように、プラズマ化学気相成長法を用いてＴＥＯＳ酸化膜１１７と、ＴＥＯＳ酸化膜１１７上にＳＯＧ酸化膜１１８をコーティングした後、熱処理をして平坦化工程を行う。
そして、第１ＴＥＯＳ酸化膜１１７と第１ＳＯＧ酸化膜１１８上に第１ＰＥＣＶＤ酸化膜１１９を形成する。第１ＴＥＯＳ酸化膜１１７、第２ＳＯＧ酸化膜１１８、そして第２ＰＥＣＶＤ酸化膜１１９は第２金属配線絶縁膜を構成する。
図１Ｄに示したように、第２金属配線絶縁膜を選択的にエッチングして、ビアホール１２１を形成し、チタニウム（Ｔｉ）で第２グルー層１２２を形成し、第２グルー層１２２上に第２アルミニウム１２３と、第２アルミニウム１２３上に非反射第２チタニウム窒化膜１２４を積層した後、プラズマエッチング工程によって第２金属配線１２５を形成する。
次いで、第２金属配線絶縁膜と同様に、第２ＴＥＯＳ酸化膜１２６と、第２ＴＥＯＳ酸化膜１２６上に第２ＳＯＧ酸化膜１２７と、第２ＳＯＧ酸化膜１２７上に第２ＰＥＣＶＤ酸化膜１２８とを積層する。
ここで、前記第２ＴＥＯＳ酸化膜１２６、第２ＳＯＧ酸化膜１２７、そして第２ＰＥＣＶＤ酸化膜１２８で第３金属配線絶縁膜を形成する。そして、このような工程を繰り返し行って必要な金属配線層を形成する。
ここで、前記第２ＴＥＯＳ酸化膜１２６、第２ＳＯＧ酸化膜１２７、そして第２ＰＥＣＶＤ酸化膜１２８で第３金属配線絶縁膜を形成する。そして、このような工程を繰り返し行って必要な金属配線層を形成する。
図１Ｅに示したように、第３金属配線絶縁膜上にＰＥＣＶＤ方法を用いて８０００Åの厚さの酸化膜で素子保護膜１２９を形成し、周辺回路領域の素子保護膜１２９および第３金属配線絶縁膜を選択的にエッチングして、電極端子として用いるためのパッド開口領域１３０を形成する。
図１Ｆに示したように、素子保護膜１２９上にカラーフィルタアレイ１３１と、平坦化層１３２とを順次形成し、前記平坦化層１３２上にマイクロレンズ１３３を形成する。
図２は従来技術のＣＭＯＳイメージセンサの光感知部およびゲート作動部のレイアウト図である。図２に示したように、半導体基板に形成されるＣＭＯＳイメージセンサは、光感知部１３４と、ゲート作動部１３５とで区分され、別途の領域に形成される。
しかしながら、かかる従来技術のＣＭＯＳイメージセンサおよびその製造方法には次のような問題があった。
光感知素子がカラーフィルタと離れているために光損失が発生する。即ち、光感知素子とカラーフィルタとの間に厚い膜質の絶縁膜が形成されており、光感知素子に入射する光が吸収、屈折および反射され、光感知素子の入射光が減少し、これによって光感度が低下する。また、光感知部とゲート作動部が別途の領域に形成されるため、高集積化が難しい。
本発明は上記のような問題点を解決するためのもので、その目的は、光感知素子をカラーフィルタの直下部に形成することで、光量の損失を防止し、光感度を向上させたＣＭＯＳイメージセンサおよびその製造方法を提供することにある。
また、トランジスタを形成した後、その上に光感知素子を形成させるため、高集積回路の実現が可能なＣＭＯＳイメージセンサおよびその製造方法を提供することに他の目的がある。
上記目的を達成するための本発明に係るＣＭＯＳイメージセンサは、半導体基板上に形成される複数のトランジスタと、前記複数のトランジスタを電気的に連結するために前記複数のトランジスタ上に形成される金属配線と、前記トランジスタと電気的に連結され、前記金属配線上に形成される複数の光感知素子とを含むことを特徴とする。
前記複数のトランジスタと前記複数の光感知素子との間には金属配線絶縁膜が形成され、前記金属配線絶縁膜には前記トランジスタと光感知素子とを電気的に連結させるためのプラグが形成されることが好ましい。
前記光感知素子上にはカラーフィルタ、平坦化層、およびマイクロレンズが順次形成されることが好ましい。
また、上記目的を達成するための本発明に係るＣＭＯＳイメージセンサの製造方法は、半導体基板上に複数のトランジスタを形成する段階と、前記複数のトランジスタを電気的に連結するために、前記複数のトランジスタ上に金属配線を形成する段階と、前記金属配線上に複数の光感知素子を形成する段階とを備えることを特徴とする。
前記複数の光感知素子を形成する段階は、前記トランジスタ上に金属配線絶縁膜を形成する段階と、前記金属配線絶縁膜に前記トランジスタのゲート電極まで貫通するスルーホールを形成する段階と、前記スルーホールを導電物質で充填して、プラグを形成する段階と、前記金属配線絶縁膜上にシリコン層を蒸着する段階と、前記プラグに対応する部分のみが露出されるように、前記シリコン層上にフォトレジストパターンを形成する段階と、前記フォトレジストパターンをマスクに用いて、Ｐ型およびＮ型不純物を注入する段階とを含むことが好ましい。
前記シリコン層上に形成された複数の光感知素子の間には隔離領域が更に形成されることが好ましい。
本発明に係るＣＭＯＳイメージセンサおよびその製造方法によれば、青色、緑色、そして赤色カラーフィルタの直下部に光感知素子が形成され、光損失を根本的に防止できると共に、ゲート電極の形成時に光感知素子が並列的に形成されず、ゲート電極上に形成されることで、光感知素子の面積を縮小させることができるので、高集積化が可能であるという効果がある。
以下、添付の図面に基づいて本発明に係るＣＭＯＳイメージセンサおよびその製造方法について詳細に説明する。
図３Ａ乃至図３Ｄは、本発明に係るＣＭＯＳイメージセンサの製造方法の工程断面図である。
図３Ａを参照すると、半導体基板にトランジスタを形成する時、光感知素子を形成しないことを除いては関連技術と同一の方法を用いて半導体基板上に最後の金属配線まで形成させる。
図３Ａを参照すると、半導体基板にトランジスタを形成する時、光感知素子を形成しないことを除いては関連技術と同一の方法を用いて半導体基板上に最後の金属配線まで形成させる。
即ち、半導体基板を素子分離のために選択的にエッチングしてトレンチを形成し、絶縁膜を充填させたフィールド酸化膜を形成する。半導体基板上にゲート酸化膜（図示せず）を形成し、ゲート絶縁膜上にポリシリコン膜とタングステンシリサイド膜を形成し、選択的にエッチングしてゲート電極を形成する。
トランジスタのソースおよびドレインをＬＤＤ（lightly doped drain）構造にするために、ゲート電極の両側の半導体基板に低濃度のＮ型のＬＤＤ領域を形成し、減圧ＣＶＤ法などを用いてＴＥＯＳ酸化膜または窒化膜を蒸着した後、異方性エッチングしてゲート電極の側壁にスペーサーを形成し、高濃度のＮ型拡散領域を形成する。
減圧ＣＶＤ法でＴＥＯＳ酸化膜（図示せず）を１０００Å程度の厚さで蒸着し、ＴＥＯＳ酸化膜上に常圧ＣＶＤ法でＢＰＳＧ膜（図示せず）を蒸着する。そして、ＢＰＳＧ膜をフローさせ、第１金属配線絶縁膜を形成し、第１金属配線絶縁膜を選択的にエッチングして、高濃度のＮ型拡散領域とゲート電極が露出されるコンタクトホールを形成した後、チタニウム（Ｔｉ）膜で第１グルー層を形成する。そして、第１グルー層上に配線用として第１アルミニウムと非反射第１チタニウム窒化膜を順次積層し、前記第１グルー層、第１アルミニウム、および第１チタニウム窒化膜を選択的にエッチングして、第１金属配線を形成する。
ここで、コンタクトホールはプラズマエッチング工程を行って形成する。
ここで、コンタクトホールはプラズマエッチング工程を行って形成する。
次いで、プラズマ化学気相成長法を用いて、第１ＴＥＯＳ酸化膜と第１ＳＯＧ（spin on glass）酸化膜を順次コーティングした後、熱処理をして平坦化工程を行う。
そして、第１ＴＥＯＳ酸化膜と第１ＳＯＧ酸化膜上に第１ＰＥＣＶＤ酸化膜を形成する。
ここで、前記第１ＴＥＯＳ酸化膜、第２ＳＯＧ酸化膜、そして第２ＰＥＣＶＤ酸化膜は第２金属配線絶縁膜を構成する。
ここで、前記第１ＴＥＯＳ酸化膜、第２ＳＯＧ酸化膜、そして第２ＰＥＣＶＤ酸化膜は第２金属配線絶縁膜を構成する。
次いで、第２金属配線絶縁膜を選択的にエッチングしてビアホールを形成し、チタニウム（Ｔｉ）で第２グルー層を形成し、第２グルー層上に第２アルミニウムと第２非反射チタニウム窒化膜２２４を順次積層した後、プラズマエッチング工程によって第２金属配線を形成する。そして、このような工程を繰り返し行って必要な金属配線層を形成する。
上記のような工程を経て最後の金属配線が形成されると、その上に第２ＴＥＯＳ酸化膜２２６および第２ＳＯＧ酸化膜２２７を順次積層して、第３金属配線絶縁膜を形成する。
そして、第２ＳＯＧ酸化膜２２７上に感光膜（図示せず）を塗布し、露光および現像して、ゲート電極と対応する領域を開口する感光膜パターン（図示せず）を形成する。前記感光膜パターンをマスクに用いて前記ゲート電極の表面が露出されるまでエッチングすることで、前記第１、第２および第３金属配線絶縁膜内にスルーホールを形成し、その後に形成される光感知素子との電気的な連結のために、スルーホール内に導電物質を充填してプラグ２３１を形成する。
図３Ｂに示したように、前記プラグ２３１を含む第２ＳＯＧ酸化膜２２７上にシリコン層２３２を形成し、前記シリコン層２３２上に前記プラグ２３１と対応する位置がオープンするようにフォトレジストパターン２３３を形成する。
次いで、図３Ｃに示したように、前記フォトレジストパターン２３３をマスクにしてシリコン層２３２にＰ型およびＮ型不純物を注入して、光感知素子２３４を形成する。また、リソグラフィ工程を経て、光感知素子２３４を隔離するための隔離領域２３５を前記シリコン層２３２の光感知素子２３４の間にそれぞれ形成する。
図３Ｄに示したように、周辺回路領域のシリコン層２３２、第２ＴＥＯＳ酸化膜２２６、そして第２ＳＯＧ酸化膜２２７を選択的にエッチングして、電極端子として用いるためのパッド開口領域２３６を形成する。そして、前記光感知素子２３４上に赤、緑、そして青色のカラーフィルタ２３７を形成し、前記カラーフィルタ２３１上に平坦化層２３８を形成し、前記平坦化層２３８上にマイクロレンズ２３９を形成する。
Claims (15)
- 半導体基板上に形成される複数のトランジスタと、
前記複数のトランジスタを電気的に連結するために、前記複数のトランジスタ上に形成される金属配線と、
前記トランジスタと電気的に連結され、前記金属配線上に形成される複数の光感知素子とを含むことを特徴とするＣＭＯＳイメージセンサ。 - 前記複数のトランジスタと前記複数の光感知素子との間に形成される金属配線絶縁膜を更に含むことを特徴とする請求項１に記載のＣＭＯＳイメージセンサ。
- 前記金属配線絶縁膜はＴＥＯＳ酸化膜およびＳＯＧ酸化膜を含むことを特徴とする請求項２に記載のＣＭＯＳイメージセンサ。
- 前記金属配線絶縁膜は前記複数のトランジスタと前記金属配線との間に形成される第１金属配線絶縁膜および、前記金属配線と前記光感知素子との間に形成される第２金属配線絶縁膜を含むことを特徴とする請求項２に記載のＣＭＯＳイメージセンサ。
- 前記トランジスタと前記光感知素子とを電気的に連結させるために、前記金属配線絶縁膜に形成されるプラグを更に含むことを特徴とする請求項２に記載のＣＭＯＳイメージセンサ。
- 前記金属配線は２つ以上の金属配線層を含むことを特徴とする請求項１に記載のＣＭＯＳイメージセンサ。
- 前記複数の光感知素子の間に形成される隔離領域を更に含むことを特徴とする請求項１に記載のＣＭＯＳイメージセンサ。
- 前記複数の光感知素子上に形成されるカラーフィルタと、前記カラーフィルタ上に形成される平坦化層と、前記平坦化層上に形成されるマイクロレンズとを更に含むことを特徴とする請求項１に記載のＣＭＯＳイメージセンサ。
- 半導体基板上に複数のトランジスタを形成する段階と、
前記複数のトランジスタを電気的に連結するために、前記複数のトランジスタ上に金属配線を形成する段階と、
前記金属配線上に複数の光感知素子を形成する段階とを備えることを特徴とするＣＭＯＳイメージセンサの製造方法。 - 前記複数の光感知素子を形成する段階の前に、前記トランジスタ上に金属配線絶縁膜を形成する段階を更に備えることを特徴とする請求項９に記載のＣＭＯＳイメージセンサの製造方法。
- 前記複数の光感知素子を形成する段階は、
前記金属配線絶縁膜に前記トランジスタのゲート電極まで貫通するスルーホールを形成する段階と、
前記スルーホールを導電物質で充填して、プラグを形成する段階と、
前記金属配線絶縁膜上にシリコン層を蒸着する段階と、
前記プラグに対応する部分のみが露出されるように、前記シリコン層上にフォトレジストパターンを形成する段階と、
前記フォトレジストパターンをマスクに用いて、Ｐ型およびＮ型不純物を注入する段階とを含むことを特徴とする請求項１０に記載のＣＭＯＳイメージセンサの製造方法。 - 前記複数の光感知素子の間に隔離領域を形成する段階を更に備えることを特徴とする請求項１１に記載のＣＭＯＳイメージセンサの製造方法。
- 前記複数のトランジスタと前記金属配線との間に第１金属配線絶縁膜を形成する段階と、前記金属配線と前記複数の光感知素子との間に第２金属配線絶縁膜を形成する段階とを更に備えることを特徴とする請求項９に記載のＣＭＯＳイメージセンサの製造方法。
- 前記金属配線を形成する段階は、
前記複数のトランジスタ上に第１金属配線絶縁膜を形成する段階と、
前記第１金属配線絶縁膜上に第１金属配線層を形成する段階と、
前記第１金属配線層上に第２金属配線絶縁膜を形成する段階と、
前記第２金属配線絶縁膜上に第２金属配線層を形成する段階と、
前記第２金属配線層上に第３金属配線絶縁膜を形成する段階とを含むことを特徴とする請求項９に記載のＣＭＯＳイメージセンサの製造方法。 - 前記複数の光感知素子上にカラーフィルタを形成する段階と、前記カラーフィルタ上に平坦化層を形成する段階と、前記平坦化層上にマイクロレンズを形成する段階とを更に備えることを特徴とする請求項９に記載のＣＭＯＳイメージセンサの製造方法。
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020040116557A KR100628238B1 (ko) | 2004-12-30 | 2004-12-30 | 시모스 이미지 센서 및 그의 제조 방법 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2006191007A true JP2006191007A (ja) | 2006-07-20 |
Family
ID=36062938
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2005353853A Pending JP2006191007A (ja) | 2004-12-30 | 2005-12-07 | Ｃｍｏｓイメージセンサおよびその製造方法 |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| US (2) | US7442572B2 (ja) |
| EP (1) | EP1677354A1 (ja) |
| JP (1) | JP2006191007A (ja) |
| KR (1) | KR100628238B1 (ja) |
| CN (1) | CN100463199C (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008252004A (ja) * | 2007-03-30 | 2008-10-16 | Fujifilm Corp | 固体撮像素子、固体撮像素子の製造方法 |
| WO2012005014A1 (ja) * | 2010-07-09 | 2012-01-12 | パナソニック株式会社 | 固体撮像装置 |
| KR101517849B1 (ko) | 2008-08-28 | 2015-05-07 | 삼성전자주식회사 | 불순물 거름막을 갖는 시모스 이미지 센서의 반도체 장치 및 그 제조 방법 |
Families Citing this family (15)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100628238B1 (ko) * | 2004-12-30 | 2006-09-26 | 동부일렉트로닉스 주식회사 | 시모스 이미지 센서 및 그의 제조 방법 |
| KR100798276B1 (ko) * | 2006-08-23 | 2008-01-24 | 동부일렉트로닉스 주식회사 | 이미지 센서 및 그 제조방법 |
| US7482646B2 (en) * | 2006-10-18 | 2009-01-27 | Hejian Technology (Suzhou) Co., Ltd. | Image sensor |
| KR100789577B1 (ko) * | 2006-10-30 | 2007-12-28 | 동부일렉트로닉스 주식회사 | 이미지 소자 및 이의 제조 방법 |
| KR100866248B1 (ko) * | 2006-12-23 | 2008-10-30 | 동부일렉트로닉스 주식회사 | 씨모스 이미지센서의 제조방법 |
| JP4110192B1 (ja) * | 2007-02-23 | 2008-07-02 | キヤノン株式会社 | 光電変換装置及び光電変換装置を用いた撮像システム |
| KR20080083971A (ko) * | 2007-03-14 | 2008-09-19 | 동부일렉트로닉스 주식회사 | 이미지센서 및 그 제조방법 |
| KR100850289B1 (ko) * | 2007-06-08 | 2008-08-04 | (주)실리콘화일 | 적층 구조의 이미지센서 및 그 제조방법 |
| JP4457142B2 (ja) * | 2007-10-17 | 2010-04-28 | シャープ株式会社 | 固体撮像素子、カメラモジュールおよび電子情報機器 |
| KR100922548B1 (ko) * | 2007-11-26 | 2009-10-21 | 주식회사 동부하이텍 | 씨모스 이미지 센서 및 제조 방법 |
| KR100954927B1 (ko) | 2007-12-14 | 2010-04-27 | 주식회사 동부하이텍 | 이미지 센서 및 그 제조방법 |
| KR100997315B1 (ko) | 2008-07-15 | 2010-11-29 | 주식회사 동부하이텍 | 이미지 센서의 제조 방법 |
| US9236408B2 (en) | 2012-04-25 | 2016-01-12 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Oxide semiconductor device including photodiode |
| CN102891158B (zh) * | 2012-10-25 | 2017-09-22 | 上海集成电路研发中心有限公司 | 一种背照式cmos图像传感器的制造方法 |
| KR102268707B1 (ko) | 2014-07-28 | 2021-06-28 | 삼성전자주식회사 | 이미지 센서 |
Citations (13)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6093893A (ja) * | 1983-10-28 | 1985-05-25 | Toshiba Corp | カラ−用固体撮像装置 |
| JPS61292960A (ja) * | 1985-06-21 | 1986-12-23 | Toshiba Corp | 固体撮像装置 |
| JPS62210401A (ja) * | 1986-03-12 | 1987-09-16 | Fujitsu Ltd | 密着型カラ−イメ−ジセンサ |
| JPH01202859A (ja) * | 1988-02-09 | 1989-08-15 | Fuji Photo Film Co Ltd | 固体撮像素子 |
| JPH01145143U (ja) * | 1988-03-28 | 1989-10-05 | ||
| JPH03120764A (ja) * | 1989-10-03 | 1991-05-22 | Nec Corp | 光センサ |
| JPH05291549A (ja) * | 1992-04-06 | 1993-11-05 | Ricoh Co Ltd | 積層型固体撮像デバイス |
| JPH08204164A (ja) * | 1995-01-23 | 1996-08-09 | Nippon Hoso Kyokai <Nhk> | 積層型固体撮像装置及びその製造方法 |
| JPH1197664A (ja) * | 1997-09-20 | 1999-04-09 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 電子機器およびその作製方法 |
| JP2003209239A (ja) * | 2002-01-07 | 2003-07-25 | Xerox Corp | 性能強化構造を備えるイメージセンサ |
| JP2004235635A (ja) * | 2003-01-29 | 2004-08-19 | Hynix Semiconductor Inc | Ｃｍｏｓイメージセンサの製造方法 |
| JP2004253630A (ja) * | 2003-02-20 | 2004-09-09 | Seiko Epson Corp | 固体撮像装置 |
| JP2004311594A (ja) * | 2003-04-03 | 2004-11-04 | Sony Corp | 固体撮像素子 |
Family Cites Families (15)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6252218B1 (en) | 1999-02-02 | 2001-06-26 | Agilent Technologies, Inc | Amorphous silicon active pixel sensor with rectangular readout layer in a hexagonal grid layout |
| JP4604301B2 (ja) * | 1999-04-28 | 2011-01-05 | 株式会社デンソー | 光センサ |
| TW409397B (en) * | 1999-05-26 | 2000-10-21 | United Microelectronics Corp | The structure of semiconductor image sensor and the manufacture method of the same |
| KR100390822B1 (ko) * | 1999-12-28 | 2003-07-10 | 주식회사 하이닉스반도체 | 이미지센서에서의 암전류 감소 방법 |
| US6288435B1 (en) | 1999-12-28 | 2001-09-11 | Xerox Corporation | Continuous amorphous silicon layer sensors using doped poly-silicon back contact |
| US6417022B1 (en) * | 2000-04-12 | 2002-07-09 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Method for making long focal length micro-lens for color filters |
| US6559488B1 (en) * | 2000-10-02 | 2003-05-06 | Stmicroelectronics, Inc. | Integrated photodetector |
| US7038242B2 (en) | 2001-02-28 | 2006-05-02 | Agilent Technologies, Inc. | Amorphous semiconductor open base phototransistor array |
| AU2002321022A1 (en) | 2001-05-16 | 2002-11-25 | Stmicroelectronics N.V. | Optoelectronic component having a conductive contact structure |
| KR100462164B1 (ko) * | 2002-01-11 | 2004-12-17 | 매그나칩 반도체 유한회사 | 필팩터를 향상시킨 씨모스 이미지센서 |
| US6809358B2 (en) * | 2002-02-05 | 2004-10-26 | E-Phocus, Inc. | Photoconductor on active pixel image sensor |
| US6730914B2 (en) * | 2002-02-05 | 2004-05-04 | E-Phocus, Inc. | Photoconductor-on-active-pixel (POAP) sensor utilizing equal-potential pixel electrodes |
| US6730900B2 (en) * | 2002-02-05 | 2004-05-04 | E-Phocus, Inc. | Camera with MOS or CMOS sensor array |
| WO2004077101A2 (en) | 2003-02-22 | 2004-09-10 | E-Phocus, Incorporated | Camera with mos or cmos sensor array |
| KR100628238B1 (ko) * | 2004-12-30 | 2006-09-26 | 동부일렉트로닉스 주식회사 | 시모스 이미지 센서 및 그의 제조 방법 |
-
2004
- 2004-12-30 KR KR1020040116557A patent/KR100628238B1/ko not_active IP Right Cessation
-
2005
- 2005-12-07 JP JP2005353853A patent/JP2006191007A/ja active Pending
- 2005-12-26 CN CNB2005101376094A patent/CN100463199C/zh not_active Expired - Fee Related
- 2005-12-29 US US11/319,487 patent/US7442572B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2005-12-30 EP EP05028766A patent/EP1677354A1/en not_active Withdrawn
-
2008
- 2008-09-22 US US12/232,682 patent/US7745862B2/en not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (13)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6093893A (ja) * | 1983-10-28 | 1985-05-25 | Toshiba Corp | カラ−用固体撮像装置 |
| JPS61292960A (ja) * | 1985-06-21 | 1986-12-23 | Toshiba Corp | 固体撮像装置 |
| JPS62210401A (ja) * | 1986-03-12 | 1987-09-16 | Fujitsu Ltd | 密着型カラ−イメ−ジセンサ |
| JPH01202859A (ja) * | 1988-02-09 | 1989-08-15 | Fuji Photo Film Co Ltd | 固体撮像素子 |
| JPH01145143U (ja) * | 1988-03-28 | 1989-10-05 | ||
| JPH03120764A (ja) * | 1989-10-03 | 1991-05-22 | Nec Corp | 光センサ |
| JPH05291549A (ja) * | 1992-04-06 | 1993-11-05 | Ricoh Co Ltd | 積層型固体撮像デバイス |
| JPH08204164A (ja) * | 1995-01-23 | 1996-08-09 | Nippon Hoso Kyokai <Nhk> | 積層型固体撮像装置及びその製造方法 |
| JPH1197664A (ja) * | 1997-09-20 | 1999-04-09 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 電子機器およびその作製方法 |
| JP2003209239A (ja) * | 2002-01-07 | 2003-07-25 | Xerox Corp | 性能強化構造を備えるイメージセンサ |
| JP2004235635A (ja) * | 2003-01-29 | 2004-08-19 | Hynix Semiconductor Inc | Ｃｍｏｓイメージセンサの製造方法 |
| JP2004253630A (ja) * | 2003-02-20 | 2004-09-09 | Seiko Epson Corp | 固体撮像装置 |
| JP2004311594A (ja) * | 2003-04-03 | 2004-11-04 | Sony Corp | 固体撮像素子 |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008252004A (ja) * | 2007-03-30 | 2008-10-16 | Fujifilm Corp | 固体撮像素子、固体撮像素子の製造方法 |
| KR101517849B1 (ko) | 2008-08-28 | 2015-05-07 | 삼성전자주식회사 | 불순물 거름막을 갖는 시모스 이미지 센서의 반도체 장치 및 그 제조 방법 |
| WO2012005014A1 (ja) * | 2010-07-09 | 2012-01-12 | パナソニック株式会社 | 固体撮像装置 |
| JP2012019166A (ja) * | 2010-07-09 | 2012-01-26 | Panasonic Corp | 固体撮像装置 |
| US9105544B2 (en) | 2010-07-09 | 2015-08-11 | Panasonic Intellectual Property Management Co., Ltd. | Solid-state imaging device |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR100628238B1 (ko) | 2006-09-26 |
| CN100463199C (zh) | 2009-02-18 |
| CN1819246A (zh) | 2006-08-16 |
| EP1677354A1 (en) | 2006-07-05 |
| US20060145217A1 (en) | 2006-07-06 |
| KR20060077925A (ko) | 2006-07-05 |
| US7442572B2 (en) | 2008-10-28 |
| US20090072283A1 (en) | 2009-03-19 |
| US7745862B2 (en) | 2010-06-29 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP2006191007A (ja) | Ｃｍｏｓイメージセンサおよびその製造方法 | |
| US7923727B2 (en) | Image sensor including a photoelectric conversion film | |
| KR100649034B1 (ko) | 씨모스 이미지 센서의 제조방법 | |
| US7598553B2 (en) | CMOS image sensor and method of manufacturing thereof | |
| KR20070069833A (ko) | 씨모스 이미지 센서 및 그 제조방법 | |
| US7723765B2 (en) | Image sensor having hydrophilic and hydrophobic microlenses and method for manufacturing the same | |
| US7560674B2 (en) | CMOS image sensor and method for manufacturing the same | |
| JP2006253680A (ja) | イメージセンサー及びその形成方法 | |
| KR100606922B1 (ko) | 보호막을 이용한 씨모스 이미지 센서 및 그 제조방법 | |
| KR20010061308A (ko) | 박막 이미지센서의 제조 방법 | |
| US20060145204A1 (en) | CMOS image sensor and method for fabricating the same | |
| KR20030037295A (ko) | 이미지센서 및 그 제조 방법 | |
| US20080054387A1 (en) | Image Sensor and Method for Manufacturing the Same | |
| KR20070034292A (ko) | 씨모스 이미지 센서 및 그 제조방법 | |
| KR20050105586A (ko) | 이미지센서 및 그 제조방법 | |
| KR20060077526A (ko) | 시모스 이미지 센서 및 그의 제조 방법 | |
| KR100518887B1 (ko) | 이미지센서의 제조방법 | |
| TWI775332B (zh) | 背照式影像感測器及其製造方法 | |
| KR100731093B1 (ko) | 씨모스 이미지 센서 및 그 제조방법 | |
| KR100628229B1 (ko) | 광감도 향상 및 고집적화를 위한 씨모스 이미지 센서 및그 제조방법 | |
| KR100628236B1 (ko) | 웨이퍼 뒷면을 이용한 씨모스 이미지 센서 및 그 제조방법 | |
| KR100628228B1 (ko) | 색 재현성 향상을 위한 씨모스 이미지 센서 및 그 제조방법 | |
| KR100649010B1 (ko) | 시모스 이미지 센서 및 그의 제조방법 | |
| KR20050106932A (ko) | 이미지센서 및 그 제조방법 | |
| KR100959442B1 (ko) | 이미지 센서 및 그 제조방법 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20090130 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20090209 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20090511 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20090721 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20091020 |
|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20100104 |