JP2004235635A - Cmosイメージセンサの製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】 複数の画素構造が形成された基板20のカラーフィルタ26上面に、感光膜からなるオーバーコーティング層27を形成し、フォトリソグラフィ工程によって、カラーフィルタ26が隣接する領域上のオーバーコーティング層27に凹部27aを形成し、凹部27aに囲まれた各画素領域におけるオーバーコーティング層27上面に角形マイクロレンズ28を形成し、熱処理を施してこれをフローさせ、マイクロレンズ28aを形成する。
【選択図】 図2D
Description
本実施の形態では、通常のバイナリマスクと同様に、ガラス基板とクロム遮光膜とで構成されたバイナリマスクを用いるが、該バイナリマスクのクロム遮光膜の開口は露光装置の限界解像度以下の大きさとなっている。本実施の形態では、バイナリマスク31におけるクロム遮光膜の開口の幅d1は露光装置の限界解像度以下である0.2μm以下としている。このようなバイナリマスク31を用いると、クロム遮光膜の開口を利用して形成する凹部27aの幅及び深さを、オーバーコーティング層27のドーズ量の調節によって制御することができる。
本実施の形態では、上記のような位相シフトマスクを利用したフォトリソグラフィ工程によってオーバーコーティング層47を露光及び現像し、図4Bに示すように、カラーフィルタ26が隣接する領域上のオーバーコーティング層47に微細な凹部47aを形成する凹部形成ステップを行う。本実施の形態では、高解像度のパターンを得ることができる位相シフトマスクを用いるので、凹部47aの幅を約0.1μm以下の微細なパターンとすることができる。好ましくは、凹部の幅を約0.03μm〜約0.1μmとする。
21、51 素子分離膜
22、52 フォトダイオード
23、53 層間絶縁膜
24、54 最終金属配線
25、55 パッシべーション膜
26、57 カラーフィルタ
27、37、47 オーバーコーティング層
27a、37a、47a 凹部
28、38、48、60a 角形マイクロレンズ
28a、38a、48a、60b マイクロレンズ
31、32 バイナリマスク
33 位相シフトマスク
56 第1のオーバーコーティング層
58 第2のオーバーコーティング層
59 第3のオーバーコーティング層
60 マイクロレンズ形成用感光膜
Claims (10)
- それぞれがフォトダイオード及びその上方にカラーフィルタを有する複数の画素構造が配列して形成された基板の前記カラーフィルタ上面に、ポジ型感光膜からなるオーバーコーティング層を形成するオーバーコーティング層形成ステップと、
バイナリマスクを利用したフォトリソグラフィ工程によって前記オーバーコーティング層を露光及び現像し、前記カラーフィルタが隣接する領域上の前記オーバーコーティング層に凹部を形成する凹部形成ステップと、
該凹部に囲まれた各画素領域における前記オーバーコーティング層上面に角形マイクロレンズを形成する角形マイクロレンズ形成ステップと、
熱処理を施して前記角形マイクロレンズをフローさせ、マイクロレンズを形成するマイクロレンズ形成ステップと
を含んでいることを特徴とするCMOSイメージセンサの製造方法。 - それぞれがフォトダイオード及びその上方にカラーフィルタを有する複数の画素構造が配列して形成された基板の前記カラーフィルタ上面に、ネガ型感光膜からなるオーバーコーティング層を形成するオーバーコーティング層形成ステップと、
バイナリマスクを利用したフォトリソグラフィ工程によって前記オーバーコーティング層を露光及び現像し、前記カラーフィルタが隣接する領域上の前記オーバーコーティング層に凹部を形成する凹部形成ステップと、
該凹部に囲まれた各画素領域における前記オーバーコーティング層上面に角形マイクロレンズを形成する角形マイクロレンズ形成ステップと、
熱処理を施して前記角形マイクロレンズをフローさせ、マイクロレンズを形成するマイクロレンズ形成ステップと
を含んでいることを特徴とするCMOSイメージセンサの製造方法。 - 前記凹部形成ステップを、
前記凹部の幅が0.1〜0.2μmとなるように、光を透過させる部分の幅を限界解像度以下に設定したバイナリマスクを利用して行うことを特徴とする請求項1記載のCMOSイメージセンサの製造方法。 - 前記凹部の幅及び深さを、前記オーバーコーティング層のドーズ量の調節によって制御することを特徴とする請求項3記載のCMOSイメージセンサの製造方法。
- それぞれがフォトダイオード及びその上方にカラーフィルタを有する複数の画素構造が配列して形成された基板の前記カラーフィルタ上面に、ネガ型感光膜からなるオーバーコーティング層を形成するオーバーコーティング層形成ステップと、
位相シフトマスクを利用したフォトリソグラフィ工程によって前記オーバーコーティング層を露光及び現像し、前記カラーフィルタが隣接する領域上の前記オーバーコーティング層に凹部を形成する凹部形成ステップと、
該凹部に囲まれた各画素領域における前記オーバーコーティング層上面に角形マイクロレンズを形成する角形マイクロレンズ形成ステップと、
熱処理を施して前記角形マイクロレンズをフローさせ、マイクロレンズを形成するマイクロレンズ形成ステップと
を含んでいることを特徴するCMOSイメージセンサの製造方法。 - 前記凹部形成ステップを、
露光時に、前記凹部が形成される領域において、互いに反対の位相の光が照射されるように設定された位相シフトマスクを利用して行うことを特徴とする請求項5記載のCMOSイメージセンサの製造方法。 - 前記位相シフトマスクを利用して、約0.03〜約0.1μmの幅を有する凹部を形成することを特徴とする請求項6記載のCMOSイメージセンサの製造方法。
- それぞれがフォトダイオードを有し、パッシべーション膜で覆われた複数の画素構造が配列して形成された基板の前記パッシべーション膜上面に第1のオーバーコーティング層を形成する第1のオーバーコーティング層形成ステップと、
前記複数の画素構造上の前記第1のオーバーコーティング層上面に複数のカラーフィルタを形成するカラーフィルタ形成ステップと、
前記複数のカラーフィルタ上面に第2のオーバーコーティング層を形成する第2のオーバーコーティング層形成ステップと、
前記第2のオーバーコーティング層上面に第3のオーバーコーティング層用膜を塗布し、該第3のオーバーコーティング層用膜をパターニングして、前記複数の画素構造上の前記第2のオーバーコーティング層上面に、互いに隔離されて配列された複数の第3のオーバーコーティング層を形成する第3のオーバーコーティング層形成ステップと、
前記第3のオーバーコーティング層及び前記第2のオーバーコーティング層上にマイクロレンズ形成用感光膜を塗布するマイクロレンズ形成用感光膜塗布ステップと、
前記第3のオーバーコーティング層上の前記マイクロレンズ形成用感光膜を残し、前記第3のオーバーコーティング層周辺の前記マイクロレンズ形成用感光膜を除去するように、前記マイクロレンズ形成用感光膜をパターニングして、前記第3のオーバーコーティング層上に角形マイクロレンズを形成する角形マイクロレンズ形成ステップと、
熱処理を施して前記角形マイクロレンズをフローさせ、前記第3のオーバーコーティング層上に半球状のマイクロレンズを形成するマイクロレンズ形成ステップと
を含んでいることを特徴とするCMOSイメージセンサの製造方法。 - 前記第3のオーバーコーティング層形成ステップにおいて、
前記第3のオーバーコーティング層を、マイクロレンズの幅より広い幅を有し、互いに約0.4〜約0.6μmの隔離幅で隔離されるようにパターニングすることを特徴とする請求項8記載のCMOSイメージセンサの製造方法。 - 前記マイクロレンズ形成ステップは、
前記角形マイクロレンズをブランク露光させるブランク露光ステップと、
約150℃の温度で約5分間の熱処理を施して前記角形マイクロレンズをフローさせて、前記マイクロレンズを形成する角形マイクロレンズフローステップと、
約200℃の温度で約5分間の熱処理を施して前記マイクロレンズを硬化させる硬化処理ステップと
をさらに含むことを特徴とする請求項8記載のCMOSイメージセンサの製造方法。
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