KR100628228B1 - 색 재현성 향상을 위한 씨모스 이미지 센서 및 그 제조방법 - Google Patents
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Abstract
본 발명은 색 재현성 향상을 위한 CMOS(Complementary Metal Oxide Semiconductor) 이미지 센서 및 그 제조방법에 관한 것으로, 특히 3가지 색상의 CFA(Color Filter Array) 형성에 있어 색 재현성 향상을 위하여 그 경계의 중첩을 방지하고 3가지 색상의 두께가 모두 일정하게 하는 것에 관한 것이다.
본 발명의 색 재현성 향상을 위한 CMOS 이미지 센서는 포토 다이오드를 포함하도록 형성된 층간 절연층; 상기 층간 절연층 위에 부분적으로 증착된 상부 금속층; 상기 상부 금속층 위에 증착된 USG막; 상기 증착된 USG(Undoped Silicate Glass)막 사이에 증착 및 노광된 후, CMP(Chemical Mechanical Polishing)되는 CFA(Color Filter Array); 및 상기 USG막 위에 형성된 마이크로 렌즈를 포함하는 것을 특징으로 한다.
색 재현성, CMOS 이미지 센서, CFA
Description
도 1은 종래의 CMOS 이미지 센서의 제1공정을 나타낸 것이다.
도 2는 종래의 CMOS 이미지 센서의 제2공정을 나타낸 것이다.
도 3은 종래의 CMOS 이미지 센서의 제3공정을 나타낸 것이다.
도 4는 종래의 CMOS 이미지 센서의 제4공정을 나타낸 것이다.
도 5는 종래의 CMOS 이미지 센서의 제5공정을 나타낸 것이다.
도 6은 종래의 CMOS 이미지 센서의 제6공정을 나타낸 것이다.
도 7은 본 발명의 CMOS 이미지 센서의 제1공정을 나타낸 것이다.
도 8은 본 발명의 CMOS 이미지 센서의 제2공정을 나타낸 것이다.
도 9는 본 발명의 CMOS 이미지 센서의 제3공정을 나타낸 것이다.
도 10은 본 발명의 CMOS 이미지 센서의 제4공정을 나타낸 것이다.
도 11은 본 발명의 CMOS 이미지 센서의 제5공정을 나타낸 것이다.
도 12는 본 발명의 CMOS 이미지 센서 및 제6공정을 나타낸 것이다.
〈도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명〉
200 : 포토다이오드 210 : 제1금속층
220 : 제1금속간 절연층 230 : 제2금속층
240 : 제2금속간 절연층 250 : 상부 금속층
본 발명은 색 재현성 향상을 위한 CMOS(Complementary Metal Oxide Semiconductor) 이미지 센서 및 그 제조방법에 관한 것으로, 특히 3가지 색상의 CFA(Color Filter Array) 형성에 있어 색 재현성 향상을 위하여 그 경계의 중첩을 방지하고 3가지 색상의 두께가 모두 일정하게 하는 것에 관한 것이다.
일반적으로, 이미지 센서는 광학영상을 전기신호로 변환시키는 반도체 소자이다. 이 중에서 전하결합소자(Charge Coupled Device, 이하 CCD)는 개개의 MOS (Metal Oxide Silicon) 커패시터가 서로 매우 근접한 위치에 있으면서 전하 캐리어가 커패시터에 저장되어 이송되는 소자이다. CMOS 이미지 센서는 제어회로 및 신호처리회로를 주변회로로 사용하는 CM0S 기술을 이용하여 화소의 수만큼 MOS 트랜지스터를 만들고, 이것을 이용하여 차례로 출력을 검출하는 스위칭 방식을 채용하는 소자이다.
CCD는 구동방식이 복잡하고, 전력소모가 많으며, 마스크 공정의 스텝의 수가 많아 공정이 복잡하고 신호처리회로를 CCD 칩 내에 구현할 수 없어 원칩(one chip)화가 곤란하다는 문제점이 있는 바, 최근에 이러한 단점을 극복하기 위하여 서브-마이크론(sub-micron) CMOS 제조방법을 이용한 CMOS 이미지 센서의 개발이 많이 연 구되고 있다.
CMOS 이미지 센서는 단위 화소 내에 포토다이오드와 MOS 트랜지스터를 형성시켜 스위칭 방식으로 차례로 신호를 검출함으로써 이미지를 구현하게 되는 데, CMOS 제조기술을 이용하므로 전력의 소모도 적고, 마스크 수도 20개 정도로 30~40개의 마스크가 필요한 CCD 공정에 비해 공정이 매우 단순하며, 여러 가지의 신호처리회로와 원칩화가 가능하여 차세대 이미지 센서로 각광을 받고 있으며, DSC (Digital Still Camera), PC 카메라 및 모바일 카메라 등의 많은 부분에 응용되고 있다.
도 1은 종래의 CMOS 이미지 센서의 제1공정을 나타낸 것이다. 도 1에 도시된 바와 같이, 단위 화소영역과 패드부위의 주변영역을 동시에 나타내고 있다. 실리콘 기판에 선택적으로 붕소(boron)이온을 주입하여 p-well 영역(50) 및 n-well 영역을 형성하고, 트렌치 (60)소자 분리공정을 사용하여 필드 산화막을 형성한다. 이 후, 원하는 문턱전압을 형성하기 위한 소정두께의 게이트 산화막을 형성하고, 그 위에 게이트 전극으로 사용할 폴리 실리콘막(40)과 텅스텐 실리사이드막(80)을 형성하며, 선택적 식각공정으로 소자의 게이트 전극을 형성한다. 이어서, 선택적 이온주입에 의해서 실리콘 기판에 n-이온주입영역(20)과 p-이온주입영역(10)을 형성하여 포토다이오드를 형성한다. 이어서, well 영역 내 트랜지스터의 소스 드레인을 LDD(Lightly Doped Drain) 구조로 만들기 위하여 저농도 소스/드레인 이온주입을 실시하고, 저압 화학증착(LPCVD) 방법을 이용하여 TEOS 산화막 또는 실리콘 질화막(SiN)을 증착한 후, 전면 식각하면 게이트 전극 측벽에 스페이서(70)를 형성한 다 음, 고농도 소스/드레인 이온주입을 실시하여 N형(30) 및 P형 접합영역을 형성한다.
도 2는 종래의 CMOS 이미지 센서의 제2공정을 나타낸 것이다. 도 2에 도시된 바와 같이, 금속배선 절연막(pre-metal dielectric: 이하 PMD)으로 LPCVD 방법으로 TEOS 산화막을 1000A 정도로 증착하고, 그 위에 상압 화학증착방법으로 PBSG를 증착한다. 이후, BPSG 막의 플로우 목적으로 열처리를 한다. 이후, PMD층(90)을 선택적으로 식각하여 소정의 접합영역과 게이트 전극이 노출되는 콘택홀(100)을 형성한 다음, 글루층인 티타늄(Ti, 110), 배선용 알루미늄(Al, 120) 비반사 티타늄타이트라이드(TiN, 130)을 각각 증착한 다음, 선택적 식각에 의해 제1금속배선을 형성한다. 여기서, 상기 콘택홀(100) 형성은 플라즈마 식각 공정으로 진행하여 형성한다.
도 3은 종래의 CMOS 이미지 센서의 제3공정을 나타낸 것이다. 도 3에 도시된 바와 같이, 플라즈마 화학증착(plasma enhanced chemical vapor deposition ; PECVD) 방법을 이용하여 TEOS 산화막(150) 및 SOG(Spin On Glass) 산화막(140)을 코팅한 후에 열처리를 하고 평탄화 공정을 거친다. 이어서, 그 위에 PECVD 방법으로 산화막(160)을 증착하여 제1금속간 절연층(inter-metal dielectric: 이하 PMD, 90)을 형성한다.
도 4는 종래의 CMOS 이미지 센서의 제4공정을 나타낸 것이다. 도 4에 도시된 바와 같이, 선택적으로 제1IMD층을 식각하여 비아홀(via hole)을 형성하고, 글루층인 티타늄(Ti), 배선용 알루미늄(Al) 비반사 티타늄 나이트라이드(TiN)을 적층한 후 플라즈마 식각 공정을 통하여 제2금속배선을 형성한다. 이어서, 제1IMD층 형성 방법과 동일하게 TEOS 산화막(150), SOG 산화막(140) 및 산화막(160)을 형성하여 제2IMD층을 형성한다. 상기 설명한 과정과 같은 프로세스(process)를 반복하여 필요한 금속배선층의 적층 수를 만들게 된다.
도 5는 종래의 CMOS 이미지 센서의 제5공정을 나타낸 것이다. 도 5에 도시된 바와 같이, 최상층의 금속배선을 형성한 후에는 소자보호막으로서 PECVD 방법으로, 8000A의 산화막을 증착하고 주변영역의 패드부위 금속을 드러내어 전극단자로 사용하기 위한 패드오픈공정을 실시한다. 즉, 소자보호막용 산화막 및 TiN 막을 식각하여 패드오픈부를 형성한다.
도 6은 종래의 CMOS 이미지 센서의 제6공정을 나타낸 것이다. 도 6에 도시된 바와 같이, 컬러필터(170) 어레이(color filter array)를 형성하고, 평탄화 층인 PL 층(180)을 형성한다. 그 위에 마이크로 렌즈(micro lens, 190)를 형성한다.
그러나, 종래에는 컬러필터 어레이의 형성이 3가지 색상으로 이루어졌는데, 그 경계가 항상 중첩되거나 3가지 색상의 두께가 균일하지 못한 문제점이 있었다.
이에 본 발명은 상기 문제점을 해결하기 위한 것으로써, 3가지 색상의 CFA(Color Filter Array) 형성에 있어 색 재현성 향상을 위하여 그 경계의 중첩을 방지하고 3가지 색상의 두께가 모두 일정하게 하는 CMOS(Complementary Metal Oxide Semiconductor) 이미지 센서 및 그 제조방법을 제공하는 것을 목적으로 한다.
본 발명은 색 재현성 향상을 위한 CMOS(Complementary Metal Oxide Semiconductor) 이미지 센서 및 그 제조방법에 관한 것으로, 특히 3가지 색상의 CFA(Color Filter Array) 형성에 있어 색 재현성 향상을 위하여 그 경계의 중첩을 방지하고 3가지 색상의 두께가 모두 일정하게 하는 것에 관한 것이다.
본 발명의 색 재현성 향상을 위한 CMOS 이미지 센서는 포토 다이오드를 포함하도록 형성된 층간 절연층; 상기 층간 절연층 위에 부분적으로 증착된 상부 금속층; 상기 상부 금속층 위에 증착된 USG막; 상기 증착된 USG(Undoped Silicate Glass)막 사이에 증착 및 노광된 후, CMP(Chemical Mechanical Polishing)되는 CFA(Color Filter Array); 및 상기 USG막 위에 형성된 마이크로 렌즈를 포함하는 것을 특징으로 한다.
또한, 본 발명의 색 재현성 향상을 위한 CMOS 이미지 센서 제조방법은 포토 다이오드를 포함하도록 층간 절연층을 형성하고, 상기 층간 절연층 위에 상부 금속층을 부분적으로 증착하는 제1공정; 상기 상부 금속층 위에 USG막을 증착하고, 상부 금속층을 디파인(define)하는 제2공정; 상기 USG막 사이에 CFA를 증착하고 노광하는 제3공정; CMP를 통하여 상기 USG막 위 부분의 CFA를 제거하는 제4공정; 및 상기 USG막 위에 마이크로 렌즈를 형성하는 제5공정을 포함하는 것을 특징으로 한다.
이하, 본 발명의 실시에 대한 구성 및 그 작용을 첨부한 도면을 참조하면서 상세히 설명하기로 한다.
도 7은 본 발명의 CMOS 이미지 센서의 제1공정을 나타낸 것이다. 도 7에 도시된 바와 같이, 하부에 포토다이오드(200)가 형성되어 있고, 포토다이오드(200)의 상부에는 층간절연막이 포토다이오드(200)와 제1금속층(210)을 절연한다. 층간절연막 상부에는 제1금속층(210), 제2금속층(230)이 순차적으로 증착되어 있고, 제1금 속간 절연층(220)이 제1금속층(210)과 제2금속층(230)을 절연한다. 제2금속층(230) 상부에는 제2금속간 절연층(240)이 형성되어 있다. 먼저, 제2금속간 절연층(240) 상부 에 상부 금속층(250)을 부분적으로 증착한다.
도 8은 본 발명의 CMOS 이미지 센서의 제2공정을 나타낸 것이다. 도 8에 도시된 바와 같이, 상부 금속층(250) 위에 제1USG막(260a)을 증착한다. 여기서, 제1USG막(260a)의 두께는 3000~10000Å으로 한다.
도 9는 본 발명의 CMOS 이미지 센서의 제3공정을 나타낸 것이다. 도 9에 도시된 바와 같이, 상부 금속층(250)을 디파인(270a)한다. 마찬가지로, 제2USG막(260b)과 제3USG막(260c)도 다른 부분의 상부금속층 위에 증착하고, 각각의 상부 금속층을 디파인(270b, 270c)한다. 여기서, 제2USG막(260b)과 제3USG막(260c)은 전면 이방성 식각하여 하부층을 노출시키도록 한다.
도 10은 본 발명의 CMOS 이미지 센서의 제4공정을 나타낸 것이다. 도 10에 도시된 바와 같이, 증착된 제1USG막(260a)과 제2USG막(260b) 사이에 제1CFA(280)를 증착하고 노광한다.
도 11은 본 발명의 CMOS 이미지 센서의 제5공정을 나타낸 것이다. 도 11에 도시된 바와 같이, 다른 부분의 증착된 제2USG막(260b)과 제3USG막(260c) 사이에 제2CFA(290)를 증착하고 노광한다. 마찬가지로, 제3CFA를 증착한다면 제3CFA도 제1CFA(280)와 제2CFA(290)와 같이 또 다른 부분의 증착된 제3USG막(260c)과 제3USG막(260c)에 인접한 제1USG막(도시되지 않음) 사이에 제3CFA를 증착하고 노광한다.
도 12는 본 발명의 CMOS 이미지 센서 및 제6공정을 나타낸 것이다. 도 12에 도시된 바와 같이, CMP를 통하여 USG막(260a, 260b, 260c) 위 부분의 제1CFA(280), 제2CFA(290) 및 제3CFA를 제거함으로써 상부 금속층(250) 위의 USG막(260a, 260b, 260c)이 노출된다. 그리고, 여기에 마이크로 렌즈(도시되지 않음)를 형성한다.
상기 공정을 통하여 제조된 본 발명의 색 재현성 향상을 위한 CMOS 이미지 센서는 다음을 포함하여 구성된다.
절연층 위 부분에 부분적으로 상부 금속층(250)이 증착되고, 상기 상부 금속층(250) 위에는 USG막이 증착된다. 상기 증착된 USG막 사이에 증착 및 노광되며 CMP되는 CFA가 있으며, 상기 USG막 위에 마이크로 렌즈(도시되지 않음)가 형성된다.
이상에서 설명한 내용을 통해 본 업에 종사하는 당업자라면 본 발명의 기술사상을 이탈하지 아니하는 범위 내에서 다양한 변경 및 수정이 가능함을 알 수 있을 것이다. 따라서, 본 발명의 기술적 범위는 실시예에 기재된 내용만으로 한정되는 것이 아니라 특허청구범위에 의하여 정해져야 한다.
이상에서와 같이 본 발명에 의한 CMOS(Complementary Metal Oxide Semiconductor) 이미지 센서 및 그 제조방법은 3가지 색상의 CFA(Color Filter Array) 형성에 있어 그 경계의 중첩을 방지하고 3가지 색상의 두께가 모두 일정하게 하여 색 재현성을 향상시킬 수 있다.
Claims (6)
- 포토 다이오드를 포함하도록 형성된 층간 절연층;상기 층간 절연층 위에 부분적으로 증착된 상부 금속층;상기 상부 금속층 위에 증착된 USG막;상기 증착된 USG(Undoped Silicate Glass)막 사이에 증착 및 노광된 후, CMP(Chemical Mechanical Polishing)되는 CFA(Color Filter Array); 및상기 USG막 위에 형성된 마이크로 렌즈를 포함하는 것을 특징으로 하는 색 재현성 향상을 위한 CMOS 이미지 센서.
- 포토 다이오드를 포함하도록 층간 절연층을 형성하고, 상기 층간 절연층 위에 상부 금속층을 부분적으로 증착하는 제1공정;상기 상부 금속층 위에 USG막을 증착하고, 상부 금속층을 디파인(define)하는 제2공정;상기 USG막 사이에 CFA를 증착하고 노광하는 제3공정;CMP를 통하여 상기 USG막 위 부분의 CFA를 제거하는 제4공정; 및상기 USG막 위에 마이크로 렌즈를 형성하는 제5공정을 포함하는 것을 특징으로 하는 색 재현성 향상을 위한 CMOS 이미지 센서 제조방법.
- 청구항 2에 있어서,상기 제2공정은제1 상부 금속층 위에 제1USG막을 증착하고 제1 상부 금속층을 디파인하는 제2-1공정;제2 상부 금속층 위에 제2USG막을 증착하고 제2 상부 금속층을 디파인하는 제2-2공정; 및제3 상부 금속층 위에 제3USG막을 증착하고 제3 상부 금속층을 디파인하는 제2-3공정을 포함하는 것을 특징으로 하는 색 재현성 향상을 위한 CMOS 이미지 센서 제조방법.
- 청구항 3에 있어서,상기 제1USG막 내지 제3USG막 각각의 두께는 3000~10000Å으로 하는 것을 특징으로 하는 색 재현성 향상을 위한 CMOS 이미지 센서 제조방법.
- 청구항 3에 있어서,상기 제2USG막과 제3USG막은 전면 이방성 식각하여 하부층을 노출시키는 것을 특징으로 하는 색 재현성 향상을 위한 CMOS 이미지 센서 제조방법.
- 청구항 3에 있어서,상기 제3공정은상기 제1USG막과 제2USG막 사이에 제1CFA를 증착하고 노광하는 제3-1공정;상기 제2USG막과 제3USG막 사이에 제2CFA를 증착하고 노광하는 제3-2공정; 및상기 제3USG막과 상기 제3USG막에 인접한 제1USG막 사이에 제3CFA를 증착하고 노광하는 제3-3공정을 포함하는 것을 특징으로 하는 색 재현성 향상을 위한 CMOS 이미지 센서 제조방법.
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| KR1020040116479A KR100628228B1 (ko) | 2004-12-30 | 2004-12-30 | 색 재현성 향상을 위한 씨모스 이미지 센서 및 그 제조방법 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020040116479A KR100628228B1 (ko) | 2004-12-30 | 2004-12-30 | 색 재현성 향상을 위한 씨모스 이미지 센서 및 그 제조방법 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
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Family
ID=37169632
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1020040116479A KR100628228B1 (ko) | 2004-12-30 | 2004-12-30 | 색 재현성 향상을 위한 씨모스 이미지 센서 및 그 제조방법 |
Country Status (1)
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-
2004
- 2004-12-30 KR KR1020040116479A patent/KR100628228B1/ko not_active IP Right Cessation
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR20060077576A (ko) | 2006-07-05 |
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